專利名稱：Pm2.5過濾結(jié)構(gòu)及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微納復(fù)合結(jié)構(gòu)及其制備方法，尤其是一種PM2.5過濾結(jié)構(gòu)及其制備方法，具體地說是一種基于雙層圖形化納米纖維的可用于阻擋PM2.5實(shí)現(xiàn)空氣凈化的結(jié)構(gòu)及其制備方法，屬于材料和MEMS的交叉技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
PM2.5是指大氣中直徑小于或等于2.5微米的顆粒物，也稱可入肺顆粒物。雖然PM2.5只是地球大氣成分中含量很少的組分，但它對空氣質(zhì)量和能見度等有著重要的影響。PM2.5粒徑小，含有大量有毒、有害物質(zhì)且在大氣中停留時(shí)間長、輸送距離遠(yuǎn)，因此對人體健康和大氣環(huán)境質(zhì)量的影響很大。氣象專家和醫(yī)學(xué)專家認(rèn)為，由細(xì)顆粒物造成的灰霾天氣對人體健康的危害甚至要比沙塵暴更大。粒徑10微米以上的顆粒物，會被擋在人的鼻子外面，粒徑在2.5-10微米之間的顆粒物，能夠進(jìn)入上呼吸道，但部分可通過痰液等排出體外，另外，也會被鼻腔內(nèi)部的絨毛阻擋，對人體健康危害相對較小。而粒徑在2.5微米以下的細(xì)顆粒物，不易被阻擋，被吸入人體后會直接進(jìn)入支氣管，干擾肺部的氣體交換，引發(fā)包括哮喘、支氣管炎和心血管病等方面的疾病。人體的生理結(jié)構(gòu)決定了人體對PM2.5沒有任何過濾、阻攔能力，而PM2.5對人類健康的危害卻隨著醫(yī)學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，逐漸暴露出其恐怖的一面。每個(gè)人平均每天要吸入約I萬升的空氣，進(jìn)入肺泡的微塵會被迅速吸收、不經(jīng)過肝臟解毒而直接進(jìn)入血液循環(huán)分布到全身各處，進(jìn)而損害血紅蛋白輸送氧的能力，造成血液喪失，對貧血和血液循環(huán)障礙的病人來說，這種情況可能會產(chǎn)生非常嚴(yán)重的后果，例如可能加重呼吸系統(tǒng)疾病，甚至引起充血性心力衰竭和冠狀動脈等心臟疾病。這些顆粒還將通過支氣管和肺泡進(jìn)入血液，其中含有的有害氣體、重金屬等會溶解在血液中，對人體健康的傷害更大。鑒于此，如何阻擋PM2.5通過口鼻進(jìn)入人體危害人體健康就成為了 一項(xiàng)具有重大意義的工作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種PM2.5過濾結(jié)構(gòu)及其制備方法，其利用平均間隙小于I微米的縱向納米纖維體捕獲經(jīng)過的PM2.5，利用孔隙可調(diào)控的橫向納米纖維體捕獲遺漏的PM2.5及少量脫落的縱向納米纖維體，同時(shí)利用纖維材料體中存在的納米間隙/孔隙和微米孔洞結(jié)構(gòu)使空氣順利通過，進(jìn)而達(dá)到空氣凈化的目標(biāo)。該P(yáng)M2.5過濾結(jié)構(gòu)制備方法簡單，可與常規(guī)MEMS工藝相兼容，材料的選擇范圍大，結(jié)構(gòu)的應(yīng)用安全可靠。按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述PM2.5過濾結(jié)構(gòu)，包括基底；所述基底的第一主面上設(shè)置鏤空結(jié)構(gòu)層，所述鏤空結(jié)構(gòu)層內(nèi)設(shè)置若干貫通鏤空結(jié)構(gòu)層的微米孔洞結(jié)構(gòu)，所述微米孔洞結(jié)構(gòu)與基底內(nèi)的空氣流通腔體相連通；在鏤空結(jié)構(gòu)層上設(shè)置橫向納米纖維體，所述橫向納米纖維體覆蓋在微米孔洞結(jié)構(gòu)上，并利用呈纖維狀的底部緊固在鏤空結(jié)構(gòu)層上；橫向納米纖維體上設(shè)置縱向納米纖維體，所述縱向納米纖維體覆蓋在橫向納米纖維體及鏤空結(jié)構(gòu)層上。所述縱向納米纖維體呈纖維狀垂直于基底分布，縱向納米纖維體的平均間隙小于I μ m。所述微米孔洞結(jié)構(gòu)的孔徑為flOym。所述橫向納米纖維體的平均間隙為10nm^990nmo一種PM2.5過濾結(jié)構(gòu)的制備方法，所述過濾結(jié)構(gòu)的制備方法包括如下步驟:
