磁制冷裝置和磁制冷系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，磁制冷裝置包括：磁性本體；磁場(chǎng)施加單元；儲(chǔ)熱介質(zhì)；和傳熱單元。磁性本體間隔排列。磁場(chǎng)施加單元分別對(duì)磁性本體施加磁場(chǎng)和去除磁場(chǎng)。介質(zhì)布置成面對(duì)磁性本體中的至少一個(gè)。介質(zhì)在施加磁場(chǎng)和去除磁場(chǎng)所導(dǎo)致的磁性本體的溫度變化的范圍內(nèi)沒(méi)有居里點(diǎn)。傳熱單元選擇性地使介質(zhì)與磁性本體熱接觸或使介質(zhì)與磁性本體熱隔離，并且傳熱單元與施加磁場(chǎng)和去除磁場(chǎng)同步地將熱從磁性本體傳給介質(zhì)或?qū)釓慕橘|(zhì)傳給磁性本體。
【專(zhuān)利說(shuō)明】磁制冷裝置和磁制冷系統(tǒng)
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考
[0002]本申請(qǐng)基于并且要求享有2012年11月13日提交的日本專(zhuān)利申請(qǐng)N0.2012-249106的優(yōu)先權(quán)的益處，其整個(gè)內(nèi)容通過(guò)參考包含于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本文所述的實(shí)施例總體上涉及一種磁制冷裝置和一種磁制冷系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0004]近年來(lái)，對(duì)作為具有較高制冷效率的環(huán)保制冷技術(shù)之一的磁制冷的期望變得越來(lái)越高，并且正積極地進(jìn)行在室溫范圍內(nèi)的磁制冷技術(shù)的研究與開(kāi)發(fā)。
[0005]作為磁制冷技術(shù)之一，已經(jīng)提出了 AMR (主動(dòng)磁再生制冷)方法。該AMR方法確實(shí)使用組態(tài)熵，所述組態(tài)熵被認(rèn)為是用于室溫范圍內(nèi)的磁制冷的抑制因素。因而，致使磁性本體具有通過(guò)磁熱效應(yīng)執(zhí)行磁制冷操作的功能并且同時(shí)地提供儲(chǔ)存由磁制冷操作所產(chǎn)生的冷能的儲(chǔ)熱效應(yīng)。
[0006]例如，在代表性的AMR設(shè)備中，諸如水的熱交換器流體通過(guò)填充有微粒磁性本體的磁容器循環(huán)。與分別對(duì)磁容器施加磁場(chǎng)和去除磁場(chǎng)同步地，熱交換器流體往復(fù)地運(yùn)動(dòng)，由此實(shí)施制冷循環(huán)。
[0007]在AMR制冷循環(huán)中，壓縮機(jī)是不必要的，并且一點(diǎn)動(dòng)力就足夠了。為此，與例如通過(guò)使用CFC的壓縮循環(huán)所執(zhí)行的傳統(tǒng)制冷方法相比，期望的是得到較高的制冷效率。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是示意性地示出根據(jù)第一實(shí)施例的磁制冷裝置的主要部件的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0009]圖2A和圖2B是用于解釋圖1中所示的根據(jù)第一實(shí)施例的磁制冷裝置的單元結(jié)構(gòu)的操作的示意性剖視圖；
[0010]圖3是用于解釋根據(jù)第一實(shí)施例的磁制冷裝置的操作的示意性剖視圖，在所述磁制冷裝置中堆疊有圖2A和圖2B中所示的單元結(jié)構(gòu)；
[0011]圖4是用于解釋根據(jù)第一實(shí)施例的磁制冷裝置的操作的示意性剖視圖，在所述磁制冷裝置中堆疊有圖2A和圖2B中所示的單元結(jié)構(gòu)；
[0012]圖5是用于解釋根據(jù)第一實(shí)施例的磁制冷裝置的操作的示意性剖視圖，在所述磁制冷裝置中堆疊有圖2A和圖2B中所示的單元結(jié)構(gòu)；
[0013]圖6A和圖6B是示意性地示出使用導(dǎo)熱液體的圖1中所示的傳熱單元的布置的剖視圖；
[0014]圖7A和圖7B是示意性地示出使用導(dǎo)熱液體的圖1中所示的傳熱單元的另一個(gè)單元結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0015]圖8A和圖8B是示意性地示出通過(guò)堆疊圖6A和圖6B中所示的傳熱單元的單元結(jié)構(gòu)而形成的結(jié)構(gòu)的剖視圖；[0016]圖9A和圖9B是示意性地示出使用液態(tài)晶體的圖1中所示的傳熱單元的布置的剖視圖；
[0017]圖10是示意性地示出根據(jù)第二實(shí)施例的磁制冷裝置的主要部件的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0018]圖11是示意性地示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的磁制冷系統(tǒng)的透視圖；
[0019]圖12是示意性地示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的磁制冷系統(tǒng)的布置和結(jié)構(gòu)的平面圖；和
[0020]圖13是示意性地示出根據(jù)又一個(gè)實(shí)施例的磁制冷系統(tǒng)的布置和結(jié)構(gòu)的平面圖。【具體實(shí)施方式】
[0021]現(xiàn)在將參照【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】根據(jù)實(shí)施例的磁制冷裝置和包括該磁制冷裝置的磁制冷系統(tǒng)。
[0022]如上所述，在AMR制冷循環(huán)中，壓縮機(jī)是不必要的，并且一點(diǎn)動(dòng)力就足夠了。為此，與例如通過(guò)使用CFC的壓縮循環(huán)所執(zhí)行的傳統(tǒng)制冷方法相比，期望的是得到較高的制冷效率。
