專利名稱：硅烷尾氣處理裝置以及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及CVD(Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積)工藝尾氣的處理方法以及尾氣處理裝置，特別是涉及對(duì)硅烷尾氣進(jìn)行處理的方法以及裝置。
背景技術(shù)：
在雙極集成電路和分立器件的制造過(guò)程中，需要用硅烷參與反應(yīng)的CVD技術(shù)來(lái)生長(zhǎng)二氧化硅、氮化硅、和多晶硅等摻雜或鈍化薄膜。因此，在CVD工藝過(guò)程中的進(jìn)氣包括有機(jī)硅烷，因而尾氣的組分中也包括未分解的有機(jī)硅烷。多數(shù)工廠使用的硅烷(SiH4)濃度有5%、20%、和100%等多種硅烷。硅烷是無(wú)色、有毒、易燃易爆氣體，氣化學(xué)性質(zhì)活潑，極易被氧化，當(dāng)硅烷濃度達(dá)3%時(shí)在空氣中會(huì)發(fā)生燃燒。一般，參與反應(yīng)的硅烷氣體約有20% 60%從反應(yīng)裝置的尾氣排出。特別是當(dāng)100%硅烷作業(yè)LPCVD和PECVD工藝時(shí)，為確保反應(yīng)裝置中爐口到爐尾生長(zhǎng)圓片的膜厚均勻性，通常會(huì)加大100% SiH4的用量，故從真空泵組排出的尾氣中，還含有未反應(yīng)的硅烷比例會(huì)更高。如果尾氣中排出的高濃度硅烷未經(jīng)處理或者處理不徹底，而進(jìn)入工廠排風(fēng)管道中，將與空氣反應(yīng)，劇烈燃燒，甚至爆炸。以下，說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)CVD尾氣進(jìn)行處理的方法。在CVD反應(yīng)裝置排氣口后面節(jié)一根不銹鋼金屬管道，例如長(zhǎng)約2米，直徑約250毫米，在金屬管道入口處通入壓縮空氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w，金屬管道出口處接入工廠的排風(fēng)管路。該尾氣處理裝置的目的是確保殘余的硅烷在此金屬管道內(nèi)燃燒，但有時(shí)候由于殘留硅烷濃度過(guò)高，總量過(guò)大時(shí)，會(huì)發(fā)生劇烈燃燒，甚至爆炸，非常危險(xiǎn)。由此可見，現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)CVD尾氣進(jìn)行處理的方法存在以下缺點(diǎn):(I)對(duì)CVD裝置尾氣排氣硅烷濃度較低、總量較小時(shí)，具有一定的效果，但是當(dāng)CVD裝置尾氣排氣硅烷濃度高、尾氣總量大(特別是低壓、等離子CVD采用100%硅烷反應(yīng)的裝置)，仍舊存在爆炸的隱患；(2) CVD工藝的尾氣中含有大量粘附性粉塵顆粒，積累到一定的量會(huì)堵塞排氣口，造成更危險(xiǎn)的爆炸；(3)該尾氣處理裝置的燃燒筒由于體積較大，通常裝載設(shè)備上方，若是2米長(zhǎng)、壁厚5毫米的不銹鋼管總量將會(huì)達(dá)到50公斤左右，這樣拆卸安裝都很不方便；(4)燃燒筒沒有控制器，故氮?dú)夂蛪嚎s空氣24小時(shí)常通，存在消耗大，成本高的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的之一旨在，提供一種能夠確保硅烷在燃燒前被稀釋并且稀釋后的硅烷在燃燒筒內(nèi)能充分燃燒的硅烷尾氣處理裝置及硅烷尾氣處理方法。本發(fā)明的目的之二旨在，提供一種能夠確保燃燒產(chǎn)生的粉塵不堵塞排氣口、提高整個(gè)裝置安全性的硅烷尾氣處理裝置及硅烷尾氣處理方法。