a、提供基底，在所述基底的第一主面上設(shè)置鏤空結(jié)構(gòu)層，在基底的第二主面上設(shè)置背腔腐蝕掩膜層；
b、選擇性地掩蔽和刻蝕所述鏤空結(jié)構(gòu)層，以在基底的第一主面上方形成若干貫通鏤空結(jié)構(gòu)層的微米孔洞結(jié)構(gòu)；
C、在上述形成微米孔洞結(jié)構(gòu)的鏤空結(jié)構(gòu)層上設(shè)置第一聚合物材料圖形，所述第一聚合物材料圖形覆蓋在微米孔洞結(jié)構(gòu)上表面；
d、利用等離子體轟擊上述第一聚合物材料圖形，直至在基底的第一主面上方形成橫向納米纖維體；
e、在上述基底上設(shè)置第二聚合物材料圖形，所述第二聚合物材料圖形覆蓋在橫向納米纖維體及相應(yīng)的鏤空結(jié)構(gòu)層上；
f、在上述背腔腐蝕掩膜層上設(shè)置所需的基底腐蝕掩膜；
g、利用所述基底腐蝕掩膜及背腔腐蝕掩膜層對基底進(jìn)行腐蝕，以得到貫通基底的空氣流通腔體，所述空氣流通腔體與微米孔洞結(jié)構(gòu)相連通；
h、利用等離子體轟擊第二聚合物材料圖形，直至得到縱向納米纖維體。所述步驟d和步驟h中，所述等離子體包括氧等離子體或氬等離子體。所述第一聚合物材料圖形及第二聚合物材料圖形的材料包括光刻膠、PDMS,Parylene或聚酰亞胺。所述微米孔洞結(jié)構(gòu)呈正方形、長方形或圓形。所述基底的材料包括硅。所述鏤空結(jié)構(gòu)層及背腔腐蝕掩膜層均為二氧化硅層或二氧化硅和氮化硅的復(fù)合層。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn):基底上設(shè)置縱向納米纖維體及橫向納米纖維體，利用平均間隙小于I微米的縱向納米纖維體捕獲經(jīng)過的PM2.5，利用孔隙可調(diào)控的橫向納米纖維體捕獲遺漏的PM2.5及少量脫落的縱向納米纖維體，同時(shí)利用納米纖維體中存在的納米間隙/孔隙和微米孔洞結(jié)構(gòu)使空氣順利通過，進(jìn)而達(dá)到空氣凈化的目標(biāo)。該P(yáng)M2.5過濾結(jié)構(gòu)的制備方法簡單，可與常規(guī)MEMS工藝相兼容，材料的選擇范圍大，結(jié)構(gòu)的應(yīng)用安全可靠。


圖1為本發(fā)明在基底上下表面分別設(shè)置鏤空結(jié)構(gòu)層和背腔腐蝕掩膜層材料后的剖面圖。圖2為本發(fā)明在鏤空結(jié)構(gòu)層上形成微米孔洞結(jié)構(gòu)后的剖面圖。圖3為本發(fā)明在微米孔洞結(jié)構(gòu)上設(shè)置第一聚合物材料圖形后的剖面圖。圖4為本發(fā)明在微米孔洞結(jié)構(gòu)上形成橫向納米纖維體后的剖面圖。圖5為本發(fā)明在基底上設(shè)置第二聚合物材料圖形后的剖面圖。
圖6為本發(fā)明在基底下表面設(shè)置基底腐蝕掩膜后的剖視圖。圖7為本發(fā)明進(jìn)行了背腔腐蝕后的剖視圖。圖8為本發(fā)明對基底進(jìn)行等離子體轟擊形成縱向納米纖維體后的剖視圖。附圖標(biāo)記說明:101-基底、102-鏤空結(jié)構(gòu)層、103-背腔腐蝕掩模層、201-微米孔洞結(jié)構(gòu)、301-第一聚合物材料圖形、401-橫向納米纖維體；501-第二聚合物材料圖形、601-基底腐蝕掩膜、701-空氣流通腔體及801-縱向納米纖維體。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。如圖8所示:為了能夠?qū)諝庵械腜M2.5進(jìn)行有效過濾，本發(fā)明包括基底101 ;所述基底101的第一主面上設(shè)置鏤空結(jié)構(gòu)層102，所述鏤空結(jié)構(gòu)層102內(nèi)設(shè)置若干貫通鏤空結(jié)構(gòu)層102的微米孔洞結(jié)構(gòu)201，所述微米孔洞結(jié)構(gòu)201與基底101內(nèi)的空氣流通腔體701相連通；在鏤空結(jié)構(gòu)層102上設(shè)置橫向納米纖維體401，所述橫向納米纖維體401覆蓋在微米孔洞結(jié)構(gòu)201上，并利用呈纖維狀的底部緊固在鏤空結(jié)構(gòu)層102上；橫向納米纖維體401上設(shè)置縱向納米纖維體801，所述縱向納米纖維體801覆蓋在橫向納米纖維體401及鏤空結(jié)構(gòu)層102上。