[0023]然而，為了使磁再生循環(huán)加速以用于減小規(guī)模，或者為了增大輸出功率，需要熱交換器流體以較高的速度循環(huán)通過(guò)磁容器。因此，流體壓力損失將增加，并且將需要較高的功率來(lái)使熱交換器流體往復(fù)運(yùn)動(dòng)。因而，問(wèn)題是制冷效率反而會(huì)降低。
[0024]實(shí)施例考慮到上述背景。實(shí)施例的目的是提供一種能夠減小尺寸、具有高功率特性且提高制冷效率的磁制冷系統(tǒng)。
[0025]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，磁制冷裝置包括:磁性本體；磁場(chǎng)施加單元；儲(chǔ)熱介質(zhì)；和傳熱單元。磁性本體間隔排列。磁性本體中的每個(gè)都具有磁熱效應(yīng)。磁場(chǎng)施加單元分別對(duì)磁性本體施加磁場(chǎng)和去除磁場(chǎng)。儲(chǔ)熱介質(zhì)布置成面對(duì)磁性本體中的至少一個(gè)。在由磁場(chǎng)施加單元施加磁場(chǎng)和去除磁場(chǎng)所導(dǎo)致的磁性本體的溫度變化的范圍內(nèi)，儲(chǔ)熱介質(zhì)沒(méi)有居里點(diǎn)。儲(chǔ)熱介質(zhì)具有儲(chǔ)熱效應(yīng)。傳熱單元選擇性地使儲(chǔ)熱介質(zhì)與磁性本體熱接觸或使儲(chǔ)熱介質(zhì)與磁性本體熱隔離，并且與由磁場(chǎng)施加單元施加磁場(chǎng)和去除磁場(chǎng)同步地，傳熱單元將熱從磁性本體傳給儲(chǔ)熱介質(zhì)或?qū)釓膬?chǔ)熱介質(zhì)傳給磁性本體。
[0026](第一實(shí)施例)
[0027]圖1示出根據(jù)第一實(shí)施例的磁制冷系統(tǒng)。該磁制冷系統(tǒng)包括磁制冷裝置I。在該磁制冷裝置I中，交替地并置有具有磁熱效應(yīng)的磁性本體2和固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3。傳熱單元50設(shè)置在磁性本體2與固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3之間并且位于高溫側(cè)和低溫側(cè)上的最靠外端部處。傳熱單元50、磁性本體2、傳熱單元50和固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3的陣列沿著縱向方向(從高溫側(cè)到低溫側(cè))布置。圖1中所示的磁制冷系統(tǒng)包括磁場(chǎng)施加單元6A和6B,所述磁場(chǎng)施加單元6A和6B可以沿著縱向方向M (從高溫側(cè)到低溫側(cè)或沿著相反的方向)運(yùn)動(dòng)，從而能夠?qū)⒋艌?chǎng)施加到磁性本體2并且然后去除磁場(chǎng)。
[0028]更具體地，磁場(chǎng)施加單元6A和6B布置在磁制冷裝置I的外部。兩個(gè)磁場(chǎng)施加單元6A和6B布置成以間隔夾持磁制冷裝置1，由此形成磁路。磁場(chǎng)施加單元6A和6B可以由永久磁鐵或電磁鐵形成。
[0029]磁場(chǎng)施加單元6A和6B可以通過(guò)運(yùn)動(dòng)機(jī)制(未示出)沿著由圖1中所示的箭頭M所指示的方向運(yùn)動(dòng)。隨著磁場(chǎng)施加單元6A和6B運(yùn)動(dòng)，可以分別對(duì)磁性本體2施加和去除磁場(chǎng)。
[0030]當(dāng)磁場(chǎng)施加單元6A和6B由電磁鐵形成時(shí),可以在不使磁場(chǎng)施加單元6A和6B運(yùn)動(dòng)的情況下通過(guò)對(duì)流到電磁鐵的電流通斷控制而執(zhí)行對(duì)磁性本體2的磁場(chǎng)施加/磁場(chǎng)去除。因此，由電磁鐵形成的磁場(chǎng)施加單元6A和6B不需要運(yùn)動(dòng)機(jī)制。
[0031]圖1中所示的磁性本體2、傳熱單元50和固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3構(gòu)成磁制冷裝置的單元結(jié)構(gòu)。如圖2A中所示，傳熱單元50-1設(shè)置在磁性本體2和與該磁性本體2相鄰的一個(gè)固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3-1之間。傳熱單元50-2設(shè)置在磁性本體2和與該磁性本體2相鄰的另一個(gè)固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3-2之間。磁制冷裝置還包括傳熱控制單元10。傳熱控制單元10控制傳熱單元50-1和傳熱單元50-2的熱阻，并且選擇地控制在磁性本體2與固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3-1之間的熱阻以及在磁性本體2與固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3-2之間的熱阻，由此控制從高溫側(cè)到低溫側(cè)的傳熱。圖1還示出傳熱控制單元10。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，傳熱控制單元10示出為通過(guò)兩個(gè)代表性的箭頭控制傳熱單元50。然而，理所當(dāng)然地，不但兩個(gè)傳熱單元50受到傳熱控制單元10控制，而且其它的傳熱單元50也受到傳熱控制單元10控制。傳熱控制單元10根據(jù)磁性本體2的吸熱和發(fā)熱在適當(dāng)?shù)亩〞r(shí)下分別控制傳熱單元50。傳熱單元50受到控制，由此控制從高溫側(cè)到低溫側(cè)的傳熱。
[0032]將參照?qǐng)D2A和2B更加詳細(xì)地說(shuō)明在磁制冷裝置I中的基本的熱傳輸原理。
[0033]圖2A示出磁場(chǎng)施加單元6A和6B將磁場(chǎng)施加到磁性本體2的狀態(tài)。另一方面，圖2B示出從磁場(chǎng)施加單元6A和6B施加到磁性本體2的磁場(chǎng)被去除的狀態(tài)。圖2B由虛線(xiàn)示出磁場(chǎng)施加單元6A和6B，就好像磁場(chǎng)施加單元6A和6B被去除一樣。然而，理所當(dāng)然地還涉及到以下情況，即，磁場(chǎng)施加單元6A和6B物理上布置，但是它們的磁場(chǎng)被關(guān)掉。
