本發(fā)明涉及sf6設(shè)備檢修技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種sf6設(shè)備水分超標(biāo)處理裝置。

背景技術(shù)：

六氟化硫作為新一代的電氣絕緣介質(zhì)，已應(yīng)用在電氣設(shè)備的各個領(lǐng)域。對于運行中的六氟化硫氣體進行質(zhì)量監(jiān)督，能夠有效保證六氟化硫氣體的絕緣性能，從而保障六氟化硫電氣設(shè)備的安全穩(wěn)定運行。對于六氟化硫氣體的質(zhì)量監(jiān)督標(biāo)準(zhǔn)很多，南方電網(wǎng)公司是按照中國南方電網(wǎng)有限責(zé)任公司企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)q/csg114002-2011《電力設(shè)備預(yù)防性試驗規(guī)程》進行的。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定對于運行中的六氟化硫氣體設(shè)備，需要測試濕度和現(xiàn)場分解產(chǎn)物。

運行經(jīng)驗表明，六氟化硫電氣設(shè)備，特別是電壓互感器(pt)中水分超標(biāo)情況嚴重。2013年進行的305組次pt預(yù)試試驗，發(fā)現(xiàn)水分超標(biāo)缺陷106處，缺陷率達到34.8％，2014年進行的340組次pt預(yù)試試驗，發(fā)現(xiàn)水分超標(biāo)缺陷151處，缺陷率達到44.4％，并且，該類缺陷消缺困難，缺陷容易反復(fù)出現(xiàn)。

現(xiàn)有的水分超標(biāo)常采用換氣處理，但是換氣有時并不能解決設(shè)備的根本問題。目前針對此問題的方式是采用一種加熱箱式真空型水分超標(biāo)處理裝置，在使用時可以將箱式真空型離線水分超標(biāo)處理裝置運送至變電站，檢修時現(xiàn)場運用。但是，由于加熱箱式真空型水分超標(biāo)處理裝置體積大、設(shè)備笨重，運輸存在不便。加熱箱式真空型水分超標(biāo)處理裝置運送不便，對于使用場地有空間、電源等要求，有時設(shè)備維修現(xiàn)場并不能滿足要求。需要找到一種更為輕便、便于運輸?shù)奶娲a(chǎn)品。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供了一種sf6設(shè)備水分超標(biāo)處理裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中采取加熱箱式真空型水分超標(biāo)處理裝置對sf6設(shè)備進行水分超標(biāo)處理時由于加熱箱式真空型水分超標(biāo)處理裝置體積大、設(shè)備笨重，運輸存在不便，且對于使用場地有空間、電源等要求，使得設(shè)備維修現(xiàn)場較難滿足要求的技術(shù)問題。

本發(fā)明實施例提供的一種sf6設(shè)備水分超標(biāo)處理裝置，包括：

加熱套、控溫系統(tǒng)、真空抽取裝置；

加熱套包裹于sf6設(shè)備外部，加熱套還與控溫系統(tǒng)連接，用于根據(jù)控溫系統(tǒng)的控制對sf6設(shè)備進行加熱；

真空抽取裝置與sf6設(shè)備的內(nèi)部連接，用于抽取真空；

加熱套從內(nèi)層到外層包括有加熱絲、隔熱層、金屬固定層；

控溫系統(tǒng)包括測量采集裝置、plc模塊、顯示控制屏幕，測量采集裝置設(shè)置于sf6設(shè)備外部，測量采集裝置、plc模塊、顯示控制屏幕依次連接。