具體地，所述縱向納米纖維體801與橫向納米纖維體401均呈纖維狀，縱向納米纖維體801的平均間隙小于I μ m,縱向納米纖維體801垂直于基底101分布，利用縱向納米纖維體801能對穿過縱向納米纖維體801的空氣中的PM2.5進(jìn)行有效過濾。橫向納米纖維體401的平均間隙在10nnT990nm之間,可以通過制備工藝參數(shù)的調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)對橫向納米纖維體401平均間隙的控制，通過橫向納米纖維體401對穿過縱向納米纖維體801的空氣進(jìn)行二次過濾?？諝饬魍ㄇ惑w701貫通基底101，微米孔洞結(jié)構(gòu)102位于空氣流通腔體701的正上方，微米孔洞結(jié)構(gòu)102與空氣流通腔體701相連通，利用縱向納米纖維體801及橫向納米纖維體401的間隙，能夠使得空氣過濾后，通過微米孔洞結(jié)構(gòu)201及空氣流通腔體701進(jìn)行流通。如圖f圖8所示:上述PM2.5過濾結(jié)構(gòu)，可以通過下述工藝步驟制備得到，所述工藝步驟具體包括:
a、提供基底101，在所述基底101的第一主面上設(shè)置鏤空結(jié)構(gòu)層102，在基底101的第二主面上設(shè)置背腔腐蝕掩膜層103 ；
如圖1所示:基底101具有第一主面及第二主面，其中，第一主面與第二主面為基底101的兩個(gè)對應(yīng)主面。對基底101通過干氧氧化的方式生長SiO2材料層，以形成鏤空結(jié)構(gòu)層102和背腔腐蝕掩模層103，鏤空結(jié)構(gòu)層102及背腔腐蝕掩膜層103的厚度為8000A，干氧氧化時(shí)溫度為950°C，氧氣的含量為60% ;所述基底101采用常規(guī)的材料，基底101的材料包括雙面拋光單晶硅，或其他一切可以進(jìn)行雙面光刻并能實(shí)現(xiàn)空氣流通腔體701的材料。b、選擇性地掩蔽和刻蝕所述鏤空結(jié)構(gòu)層102，以在基底101的第一主面上方形成若干貫通鏤空結(jié)構(gòu)層102的微米孔洞結(jié)構(gòu)201 ；
如圖2所示:在鏤空結(jié)構(gòu)層102的表面旋涂光刻膠，并通過光刻工藝在對應(yīng)所需形成微米孔洞結(jié)構(gòu)201的位置形成光刻膠的開口圖形，開口圖形可呈正方形、圓形、長方形或其它形狀，本實(shí)施例中各開口圖形呈正方形，所述正方形的邊長為5μηι ;利用RIE (Reactive1n Etching)技術(shù)對鏤空結(jié)構(gòu)層102進(jìn)行各向異性刻蝕，將光刻膠上開口的圖形轉(zhuǎn)移到鏤空結(jié)構(gòu)層102上，形成微米孔洞結(jié)構(gòu)201，所述微米孔洞結(jié)構(gòu)201貫通鏤空結(jié)構(gòu)層102，并在鏤空結(jié)構(gòu)層102上呈陣列分布；利用氧等離子體干法去膠以及硫酸/雙氧水濕法去膠相結(jié)合的方法去除硅片表面的光刻膠。其中，RIE刻蝕鏤空結(jié)構(gòu)層102的RF功率為300W，腔體壓力為200mTorr (毫托)，刻蝕氣體為CF4、CHF3> He混合氣體，對應(yīng)的流量為10/50/12sccm(standard-state cubic centimeter per minute)。c、在上述形成微米孔洞結(jié)構(gòu)201的鏤空結(jié)構(gòu)層102上設(shè)置第一聚合物材料圖形301，所述第一聚合物材料圖形301覆蓋在微米孔洞結(jié)構(gòu)201的上表面；