[0034]如圖2A中所示，當(dāng)磁場(chǎng)施加單元6A和6B將磁場(chǎng)施加到磁性本體2時(shí)，磁性本體2的溫度由此磁熱效應(yīng)而升高。即，當(dāng)磁場(chǎng)施加單元6A和6B將磁場(chǎng)施加到磁性本體2時(shí)，磁性本體2被加熱，并且實(shí)現(xiàn)發(fā)熱狀態(tài)。傳熱控制單元10降低了與磁性本體2相鄰的一個(gè)傳熱單元50-1的熱阻(熱傳播狀態(tài)，在該狀態(tài)中由圖2A中的布滿(mǎn)點(diǎn)的單元所指示的傳熱單元的熱阻降低，并且熱可以有效地傳播)，并且升高了另一個(gè)傳熱單元50-2的熱阻(熱隔離狀態(tài)，在該狀態(tài)中由圖2A中的空白的單元所指示的傳熱單元的熱阻升高，并且熱不能有效地傳播)。因此，熱傳遞到實(shí)際上與磁性本體2熱接觸的一個(gè)固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3-1以加熱該固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3-1。
[0035]如圖2B中所示，當(dāng)磁場(chǎng)施加單元6A和6B從磁性本體2去除磁場(chǎng)時(shí)，實(shí)現(xiàn)吸熱狀態(tài)，在該吸熱狀態(tài)中磁性本體2向外部帶走熱。當(dāng)在磁性本體2中產(chǎn)生吸熱效應(yīng)時(shí)，傳熱控制單元10升高了與該磁性本體2相鄰的一個(gè)傳熱單元50-1的熱阻(由圖2B中的空白的單元所指示的熱隔離狀態(tài))，并且降低了另一個(gè)傳熱單元50-2的熱阻(由圖2B中的布滿(mǎn)點(diǎn)的單元所指示的熱傳播狀態(tài))。因此，從實(shí)際上與磁性本體2熱接觸的另一個(gè)固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3-2帶走熱以冷卻該固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3-2。
[0036]布置在磁制冷裝置I的一個(gè)最外側(cè)上的固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3在與傳熱單元50熱接觸的同時(shí)經(jīng)由傳熱單元50被固定到高溫側(cè)熱交換單元7。布置在磁制冷裝置I的另一個(gè)最外側(cè)上的固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3在與傳熱單元50熱接觸的同時(shí)經(jīng)由傳熱單元50被固定到低溫側(cè)熱交換單元8。如上所述，當(dāng)在磁制冷裝置I中發(fā)生吸熱和散熱時(shí)，從低溫側(cè)熱交換單元8的一側(cè)向高溫側(cè)熱交換單元7的一側(cè)傳熱。低溫側(cè)熱交換單元8主要地?fù)p失熱并且冷卻下來(lái)。高溫側(cè)熱交換單元7主要地升溫并且向外部散熱。
[0037]如已經(jīng)參照?qǐng)D1所述，磁場(chǎng)施加單元6A和6B布置成可沿著與磁制冷裝置I的縱向方向相對(duì)應(yīng)的運(yùn)動(dòng)方向M運(yùn)動(dòng)。磁場(chǎng)施加單元6A和6B伴隨沿著運(yùn)動(dòng)方向M的運(yùn)動(dòng)而將外磁場(chǎng)施加到磁性本體2，并且伴隨遠(yuǎn)離磁性本體2的運(yùn)動(dòng)而去除所施加的磁場(chǎng)。與由磁場(chǎng)施加單元6A和6B施加磁場(chǎng)/去除磁場(chǎng)同步地,傳熱控制單元10改變上述傳熱單元50-1的熱阻和傳熱單元50-2的熱阻。因此，在磁性本體2中所產(chǎn)生的吸熱效應(yīng)或熱傳播效應(yīng)在磁制冷裝置I中傳熱，冷卻低溫側(cè)熱交換單元8，并且導(dǎo)致高溫側(cè)熱交換單元7散熱。
[0038]更具體地，如圖3中所示，在低熱阻狀態(tài)中的傳熱單元50-1與高溫側(cè)上的磁性本體2接觸，并且經(jīng)由傳熱單元50-1從磁性本體2向固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3傳熱。另一方面，在高熱阻狀態(tài)中的傳熱單元50-2熱隔離低溫側(cè)上的磁性本體2，由此防止從磁性本體2向低溫側(cè)傳熱。
[0039]如圖4中所示，當(dāng)磁場(chǎng)施加單元6A和6B運(yùn)動(dòng)或停止產(chǎn)生磁場(chǎng)并且磁場(chǎng)被去除時(shí)，磁性本體的溫度伴隨磁場(chǎng)的去除由于磁熱效應(yīng)而降低。當(dāng)傳熱單元50-1的熱阻升高并且傳熱單元50-2的熱阻與磁性本體的溫度降低同步地降低時(shí)，熱從固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3-2運(yùn)動(dòng)到磁性本體2 (吸熱效應(yīng))。更具體地，如圖4中所示，在低熱阻狀態(tài)中的傳熱單元50-2與低溫側(cè)上的磁性本體2接觸，并且磁性本體2經(jīng)由傳熱單元50-2從固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3帶走熱以冷卻固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3。另一方面，在高熱阻狀態(tài)中的傳熱單元50-1熱隔離高溫側(cè)上的磁性本體2，由此防止從磁性本體2向低溫側(cè)傳熱。