本發(fā)明的目的之三旨在，旨在提供一種有效節(jié)省反應(yīng)氣體量、降低生產(chǎn)成本的硅烷尾氣處理裝置及硅烷尾氣處理方法。本發(fā)明的硅烷尾氣處理裝置具備燃燒筒，其特征在于，所述燃燒筒具備:進(jìn)氣口，用于通入以硅烷氣體為主要成分的硅烷尾氣；第一反應(yīng)氣體通入口，用于通入第一反應(yīng)氣體；第二反應(yīng)氣體通入口，用于通入第二反應(yīng)氣體；排氣口，用于排出所述硅烷氣體與所述第一反應(yīng)氣體和第二反應(yīng)氣體反應(yīng)之后的氣體，其中，上述第一反應(yīng)氣體通入口和上述第二反應(yīng)氣體通入口分開設(shè)置，并且上述第一反應(yīng)氣體通入口設(shè)置在比上述第二反應(yīng)氣體通入口更靠近進(jìn)氣口的位置。優(yōu)選地，所述燃燒筒中還具備氣體流速降低裝置，所述氣體流速降低裝置用于降低燃燒筒中氣體的流速以增加氣體在燃燒筒內(nèi)的行程。優(yōu)選地，上述氣體流速降低裝置是設(shè)置成為迷宮型的擋板。優(yōu)選地，上述第一反應(yīng)氣體通入口是用于通入氮?dú)獾耐ㄈ肟?，上述第一反?yīng)氣體通入口是用于通入壓縮空氣的通入口。優(yōu)選地，所述擋板為直線型的擋板。優(yōu)選地，所述擋板為曲線型的擋板。優(yōu)選地，所述擋板間的截面積是所述進(jìn)氣口的截面積的3倍以上。優(yōu)選地，所述擋板的彎曲拐角角度在90度以上。優(yōu)選地，在所述燃燒筒的剖視上來(lái)看所述排氣口的位置高于所述進(jìn)氣口。優(yōu)選地，所述燃燒筒由能耐受300度以上的溫度材料構(gòu)成。優(yōu)選地，所述燃燒筒由不銹鋼構(gòu)成。優(yōu)選地，所述燃燒筒還具備確保燃燒筒內(nèi)燃燒氣體與外界隔離的密封圈和螺栓。優(yōu)選地，所述硅烷尾氣處理裝置還具備控制裝置，所述控制裝置包括:浮子流量計(jì)，用于測(cè)定氣體流量；對(duì)射式光電傳感器，在所述浮子流量計(jì)測(cè)定到氣體流量異常時(shí)被觸發(fā)；以及PLC控制器,用于在所述對(duì)射式光電傳感器被觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生輸出信號(hào)以使所述娃燒尾氣處理裝置停止工作。優(yōu)選地，所述控制裝置還具備報(bào)警裝置，所述報(bào)警裝置在所述PLC控制器使硅烷尾氣處理裝置停止工作的同時(shí)發(fā)出報(bào)警通知。利用本發(fā)明的硅烷尾氣處理裝置，通過(guò)分隔地通入氮?dú)夂蛪嚎s空氣，遵循先稀釋再燃燒，能夠避免因高濃度大流量硅烷排放時(shí)發(fā)生過(guò)爆鳴的危險(xiǎn)。而且，通過(guò)設(shè)置氣體流速降低裝置，能夠增加氣體流程，使得硅烷成分充分地得到燃燒，能夠有效地清除CVD裝置尾氣中的硅烷成分。同時(shí)由于硅烷尾氣通過(guò)氣體流速降低裝置流速被大大降低，尾氣中粉塵顆粒大多數(shù)沉降在燃燒筒中間三分之一區(qū)域，這種情況下，由于燃燒筒的排氣口的位置設(shè)置得較高，就不會(huì)有粉塵堵塞排氣口造成爆炸的危險(xiǎn)。進(jìn)一步，通過(guò)進(jìn)一步設(shè)置控制裝置，能夠在CVD裝置工藝進(jìn)行時(shí)才打開硅烷尾氣處理裝置，而且能夠根據(jù)需要來(lái)調(diào)節(jié)氮?dú)夂蛪嚎s空氣的流量，因此，能夠降低氮?dú)夂蛪嚎s空氣的成本。另外，在氮?dú)饣驂嚎s空氣流量發(fā)生異常的情況下能夠停止硅烷尾氣處理裝置并且進(jìn)行報(bào)警通知，由此，能夠更進(jìn)一步提高操作的安全性和便捷性。本發(fā)明的硅烷尾氣處理方法，是利用上述硅烷尾氣處理裝置進(jìn)行處理硅烷尾氣的方法，包括下述步驟:向燃燒筒通入以硅烷為主要成分的尾氣的進(jìn)氣步驟；向燃燒筒內(nèi)通入壓縮空氣以稀釋所述尾氣的稀釋步驟；向燃燒筒內(nèi)通入氮?dú)庖允沟门c利用所述稀釋步驟稀釋后的硅烷充分燃燒的燃燒步驟；利用所述氣體流速降低裝置使得燃燒步驟燃燒后得到的物質(zhì)降的沉降步驟；以及將經(jīng)過(guò)上述各步驟得到的氣體排出的排氣步驟。