寬頻變功率管道電磁除防垢裝置及掃頻控制方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種寬頻變功率管道電磁除防垢裝置及其掃頻控制方法。本發(fā)明屬于石油、天然氣生產(chǎn)領(lǐng)域。所述裝置包括保護(hù)模塊、可調(diào)整流模塊、充電電阻模塊、濾波模塊、電壓測量模塊、H橋模塊、電流測量模塊、線圈、線圈溫度測量模塊、電源模塊、控制單元、管道、現(xiàn)場工業(yè)電源輸出端子。所述方法包括線圈的工作方波頻率由掃頻范圍和掃頻周期決定，方波的幅值由電壓變化范圍決定；裝置既可以工作在掃頻模式，又可以工作在固定頻率輸出模式；對(duì)晶體管和線圈的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。本發(fā)明所述的裝置與方法具有操作簡單靈活、掃頻范圍寬、功率范圍寬、可靠性好、除垢率高等特點(diǎn)，普遍適用于油田各種復(fù)雜的管道現(xiàn)場環(huán)境。
【專利說明】寬頻變功率管道電磁除防垢裝置及掃頻控制方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種石油、天然氣生產(chǎn)領(lǐng)域的除防垢裝置及方法，具體是一種寬頻變功率管道電磁除防垢裝置及其掃頻控制方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在油田進(jìn)入中、高含水期，注水開發(fā)過程中，注入水與儲(chǔ)層內(nèi)的水會(huì)發(fā)生復(fù)雜的化學(xué)變化，當(dāng)水中雜質(zhì)以及離子濃度很高時(shí)，會(huì)在井下泵、管柱、井筒、集輸管線及水處理設(shè)備上結(jié)垢，影響油田正常的生產(chǎn)。油田除防垢主要是采用物理、化學(xué)和工藝三種方法。
[0003]電磁除防垢技術(shù)做為一種物理法處理技術(shù)，具有由于操作簡單、成本低、無需添加化學(xué)藥劑等優(yōu)點(diǎn)，日益引起人們的關(guān)注。設(shè)定頻率除垢是目前普遍采用的方法，工作人員首先用專用儀器采集水的電導(dǎo)率、PH值、流速、碳酸鹽硬度、管道材質(zhì)尺寸等數(shù)據(jù)，然后根據(jù)這些數(shù)據(jù)設(shè)定電磁除垢儀的最佳工作電壓和輸出頻率參數(shù)，電磁除垢儀工作在設(shè)定的工作條件下進(jìn)行除垢和防垢。由于油田生產(chǎn)管路數(shù)量眾多，且水質(zhì)環(huán)境復(fù)雜多變，每次除垢時(shí)都需要工作人員用專用儀器采集所有數(shù)據(jù)，然后設(shè)定電磁除垢儀的工作參數(shù)，這使得除防垢工作繁重，操作復(fù)雜，極不方便。油田生產(chǎn)上使用電磁除垢儀進(jìn)行除防垢以工作人員采集數(shù)據(jù)、設(shè)定最佳參數(shù)測量為主。而且，除垢儀長期工作，或某些意外情況(比如滲水使儀器短路)，可能會(huì)導(dǎo)致除垢儀的關(guān)鍵電子元件晶體管過度發(fā)熱，當(dāng)溫度高于某一閾值的時(shí)候，晶體管會(huì)被燒壞，縮短了除垢儀的壽命。
[0004]經(jīng)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的文獻(xiàn)檢索發(fā)現(xiàn)，中國實(shí)用新型專利“一種自動(dòng)調(diào)整頻率的高頻電磁除垢阻垢設(shè)備”(申請(qǐng)?zhí)?01220190895.6)，公開了一種可以自動(dòng)測量水的電導(dǎo)率、溫度和PH值等各種參數(shù)、自動(dòng)調(diào)整輸出頻率的除垢設(shè)備，具有良好的除垢效果，但各種傳感器使得設(shè)備成本較高，而且傳感器需要經(jīng)常維護(hù)更換，否則傳感器的誤差使得設(shè)備不能輸出最佳的工作頻率。中國發(fā)明專利“通用變頻電磁除垢儀及其除垢方法”(申請(qǐng)?zhí)?01210428632.9)，仍然是一種需要工作人員測量各種參數(shù)，并將參數(shù)進(jìn)行輸入以輸出最佳頻率的除垢儀。中國發(fā)明專利“一種調(diào)頻電磁除垢儀”(申請(qǐng)?zhí)?01210099966.6)和中國實(shí)用新型專利“智能電子變頻水處理器”(申請(qǐng)?zhí)?01120059143.1)，也是需要工作人員手動(dòng)輸入各種參數(shù)才能輸出最佳的工作頻率。中國實(shí)用新型專利“輸水管道掃頻電磁除垢裝置”(申請(qǐng)?zhí)?01220356495.8)，公開了一種頻率從40— 400Hz依次循環(huán)變化的除垢裝置，該裝置頻率范圍較窄，不適合油田的復(fù)雜水質(zhì)環(huán)境，而且沒有涉及頻率變化和時(shí)間的關(guān)系。在“一種新型電磁除垢儀”(申請(qǐng)?zhí)?01120239097.3)的中國實(shí)用新型專利中，低頻線圈和高頻線圈只能產(chǎn)生低頻磁場和高頻磁場兩種磁場，滿足不了油田生產(chǎn)除防垢的需要。
[0005]中國發(fā)明專利“通用變頻電磁除垢儀及其除垢方法”(申請(qǐng)?zhí)?01210428632.9)、“一種調(diào)頻電磁除垢儀”(申請(qǐng)?zhí)?01210099966.6)和實(shí)用新型專利“輸水管道掃頻電磁除垢裝置”(申請(qǐng)?zhí)?01220356495.8)，只對(duì)線圈進(jìn)行了對(duì)線圈進(jìn)行了保護(hù)，沒有對(duì)晶體管進(jìn)行過壓保護(hù)。專利“帶溫度、過流保護(hù)的變頻變向電磁場阻除垢裝置”(申請(qǐng)?zhí)?01120001943.8)對(duì)晶體管進(jìn)行了溫度保護(hù)，但溫度傳感器測量的是晶體管散熱片的溫度，如果晶體管的溫度短時(shí)間內(nèi)上升，由于溫度傳導(dǎo)需要時(shí)間，溫度傳感器是檢測不到這個(gè)短時(shí)間的溫度變化的。
