專利名稱：一種納米瓷電磁爐面板及其制備方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電磁爐面板的材料技術，具體涉及一種具有高性能的電 磁爐用納米瓷板及其制備方法。
背景技術：
現(xiàn)有電磁爐面板主要采用的微晶板，它主要由硅、鋁、鎂等材料晶化而 成，由于受材質(zhì)及工藝技術限制，產(chǎn)品耐機械沖擊和耐熱沖擊試驗的合格率
只有30%以下，表面多孔，無法在后期彌補修飾，并且其生產(chǎn)工藝相對復雜， 消耗大量能源，成本較高；而進口的微晶玻璃板性能較好，但價格昂貴。如 申請?zhí)枮?9102411， 申請日為1999年2月9日，發(fā)明名稱為強化玻璃面 板電磁爐的專利申請，它由面板、電磁爐機殼、內(nèi)部電器零件組成，其特征 在于上述的電磁爐的面板是采用厚度為O. 2至2厘米的強化玻璃(鋼化玻 璃)板，經(jīng)過切割、加工成各種形狀的電磁爐面板，成為強化玻璃面板電磁 爐，強化玻璃面板可以雙面、單面打磨或印花，也可以增加不透明的薄片隔 光、美化電磁爐表面，在強化玻璃面板上部安裝一個適應于圓底鍋、平底鍋 的鍋架。此專利是采用市場上大量供應的價格較低的強化玻璃(鋼化玻璃) 替代價格昂貴、部分需要進口的微晶玻璃作為電磁爐的面板，在成本方面雖 然得到控制，但其耐熱性、耐破碎性等方面仍有待提高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述之不足，提供一種具有高耐熱性、耐摩擦、 硬度高等優(yōu)點的納米瓷電磁爐面板材料，同時提供制備該納米瓷電磁爐面板 材料的方法。
本發(fā)明是通過如下技術方案來實現(xiàn)上述目的
本發(fā)明納米瓷電磁爐面板，其特征在于，它主要由莫來石粉和耐火材料
及添加劑制成，各組份按重量計百分比Si02 : 61 — 73、 Li20: 3. 0 — 5. 6 、 Ca0 : 0. 2 — 0. 6、 Mg0 : 0. 02 — 1. 5 、 A1203 : 20. 5 — 22. 5 、 Ti02 : 1. 6 — 3. 0 、 Zr02 : 1. 48 — 3. 6 、 P2Os: : 0. 3 — 1. 5 、 BaO: 2. 0 — 3. 5 、 ZnO: 1.2 — 2. 59、 As2 03 + Sa2 03 : 0. 5 — 1. 5、 B203 : 0. 5 — 2. 8和 KZO + Na20 : 0.1 —0.6。
按上述各組份配制成配合料，經(jīng)過球磨、噴霧造粒、機械模壓成型，然 后焙燒，經(jīng)1400 — 1650 °C熔制，再經(jīng)450 — 800 °C核化處理0 . 5 — 4小時，升溫到800 —950 °C晶化處理O . 5 — 4小時、浸漬、冷卻后拋 光、印刷，再抽檢、成品包裝入庫。
所述耐火材料為氧化鋁、二氧化硅、氧化鎂。
所述成品面板的厚度為4mm。
采用上述配方組份的納米瓷電磁爐面板及其制備方法，由于有P205和 Bao的存在，利用PZ仇和BaO對晶體生長速度的控制機理，生成大量的納 米級晶粒，由于納米級的晶粒比可見光的波長小，光波可以繞過晶粒，所以 可見透明，如果熱處理過程中晶化溫度過高，超過950 °C ，則晶體生長過大， 從而失透。本方法的微晶玻璃以Ti02 + Zr02為復合晶核劑，在此Li20 — A1203 —Si02系統(tǒng)下，通過450 — 800 。C核化處理及800 — 900 。C晶化 處理，將生成p-鏗輝石，p-鏗霞石主晶相，此晶相的膨脹系數(shù)為-20x10 7/ °C 一 10x10 "/°C 。另外由于制品中殘存微量的+膨脹玻璃相，均勻分布在 主晶相間隙間，相互作用，從而實現(xiàn)本產(chǎn)品的膨脹系數(shù)在一lOxlo —今"C 一 loxlo —今。C范圍內(nèi)，達到低膨脹的目的?？傊畠?yōu)點在于，本發(fā)明工藝所制 得的電磁爐面板，表面硬度高，硬度達到8 9H，耐摩擦，高透明，耐熱性好 (達600C 700C)，疏水防潮、防污，耐大氣老化，耐輻射，環(huán)保無毒，加 熱表面無氣體揮發(fā)，不沾水、粘油，還具有優(yōu)異的電氣絕緣性能，其高頻電
性能也很突出，它可作為進口微晶玻璃板的替代品，成本低，具有良好的推