[0040]當(dāng)如圖3和4中所示交替地重復(fù)熱隔離固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3中的一個(gè)的狀態(tài)和熱隔離另一個(gè)固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3的狀態(tài)時(shí)，熱從低溫側(cè)上的固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3向高溫側(cè)上的固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3傳輸。固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3由于儲(chǔ)熱效應(yīng)而被熱隔離，并且在低溫側(cè)固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3與高溫側(cè)固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3之間產(chǎn)生溫差，所述低溫側(cè)固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3和高溫側(cè)固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3從低溫側(cè)向高溫側(cè)排列。
[0041]圖3中所示的磁制冷裝置I形成為堆疊結(jié)構(gòu)，在所述堆疊結(jié)構(gòu)中堆疊有圖2A和圖2B中所示的單元結(jié)構(gòu)。在單元結(jié)構(gòu)中所產(chǎn)生的溫差被堆積在堆疊結(jié)構(gòu)中。因此，可以在磁制冷裝置I的兩端產(chǎn)生較大的溫差。
[0042]在磁制冷裝置I中，傳輸?shù)蕉询B結(jié)構(gòu)的端部的熱經(jīng)由高溫側(cè)熱交換單元7向外部消散。另一方面，在低溫側(cè)上的堆疊結(jié)構(gòu)的端部經(jīng)由低溫側(cè)熱交換單元8吸收外熱。高溫側(cè)熱交換單元7和低溫側(cè)熱交換單元8例如由Cu (銅)制成，Cu (銅)具有較高的導(dǎo)熱率。
[0043]圖5示出當(dāng)磁場(chǎng)施加單元6A和6B運(yùn)動(dòng)以對(duì)磁性本體2施加磁場(chǎng)/去除磁場(chǎng)時(shí)的磁制冷裝置I的操作的示例。在將磁場(chǎng)施加到磁性本體2的磁制冷裝置的每個(gè)單元結(jié)構(gòu)中，在高溫側(cè)上的傳熱單元50的熱阻是較低的。在不將磁場(chǎng)施加到磁性本體2的磁制冷裝置的每個(gè)單元結(jié)構(gòu)中，在低溫側(cè)上的傳熱單元50的熱阻是較低的。當(dāng)磁制冷裝置的每個(gè)單元結(jié)構(gòu)的傳熱單元50的熱阻與磁場(chǎng)施加單元的運(yùn)動(dòng)同步地變化時(shí)，熱可以從低溫側(cè)熱交換單元8向高溫側(cè)熱交換單元7運(yùn)動(dòng)。在圖5中所示的實(shí)施例中，只要磁場(chǎng)施加單元6A和6B沿著由箭頭M所指示的方向運(yùn)動(dòng),熱交換單元7就維持在高溫側(cè)上,并且熱交換單元8維持在低溫側(cè)上。因此，當(dāng)使磁場(chǎng)施加單元6A和6B運(yùn)動(dòng)到磁制冷裝置I的運(yùn)動(dòng)端部并且繼而使磁場(chǎng)施加單兀6A和6B返回到初始位置時(shí),磁場(chǎng)施加單兀6A和6B需要在不將磁場(chǎng)施加到磁制冷裝置I的情況下返回到磁制冷裝置I上的初始位置。
[0044]如從圖3、圖4和圖5中所示的實(shí)施例顯而易見(jiàn)，在相鄰的磁性本體2之間布置有這樣的固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3，即，所述固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3具有使得其溫度不因磁場(chǎng)施加/去除而變化的特征。當(dāng)同時(shí)地對(duì)多個(gè)相鄰的磁性本體2施加磁場(chǎng)或去除磁場(chǎng)并且相鄰的磁性本體2的溫度同時(shí)地升高或降低時(shí)，在每個(gè)磁性本體2和與該磁性本體2相鄰的固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3之間總是存在溫差。因此，能夠通過(guò)控制傳熱單元50而沿著期望的方向向固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3傳熱。
[0045]如上所述，根據(jù)該實(shí)施例的磁制冷裝置I不使用制冷劑。因此，諸如泵的用于使制冷劑運(yùn)動(dòng)的動(dòng)力源是不必要的，并且制冷循環(huán)可以加速。因此，能夠提供一種可以減小尺寸且具有高功率特性的磁制冷裝置。另外，根據(jù)該實(shí)施例的磁制冷裝置的使用能夠提供一種磁制冷系統(tǒng)，所述磁制冷系統(tǒng)能夠減小尺寸并且具有高功率特性。
[0046]根據(jù)該實(shí)施例的具有磁熱效應(yīng)的磁性本體2的材料不受特別限制?？墒褂美缫韵虏牧系拇判员倔w:Gd (釓)；通過(guò)將Gd中的各種元素混合而產(chǎn)生的Gd化合物；含有各種稀土元素和過(guò)渡金屬元素的金屬互化物；Ni2MnGa合金；GdGeSi基化合物；1^^13基化合物；或LaFe13H基化合物，只要其產(chǎn)生磁熱效應(yīng)即可。
[0047]根據(jù)該實(shí)施例的固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3的材料從以下材料選出，即，所述材料在由磁場(chǎng)施加單元6A和6B施加磁場(chǎng)/去除磁場(chǎng)所導(dǎo)致的磁性本體2的溫度變化的范圍內(nèi)沒(méi)有居里點(diǎn)。這是因?yàn)槿绻缤判员倔w2 —樣，固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3的溫度在磁場(chǎng)施加/去除時(shí)變化，則磁性本體2與固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3之間的溫差變小，并且可傳輸?shù)臒崃繙p少。如果滿(mǎn)足上述條件，則固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3可以由以下材料制成:諸如Al (鋁)、Cu (銅)、Fe (鐵)或不銹鋼的金屬；諸如硅或碳的非金屬材料；諸如AlN (氮化鋁)、SiC (碳化硅)或氧化鋁的陶瓷；或它們的復(fù)合材料，但是制成固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3的材料不受上述材料特別限制。從增大磁制冷循環(huán)的速度的觀(guān)點(diǎn)，優(yōu)選地選擇具有較高的導(dǎo)熱率的材料。