[0006]由于不同條件下水的溫度、流速、硬度、黏度、PH值不同，其內(nèi)部的自然頻率就不同，所以其共振頻率也不可能相同。試驗(yàn)證明，頻率信號(hào)的變化規(guī)律、幅值等直接影響著除垢效果，要獲得最佳除垢坊垢效果，必須在足夠短的時(shí)間內(nèi)施加足夠范圍的頻率，而且頻率的幅值是變化的，才能確保使任何水質(zhì)條件下的水分子產(chǎn)生共振，從而達(dá)到理想的除垢、防垢的效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于針對(duì)目前電磁除防垢裝置中存在的上述問題，提供一種直接檢測晶體管溫度的寬頻變功率管道電磁除防垢裝置及其掃頻控制方法，具有可靠性高、操作簡單靈活、工作頻率寬以及適用油田水質(zhì)環(huán)境等特性，并滿足上述【背景技術(shù)】中的不足，以滿足油田生產(chǎn)管道除垢的需求。
[0008]本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
一種寬頻變功率管道電磁除防垢裝置，包括保護(hù)模塊、可調(diào)整流模塊、充電電阻模塊、濾波模塊、電壓測量模塊、H橋模塊、電流測量模塊、線圈、線圈溫度測量模塊、電源模塊、控制單元、管道、現(xiàn)場工業(yè)電源輸出端子，其中:
所述的保護(hù)模塊連接現(xiàn)場工業(yè)電源輸出端子、可調(diào)整流模塊和電源模塊。保護(hù)模塊防止浪涌電壓竄入寬頻變功率管道電磁除防垢裝置對(duì)可調(diào)整流模塊和電源模塊造成損壞，及當(dāng)電路出現(xiàn)短路等故障的時(shí)候，自動(dòng)斷開；
所述的可調(diào)整流模塊連接保護(hù)模塊、充電電阻模塊、電流測量模塊和控制單元?？烧{(diào)整流模塊將工業(yè)交流電轉(zhuǎn)換為和控制單元的控制模擬信號(hào)成正比的脈動(dòng)直流信號(hào)；
所述的充電電阻模塊連接可調(diào)整流模塊、母線和控制單元。上電的瞬間，充電電阻模塊限制濾波模塊由于充電而引起的電流突變，保護(hù)可調(diào)整流模塊，一段時(shí)間之后，控制單元控制充電電阻被短路，使得母線直接和可調(diào)整流模塊相連；
所述的濾波模塊在充電電阻模塊之后，連接母線和地線。濾波模塊平滑母線上的脈動(dòng)直流信號(hào)；
所述的電壓測量模塊連接母線、地線和控制單元，在濾波模塊和H橋模塊之間。電壓測量模塊將濾波之后的電壓大小轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)傳給控制單元；
所述的電流測量模塊連接可調(diào)整流模塊、地線和控制單元。電流測量模塊將地線上電流的大小轉(zhuǎn)變成模擬信號(hào)傳給控制單元；
所述的線圈連接H橋模塊、線圈溫度測量模塊和管道。線圈纏繞在管道上，H橋模塊輸出的方波信號(hào)流經(jīng)線圈，在管道內(nèi)部產(chǎn)生高頻振蕩磁場；母線上的電壓經(jīng)H橋模塊逆變成方波后，加載在線圈上，線圈中會(huì)有電流產(chǎn)生，當(dāng)母線上的電壓變化時(shí)，線圈上方波的幅值發(fā)生變化，線圈上的電流也變化，即功率也發(fā)生了改變；
所述的線圈溫度測量模塊連接線圈和控制單元。線圈溫度測量模塊將線圈的溫度轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)，并將該模擬信號(hào)傳遞給控制單元。
[0009]所述的電源模塊連接保護(hù)模塊和控制單元，為控制單元的各個(gè)模塊供電。
[0010]所述的H橋模塊連接母線、地線、線圈和控制單元?？刂茊卧刂艸橋?qū)V波之后的直流信號(hào)逆變成頻率可變的方波信號(hào)，該方波信號(hào)供給線圈，直流信號(hào)經(jīng)地線形成回路；所述的H橋模塊包括:四個(gè)晶體管(分別為Ql、Q2、Q3和Q4)、熱敏電阻、四個(gè)浪涌吸收模塊(分別為P1、P2、P3和P4 )和H橋驅(qū)動(dòng)模塊，其中:
所述的晶體管Ql連接母線和晶體管Q2，晶體管Q2連接地線和晶體管Q1，晶體管Ql和晶體管Q2同時(shí)連接線圈的一端；晶體管Q3連接母線和晶體管Q4，晶體管Q4連接地線和晶體管Q3，晶體管Q3和晶體管Q4同時(shí)連接線圈的另一端；四個(gè)晶體管都和H橋驅(qū)動(dòng)模塊相連出橋驅(qū)動(dòng)模塊輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制晶體管的導(dǎo)通和關(guān)斷；
所述的四個(gè)浪涌吸收模塊(P1、P2、P3和P4)分別和四個(gè)晶體管(Ql、Q2、Q3和Q4)并聯(lián)，吸收晶體管關(guān)斷和導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰和電流尖峰，保護(hù)晶體管；
所述的熱敏電阻連接四個(gè)晶體管和控制單元。熱敏電阻將晶體管的溫度轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)實(shí)時(shí)地傳給控制單元；
所述的H橋驅(qū)動(dòng)模塊連接微處理器和H橋模塊。H橋驅(qū)動(dòng)模塊將微處理器輸出的信號(hào)進(jìn)行隔離放大，并驅(qū)動(dòng)H橋的晶體管工作；