優(yōu)選地，在所述稀釋步驟中，通入的氮?dú)馐枪柰槲矚饬髁康?0倍以上。優(yōu)選地，在所述燃燒步驟中，通入的壓縮空氣是硅烷尾氣流量的20倍以上。利用本發(fā)明的硅烷尾氣處理方法，遵循先稀釋再燃燒，能夠避免因高濃度大流量硅烷排放時(shí)發(fā)生過(guò)爆鳴的危險(xiǎn)。通過(guò)將硅烷尾氣稀釋到濃度在5%以下，能夠避免硅烷濃度過(guò)高、總量過(guò)大時(shí)發(fā)生劇烈燃燒甚至保證的危險(xiǎn)。通過(guò)通入充足的壓縮空氣，使得稀釋后的硅烷尾氣得到充分地燃燒，能夠完全地去除CVD裝置尾氣中含有的硅烷成分。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的硅烷尾氣處理裝置的示意性的俯視圖。圖2是本發(fā)明第一實(shí)施方式的硅烷尾氣處理裝置的示意性的剖視圖。圖3是本發(fā)明第二實(shí)施方式的硅烷尾氣處理裝置具有的控制裝置的概要示意圖。
具體實(shí)施例方式下面介紹的是本發(fā)明的多個(gè)可能實(shí)施例中的一些，旨在提供對(duì)本發(fā)明的基本了解。并不旨在確認(rèn)本發(fā)明的關(guān)鍵或決定性的要素或限定所要保護(hù)的范圍。為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的硅烷尾氣處理裝置的示意性的俯視圖。圖2是本發(fā)明第一實(shí)施方式的硅烷尾氣處理裝置的示意性的剖視圖。如圖1、圖2所示，本發(fā)明第一實(shí)施方式的硅烷尾氣處理裝置主要包括燃燒筒100，所述燃燒100筒具備進(jìn)氣口 101、第一反應(yīng)氣體通入口 102、第二反應(yīng)氣體通入口 103、以及排氣口 104。在以硅烷為主要反應(yīng)氣體的CVD裝置的尾氣排氣上接入本發(fā)明第一實(shí)施方式的硅烷尾氣處理裝置的進(jìn)氣口 101，這樣硅烷尾氣從進(jìn)氣口 101進(jìn)入到燃燒筒100。如圖1所示，第一反應(yīng)氣體通入口 102設(shè)置在比第二反應(yīng)氣體通入口 103更靠近進(jìn)氣101 口的位置。從第一反應(yīng)氣體通入口 102向燃燒筒100通入足量的氮?dú)猓瑥牡诙磻?yīng)氣體通入口 103向燃燒筒100通入足量的壓縮空氣。這樣，硅烷尾氣首先被通入的足量的氮?dú)庀♂?，此后，被稀釋的硅烷尾氣與通入的壓縮空氣進(jìn)行充分燃燒。如此，從CVD裝置排出的高濃度硅烷成分能夠在壓縮空氣中得到充分燃燒，其中，主要是硅烷和高壓空氣中的氧氣發(fā)生反應(yīng)，燃燒后產(chǎn)生的二氧化硅(粉末狀)在燃燒筒100底部沉降，產(chǎn)生的水汽和不含硅烷的廢氣通過(guò)排氣口 104排入工廠排氣管路，然后再經(jīng)氣體水洗凈化處理后可排至大氣。如上所述，通過(guò)將氮?dú)夂蛪嚎s空氣分別從第一反應(yīng)氣體通入口 102和第二反應(yīng)氣體通入口 103分隔地通入到燃燒筒100中，而且遵循先稀釋后反應(yīng)的原則，在高濃度、大流量硅烷尾氣排放時(shí)，能夠可靠地進(jìn)行處理，不會(huì)產(chǎn)生爆鳴現(xiàn)象。
這里，關(guān)于壓縮空氣和氮?dú)獾牧髁浚景l(fā)明申請(qǐng)的發(fā)明人通過(guò)精銳的研究得知，在硅烷濃度在5%以下時(shí)其能夠得到充分燃燒，據(jù)此，從第一反應(yīng)氣體通入口 102通入的氮?dú)獾牧髁孔詈檬枪柰槲矚饬髁康?0倍以上，從第二反應(yīng)氣體通入口 103通入的空氣的流量最好是硅烷尾氣流量的20倍以上。另外，為了使得硅烷尾氣與氮?dú)狻嚎s空氣充分反應(yīng)，如圖1、2所示還可以進(jìn)一步在燃燒筒100內(nèi)設(shè)置氣體流速降低裝置105。該氣體流速降低裝置105能夠降低氣體流速以增加各氣體在燃燒筒內(nèi)的氣體行程，能夠使得硅烷尾氣得到充分燃燒。