[0048]至于磁性本體2的形狀和固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3的形狀，磁性本體2和固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3被優(yōu)選地設(shè)計(jì)成具有致使磁性本體2和固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3具有幾乎相同的熱容量的厚度和面積。
[0049]接下來(lái)將說(shuō)明實(shí)施傳熱單元50的布置的示例，所述傳熱單元50能夠控制熱阻。
[0050]圖6A和圖6B示出使用液體的電濕潤(rùn)的傳熱單元50的結(jié)構(gòu)。在電極51的表面上形成有介電膜52。在介電膜52的表面上放置有一滴導(dǎo)熱液體53。電壓源13和開(kāi)關(guān)電路14被連接在導(dǎo)熱液體53與電極51之間。如圖6A中所示，傳熱單元構(gòu)造成使導(dǎo)熱液體53在開(kāi)關(guān)電路14的斷開(kāi)狀態(tài)中與對(duì)置(counter)介質(zhì)接觸，所述對(duì)置介質(zhì)54例如是磁性本體2或固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3。在該狀態(tài)中，電極51和對(duì)置介質(zhì)54之間的熱阻是較低的，并且熱容易傳遞。另一方面，如圖6B中所示，來(lái)自電壓源13的電壓在開(kāi)關(guān)電路14的接通狀態(tài)中被施加在導(dǎo)熱液體53與電極51之間。然后，由導(dǎo)熱液體53和電極51所形成的電容器的靜電能減小了導(dǎo)熱液體53的表面能并使接觸角Θ變小，并且對(duì)置介質(zhì)54和導(dǎo)熱液體53變化到非接觸狀態(tài)。在該狀態(tài)中，在電極51與對(duì)置介質(zhì)54之間的熱阻是較高的，并且熱幾乎不傳遞。以上述方式對(duì)開(kāi)關(guān)電路14的通斷控制能夠在高熱阻狀態(tài)與低熱阻狀態(tài)之間切換。
[0051]當(dāng)圖6A和圖6B 中所示的使用液體的電濕潤(rùn)的傳熱單元50的結(jié)構(gòu)被包含在圖1中所示的磁制冷裝置中時(shí)，對(duì)置介質(zhì)54與磁性本體2或固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3相對(duì)應(yīng),如上所述，并且電極51設(shè)置在磁性本體2或固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3上并且用介電膜52覆蓋。圖1中所示的傳熱控制單元10包括多個(gè)開(kāi)關(guān)14，所述多個(gè)開(kāi)關(guān)14的數(shù)量與圖6A和圖6B中所示的傳熱單元50的數(shù)量相對(duì)應(yīng)，并且傳熱控制單元10由連接到多個(gè)開(kāi)關(guān)14的電壓源13形成。與對(duì)磁性本體2的磁場(chǎng)施加/磁場(chǎng)去除同步地，對(duì)開(kāi)關(guān)14進(jìn)行通斷控制。這允許傳熱單元50在磁性本體2與固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3之間選擇地設(shè)定熱隔離狀態(tài)或熱傳播狀態(tài)。
[0052]導(dǎo)熱液體53不受到特定材料的特別限制，只要該材料是具有較高的導(dǎo)熱率的液體即可?？墒褂盟?、通過(guò)將導(dǎo)熱顆粒分散在水中所得到的材料、離子液體、液態(tài)金屬或類(lèi)似物。
[0053]圖7A和圖7B示出使用液體的電濕潤(rùn)的傳熱單元50的另一個(gè)結(jié)構(gòu)示例。在圖7A和圖7B中所的結(jié)構(gòu)中，每個(gè)電極51都在其表面上形成有介電膜52,電極51布置成在兩個(gè)電極51之間形成有空隙的情況下彼此面對(duì)。在空隙的一個(gè)端部側(cè)上設(shè)置有殼體55，所述殼體55具有與該空隙連通的空間，并且導(dǎo)熱液體53被保持在該空間中。電壓源13和開(kāi)關(guān)電路14被連接在導(dǎo)熱液體53與電極51之間。
[0054]在該結(jié)構(gòu)中，如圖7A中所示，當(dāng)開(kāi)關(guān)電路14斷開(kāi)時(shí)，導(dǎo)熱液體53與介電膜52之間的接觸角較大，并且導(dǎo)熱液體53停留在殼體55中。在該狀態(tài)中，空隙保持在電極51之間，并且兩個(gè)電極51之間的熱阻是較高的，并且熱幾乎不傳遞。另一方面，如圖7B中所示，當(dāng)開(kāi)關(guān)電路14接通并且來(lái)自電壓源13的電壓施加在導(dǎo)熱液體53與電極51之間時(shí)，由導(dǎo)熱液體53和電極51所形成的電容器的靜電能減小了導(dǎo)熱液體53的表面能并使接觸角變小，并且導(dǎo)熱液體53從殼體55的空間進(jìn)入電極51之間的空隙中。在該狀態(tài)中，兩個(gè)電極51之間的熱阻是較低的，并且熱容易傳遞。以上述方式對(duì)開(kāi)關(guān)電路14的通斷控制能夠在高熱阻狀態(tài)與低熱阻狀態(tài)之間切換。