如圖3所示:在設(shè)置了微米孔洞結(jié)構(gòu)201的基底101上表面設(shè)置第一聚合物材料，所述第一聚合物材料可以為PDMS (polydimethylsiloxane,聚二甲基娃氧燒)、Parylene(派瑞林)、光刻膠、聚酰亞胺等，本實(shí)施例中采用光刻膠；所述光刻膠可以為正性光刻膠，包括RZJ系列光刻膠、SPR系列光刻膠、AZ系列光刻膠，或電子束光刻中常用的PMMA(polymethylmethacrylate),也可以為負(fù)性光刻膠,包括較小厚度的SU-8系列光刻膠,本實(shí)施例中采用了 SPR系列光刻膠，通過調(diào)控旋涂轉(zhuǎn)速為3000轉(zhuǎn)/分鐘，調(diào)控旋涂時(shí)間為30s，得到光刻膠層的厚度為5微米；通過光刻工藝在對應(yīng)微米孔洞結(jié)構(gòu)201的位置處形成光刻膠圖形，光刻膠圖形形狀與微米孔洞結(jié)構(gòu)201相一致，尺寸稍大于微米孔洞結(jié)構(gòu)201的尺寸，進(jìn)而使之完全覆蓋微米孔洞結(jié)構(gòu)201，得到第一聚合物材料圖形301。d、利用等離子體轟擊上述第一聚合物材料圖形301，直至在基底101的第一主面上方形成橫向納米纖維體401 ；
如圖4所示:所述等離子體包括氧等離子體、氬等離子體，或其他微電子工藝中才常用的等離子體；本發(fā)明實(shí)施例中，等離子體采用氧等離子體。將所述在鏤空結(jié)構(gòu)層102表面上已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了第一聚合物材料圖形301的基底101放置于等離子體機(jī)中，進(jìn)行15分鐘的氧等離子體轟擊，直至所述第一聚合物材料圖形301形成橫向納米纖維體401，所述橫向納米纖維體401的孔隙為200納米左右。其中，氧等離子體轟擊的過程中RF功率為300 W，氧氣的流量為200SCCm，腔體壓力為5Pa。等離子體轟擊形成橫向納米纖維體401時(shí)，能夠調(diào)節(jié)工藝過程中的多項(xiàng)參數(shù)，使得橫向納米纖維體401的空隙在幾十納米到幾百納米之間。e、在上述基底101上設(shè)置第二聚合物材料圖形501，所述第二聚合物材料圖形501覆蓋在橫向納米纖維體401及相應(yīng)的鏤空結(jié)構(gòu)層102上；
如圖5所示:在制作了橫向納米纖維體401的基底101上表面設(shè)置第二聚合物材料，所述第二聚合物材料可以為PDMS、Parylene、光刻膠等，本實(shí)施例中采用了光刻膠；所述光刻膠可以為正性光刻膠，包括RZJ系列光刻膠、SPR系列光刻膠、AZ系列光刻膠、PMMA，也可以為負(fù)性光刻膠，包括SU-8系列光刻膠，本實(shí)施例中采用了 SU-8系列光刻膠，通過調(diào)控旋涂轉(zhuǎn)速為3000轉(zhuǎn)/分鐘，調(diào)控旋涂時(shí)間為60s，得到光刻膠層的厚度為10微米；通過光刻工藝在對應(yīng)大面積微米孔洞結(jié)構(gòu)201的位置處形成光刻膠圖形，光刻膠圖形形狀與大面積所述微米孔洞結(jié)構(gòu)201的整體形狀相一致，且尺寸稍大于微米孔洞結(jié)構(gòu)201的整體尺寸，進(jìn)而使之完全覆蓋所有微米孔洞結(jié)構(gòu)201，得到第二聚合物材料圖形501。f、在上述背腔腐蝕掩膜層103上設(shè)置所需的基底腐蝕掩膜601 ；
如圖6所示:對基底101的正面結(jié)構(gòu)采用夾具實(shí)施保護(hù)，在基底101的背面，即背腔腐蝕掩模層103的表面旋涂光刻膠，并通過光刻工藝在對應(yīng)所需形成空氣流通腔體701的位置形成光刻膠的開口圖形，以在背腔腐蝕掩膜層103上設(shè)置基底腐蝕掩膜601。g、利用所述基底腐蝕掩膜601及背腔腐蝕掩膜層103對基底101進(jìn)行腐蝕，以得到貫通基底101的空氣流通腔體701，所述空氣流通腔體701與微米孔洞結(jié)構(gòu)201相連通；