作為氣體流速降低裝置105的實(shí)施方式，可以設(shè)置為圖1中所示的迷宮式擋板。該迷宮式擋板的各個(gè)擋板可以是直線型的擋板，也可以是彎曲式的擋板。在直線型的擋板的情況下，氣體流動(dòng)至擋板邊緣處需要180度的拐彎，因此，能夠有效降低氣體的流速。另一方面，還可以通過(guò)增加擋板個(gè)數(shù)或者增加擋板的拐彎數(shù)目來(lái)增加氣體流程。當(dāng)然，擋板數(shù)目也不可以過(guò)多，若是直線型的擋板，則最好是擋板間的截面積是進(jìn)氣口 101截面積的3倍以上。若是彎曲型的擋板，則最好拐彎的角度在90度以上。如圖2所示，從燃燒筒100的剖視面來(lái)看，排氣口 104的位置設(shè)定為高于進(jìn)氣口101。在迷宮型擋板的作用下，硅烷尾氣流速倍大量降低，而且尾氣中粉塵顆粒大多數(shù)沉降在燃燒筒中間三分之一區(qū)域，這樣，即使有大量粉塵沉降在排氣口 104附近，但由于燃燒筒100的排氣口 104的位置設(shè)置得較高，因此，粉塵不會(huì)堵塞排氣口 104，因而消除了因粉塵堵塞排氣口而導(dǎo)致爆炸的隱患。關(guān)于其它設(shè)置，在進(jìn)氣口 101的附近設(shè)置有用于對(duì)通過(guò)進(jìn)氣口 101進(jìn)入燃燒筒100的硅烷尾氣的壓力進(jìn)行檢測(cè)的入口壓力檢測(cè)器106。入口壓力檢測(cè)器106能夠?qū)崟r(shí)地對(duì)輸入的硅烷尾氣的壓力進(jìn)行檢測(cè)。另外，在上述燃燒筒100上還具備用于確保燃燒筒內(nèi)燃燒的氣體與外界有效隔離的密封圈201和螺栓202。利用密封圈201和螺栓202，能夠更進(jìn)一步提高燃燒筒100的安全性。再者，關(guān)于燃燒筒100的材料，為了確保硅烷尾氣在燃燒筒中內(nèi)安全燃燒，燃燒筒100本身需要耐受高溫，因此，最好采用能耐受例如300度以上高溫的材料?？紤]到制造成本和方便性，例如可以采用不銹鋼來(lái)構(gòu)成。如上所述，利用本發(fā)發(fā)明的硅烷尾氣處理裝置，通過(guò)分隔地通入氮?dú)夂蛪嚎s空氣，按照先稀釋再燃燒的原則，能夠避免因高濃度大流量硅烷排放時(shí)存在的爆鳴危險(xiǎn)。而且，通過(guò)設(shè)置氣體流速降低裝置105，能夠增加氣體流程，使得硅烷成分充分地得到燃燒，能夠有效地清除CVD裝置尾氣中的硅烷成分，同時(shí)硅烷尾氣通過(guò)氣體流速降低裝置105流速被大大降低，尾氣中粉塵顆粒大多數(shù)沉降在燃燒筒100中間三分之一區(qū)域，而且由于燃燒筒100的排氣口 104的位置設(shè)置得較高，就不會(huì)有粉塵堵塞排氣口 104造成爆炸的危險(xiǎn)。第二實(shí)施方式本發(fā)明的第二實(shí)施方式是在上述第一實(shí)施方式的硅烷尾氣處理裝置的基礎(chǔ)上進(jìn)一步具備控制裝置200，除此之外的設(shè)置與第一實(shí)施方式相同。圖3是本發(fā)明第二實(shí)施方式的硅烷尾氣處理裝置具有的控制裝置200的概要示意圖。如圖3所示，控制裝置200具備浮子流量計(jì)201、對(duì)射式光電傳感器201以及PLC控制器203(未圖示)。
PLC控制器203被輸入控制裝置運(yùn)行信號(hào)、壓縮空氣流量輸入信號(hào)、氮?dú)饬髁枯斎胄盘?hào)、入口壓力過(guò)壓輸入信號(hào)(由入口壓力檢測(cè)器106提供)，PLC控制器203在對(duì)射式光電傳感器202被觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生輸出信號(hào)以使硅烷尾氣處理裝置停止工作。具體地，浮子流量計(jì)201用于對(duì)氣體流量進(jìn)行監(jiān)測(cè)，對(duì)射式光電傳感器202設(shè)置在浮子流量計(jì)201的兩側(cè)，當(dāng)輸入流量正常時(shí)，浮子流量計(jì)201中的浮子懸浮在光內(nèi)設(shè)定流量附近，阻擋了對(duì)射式光電傳感器202的光，此時(shí)，對(duì)射式光電傳感器202無(wú)輸出信號(hào)，則PLC控制器203正常工作。