[0055]圖8A和圖8B示出與圖7A和圖7B中所示的傳熱單元50結(jié)合的結(jié)構(gòu)示例。在根據(jù)該結(jié)構(gòu)示例的傳熱單元50中，在一個(gè)磁性本體2的兩側(cè)上設(shè)置有在電極51之間的空隙。這些空隙經(jīng)由形成在殼體55中的共用空間而彼此連通。換言之，該結(jié)構(gòu)示例被形成為使得如圖7A和圖7B中所示的傳熱單元50在夾持一個(gè)磁性本體2的同時(shí)被堆疊起來(lái)。為堆疊本體共同地設(shè)置單個(gè)殼體55，所述單個(gè)殼體55限定將空隙彼此連通的空間。導(dǎo)熱液體53可以經(jīng)由殼體55的空間而在兩個(gè)傳熱單元50之間的空隙中運(yùn)動(dòng)。在該結(jié)構(gòu)示例中，傳熱單元50被堆疊在磁性本體2的兩側(cè)上。然而，傳熱單元50可以被堆疊在固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3的兩側(cè)上，而非堆疊在磁性本體2的兩側(cè)上。兩個(gè)傳熱單元50的空隙經(jīng)由殼體55的共用空間而連通。然而，空隙的數(shù)量不限于兩個(gè)，并且三個(gè)或更多個(gè)傳熱單元50的空隙可以經(jīng)由殼體55的共用空間而連通。
[0056]在圖8A和圖8B中所示的結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)傳熱單元50分別連接到第一串聯(lián)電路和第二串聯(lián)電路，所述第一串聯(lián)電路將開(kāi)關(guān)14-1和電壓源13-1串聯(lián)連接，所述第二串聯(lián)電路將開(kāi)關(guān)14-2和電壓源13-2串聯(lián)聯(lián)接。與對(duì)磁性本體2施加磁場(chǎng)/去除磁場(chǎng)同步地，對(duì)開(kāi)關(guān)14-1和開(kāi)關(guān)14-2交替地進(jìn)行通斷控制。這能夠使液態(tài)金屬53從一個(gè)傳熱單元50運(yùn)動(dòng)到另一個(gè)傳熱單元50并且在磁性本體2和固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3之間選擇地設(shè)定熱隔離狀態(tài)或熱傳播狀態(tài)。
[0057]圖9A和圖9B示出使用液態(tài)晶體的傳熱單元50的布置的示例。在圖9A和圖9B中所不的結(jié)構(gòu)中，每個(gè)電極51都具有形成在其表面上的定向膜56,電極51布置成彼此面對(duì)。在電極之間的空隙中保持有液態(tài)晶體57以形成傳熱單元50，在所述液態(tài)晶體57中分散有導(dǎo)熱填料58。
[0058]圖9A示出沒(méi)有向電極51施加電壓的狀態(tài)。液態(tài)晶體57在電極51之間的空隙中沿著定向膜56排列。因此，在電極51之間的空隙中，導(dǎo)熱填料58也通過(guò)液態(tài)晶體57而與電極57平行地排列。此時(shí)，電極51之間的熱阻維持較高。另一方面，如圖9B中所示，當(dāng)在電極51之間施加來(lái)自電壓源13的電壓時(shí)，液態(tài)晶體57與電極51垂直地定向，以便使液態(tài)晶體57的縱向方向與電極51垂直。伴隨液態(tài)晶體57的定向，導(dǎo)熱填料58也與電極51垂直地定向，以便使導(dǎo)熱填料58的縱向方向與電極51垂直。為此，導(dǎo)熱填料58在電極51之間形成熱傳導(dǎo)路徑，并且熱阻降低。在該結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)熱填料58的方向可以通過(guò)在電極之間施加電壓/去除電壓而改變以切換傳熱單元50的熱阻。
[0059]作為導(dǎo)熱填料58，可使用金屬、氧化鋁、氮化鋁、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化鎂、碳或類(lèi)似物，并且材料優(yōu)選地是無(wú)磁性的。然而，材料不受上述那些材料的特別限制。
[0060](第二實(shí)施例)
[0061]在根據(jù)第二實(shí)施例的磁制冷系統(tǒng)中，圖1中所示的磁制冷裝置I的內(nèi)部空間被減壓并且維持在較低壓力的狀態(tài)中。當(dāng)磁制冷裝置I中的空間被減壓時(shí)，在高熱阻狀態(tài)中的傳熱單元50的熱阻進(jìn)一步升高，抑制了從高溫側(cè)到低溫側(cè)的熱回流，并且提高了熱傳輸效率。
[0062]根據(jù)第二實(shí)施例的磁制冷系統(tǒng)通過(guò)例如將磁制冷裝置I儲(chǔ)存在減壓容器21中而實(shí)施，所述減壓容器封閉磁制冷裝置1，如圖10中所示。
[0063]減壓容器21是無(wú)磁性的，并且由諸如塑料的樹(shù)脂制成。諸如鋁的金屬可以用于增大減壓容器21的強(qiáng)度。然而，從抑制在磁場(chǎng)施加/磁場(chǎng)去除時(shí)所產(chǎn)生的渦電流的觀(guān)點(diǎn)和隔熱性能的觀(guān)點(diǎn)，作為減壓容器21的材料，優(yōu)選地應(yīng)用具有高電阻的樹(shù)脂或類(lèi)似物。
[0064]在圖1、圖2A、圖2B、圖3、圖4、圖5、圖6A、圖6B、圖7A、圖7B、圖8A、圖8B、圖9A、圖9B和10中所示的磁制冷裝置可以被實(shí)施為圖11中所示的磁制冷系統(tǒng)。
[0065]圖11是根據(jù)該實(shí)施例的磁制冷系統(tǒng)的示意性透視圖。在第一圓周上布置有四個(gè)具有圖1中所示的結(jié)構(gòu)的磁制冷裝置I。在限定在第一圓周的上側(cè)和下側(cè)上的第二圓周和第三圓周上類(lèi)似地布置有兩對(duì)磁場(chǎng)施加單元6A和6B，從而所述兩對(duì)磁場(chǎng)施加單元6A和6B具有同一個(gè)中心軸線(xiàn)。例如，兩個(gè)磁場(chǎng)施加單元6A固定在限定第二圓周的上轉(zhuǎn)動(dòng)板30A上，并且兩個(gè)磁場(chǎng)施加單元6B固定在限定第三圓周的下轉(zhuǎn)動(dòng)板30B上。四個(gè)磁制冷裝置I形成為磁制冷裝置單元，除了傳熱控制單元10和磁場(chǎng)施加單元6A和6B以外，所述磁制冷裝置單元還包括固體儲(chǔ)熱介質(zhì)3和磁性本體2。