所述的控制單元連接電源模塊、可調(diào)整流模塊、電壓測量模塊、電流測量模塊、充電電阻模塊、H橋模塊和線圈溫度測量模塊。所述的控制單元包括:微處理器、模擬信號(hào)預(yù)處理模塊、按鍵模塊、數(shù)碼管模塊、調(diào)壓旋鈕模塊，其中:
所述的模擬信號(hào)預(yù)處理模塊連接調(diào)壓旋鈕模塊、電壓測量模塊、電流測量模塊、線圈溫度測量模塊、熱敏電阻和微處理器。對(duì)采樣來的模擬信號(hào)進(jìn)行調(diào)理，并傳給微處理器。
[0011]所述的按鍵模塊連接微處理器。通過按鍵設(shè)定裝置的電壓閾值、電流閾值、掃頻周期、上限頻率、下限頻率、電壓變化周期、上限電壓、下限電壓、線圈溫度閾值和H橋溫度閾值等參數(shù)，并傳給微處理器。
[0012]所述的數(shù)碼管模塊連接微處理器。微處理器控制數(shù)碼管顯示電壓值、電流值、線圈溫度、當(dāng)前工作頻率和H橋溫度等參數(shù)。
[0013]所述的調(diào)壓旋鈕模塊連接模擬信號(hào)預(yù)處理模塊。裝置工作在輸出固定電壓值的模式時(shí)，微處理器通過模擬信號(hào)預(yù)處理模塊采集調(diào)壓旋鈕模塊輸出的模擬信號(hào)，作為控制模擬信號(hào)輸出給可調(diào)整流模塊。
[0014]所述的微處理器連接模擬信號(hào)預(yù)處理模塊、按鍵模塊、電源模塊、H橋驅(qū)動(dòng)模塊、可調(diào)整流模塊、數(shù)碼管模塊和充電電阻模塊。微處理器輸出模擬信號(hào)控制可調(diào)整流模塊輸出脈動(dòng)直流信號(hào)，脈動(dòng)直流信號(hào)的電壓和模擬信號(hào)成正比；微處理器將采集來的電流、電壓、線圈溫度、H橋溫度等參數(shù)顯示在數(shù)碼管模塊上；微處理器控制充電電阻模塊，在寬頻變功率管道電磁除防垢裝置上電一段時(shí)間后，使充電電阻短路；微處理器向H橋驅(qū)動(dòng)模塊輸出頻率可變的方波信號(hào)；微處理器接收電壓測量模塊、電流測量模塊、H橋模塊和線圈溫度測量模塊傳過來的模擬信號(hào)，當(dāng)電壓值、電流值、晶體管溫度和線圈溫度中的任一個(gè)物理量超過對(duì)應(yīng)的閾值時(shí)，微處理器輸出最小的模擬信號(hào)使可調(diào)整流模塊輸出最小值。
[0015]本發(fā)明涉及的寬頻變功率電磁防除垢掃頻控制方法，包括如下步驟:
第一步，將線圈纏繞在待除垢的管道上，然后連接到寬頻變功率電磁除防垢裝置上；第二步，連接現(xiàn)場工業(yè)電源輸出端子，上電的瞬間，充電電阻模塊限制濾波模塊由于充電而引起的電流突變，保護(hù)母線和可調(diào)整流模塊；
第三步、通過按鍵設(shè)定寬頻變功率管道電磁除防垢裝置的電壓閾值、電流閾值、掃頻周期、上限頻率、下限頻率、電壓變化周期、上限電壓、下限電壓、線圈溫度閾值和H橋溫度閾值等參數(shù)；
第四步，控制單元中的微處理器根據(jù)輸出頻率計(jì)算方法向H橋模塊的H橋驅(qū)動(dòng)模塊輸出當(dāng)前頻率，根據(jù)電壓計(jì)算方法向可調(diào)整流模塊輸出當(dāng)前的模擬信號(hào)；
第五步，可調(diào)整流模塊輸出對(duì)應(yīng)的脈動(dòng)直流信號(hào)；
第六步，一段時(shí)間之后，微處理器控制充電電阻被短路，母線直接和可調(diào)整流模塊連接;
第七步，濾波模塊對(duì)母線上的脈動(dòng)直流信號(hào)進(jìn)行平滑，H橋模塊將平滑之后的直流信號(hào)逆變成頻率變化的方波信號(hào)，該方波信號(hào)供給線圈，在管道內(nèi)形成高頻振蕩磁場，直流信號(hào)經(jīng)地線形成回路；
第八步，電壓測量模塊將濾波之后的電壓大小轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)傳給控制單元；電流測量模塊將地線上電流的大小轉(zhuǎn)變成模擬信號(hào)傳給控制單元；線圈溫度測量模塊將線圈的溫度轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)，并將該模擬信號(hào)傳遞給控制單元橋模塊中的熱敏電阻將晶體管的溫度轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)實(shí)時(shí)的傳給控制單元；控制單元中的微處理器將采集來的溫度、電流、電壓、線圈溫度、H橋晶體管溫度等信息顯示在數(shù)碼管上；
第九步，微處理器根據(jù)輸出頻率計(jì)算方法向H橋驅(qū)動(dòng)模塊輸出變化的頻率，根據(jù)電壓計(jì)算方法向可調(diào)整流模塊輸出變化的模擬信號(hào)；
所述的輸出頻率計(jì)算方法如下:
首先算出上限頻率/?和下限頻率Λ的中值頻率;
然后根據(jù)中值頻率f算出對(duì)應(yīng)的中值周期Α;
然后將掃頻周期:T分成N (# = #)個(gè)相等的時(shí)間段，每個(gè)時(shí)間段的長度都是I；；
則第i (i=l，2…N)個(gè)時(shí)間段內(nèi)輸出的頻率為$ =及，每個(gè)頻率A運(yùn)行的時(shí)間長度都是^；
所述的電壓計(jì)算方法如下:
可調(diào)整流模塊的輸出直流電壓從上限電壓開始，每隔一個(gè)電壓變化周期電壓值增加一個(gè)步長，當(dāng)增加到下限電壓后，輸出直流電壓又從下限電壓開始變化。
[0016]這樣，在線圈上就出現(xiàn)了頻率和電壓幅值都隨時(shí)間不斷變化的方波信號(hào)。所述的掃頻周期必須考慮水流的速度，一般不超過一秒鐘，所述的電壓變化周期遠(yuǎn)大于掃頻周期。