當(dāng)氣流流量異常時(shí)，浮子流量計(jì)201內(nèi)浮子離開設(shè)定流量值附近，則觸發(fā)對(duì)射式光電傳感器202，PLC控制器會(huì)延遲一會(huì)再次監(jiān)測(cè)對(duì)射式光電傳感器202的信號(hào)，如仍有觸發(fā)，即認(rèn)為流量異常，PLC控制器203會(huì)立即有輸出信號(hào)到硅烷尾氣處理裝置，通知硅烷尾氣處理裝置停止作業(yè)。利用本實(shí)施方式的硅烷尾氣處理裝置，通過(guò)設(shè)置控制裝置200，能夠在CVD裝置的實(shí)施工藝時(shí)才打開本發(fā)明的硅烷尾氣處理裝置，而且可以利用浮子流量計(jì)201監(jiān)測(cè)氣體流量，能夠根據(jù)需要調(diào)節(jié)氮?dú)夂蛪嚎s空氣的流量，由此，能夠降低氮?dú)夂蛪嚎s空氣的成本。在此基礎(chǔ)上，在上述控制裝置200中還能夠進(jìn)一步設(shè)置報(bào)警裝置204(未圖示)。在所述PLC控制器203使得硅烷尾氣處理裝置停止工作的同時(shí)報(bào)警裝置204通過(guò)聲音等提示方式發(fā)出報(bào)警通知，以通知工作人員發(fā)生異常情況。由此，能夠更進(jìn)一步提高作業(yè)的安全性和可靠性。以上例子主要說(shuō)明了本發(fā)明的硅烷尾氣處理裝置及硅烷尾氣處理方法。盡管只對(duì)其中一些本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，本發(fā)明可以在不偏離其主旨與范圍內(nèi)以許多其他的形式實(shí)施。因此，所展示的例子與實(shí)施方式被視為示意性的而非限制性的，在不脫離如所附各權(quán)利要求所定義的本發(fā)明精神及范圍的情況下，本發(fā)明可能涵蓋各種的修改與替換。在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下還可以構(gòu)成許多有很大差別的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，除了如所附的權(quán)利要求所限定的，本發(fā)明不限于在說(shuō)明書中所述的具體實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種硅烷尾氣處理裝置，具備燃燒筒，其特征在于， 所述燃燒筒具備: 進(jìn)氣口，用于通入以硅烷氣體為主要成分的硅烷尾氣， 第一反應(yīng)氣體通入口，用于通入第一反應(yīng)氣體， 第二反應(yīng)氣體通入口，用于通入第二反應(yīng)氣體， 排氣口，用于排出所述硅烷氣體與所述第一反應(yīng)氣體和第二反應(yīng)氣體反應(yīng)之后的氣體， 其中，上述第一反應(yīng)氣體通入口和上述第二反應(yīng)氣體通入口分開設(shè)置，并且上述第一反應(yīng)氣體通入口設(shè)置在比上述第二反應(yīng)氣體通入口更靠近進(jìn)氣口的位置。
2.按權(quán)利要求1所述的硅烷尾氣處理裝置，其特征在于， 所述燃燒筒中還具備氣體流速降低裝置， 所述氣體流速降低裝置用于降低燃燒筒中氣體的流速以增加氣體在燃燒筒內(nèi)的行程。
3.按權(quán)利要求1所述的硅烷尾氣處理裝置，其特征在于， 上述氣體流速降低裝置是設(shè)置成為迷宮型的擋板。
4.按權(quán)利要求1所述的硅烷尾 氣處理裝置，其特征在于， 上述第一反應(yīng)氣體通入口是用于通入氮?dú)獾耐ㄈ肟冢鲜龅谝环磻?yīng)氣體通入口是用于通入壓縮空氣的通入口。
5.按權(quán)利要求3所述的硅烷尾氣處理裝置，其特征在于， 所述擋板為直線型的擋板。