[0066]上轉(zhuǎn)動(dòng)板30A和下轉(zhuǎn)動(dòng)板30B被固定到轉(zhuǎn)動(dòng)軸32，所述轉(zhuǎn)動(dòng)軸32設(shè)置在其上設(shè)置有磁制冷裝置I的第一圓周的中心處。上轉(zhuǎn)動(dòng)板30A和下轉(zhuǎn)動(dòng)板30B圍繞轉(zhuǎn)動(dòng)軸32同步地轉(zhuǎn)動(dòng)。轉(zhuǎn)動(dòng)軸32通過(guò)例如馬達(dá)(未示出)轉(zhuǎn)動(dòng)。根據(jù)該轉(zhuǎn)動(dòng)，磁場(chǎng)施加單元6A和6B重復(fù)地同時(shí)地運(yùn)動(dòng)靠近磁制冷裝置I和運(yùn)動(dòng)遠(yuǎn)離磁制冷裝置I。隨著磁場(chǎng)施加單元6A和6B運(yùn)動(dòng)靠近和運(yùn)動(dòng)遠(yuǎn)離磁制冷裝置1，在磁制冷裝置I中發(fā)生熱傳播，如上所述。
[0067]在該實(shí)施例的系統(tǒng)中，兩對(duì)磁場(chǎng)施加單元6A和6B附接到轉(zhuǎn)動(dòng)板30A和30B。然而，可以使用一對(duì)或三對(duì)或更多對(duì)磁場(chǎng)施加單兀6A和6B,而非兩對(duì)磁場(chǎng)施加單兀6A和6B。從穩(wěn)定轉(zhuǎn)動(dòng)板30A和30B的轉(zhuǎn)動(dòng)的觀(guān)點(diǎn)，多對(duì)磁場(chǎng)施加單兀6A和6B優(yōu)選地布置成相對(duì)于轉(zhuǎn)動(dòng)軸32的點(diǎn)是對(duì)稱(chēng)的。
[0068]在該實(shí)施例中，在同一個(gè)圓周上布置有四個(gè)磁制冷裝置I。然而，在同一個(gè)圓周上可以布置有一個(gè)至三個(gè)磁制冷裝置I或者五個(gè)或更多個(gè)磁制冷裝置I，而非四個(gè)磁制冷裝置I。
[0069]圖12是示意性地示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的磁制冷系統(tǒng)的布置和結(jié)構(gòu)的平面圖。如圖12中所示，在上轉(zhuǎn)動(dòng)板30A和下轉(zhuǎn)動(dòng)板30B上布置有四個(gè)磁制冷裝置1-1、1-2、1-3和1-4以使它們位于圍繞轉(zhuǎn)動(dòng)板30A和30B的轉(zhuǎn)動(dòng)軸32的同一個(gè)圓周上。
[0070]磁制冷裝置1-1、1-2、1-3和1-4的高溫側(cè)熱交換單元7_1、7_2、7_3和7_4并聯(lián)地?zé)徇B接到散熱單元34。磁制冷裝置1-1、1-2、1-3和1-4的低溫側(cè)熱交換單元8_1、8_2、8_3和8-4并聯(lián)地?zé)徇B接到吸熱單元36。
[0071]通過(guò)磁制冷循環(huán)在高溫側(cè)熱交換單元7-1、7-2、7_3和7_4中所產(chǎn)生的熱能分別經(jīng)由例如熱交換器37-1、37-2、37-3和37_4被傳輸?shù)缴釂卧?4。另一方面，通過(guò)磁制冷循環(huán)在低溫側(cè)熱交換單元8-1、8-2、8-3和8-4中所產(chǎn)生的冷能分別經(jīng)由例如熱交換器38_1、38-2、38-3和38-4被傳輸?shù)轿鼰釂卧?6。
[0072]可以使用已知的熱交換氣體或液體、固體熱傳導(dǎo)等執(zhí)行由圖12中的實(shí)線(xiàn)和虛線(xiàn)所指示的熱能和冷能至散熱單元34和吸熱單元36的傳輸。
[0073]圖13是示意性地示出根據(jù)又一個(gè)實(shí)施例的磁制冷系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的平面圖。在圖13中所示的實(shí)施例中，與圖12中所示的實(shí)施例不同，四個(gè)磁制冷裝置1-1、1_2、1-3和1-4彼此串聯(lián)地?zé)徇B接。
[0074]相鄰的磁制冷裝置1-1、1_2、1-3和1-4的端部經(jīng)由熱導(dǎo)體40-1、40-2、40_3和40-4連接。高溫側(cè)熱交換單元7設(shè)置在位于四個(gè)磁制冷裝置1-1、1-2、1-3和1_4中的一個(gè)端部處的磁制冷裝置1-1的一個(gè)端部側(cè)上。高溫側(cè)熱交換單元7經(jīng)由熱導(dǎo)體42-1連接到散熱單元34。低溫側(cè)熱交換單元8設(shè)置在四個(gè)磁制冷裝置1-1、1-2、1-3和1_4中的另一個(gè)端部處的磁制冷裝置1-4的另一個(gè)端部側(cè)上。低溫側(cè)熱交換單元8經(jīng)由熱導(dǎo)體42-2連接到吸熱單元36。
[0075]在包括高溫側(cè)熱交換單元7的一個(gè)端部處的磁制冷裝置1-1的磁性本體的磁性轉(zhuǎn)變溫度高于在包括低溫側(cè)熱交換單元8的另一個(gè)端部處的磁制冷裝置1-4的磁性本體的磁性轉(zhuǎn)變溫度。例如，從在包括高溫側(cè)熱交換單元7的一個(gè)端部處的磁制冷裝置1-1的磁性本體到相鄰的磁制冷裝置1-2的磁性本體，磁性轉(zhuǎn)變溫度順次降低，并且在包括低溫側(cè)熱交換單元8的另一個(gè)端部處的磁制冷裝置1-4的磁性本體具有最低磁性轉(zhuǎn)變溫度。
[0076]在根據(jù)圖13中所示的實(shí)施例的磁制冷系統(tǒng)中，具有上述布置的磁制冷裝置的高溫側(cè)熱交換單元7熱連接到散熱單元34。另外，低溫側(cè)熱交換單元8熱連接到吸熱單元36。
[0077]根據(jù)圖13中所示的實(shí)施例，使用具有不同磁性轉(zhuǎn)變溫度的磁性本體的磁制冷裝置串聯(lián)連接，由此實(shí)施較大的磁制冷溫差。
[0078]以上已經(jīng)參照詳細(xì)的示例說(shuō)明了實(shí)施例。然而，這些實(shí)施例僅已經(jīng)以示例的方式存在，并且意在不限制實(shí)施例的范圍。另外，可以適當(dāng)?shù)亟M合實(shí)施例的構(gòu)成元件。
[0079]已經(jīng)將磁場(chǎng)施加單元進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)運(yùn)動(dòng)的情況用作示例來(lái)說(shuō)明磁場(chǎng)施加/磁場(chǎng)去除機(jī)制。然而，磁場(chǎng)施加單元可以相對(duì)于磁制冷裝置往復(fù)地運(yùn)動(dòng)。在該情況下，優(yōu)選地使用將轉(zhuǎn)動(dòng)運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)換成線(xiàn)性運(yùn)動(dòng)的線(xiàn)性驅(qū)動(dòng)致動(dòng)器或凸輪機(jī)構(gòu)。另外，磁場(chǎng)施加單元和磁制冷裝置可以通過(guò)手使用汽車(chē)的分支驅(qū)動(dòng)力或直接使用諸如風(fēng)能、波浪能或水能的自然能而相對(duì)容易地運(yùn)動(dòng)。