[0017]當(dāng)H橋晶體管的溫度超過其閾值時(shí)，或線圈溫度超過其閾值時(shí)，或電流超過其閾值時(shí)，或電壓超過其閾值時(shí)，微處理器控制可調(diào)整流模塊輸出電壓最小值，保護(hù)寬頻變功率電磁除防垢裝置不受到損壞。
[0018]若已經(jīng)知道了最佳工作頻率，將上限頻率和下限頻率都設(shè)置成該最佳工作頻率，則H橋模塊向線圈只輸出該頻率，即所述寬頻變功率管道電磁除防垢裝置可工作在輸出固定頻率的模式下。
[0019]將電壓變化周期設(shè)置為零，可使寬頻變功率管道電磁除防垢裝置工作在固定電壓輸出的模式，使用調(diào)壓旋鈕模塊改變輸出的電壓值。
[0020]與【背景技術(shù)】相比，本發(fā)明具有如下顯而易見的突出實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著技術(shù)進(jìn)步: 本發(fā)明操作簡單靈活，既可輸出固定頻率，也可實(shí)現(xiàn)周期性的自動(dòng)掃頻，寬頻變功率管
道電磁除防垢裝置輸出頻率范圍為1-1MHZ ;既可輸出固定功率，也可實(shí)現(xiàn)周期性的自動(dòng)變功率，電壓變換范圍為0-300V ;不需要測試各種參數(shù)，就可以除去自然頻率在上限頻率和下限頻率之間的水垢，可適應(yīng)水質(zhì)總硬度最大為4000mg/L的油田各種復(fù)雜現(xiàn)場環(huán)境，除垢率最高可達(dá)到95%;在線圈上安裝了線圈溫度測量模塊，用于實(shí)時(shí)監(jiān)測管道上線圈的溫度，避免了溫度過高對(duì)線圈造成的損壞；在H橋晶體管上安裝了熱敏電阻，實(shí)時(shí)監(jiān)測晶體管的溫度，防止晶體管由于溫度過高而燒壞，保證了寬頻變功率管道電磁除防垢裝置長時(shí)間可靠地運(yùn)行。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是本發(fā)明的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)原理示意圖。
[0022]圖2是本發(fā)明的H橋模塊的示意圖。
[0023]圖3是本發(fā)明的控制單元結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明:本實(shí)施例在以本技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和過程，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施例。
[0025]實(shí)施例一:
參見圖1，本寬頻變功率管道電磁除防垢裝置，包括保護(hù)模塊2、可調(diào)整流模塊3、充電電阻模塊4、濾波模塊5、電壓測量模塊6、H橋模塊8、電流測量模塊7、線圈9、線圈溫度測量模塊10、電源模塊12、控制單元11、管道15和現(xiàn)場工業(yè)電源輸出端子I。
[0026]所述的保護(hù)模塊2連接現(xiàn)場工業(yè)電源輸出端子I和可調(diào)整流模塊3 ;所述的可調(diào)整流模塊3還連接充電電阻模塊4、電流測量模塊7和控制單元11 ；
所述的濾波模塊5連接有母線13和地線14 ;所述的電壓測量模塊6連接母線13、地線14和控制單元11 ;在濾波模塊5和H橋模塊8之間由母線13和地線14連接；
所述的H橋模塊8還連接線圈9和控制單元11 ；
所述的電流測量模塊7還連接地線14和控制單元11 ；
所述的線圈9還連接線圈溫度測量模塊10和管道15 ；
所述的線圈溫度測量模塊10還連接控制單元11 ；
所述的電源模塊12連接保護(hù)模塊2和控制單元11 ；
所述的控制單元11，還連接充電電阻模塊4和線圈溫度測量模塊10 ；
所述的現(xiàn)場工業(yè)電流端子I連接現(xiàn)場的工業(yè)電網(wǎng)和保護(hù)模塊2。
[0027]實(shí)施例二:本實(shí)施例與實(shí)施例一基本相同，特別之處如下:
所述H橋模塊8包括第一、第二、第三和第四4個(gè)晶體管(22、23、24和25)、熱敏電阻30、第一、第二、第三和第四4個(gè)浪涌吸收模塊(26、27、28和29)和H橋驅(qū)動(dòng)模塊21 ；所述的第一晶體管22連接一條母線13和第二晶體管23，第二晶體管23還連接一條地線14，第一晶體管22和第二晶體管23同時(shí)連接一個(gè)線圈9的一端；第三晶體管24連接母線13和第四晶體管25，第四晶體管25還連接地線14，第三晶體管24和第四晶體管25同時(shí)連接線圈9的另一端；四個(gè)晶體管(22、23、24和25)都和H橋驅(qū)動(dòng)模塊21相連；
所述的四個(gè)浪涌吸收模塊(26、27、28和29)分別和四個(gè)晶體管(22、23、24和25)并聯(lián)； 所述的熱敏電阻30連接四個(gè)晶體管(26、27、28和29)和控制單元11。
[0028]所述的控制單元包括微處理器31、模擬信號(hào)預(yù)處理模塊36、按鍵模塊33、數(shù)碼管模塊35和調(diào)壓旋鈕模塊32 ；
所述的模擬信號(hào)預(yù)處理模塊36連接調(diào)壓旋鈕模塊32、電壓測量模塊6、電流測量模塊
7、線圈溫度測量模塊10、熱敏電阻30和微處理器31 ;所述的微處理器31還連接按鍵模塊33、電源模塊34、H橋驅(qū)動(dòng)模塊21、可調(diào)整流模塊3、數(shù)碼管模塊35和充電電阻模塊4，而所述H橋驅(qū)動(dòng)模塊21連接H橋模塊8。
[0029]所述的微處理器31輸出模擬信號(hào)控制可調(diào)整流模塊3輸出脈動(dòng)直流信號(hào)，脈動(dòng)直流信號(hào)的電壓和模擬信號(hào)成正比；當(dāng)電壓值、電流值、晶體管溫度和線圈溫度中的任一個(gè)物理量超過對(duì)應(yīng)的閾值時(shí)，微處理器31輸出最小的模擬信號(hào)使可調(diào)整流模塊輸出最小值。
