本發(fā)明涉及清洗技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基板的清洗方法。

背景技術(shù)：
隨著科技的發(fā)展，液晶顯示器技術(shù)也隨之不斷完善。TFT-LCD（ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜場效應(yīng)晶體管-液晶顯示器）以其圖像顯示品質(zhì)好、能耗低、環(huán)保等優(yōu)勢占據(jù)著顯示器領(lǐng)域的重要位置，同樣，近幾年興起的基于OLED（有機(jī)發(fā)光二極管OrganicLight-EmittingDiode）的顯示技術(shù)也日益成熟，其具有構(gòu)造簡單，厚度薄，響應(yīng)速度快，豐富色彩等優(yōu)勢。在LCD和OLED的工藝過程中，涉及多種高分子材料，基板經(jīng)過一系列的光刻、濕法刻蝕、剝離等工藝，往往會產(chǎn)生有機(jī)異物，為了不影響后續(xù)產(chǎn)品的生產(chǎn)質(zhì)量，現(xiàn)有技術(shù)中通常采用常溫水清洗基板，已達(dá)到去除有機(jī)異物的目的。但在實(shí)際操作中發(fā)現(xiàn)，有機(jī)物異物在常溫水的作用下很難徹底去除，基板上仍然殘留一定的細(xì)小異物，而這些細(xì)小異物很容易誘發(fā)產(chǎn)品不良，極大地降低了產(chǎn)品的良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
（一）要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種基板的清洗方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的清洗方法難以去除基板表面的細(xì)小異物導(dǎo)致誘發(fā)產(chǎn)品不良，造成產(chǎn)品良率低下的缺陷。（二）技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種基板的清洗方法，包括：對基板進(jìn)行預(yù)加熱處理；采用清洗劑對預(yù)處理過的基板進(jìn)行溶解清洗；對清洗后的基板進(jìn)行二次沖洗。優(yōu)選地，所述預(yù)加熱處理具體包括：采用熱氣源、熱水源、紅外熱源對基板進(jìn)行加熱處理。優(yōu)選地，所述基板預(yù)熱的溫度為40～120℃。優(yōu)選地，所述基板預(yù)熱的溫度為100～120℃。優(yōu)選地，所述清洗劑為可溶解基板表面的有機(jī)異物的醇類洗劑、苯類洗劑、醚類或脂類中的一種。優(yōu)選地，所述醇類洗劑為異丙醇。優(yōu)選地，所述清洗劑為可溶解基板表面的有機(jī)異物的無機(jī)溶劑。優(yōu)選地，所述無機(jī)溶劑為氨水和水素水的混合溶液，所述氨水與水素水的體積比為：1:3～2:1。優(yōu)選地，所述氨水與水素水的體積比為：1：1。優(yōu)選地，所述對清洗后的基板進(jìn)行二次沖洗具體包括：采用高壓純水或高壓水汽二流體對基板進(jìn)行沖洗。優(yōu)選地，采用清洗劑對基板進(jìn)行清洗的過程中，還包括對基板進(jìn)行二次加熱。（三）有益效果本發(fā)明提供的基板清洗方法，通過加熱基板同時(shí)采用清洗劑對基板進(jìn)行溶解清洗，可有效增大有機(jī)異物的分子活性，促進(jìn)清洗劑與有機(jī)異物的溶解度，進(jìn)而有效去除細(xì)小的有機(jī)異物，提高清洗基板的潔凈度，進(jìn)而提升產(chǎn)品的良率。附圖說明圖1為本發(fā)明實(shí)施例基板的清洗方法流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例中常溫狀態(tài)下基板表面有機(jī)雜質(zhì)分子活性示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例中加熱狀態(tài)下基板表面有機(jī)雜質(zhì)分子活性示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例基板的清洗裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例基板的清洗裝置結(jié)構(gòu)另一示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。如圖1所示，本實(shí)施例提供的基板清洗方法，具體包括如下步驟：步驟S101、對基板進(jìn)行預(yù)加熱處理。具體的，采用熱氣源、熱水源、紅外熱源等熱源對基板進(jìn)行加熱...