如圖7所示:利用RIE技術(shù)對背腔腐蝕掩模層103進(jìn)行各向異性刻蝕，將光刻膠上開口的圖形轉(zhuǎn)移到背腔腐蝕掩模層103上；隨后利用KOH濕法腐蝕技術(shù)腐蝕基底101，使之形成空氣流通腔體701，并與鏤空結(jié)構(gòu)層102上的微米孔洞結(jié)構(gòu)201相通。h、利用等離子體轟擊第二聚合物材料圖形501，直至得到縱向納米纖維體801。如圖8所示:將所述在已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了空氣流通腔體701的基底101放置于等離子體機(jī)中，進(jìn)行30分鐘的氧等離子體轟擊，直至所述第二聚合物材料圖形501形成縱向納米纖維體801，在等離子體轟擊時(shí)形成縱向納米纖維體801的平均間隙小于I μ m的間隙。如圖廣圖8所示:使用時(shí)，將基底101面向空氣流通方向垂直放置，在空氣經(jīng)過縱向納米纖維體801時(shí)，依靠縱向納米纖維體801的平均間隙小于I微米的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)捕捉空氣中的微納顆粒，同時(shí)利用孔隙很小的橫向納米纖維體401捕捉穿過縱向納米纖維體的少量微納顆粒及少量在物理作用過程中脫落的縱向納米纖維體，經(jīng)過縱向納米纖維體801及橫向納米纖維體401后達(dá)到通過空氣流通腔體701并逸出的空氣中微納顆粒的含量明顯降低甚至完全被去除，從而達(dá)到有效凈化空氣的目的。本發(fā)明基底101上設(shè)置縱向納米纖維體801及橫向納米纖維體401，利用平均間隙小于I微米的縱向納米纖維體801捕獲經(jīng)過的PM2.5，利用孔隙可調(diào)控的橫向納米纖維體401捕獲遺漏的PM2.5及少量脫落的縱向納米纖維體，同時(shí)利用纖維材料中存在的納米間隙/孔隙和微米孔洞結(jié)構(gòu)201使空氣順利通過，進(jìn)而達(dá)到空氣凈化的目標(biāo)。該P(yáng)M2.5過濾結(jié)構(gòu)制備方法簡單，可與常規(guī)MEMS工藝相兼容，材料的選擇范圍大，結(jié)構(gòu)的應(yīng)用安全可靠。
權(quán)利要求
1.一種PM2.5過濾結(jié)構(gòu)，包括基底(101);其特征是:所述基底(101)的第一主面上設(shè)置鏤空結(jié)構(gòu)層(102)，所述鏤空結(jié)構(gòu)層(102)內(nèi)設(shè)置若干貫通鏤空結(jié)構(gòu)層(102)的微米孔洞結(jié)構(gòu)(201 )，所述微米孔洞結(jié)構(gòu)(201)與基底(101)內(nèi)的空氣流通腔體(701)相連通；在鏤空結(jié)構(gòu)層(102)上設(shè)置橫向納米纖維體(401)，所述橫向納米纖維體(401)覆蓋在微米孔洞結(jié)構(gòu)(201)表面上，并利用呈纖維狀的底部緊固在鏤空結(jié)構(gòu)層(102)上；橫向納米纖維體(401)上設(shè)置縱向納米纖維體(801)，所述縱向納米纖維體(801)覆蓋在橫向納米纖維體(401)及鏤空結(jié)構(gòu)層(102)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PM2.5過濾結(jié)構(gòu)，其特征是:所述縱向納米纖維體(801)呈纖維狀垂直于基底(101)分布，縱向納米纖維體(801)的平均間隙小于Ιμπι。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ΡΜ2.5過濾結(jié)構(gòu)，其特征是:所述微米孔洞結(jié)構(gòu)(201)的孔徑為I 10 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PM2.5過濾結(jié)構(gòu)，其特征是:所述橫向納米纖維體(401)的平均間隙為10nm 990nm。
5.—種PM2.5過濾結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是，所述過濾結(jié)構(gòu)的制備方法包括如下步驟: (a)、提供基底(101)，在所述基底(101)的第一主面上設(shè)置鏤空結(jié)構(gòu)層(102)，在基底(101)的第二主面上設(shè)置背腔腐蝕掩膜層(103)； (b)、選擇性地掩蔽和刻蝕所述鏤空結(jié)構(gòu)層(102)，以在基底(101)的第一主面上方形成若干貫通鏤空結(jié)構(gòu)層(102)的微米孔洞結(jié)構(gòu)(201)； (C)、在上述形成微米孔洞結(jié)構(gòu)(201)的鏤空結(jié)構(gòu)層(102)上設(shè)置第一聚合物材料圖形(301)，所述第一聚合物材 