[0030]一種寬頻變功率管道電磁除防垢裝置的掃頻控制方法，包括如下操作步驟: 第一步，將線圈9纏繞在待除垢的管道15上，然后連接到寬頻變功率管道電磁除防垢裝置上；
第二步，連接現(xiàn)場工業(yè)電源輸出端子1，上電的瞬間，充電電阻模塊4限制濾波模塊5由于充電而引起的電流突變，保護(hù)母線13和可調(diào)整流模塊3 ;
第三步、通過按鍵33設(shè)定寬頻變功率管道電磁除防垢裝置的電壓閾值、電流閾值、掃頻周期、上限頻率、下限頻率、電壓變化周期、上限電壓、下限電壓、線圈溫度閾值和H橋溫度閾值等參數(shù)；
第四步，控制單元11中的微處理器31根據(jù)輸出頻率計(jì)算方法向H橋模塊8中的H橋驅(qū)動(dòng)模塊21輸出當(dāng)前頻率，根據(jù)電壓計(jì)算方法向可調(diào)整流模塊3輸出模擬信號(hào)；
第五步，可調(diào)整流模塊3輸出對(duì)應(yīng)的脈動(dòng)直流信號(hào)；
第六步，一段時(shí)間之后，微處理器31控制充電電阻4被短路，母線13直接和可調(diào)整流模塊3連接；
第七步，濾波模塊5對(duì)母線13上的脈動(dòng)直流信號(hào)進(jìn)行平滑，H橋模塊8將平滑之后的直流信號(hào)逆變成頻率變化的方波信號(hào)，該方波信號(hào)供給線圈9，在管道內(nèi)形成高頻振蕩磁場，直流信號(hào)經(jīng)地線14形成回路；
第八步，電壓測量模塊6將濾波之后的電壓大小轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)傳給控制單元11 ;電流測量模塊7將地線14上電流的大小轉(zhuǎn)變成模擬信號(hào)傳給控制單元11 ;線圈溫度測量模塊10將線圈9的溫度轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)，并將該模擬信號(hào)傳遞給控制單元11 ；H橋模塊8中的熱敏電阻30將晶體管的溫度轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)實(shí)時(shí)的傳給控制單元11 ;微處理器31將采集來的溫度、電流、電壓、線圈溫度、H橋晶體管溫度等信息顯示在數(shù)碼管35上；
第九步，微處理器31根據(jù)輸出頻率計(jì)算方法向H橋驅(qū)動(dòng)模塊21輸出變化的頻率，根據(jù)電壓計(jì)算方法向可調(diào)整流模塊3輸出變化的模擬信號(hào)；
所述的輸出頻率計(jì)算方法如下:先算出上限頻率和下限頻率Λ的中值頻率f,
然后根據(jù)中值頻率/_算出對(duì)應(yīng)的中值周期苳；
然后將掃頻周期rs分成況=€個(gè)相等的時(shí)間段，每個(gè)時(shí)間段的長度都是I；；
則第i (i=l，2…N)個(gè)時(shí)間段內(nèi)輸出的頻率力力=Λ Jn ,每個(gè)頻本尤運(yùn)行的時(shí)間長度都是;
所述的電壓計(jì)算方法如下:
可調(diào)整流模塊3的輸出直流電壓從上限電壓開始，每隔一個(gè)電壓變化周期電壓值增加一個(gè)步長，當(dāng)增加到下限電壓后，輸出直流電壓又從下限電壓開始變化；
這樣，在線圈9上就出現(xiàn)了頻率和電壓幅值都隨時(shí)間不斷變化的方波信號(hào)，所述的掃頻周期必須考慮水流的速度，一般不超過一秒鐘，所述的電壓變化周期遠(yuǎn)大于掃頻周期。
[0031]實(shí)施例三:
如圖1所示，本實(shí)施例所述的寬頻變功率管道電磁除防垢裝置，包括:現(xiàn)場工業(yè)電源輸出端子1、保護(hù)模塊2、可調(diào)整流模塊3、充電電阻模塊4，濾波模塊5、電壓測量模塊6、電流測量模塊7、H橋模塊8、線圈9、線圈溫度測量模塊10、控制單元11、電源模塊12、母線13、地線14、管道15 ；
所述的保護(hù)模塊2連接現(xiàn)場工業(yè)電源輸出端子I和可調(diào)整流模塊3。保護(hù)模塊2防止寬頻變功率管道電磁除防垢裝置出現(xiàn)故障時(shí)對(duì)工業(yè)電網(wǎng)造成損害，以及浪涌電壓對(duì)可調(diào)整流模塊3造成損害；
所述的可調(diào)整流模塊3連接保護(hù)模塊2、充電電阻模塊4、電流測量模塊7和控制單元
11。可調(diào)整流模塊13將從現(xiàn)場工業(yè)電源輸出端子I處獲得的交流電轉(zhuǎn)換為和控制單元11輸出的控制模擬信號(hào)成正比的脈動(dòng)直流信號(hào)；在本實(shí)施例中，可調(diào)整流模塊為山東淄博萬聯(lián)達(dá)電子科技有限公司的WMY-DZ-WY-50。
[0032]所述的濾波模塊5連接母線13和地線14。濾波模塊5平滑母線13上的脈動(dòng)直流信號(hào);
所述的電壓測量模塊6連接母線13、地線14和控制單元11，在濾波模塊5和H橋模塊8之間。電壓測量模塊6將母線13上的直流電壓大小轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)并傳給控制單元11 ；所述的H橋模塊8連接母線13、地線14、線圈9和控制單元11?？刂茊卧?1控制H橋模塊8將濾波之后的直流信號(hào)逆變成頻率可變的方波信號(hào)，該方波信號(hào)供給線圈9，直流信號(hào)經(jīng)地線14形成回路；
所述的電流測量模塊7連接可調(diào)整流模塊3、地線14和控制單元11。電流測量模塊7將母線13上電流的大小變成模擬信號(hào)傳給控制單元11 ；