優(yōu)選地，測量采集裝置包括：

溫度采集模塊、貼片式鉑電阻；

貼片式鉑電阻設(shè)置于sf6設(shè)備外部，貼片式鉑電阻還與溫度采集模塊連接。

優(yōu)選地，測量采集裝置還包括：微水密度傳感器。

優(yōu)選地，plc模塊包括：cpu模塊；

cpu模塊分別與微水密度傳感器、溫度采集模塊連接。

優(yōu)選地，顯示控制屏幕為觸摸屏；

觸摸屏與cpu模塊連接。

優(yōu)選地，還包括：電源模塊；

電源模塊與cpu模塊連接，電源模塊與cpu模塊之間還連接有繼電器。

優(yōu)選地，電源模塊還連接有交流接觸器。

優(yōu)選地，隔熱層的厚度為20mm，金屬固定層的厚度為1mm。

從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實施例具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明實施例提供了一種sf6設(shè)備水分超標(biāo)處理裝置，包括：加熱套、控溫系統(tǒng)、真空抽取裝置；加熱套包裹于sf6設(shè)備外部，加熱套還與控溫系統(tǒng)連接，用于根據(jù)控溫系統(tǒng)的控制對sf6設(shè)備進行加熱；真空抽取裝置與sf6設(shè)備的內(nèi)部連接，用于抽取真空；加熱套從內(nèi)層到外層包括有加熱絲、隔熱層、金屬固定層；控溫系統(tǒng)包括測量采集裝置、plc模塊、顯示控制屏幕，測量采集裝置設(shè)置于sf6設(shè)備外部，測量采集裝置、plc模塊、顯示控制屏幕依次連接。本發(fā)明實施例中通過采用加熱套將待處理設(shè)備外包加熱、配合以抽真空的方式去除設(shè)備內(nèi)部殘留的超標(biāo)水分，對比加熱廂式真空水分處理裝置，本裝置中的加熱套更加輕便、更方便運送，且對于有問題的部位可以有針對性的處理，效果好；對比將設(shè)備運送至廠家進行處理，本裝置能大大節(jié)省檢修時間，處理更方便經(jīng)濟，解決了現(xiàn)有技術(shù)中采取加熱箱式真空型水分超標(biāo)處理裝置對sf6設(shè)備進行水分超標(biāo)處理時由于加熱箱式真空型水分超標(biāo)處理裝置體積大、設(shè)備笨重，運輸存在不便，且對于使用場地有空間、電源等要求，使得設(shè)備維修現(xiàn)場較難滿足要求的技術(shù)問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種sf6設(shè)備水分超標(biāo)處理裝置的加熱套的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種sf6設(shè)備水分超標(biāo)處理裝置的加熱套的另一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種sf6設(shè)備水分超標(biāo)處理裝置的控溫系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明實施例提供了一種sf6設(shè)備水分超標(biāo)處理裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中采取加熱箱式真空型水分超標(biāo)處理裝置對sf6設(shè)備進行水分超標(biāo)處理時由于加熱箱式真空型水分超標(biāo)處理裝置體積大、設(shè)備笨重，運輸存在不便，且對于使用場地有空間、電源等要求，使得設(shè)備維修現(xiàn)場較難滿足要求的技術(shù)問題。

為使得本發(fā)明的發(fā)明目的、特征、優(yōu)點能夠更加的明顯和易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，下面所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而非全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請參閱圖1，本發(fā)明實施例提供的一種sf6設(shè)備水分超標(biāo)處理裝置，包括：

加熱套、控溫系統(tǒng)、真空抽取裝置；

加熱套包裹于sf6設(shè)備外部，加熱套還與控溫系統(tǒng)連接，用于根據(jù)控溫系統(tǒng)的控制對sf6設(shè)備進行加熱；

真空抽取裝置與sf6設(shè)備的內(nèi)部連接，用于抽取真空；

加熱套從內(nèi)層到外層包括有加熱絲a1、隔熱層a2、金屬固定層a3；

控溫系統(tǒng)包括測量采集裝置、plc模塊、顯示控制屏幕，測量采集裝置設(shè)置于sf6設(shè)備外部，測量采集裝置、plc模塊、顯示控制屏幕依次連接。

進一步地，測量采集裝置包括：

溫度采集模塊2、貼片式鉑電阻3；

貼片式鉑電阻3設(shè)置于sf6設(shè)備外部，貼片式鉑電阻3還與溫度采集模塊2連接。

進一步地，測量采集裝置還包括：微水密度傳感器7。

進一步地，plc模塊包括：cpu模塊1；

cpu模塊1分別與微水密度傳感器7、溫度采集模塊2連接。

進一步地，顯示控制屏幕為觸摸屏6；

觸摸屏6與cpu模塊1連接。

進一步地，還包括：電源模塊4；

電源模塊4與cpu模塊1連接，電源模塊4與cpu模塊1之間還連接有繼電器5。

進一步地，電源模塊4還連接有交流接觸器8。

進一步地，隔熱層a2的厚度為20mm，金屬固定層a3的厚度為1mm。

為了便于理解，以下將對本發(fā)明實施例提供的sf6設(shè)備水分超標(biāo)處理裝置的加熱套、控溫系統(tǒng)進行結(jié)構(gòu)、工作原理的詳細描述。