廣價值。
具體實施例方式
本發(fā)明納米瓷電磁爐面板，它主要由莫來石粉和耐火材料及添加劑制成，
所述耐火材料為氧化鋁、二氧化硅、氧化鎂，其化學組份重量比為，Si02:63、 L i20 : 3 . 8 、 CaO :0.3、 MgO : 0 . 04 、 A1203: 22 . 15、 Ti02: 2 68 、 Zr02 : 1 . 48、 P2Os :1.0、 BaO : 2 29、 ZnO :1.3、 As2 03 + Sa2 03: 1 . 16 、 B203: 0.5和KZO + Na2O:0.3;
莫來石粉經(jīng)過球磨機球磨、噴霧造粒、機械模壓成型，然后焙燒，經(jīng)1650 °C熔制，再經(jīng)800 °C核化處理2小時，升溫到90(TC晶化處理0.5小時、 浸漬、冷卻后表面經(jīng)機械拋光、印刷，再抽檢、合格成品包裝入庫即可。 所述成品面板的厚度為4mm，承重18kg，耐熱沖擊800'c。 上述成品經(jīng)試驗，在自由落體跌落試驗3次不裂，將面板加熱至60。C后
立即置入4。C水中3次不裂，表面光潔度達95%，其他耐摩擦，耐大氣老化， 耐輻射，環(huán)保無毒等方面性能指標，均能達到要求。
權利要求
1、一種納米瓷電磁爐面板，其特征在于，它主要由莫來石粉和耐火材料及添加劑制成，各組份按重量計百分比SiO261-73、Li2O3.0-5.6、CaO0.2-0.6、MgO0.02-1.5、Al2O320.5-22.5、TiO21.6-3.0、ZrO21.48-3.6、P2O50.3-1.5、BaO2.0-3.5、ZnO1.2-2.59、As2O3+Sa2O30.5-1.5、B2O30.5-2.8和KZO+Na2O0.1-0.6；所述耐火材料為氧化鋁、二氧化硅、氧化鎂。
2、 根據(jù)權利要求1所述的納米瓷電磁爐面板，其特征在于，所述面板的 厚度為4mm。
3、 一種制備權利要求l-2任一項所述的納米瓷電磁爐面板的方法，其特 征在于它包括如下步驟，按上述各組份配制成配合料，經(jīng)過球磨、噴霧造 粒、機械模壓成型，然后焙燒，經(jīng)1400 — 1650 °C熔制，再經(jīng)450 — 800 。C 核化處理0 . 5 — 4小時，升溫到800 — 950 °C晶化處理0 . 5 — 4小 時、浸漬、冷卻后拋光、印刷，再抽檢、成品包裝入庫。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種納米瓷電磁爐面板及其制備方法，其特征在于，它主要由莫來石粉和耐火材料及添加劑制成，各組份按重量計百分比SiO<sub>2</sub>61-73、Li<sub>2</sub>O3.0-5.6、CaO0.2-0.6、MgO0.02-1.5、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>20.5-22.5、TiO<sub>2</sub>1.6-3.0、ZrO<sub>2</sub>1.48-3.6、P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>0.3-1.5、BaO2.0-3.5、ZnO1.2-2.59、As<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+Sa<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0.5-1.5、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0.5-2.8和KZO+Na<sub>2</sub>O0.1-0.6；所述耐火材料為氧化鋁、二氧化硅、氧化鎂。所述面板的厚度為4mm。它包括如下步驟制成，原料經(jīng)過球磨、噴霧造粒、機械模壓成型，然后焙燒、浸漬、拋光、印刷，再抽檢、成品包裝入庫。本發(fā)明方法生產(chǎn)的納米瓷電磁爐面板具有高耐熱性、耐摩擦、硬度高等優(yōu)點。
文檔編號F24C7/02GK101191624SQ20061012363
公開日2008年6月4日 申請日期2006年11月20日 優(yōu)先權日2006年11月20日
發(fā)明者于志民, 良 張 申請人:張 良;于志民