所述的線圈9連接H橋模塊8、線圈溫度測量模塊10和管道15。線圈9纏繞在管道15上，H橋輸出的方波信號(hào)流經(jīng)線圈9，在管道內(nèi)部產(chǎn)生高頻振蕩磁場；
所述的線圈溫度測量模塊10連接線圈9和控制單元11。在本實(shí)施例中，溫度測量模塊選用了 PTlOO溫度變送器。線圈溫度測量模塊10將線圈9的溫度轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)，并將該模擬信號(hào)傳遞給控制單元U。
[0033]所述的電源模塊12連接保護(hù)模塊2和控制單元11，為控制單元11的各個(gè)模塊供電。
[0034]所述的現(xiàn)場工業(yè)電流端子I的輸出，可以是220VAC的交流電，也可以是380VAC的交流電，在本實(shí)施例中，輸出的是220VAC的交流電。
[0035]所述的H橋模塊8，如圖2所示，包括:晶體管(22、23、24和25 )、熱敏電阻30、浪涌吸收模塊(26、27、28和29)和H橋驅(qū)動(dòng)模塊21。
[0036]所述的晶體管22連接母線13和晶體管23，晶體管23連接地線14和晶體管22，晶體管22和晶體管23同時(shí)連接線圈9的一端；晶體管24連接母線13和晶體管25，晶體管25連接14地線和晶體管24，晶體管24和晶體管25同時(shí)連接線圈9的另一端；四個(gè)晶體管都和H橋驅(qū)動(dòng)模塊相連；H橋驅(qū)動(dòng)模塊輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制晶體管的導(dǎo)通和關(guān)斷。在本實(shí)施例中，晶體管22采用的是Internat1nal Rectifier公司的IRFB4127PbF。
[0037]四個(gè)浪涌吸收模塊(26、27、28和29)分別和四個(gè)晶體管(22、23、24和25)并聯(lián)，吸收晶體管關(guān)斷和導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰和電流尖峰，保護(hù)晶體管。
[0038]所述的熱敏電阻30連接四個(gè)晶體管和控制單元11，將晶體管的溫度實(shí)時(shí)地傳給控制單元11 ；
所述的H橋驅(qū)動(dòng)模塊21連接微處理器和四個(gè)晶體管(22、23、24和25)。H橋驅(qū)動(dòng)模塊將微處理器輸出的信號(hào)進(jìn)行隔離放大，并驅(qū)動(dòng)H橋的晶體管工作。
[0039]所述的控制單元11，連接電源模塊12、可調(diào)整流模塊3、電壓測量模塊6、電流測量模塊7、充電電阻模塊4、H橋模塊8和線圈溫度測量模塊10。所述的控制單元11，包括:微處理器31、模擬信號(hào)預(yù)處理模塊36、按鍵模塊33、數(shù)碼管模塊35、調(diào)壓旋鈕模塊32，如圖3所示，其中:
所述的模擬信號(hào)預(yù)處理模塊36連接調(diào)壓旋鈕模塊32、電壓測量模塊6、電流測量模塊
7、線圈溫度測量模塊10、熱敏電阻30和微處理器31。對(duì)采樣來的模擬信號(hào)進(jìn)行調(diào)理，并傳給微處理器11。
[0040]所述的按鍵模塊33連接微處理器31。通過按鍵設(shè)定寬頻變功率管道電磁除防垢裝置的電壓閾值、電流閾值、掃頻周期、上限頻率、下限頻率、電壓變化周期、上限電壓、下限電壓、線圈溫度閾值和H橋溫度閾值等參數(shù)。
[0041]所述的數(shù)碼管模塊35連接微處理器31。微處理器31控制數(shù)碼管顯示電壓值、電流值、線圈溫度、當(dāng)前工作頻率和H橋溫度等參數(shù)。本實(shí)施例中，數(shù)碼管選用的是八段數(shù)碼管 SM120561。
[0042]所述的調(diào)壓旋鈕模塊32連接模擬信號(hào)預(yù)處理模塊36。寬頻變功率管道電磁除防垢裝置工作在輸出固定電壓值的模式時(shí)，用調(diào)壓旋鈕模塊32控制可調(diào)整流模塊3輸出固定的電壓值。
[0043]所述的微處理器31連接模擬信號(hào)預(yù)處理模塊36、按鍵模塊33、電源模塊34、H橋驅(qū)動(dòng)模塊21、可調(diào)整流模塊3、數(shù)碼管模塊35和充電電阻模塊4。微處理器31輸出模擬信號(hào)控制可調(diào)整流模塊3輸出脈動(dòng)直流信號(hào)，脈動(dòng)直流信號(hào)的電壓和模擬信號(hào)成正比；微處理器31將采集來的電流、電壓、線圈溫度、H橋溫度等參數(shù)顯示在數(shù)碼管模塊35上；微處理器31控制充電電阻模塊4，在寬頻變功率管道電磁除防垢裝置上電一段時(shí)間后，使充電電阻4短路；微處理器31向H橋驅(qū)動(dòng)模塊21輸出頻率可變的方波信號(hào)；微處理器31接收電壓測量模塊6、電流測量模塊7、熱敏電阻24和線圈溫度測量模塊10傳過來的模擬信號(hào)，當(dāng)電壓值、電流值、晶體管溫度和線圈溫度中的任一個(gè)物理量超過對(duì)應(yīng)的閾值時(shí)，微處理器31輸出最小的模擬信號(hào)使可調(diào)整流模塊3輸出最小值。本實(shí)施例中，微處理器31是STMicroelectronics 公司的微處理器 STM32F103RBT6。
[0044]下面以上述寬頻變功率管道電磁除防垢裝置，工作在掃頻范圍20HZ-20KHZ、掃描周期為100ms、輸出電壓范圍20V-50V、電壓變化周期為10分鐘、電壓變化步長為IV為實(shí)施例，進(jìn)一步說明所述的寬頻電磁防除垢掃頻控制方法:
第一步，將線圈9纏繞在待除垢的管道15上，然后連接到寬頻變功率管道電磁除防垢裝置上；
第二步，連接220VAC的現(xiàn)場工業(yè)電源輸出端子1，上電的瞬間，充電電阻模塊4限制濾波模塊5由于充電而引起的電流突變，保護(hù)母線13和可調(diào)整流模塊3。