請參閱圖1和圖2，分別為550kv電流互感器(ct)設(shè)備和110kvpt設(shè)備的加熱套結(jié)構(gòu)示意圖。加熱套主要根據(jù)待包裹的sf6設(shè)備形狀，確認包裹主要部分，包括設(shè)備氣室、套管等。加熱套最里層為加熱絲a1，同控溫系統(tǒng)聯(lián)合進行加溫、控溫作用。加熱絲a1層外面是一層隔熱層a2，主要采用棉質(zhì)材料作為隔熱物質(zhì)。最外面采用鋁合金進行固定塑形，方便安裝、搬運。其中，隔熱層a2的厚度為20mm，金屬固定層a3的厚度為1mm。

請參閱圖3，控溫系統(tǒng)主要由cpu模塊1、溫度采集模塊2、貼片式鉑電阻3、電源模塊4、繼電器5、觸摸屏6、微水密度傳感器7、交流接觸器8組成。

控溫系統(tǒng)功能設(shè)置如下：1)利用cpu模塊1實現(xiàn)控制加熱套對sf6設(shè)備進行加熱，使斷路器罐體溫度維持在100攝氏度，并通過2個貼片式鉑電阻3采溫，設(shè)計當(dāng)溫度小于95度時啟動加熱，當(dāng)加熱到100度時停止加熱。2)對罐體的溫度、微水含量、壓力進行采集，在觸摸屏6上進行顯示。3)在觸摸屏6上實現(xiàn)罐體加熱套的啟動和停止操作。

技術(shù)參數(shù)如下：1)額定工作電壓220v/50hz；2)溫度監(jiān)測范圍：-100℃到+200℃，測量精度等級a+；3)壓力監(jiān)測范圍：1到12bar；4)微水密度監(jiān)測范圍：10到2000ppm；5)、通訊接口rs-485總線；6)7寸智能觸摸屏6；7)溫度采集采用貼片式鉑電阻3，合理精確采溫；8)觸摸屏6顯示溫度、微水密度、壓力，并實現(xiàn)加熱套啟動停止操作；9)控制系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)移動便攜式功能。

本發(fā)明實施例提供了一種sf6設(shè)備水分超標(biāo)處理裝置，包括：加熱套、控溫系統(tǒng)、真空抽取裝置；加熱套包裹于sf6設(shè)備外部，加熱套還與控溫系統(tǒng)連接，用于根據(jù)控溫系統(tǒng)的控制對sf6設(shè)備進行加熱；真空抽取裝置與sf6設(shè)備的內(nèi)部連接，用于抽取真空；加熱套從內(nèi)層到外層包括有加熱絲、隔熱層、金屬固定層；控溫系統(tǒng)包括測量采集裝置、plc模塊、顯示控制屏幕，測量采集裝置設(shè)置于sf6設(shè)備外部，測量采集裝置、plc模塊、顯示控制屏幕依次連接。本發(fā)明實施例中通過采用加熱套將待處理設(shè)備外包加熱、配合以抽真空的方式去除設(shè)備內(nèi)部殘留的超標(biāo)水分，對比加熱廂式真空水分處理裝置，本裝置中的加熱套更加輕便、更方便運送，且對于有問題的部位可以有針對性的處理，效果好；對比將設(shè)備運送至廠家進行處理，本裝置能大大節(jié)省檢修時間，處理更方便經(jīng)濟，解決了現(xiàn)有技術(shù)中采取加熱箱式真空型水分超標(biāo)處理裝置對sf6設(shè)備進行水分超標(biāo)處理時由于加熱箱式真空型水分超標(biāo)處理裝置體積大、設(shè)備笨重，運輸存在不便，且對于使用場地有空間、電源等要求，使得設(shè)備維修現(xiàn)場較難滿足要求的技術(shù)問題。

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的系統(tǒng)，裝置和單元的具體工作過程，可以參考前述方法實施例中的對應(yīng)過程，在此不再贅述。

以上所述，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。