[0080]在對(duì)實(shí)施例的解釋中，已經(jīng)省略掉對(duì)于理解實(shí)施例不被直接需要的磁制冷裝置或磁制冷系統(tǒng)的單元的描述。然而，可以適當(dāng)?shù)剡x擇和使用與磁制冷裝置或磁制冷系統(tǒng)相關(guān)聯(lián)的必要的元件。
[0081]在本發(fā)明的范圍內(nèi)包含有所有這樣的磁制冷裝置和磁制冷系統(tǒng)，S卩，所述磁制冷裝置和磁制冷系統(tǒng)包括實(shí)施例的元件并且所述磁制冷裝置和磁制冷系統(tǒng)的設(shè)計(jì)可以被本領(lǐng)域的技術(shù)人員適當(dāng)?shù)匦薷摹?shí)施例的范圍由所附權(quán)利要求書(shū)及其等同內(nèi)容限定。
[0082]如上所述，根據(jù)實(shí)施例的磁制冷裝置具有上述布置。這消除了使制冷劑運(yùn)動(dòng)的必要性并且能夠加速制冷循環(huán)。因此，能夠提供一種磁制冷裝置，所述磁制冷裝置能夠減小尺寸并且具有高功率特性。另外，根據(jù)實(shí)施例的磁制冷裝置的使用能夠提供一種磁制冷系統(tǒng)，所述磁制冷系統(tǒng)能夠減小尺寸并且具有高功率特性。
[0083]雖然已經(jīng)說(shuō)明了某些實(shí)施例，但是這些實(shí)施例僅已經(jīng)以示例的方式存在，并且意在不限制本發(fā)明的范圍。的確，本文所述的新穎實(shí)施例可以以各種其它形式體現(xiàn)；此外，可以在不脫離本發(fā)明的精神的情況下對(duì)本文所述的實(shí)施例的形式進(jìn)行各種省略、替代和改變。所附權(quán)利要求書(shū)及其等同內(nèi)容意在覆蓋如落入本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的這樣的形式或修改。
【權(quán)利要求】
1.一種磁制冷裝置，該磁制冷裝置包括: 磁性本體，所述磁性本體間隔排列，所述磁性本體中的每個(gè)都具有磁熱效應(yīng)； 磁場(chǎng)施加單元，所述磁場(chǎng)施加單元構(gòu)造成分別對(duì)所述磁性本體施加磁場(chǎng)和去除磁場(chǎng)； 儲(chǔ)熱介質(zhì)，所述儲(chǔ)熱介質(zhì)布置成面對(duì)所述磁性本體中的至少一個(gè)，所述儲(chǔ)熱介質(zhì)在由所述磁場(chǎng)施加單元施加磁場(chǎng)和去除磁場(chǎng)所導(dǎo)致的所述磁性本體的溫度變化的范圍內(nèi)沒(méi)有居里點(diǎn)，并且所述儲(chǔ)熱介質(zhì)具有儲(chǔ)熱效應(yīng)；和 傳熱單元，所述傳熱單元構(gòu)造成選擇性地使所述儲(chǔ)熱介質(zhì)與所述磁性本體熱接觸或者使所述儲(chǔ)熱介質(zhì)與所述磁性本體熱隔離，并且所述傳熱單元與由所述磁場(chǎng)施加單元施加磁場(chǎng)和去除磁場(chǎng)同步地將熱從所述磁性本體傳給所述儲(chǔ)熱介質(zhì)或?qū)釓乃鰞?chǔ)熱介質(zhì)傳給所述磁性本體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁制冷裝置，還包括封閉單元，所述封閉單元構(gòu)造成將所述磁制冷裝置維持在減壓的空間中。
3.—種磁制冷系統(tǒng)，所述磁制冷系統(tǒng)包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁制冷裝置。
4.一種磁制冷系統(tǒng)，所述磁制冷系統(tǒng)包括根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁制冷裝置。
5.一種磁制冷系統(tǒng),該磁制冷系統(tǒng)包括: 多個(gè)磁制冷裝置單元，所述多個(gè)磁制冷裝置單元基本上沿著圓周排列，每個(gè)磁制冷裝置單元都包括: 磁性本體，所述磁性本體間隔排列，所述磁性本體中的每個(gè)都具有磁熱效應(yīng)； 儲(chǔ)熱介質(zhì)，所述儲(chǔ)熱介質(zhì)布置成面對(duì)所述磁性本體中的至少一個(gè)，并且所述儲(chǔ)熱介質(zhì)具有儲(chǔ)熱效應(yīng)；和 傳熱單元，所述傳熱單元構(gòu)造成選擇性地使所述儲(chǔ)熱介質(zhì)與所述磁性本體熱接觸或使所述儲(chǔ)熱介質(zhì)與所述磁性本體熱隔離，并且所述傳熱單元與磁場(chǎng)施加和磁場(chǎng)去除同步地將熱從所述磁性本體傳給所述儲(chǔ)熱介質(zhì)或?qū)釓乃鰞?chǔ)熱介質(zhì)傳給所述磁性本體；以及 一個(gè)或更多個(gè)磁場(chǎng)施加單元，所述一個(gè)或更多個(gè)磁場(chǎng)施加單元沿著位于在所述磁制冷裝置單元的圓周的上方或下方的圓周布置，并且所述一個(gè)或多個(gè)磁場(chǎng)施加單元構(gòu)造成轉(zhuǎn)動(dòng)，所述磁場(chǎng)施加單元根據(jù)所述磁場(chǎng)施加單元的轉(zhuǎn)動(dòng)而將磁場(chǎng)施加到所述磁性本體或去除所施加的磁場(chǎng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁制冷系統(tǒng)，其中，所述磁制冷裝置單元串聯(lián)地或并聯(lián)地?zé)徇B接。
【文檔編號(hào)】F25B21/00GK103808061SQ201310562470
【公開(kāi)日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2013年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月13日
【發(fā)明者】富松師浩, 平岡俊郎, 八木亮介, 齊藤明子 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