料圖形(301)覆蓋在微米孔洞結(jié)構(gòu)(201)表面上； (d)、利用等離子體轟擊上述第一聚合物材料圖形(301)，直至在基底(101)的第一主面上方形成橫向納米纖維體(401)； (e)、在上述基底(101)上設(shè)置第二聚合物材料圖形(501)，所述第二聚合物材料圖形(501)覆蓋在橫向納米纖維體(401)及相應(yīng)的鏤空結(jié)構(gòu)層(102)上； (f)、在上述背腔腐蝕掩膜層(103)上設(shè)置所需的基底腐蝕掩膜(601)； (g)、利用所述基底腐蝕掩膜(601)及背腔腐蝕掩膜層(103)對基底(101)進(jìn)行腐蝕，以得到貫通基底(101)的空氣流通腔體(701)，所述空氣流通腔體(701)與微米孔洞結(jié)構(gòu)(201)相連通； (h)、利用等離子體轟擊第二聚合物材料圖形(501)，直至得到縱向納米纖維體(801)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述PM2.5過濾結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是:所述步驟(d)和步驟(h)中，所述等離子體包括氧等離子體或氬等離子體。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述PM2.5過濾結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是:所述第一聚合物材料圖形(301)及第二聚合物材料圖形(501)的材料包括光刻膠、PDMS、Parylene或聚酰亞胺。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述PM2.5過濾結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是:所述微米孔洞結(jié)構(gòu)(201)呈正方形、長方形或圓形。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述PM2.5過濾結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是:所述基底(101)的材料包括娃。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述PM2.5過濾結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是:所述鏤空結(jié)構(gòu)層(102)及背腔腐蝕掩膜層(1 03)均為二氧化硅層或二氧化硅和氮化硅的復(fù)合層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種PM2.5過濾結(jié)構(gòu)及其制備方法，按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述PM2.5過濾結(jié)構(gòu)，包括基底；所述基底的第一主面上設(shè)置鏤空結(jié)構(gòu)層，所述鏤空結(jié)構(gòu)層內(nèi)設(shè)置若干貫通鏤空結(jié)構(gòu)層的微米孔洞結(jié)構(gòu)，所述微米孔洞結(jié)構(gòu)與基底內(nèi)的空氣流通腔體相連通；在鏤空結(jié)構(gòu)層上設(shè)置橫向納米纖維體，所述橫向納米纖維體覆蓋在微米孔洞結(jié)構(gòu)上，并利用呈纖維狀的底部緊固在鏤空結(jié)構(gòu)層上；橫向納米纖維體上設(shè)置縱向納米纖維體，所述縱向納米纖維體覆蓋在橫向納米纖維體及鏤空結(jié)構(gòu)層上。本發(fā)明制備方法簡單，可與常規(guī)MEMS工藝相兼容，材料的選擇范圍大，結(jié)構(gòu)的應(yīng)用安全可靠。
文檔編號B01D46/00GK103111127SQ20131006682
公開日2013年5月22日 申請日期2013年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月1日
發(fā)明者毛海央, 吳文剛, 歐文, 歐毅 申請人:江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心