[0045]第三步、通過按鍵33設(shè)定寬頻變功率管道電磁除防垢裝置的電壓閾值100V、電流閾值10A、掃頻周期100ms、上限頻率20HZ、下限頻率20KHZ、電壓變化周期10分鐘、上限電壓20V、下限電壓50V、電壓變化步長IV，線圈溫度閾值100°C和H橋溫度閾值70°C等參數(shù)； 第四步，控制單元11中的微處理器31根據(jù)輸出頻率計(jì)算方法向H橋模塊中的H橋驅(qū)動(dòng)模塊21輸出當(dāng)前頻率20HZ，根據(jù)電壓計(jì)算方法向可調(diào)整流模塊3輸出模擬信號(hào)；
第五步，可調(diào)整流模塊3輸出對(duì)應(yīng)的脈動(dòng)20V的直流信號(hào)；
第六步，一段時(shí)間之后，微處理器31控制充電電阻被短路，母線13直接和可調(diào)整流模塊3連接；
第七步，濾波模塊5對(duì)母線13上的脈動(dòng)直流信號(hào)進(jìn)行平滑，H橋模塊8將平滑之后的直流信號(hào)逆變成頻率變化的方波信號(hào)，該方波信號(hào)供給線圈9，在管道15內(nèi)形成高頻振蕩磁場，直流信號(hào)經(jīng)地線14形成回路；
第八步，電壓測量模塊6將濾波之后的電壓大小轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)傳給控制單元11 ;電流測量模塊7將地線14上電流的大小轉(zhuǎn)變成模擬信號(hào)傳給控制單元11 ;線圈溫度測量模塊10將線圈的溫度轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)，并將該模擬信號(hào)傳遞給控制單元11 ；H橋模塊8中的熱敏電阻30將晶體管的溫度轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)實(shí)時(shí)的傳給控制單元11 ;控制單元11中的微處理器31將采集來的溫度、電流、電壓、線圈溫度、H橋晶體管溫度等信息顯示在數(shù)碼管35上；
第九步，微處理器31根據(jù)輸出頻率計(jì)算方法向H橋驅(qū)動(dòng)模塊21輸出變化的頻率，根據(jù)電壓計(jì)算方法向可調(diào)整流模塊3輸出變化的模擬信號(hào)；
所述的輸出頻率計(jì)算方法如下:
首先算出上限頻率20HZ和下限頻率20KHZ的中值頻率10.01KHZ ；
然后根據(jù)中值頻率10.01KHZ算出對(duì)應(yīng)的中值周期0.1Oms ；
然后將掃頻周期10ms均分為1000個(gè)時(shí)間段，每個(gè)時(shí)間段的長度都是0.1Oms ；
則第i (i=l，2...1000)個(gè)時(shí)間段內(nèi)對(duì)應(yīng)輸出的頻率

【權(quán)利要求】
1.一種寬頻變功率管道電磁除防垢裝置，包括保護(hù)模塊(2)、可調(diào)整流模塊(3)、充電電阻模塊⑷、濾波模塊(5)、電壓測量模塊(6)、H橋模塊⑶、電流測量模塊(7)、線圈(9)、線圈溫度測量模塊(10)、電源模塊(12)、控制單元(11)、管道(15)和現(xiàn)場工業(yè)電源輸出端子(1)，其特征在于: 所述的保護(hù)模塊(2)連接現(xiàn)場工業(yè)電源輸出端子(I)和可調(diào)整流模塊(3);所述的可調(diào)整流模塊(3)還連接充電電阻模塊(4)、電流測量模塊(7)和控制單元(11)； 所述的濾波模塊(5)連接有母線(13)和地線(14);所述的電壓測量模塊(6)連接母線(13)、地線(14)和控制單元(11);在濾波模塊(5)和H橋模塊⑶之間由母線(13)和地線(14)連接； 所述的H橋模塊⑶還連接線圈(9)和控制單元(11)； 所述的電流測量模塊(7)還連接地線(14)和控制單元(11)； 所述的線圈(9)還連接線圈溫度測量模塊(10)和管道(15)； 所述的線圈溫度測量模塊(10)還連接控制單元(11)； 所述的電源模塊(12)連接保護(hù)模塊(2)和控制單元(11)； 所述的控制單元(11)，還連接充電電阻模塊(4)和線圈溫度測量模塊(10); 所述的現(xiàn)場工業(yè)電流端子(I)連接現(xiàn)場的工業(yè)電網(wǎng)和保護(hù)模塊(2)。
2.如權(quán)利要求1所述的寬頻變功率管道電磁除防垢裝置，其特征在于:所述的H橋模塊(8)包括第一、第二、第三和第四4個(gè)晶體管(22、23、24和25)、熱敏電阻(30)、第一、第二、第三和第四4個(gè)浪涌吸收模塊(26、27、28和29)和H橋驅(qū)動(dòng)模塊(21)； 所述的第一晶體管(22)連接一條母線(13)和第二晶體管(23)，第二晶體管(23)還連接一條地線(14)，第一晶體管(22)和第二晶體管(23)同時(shí)連接一個(gè)線圈(9)的一端；第三晶體管(24)連接母線(13)和第四晶體管(25)，第四晶體管(25)還連接地線(14)，第三晶體管(24)和第四晶體管(25)同時(shí)連接線圈(9)的另一端；四個(gè)晶體管(22、23、24和25)都和H橋驅(qū)動(dòng)模塊(21)相連； 所述的四個(gè)浪涌吸收模塊(26、27、28和29)分別和四個(gè)晶體管(22、23、24和25)并聯(lián)； 所述的熱敏電阻(30)連接四個(gè)晶體管(26、27、28和29)和控制單元(11)。
3.如權(quán)利要求1所述的寬頻變功率管道電磁除防垢裝置，其特征在于:所述的控制單元包括微處理器(31)、模擬信號(hào)預(yù)處理模塊(36)、按鍵模塊(33)、數(shù)碼管模塊(35)和調(diào)壓旋鈕t吳塊(32)； 所述的模擬信號(hào)預(yù)處理模塊(36)連接調(diào)壓旋鈕模塊(32)、電壓測量模塊(6)、電流測量模塊(7)、線圈溫度測量模塊(10)、熱敏電阻(30)和微處理器(31);所述的微處理器(31)還連接按鍵模塊(33)、電源模塊(34)、H橋驅(qū)動(dòng)模塊(21)、可調(diào)整流模塊(3)、數(shù)碼管模塊(35 )和充電電阻模塊(4 )，而所述H橋驅(qū)動(dòng)模塊(21)連接H橋模塊(8 )。