6.按權(quán)利要求3所述的硅烷尾氣處理裝置，其特征在于， 所述擋板為曲線型的擋板。
7.按權(quán)利要求5所述硅烷尾氣處理裝置，其特征在于， 所述擋板間的截面積是所述進(jìn)氣口的截面積的3倍以上。
8.按權(quán)利要求6所述硅烷尾氣處理裝置，其特征在于， 所述擋板的彎曲拐角角度在90度以上。
9.按權(quán)利要求4所述硅烷尾氣處理裝置，其特征在于， 在所述燃燒筒的剖視上來(lái)看所述排氣口的位置高于所述進(jìn)氣口。
10.按權(quán)利要求4所述硅烷尾氣處理裝置，其特征在于， 所述燃燒筒由能耐受300度以上溫度的材料構(gòu)成。
11.按權(quán)利要求10所述硅烷尾氣處理裝置，其特征在于， 所述燃燒筒由不銹鋼構(gòu)成。
12.按權(quán)利要求4所述的硅烷尾氣處理裝置，其特征在于， 所述燃燒筒還具備確保燃燒筒內(nèi)燃燒氣體與外界隔離的密封圈和螺栓。
13.按權(quán)利要求1 12任意一項(xiàng)所述的硅烷尾氣處理裝置，其特征在于， 所述硅烷尾氣處理裝置還具備控制裝置， 所述控制裝置包括: 浮子流量計(jì)，用于測(cè)定氣體流量； 對(duì)射式光電傳感器，在所述浮子流量計(jì)測(cè)定到氣體流量異常時(shí)被觸發(fā)；以及 PLC控制器,用于在所述對(duì)射式光電傳感器被觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生輸出信號(hào)以使所述娃燒尾氣處理裝置停止工作。
14.按權(quán)利要求11所述的硅烷尾氣處理裝置，其特征在于 所述控制裝置還具備報(bào)警裝置， 所述報(bào)警裝置在所述PLC控制器使硅烷尾氣處理裝置停止工作的同時(shí)發(fā)出報(bào)警通知。
15.一種硅烷尾氣處理方法，是利用權(quán)利要求1 12任意一項(xiàng)所述的硅烷尾氣處理裝置進(jìn)行處理硅烷尾氣的方法，包括下述步驟: 向燃燒筒通入以硅烷為主要成分的尾氣的進(jìn)氣步驟； 向燃燒筒內(nèi)通入壓縮空氣以稀釋所述尾氣的稀釋步驟； 向燃燒筒內(nèi)通入氮?dú)庖允沟门c利用所述稀釋步驟稀釋后的硅烷充分燃燒的燃燒步驟； 利用所述氣體流速降低裝置使得燃燒步驟燃燒后得到的物質(zhì)降的沉降步驟；以及 將經(jīng)過(guò)上述各步驟得到的氣體排出的排氣步驟。
16.按權(quán)利要求15上述的娃燒尾氣處理方法,其特征在于， 在所述稀釋步驟中，通入的氮?dú)馐枪柰槲矚饬髁康?0倍以上，在所述燃燒步驟中，通入的壓縮空氣是硅烷尾氣流量的20倍以上。
全文摘要
本發(fā)明涉及硅烷尾氣處理裝置及其處理方法。該硅烷尾氣處理裝置具備燃燒筒，所述燃燒筒具備進(jìn)氣口，用于通入以硅烷氣體為主要成分的硅烷尾氣；第一反應(yīng)氣體通入口，用于通入第一反應(yīng)氣體；第二反應(yīng)氣體通入口，用于通入第二反應(yīng)氣體；排氣口，用于排出所述硅烷氣體與所述第一反應(yīng)氣體和第二反應(yīng)氣體反應(yīng)之后的氣體，其中，上述第一反應(yīng)氣體通入口和上述第二反應(yīng)氣體通入口分開設(shè)置，并且上述第一反應(yīng)氣體通入口設(shè)置在比上述第二反應(yīng)氣體通入口更靠近進(jìn)氣口的位置。另外，還設(shè)置有氣體流速降低裝置。利用本發(fā)明的硅烷尾氣處理裝置及其方法能夠?qū)柰槲矚膺M(jìn)行完全地處理，提高工藝的安全性。
文檔編號(hào)F23G7/06GK103090399SQ201110347328
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2011年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月28日
發(fā)明者吳嘯, 馮金良, 梁浩, 范建超 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司