4.如權(quán)利要求3所述的寬頻變功率管道電磁除防垢裝置，其特征在于:所述的微處理器(31)輸出模擬信號(hào)控制可調(diào)整流模塊(3)輸出脈動(dòng)直流信號(hào)，脈動(dòng)直流信號(hào)的電壓和模擬信號(hào)成正比；當(dāng)電壓值、電流值、晶體管溫度和線圈溫度中的任一個(gè)物理量超過對(duì)應(yīng)的閾值時(shí)，微處理器(31)輸出最小的模擬信號(hào)使可調(diào)整流模塊輸出最小值。
5.一種寬頻變功率管道電磁除防垢裝置的掃頻控制方法，采用根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬頻變功率管道電磁除防垢裝置進(jìn)行操作，其特征在于:包括如下操作步驟:第一步，將線圈(9)纏繞在待除垢的管道(15)上，然后連接到寬頻變功率管道電磁除防垢裝置上； 第二步，連接現(xiàn)場工業(yè)電源輸出端子(1)，上電的瞬間，充電電阻模塊(4)限制濾波模塊(5)由于充電而引起的電流突變，保護(hù)母線(13)和可調(diào)整流模塊(3)； 第三步、通過按鍵(33)設(shè)定寬頻變功率管道電磁除防垢裝置的電壓閾值、電流閾值、掃頻周期、上限頻率、下限頻率、電壓變化周期、上限電壓、下限電壓、線圈溫度閾值和H橋溫度閾值等參數(shù)； 第四步，控制單元(11)中的微處理器(31)根據(jù)輸出頻率計(jì)算方法向H橋模塊(8)中的H橋驅(qū)動(dòng)模塊(21)輸出當(dāng)前頻率，根據(jù)電壓計(jì)算方法向可調(diào)整流模塊(3)輸出模擬信號(hào)；第五步，可調(diào)整流模塊(3)輸出對(duì)應(yīng)的脈動(dòng)直流信號(hào)； 第六步，一段時(shí)間之后，微處理器(31)控制充電電阻(4)被短路，母線(13)直接和可調(diào)整流模塊(3)連接； 第七步，濾波模塊(5)對(duì)母線(13)上的脈動(dòng)直流信號(hào)進(jìn)行平滑，H橋模塊(8)將平滑之后的直流信號(hào)逆變成頻率變化的方波信號(hào)，該方波信號(hào)供給線圈(9)，在管道內(nèi)形成高頻振蕩磁場，直流信號(hào)經(jīng)地線(14)形成回路； 第八步，電壓測量模塊(6)將濾波之后的電壓大小轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)傳給控制單元(11);電流測量模塊(7)將地線(14)上電流的大小轉(zhuǎn)變成模擬信號(hào)傳給控制單元(11);線圈溫度測量模塊(10)將線圈(9)的溫度轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)，并將該模擬信號(hào)傳遞給控制單元(11 );H橋模塊(8)中的熱敏電阻(30)將晶體管的溫度轉(zhuǎn)變?yōu)槟M信號(hào)實(shí)時(shí)的傳給控制單元(11);微處理器(31)將采集來的溫度、電流、電壓、線圈溫度、H橋晶體管溫度等信息顯示在數(shù)碼管(35)上； 第九步，微處理器(31)根據(jù)輸出頻率計(jì)算方法向H橋驅(qū)動(dòng)模塊(21)輸出變化的頻率，根據(jù)電壓計(jì)算方法向可調(diào)整流模塊(3)輸出變化的模擬信號(hào)； 所述的輸出頻率計(jì)算方法如下: 先算出上限頻率Λ和下限頻率Λ的中值頻率/_; 然后根據(jù)中值頻率Λ算出對(duì)應(yīng)的中值周期； 然后將掃頻周期r分成# = €個(gè)相等的時(shí)間段，每個(gè)時(shí)間段的長度都是； 則第i (i=l，2…N)個(gè)時(shí)間段內(nèi)輸出的頻-力/,=厶+^^0_-；0，每個(gè)頻率/f運(yùn)行

N的時(shí)間長度都是I; 所述的電壓計(jì)算方法如下: 可調(diào)整流模塊(3)的輸出直流電壓從上限電壓開始，每隔一個(gè)電壓變化周期電壓值增加一個(gè)步長，當(dāng)增加到下限電壓后，輸出直流電壓又從下限電壓開始變化； 這樣，在線圈(9)上就出現(xiàn)了頻率和電壓幅值都隨時(shí)間不斷變化的方波信號(hào)，所述的掃頻周期必須考慮水流的速度，一般不超過一秒鐘，所述的電壓變化周期遠(yuǎn)大于掃頻周期。
6.如權(quán)利要求5所述的寬頻變功率管道電磁除防垢裝置的掃頻控制方法，其特征在于:若已經(jīng)知道了最佳工作頻率，將上限頻率和下限頻率都設(shè)置成該最佳工作頻率，則H橋模塊(8)向線圈(9)只輸出該頻率，即所述寬頻變功率管道電磁除防垢裝置可工作在輸出固定頻率的模式下。
7.如權(quán)利要求5所述的寬頻變功率管道電磁除防垢裝置的掃頻控制方法，其特征在于:將電壓變化周期設(shè)置為零，可使寬頻變功率管道電磁除防垢裝置工作在固定電壓輸出的模式，使用調(diào)壓旋鈕模塊改變輸出的電壓值。
【文檔編號(hào)】C02F5/00GK104163504SQ201410285775
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2014年6月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月28日
【發(fā)明者】孫偉, 龔倩倩, 王文杰, 張振海 申請(qǐng)人:上海大學(xué), 山東廣聚德機(jī)電設(shè)備制造有限公司