專利名稱：：芳香族聚酰胺薄膜及其制備方法以及采用芳香族聚酰胺薄膜的磁記錄媒體的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及芳香族聚酰胺薄膜，特別是適合用作磁記錄媒體，和尤其是高密度磁記錄媒體用薄膜的芳香族聚酰胺薄膜，并涉及該薄膜的制備方法以及采用該薄膜制備的磁記錄媒體。
背景技術：
：對芳香族聚酰胺薄膜各種用途的研究一直在進行，以充分利用其優(yōu)秀的耐熱性和機械特性。特別是對位取代的芳香族聚酰胺，其剛性和強度等機械性能優(yōu)于其他聚合物，因此它非常適用于制備更薄的薄膜，也考慮它在例如打印帶、磁帶和電容器等方面的應用。近年來，隨著數字記錄技術的進步以及計算機外儲存器的開發(fā)，對適用于薄膜化、高密度記錄化和高耐久性磁記錄媒體的薄膜的要求不斷提高。也就是說，作為達到高輸出的磁層，在形成超薄涂布型磁層和在薄膜上直接形成磁層的金屬蒸發(fā)型磁層方面已有很大進展，但磁層的性能越好，對基膜達到高標準的平滑性、移動性和無缺欠性的要求就越高。此外，伴隨磁層性能的進一步提高，薄膜的加工條件涉及更高的溫度和速度等，由此使基膜的負荷增加。然而，在采用芳香族聚酰胺薄膜時存在下列問題。首先，如果為提高薄膜的輸出特性而將其表面制得更平滑，由于與磁頭的摩擦，磁層往往脫落，而脫落的磁粉會堵塞磁頭。此外，如果為提高這方面的耐久性而使表面粗糙，就不能獲得高性能磁記錄媒體所要求的輸出特性，且磁頭會被表面突起損壞。其次，如果為提供良好的運行性而使表面粗糙，則會導致將這種粗糙傳遞給磁層，造成磁記錄媒體數據丟失。迄今為止，作為芳香族聚酰胺薄膜用于磁記錄媒體應用領域的實例，有的實例規(guī)定薄膜表面微小突起的高度、突起的粒徑和數目(特開昭60-127523號公報)，也有的實例規(guī)定薄膜表面微小突起的高度、突起的平均粒徑和平坦性、突起的粒徑和數目、以及突起的橢圓度和圓度(特開昭61-246919號公報)等等，但是，上述各實例中薄膜的輸出特性和耐久性兩者不能同時達到很高的水平，因此不能滿足磁記錄媒體最新進展的要求。此外，在特開平3-113819號公報中公開了在非磁性基材上設置底涂層，在底涂層中存在凝聚塊的磁記錄媒體，但凝聚塊很容易形成粗大突起，在這種情況下信號失落會很明顯。另外，生產效率會由于采用底涂工序而降低。另外，在特開平8-77554號公報中公開了在非磁性基板上設置底涂層，并規(guī)定該底涂層上突起的高度和數目的磁記錄媒體，但該突起高度的規(guī)定不足以達到可滿足磁記錄媒體最新進展的很高水平的輸出特性和耐久性，另外，生產效率會由于采用底層形成工序而降低。作為對上述問題起因深入研究的結果，本發(fā)明者發(fā)現，芳香族聚酰胺薄膜表面突起的高度分布起重要作用，本發(fā)明者發(fā)現，通過突起的高度分布的最佳數值選定，輸出特性和耐久性兩者能夠達到極高標準。本發(fā)明即以這一發(fā)現為基礎。
發(fā)明內容本發(fā)明的目的是提供芳香族聚酰胺薄膜，以及該薄膜的制備方法和利用該薄膜的磁記錄媒體，當芳香族聚酰胺薄膜用作磁記錄媒體的基膜時，通過利用該薄膜的耐熱性和高剛性，并規(guī)定薄膜表面突起的高度分布，能夠同時提供高標準的輸出特性和耐久性。具體而言，本發(fā)明涉及芳香族聚酰胺薄膜，其特征在于，在該薄膜的至少一面，高20nm-50nm突起的數目為103-108個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為0-3×104個/mm2；本發(fā)明還涉及制備芳香族聚酰胺薄膜的方法，其特征在于，將粒徑10-300nm的微粒分散于10泊以下的液體介質中形成的含微粒漿液加入芳香族聚酰胺溶液中，該微粒的添加量為芳香族聚酰胺的0.005-4.5％(重量)，在從如此所得溶液制備芳香族聚酰胺薄膜的方法中，所述微粒粒徑的相對標準偏差在0.8以下，此外，所用含微粒漿液的初始過濾性指數Q1和通過500ml液體后的過濾性指數Q2滿足下式，Q2/Q1≥0.3本發(fā)明也涉及采用上述芳香族聚酰胺薄膜的磁記錄媒體。發(fā)明的優(yōu)選實施方案本發(fā)明的芳香族聚酰胺優(yōu)選含有至少50％(摩爾)，更優(yōu)選含有至少70％(摩爾)由以下通式(I)和/或通式(II)表示的重復單元?，疕N-Ar1-NHCO-Ar2-CO(I)HN-Ar3-CO(II)下列各式作為Ar1、Ar2和Ar3的實例，X和Y選自-O-、-CH2-、-CO-、-SO2-、-S-和-C(CH3)2-等，但不限于此。此外，上述芳香環(huán)上的一部分氫原子可被取代基，例如被鹵基(特別是氯)、硝基、C1-C3烷基(特別是甲基)和C1-C3烷氧基等取代，組成該聚合物的酰胺鍵部分中的氫也可被其他取代基取代。從性質方面來看，全部芳香環(huán)的至少50％，優(yōu)選至少75％在對位偶合的聚合物對提供高剛性和優(yōu)秀耐熱性的薄膜是令人滿意的。此外，當芳香環(huán)上的一部分氫原子被鹵基(特別是氯)取代的芳香環(huán)占全部芳香環(huán)的至少30％時，其耐濕性增強，由吸潮引起的尺寸變化或剛性下降等性能均有改善，因此這種薄膜是合乎要求的。本發(fā)明的芳香族聚酰胺含有至少50％(摩爾)由上述通式(I)和/或通式(II)表示的重復單元，而剩余＜50％(摩爾)的其他重復單元可共聚或共混。此外，例如抗氧化劑等添加劑也可以以不損害薄膜性質的適當量與本發(fā)明的芳香族聚酰胺共混。要求在本發(fā)明芳香族聚酰胺薄膜的一面(以下稱A面)上高20nm-50nm突起的數目為103-106個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為0-3×104個/mm2。在本發(fā)明中，上述高20nm-50nm突起的數目對在反復運行時同時提供高標準的輸出特性和耐久性是必要的，如果該數目小于10u個/mm2，盡管初始輸出很高，但在反復運行過程中輸出會下降，由此會產生耐久性的問題。另外，如果該數目大于106個/mm2，輸出特性可能降低。優(yōu)選該數目為104-5×105個/mm2。此外，如果高50nm-100nm突起的數目超過3×104個/mm2，在運行過程中會造成磁頭磨損，因此存在耐久性問題。優(yōu)選該數目在2.5×102個/mm2以下。再有，如果有少量高50nm-100nm的突起，在薄膜或磁記錄媒體運行時摩擦會減小，耐久性會增強，因此更優(yōu)選有至少0.3×103個/mm2這種突起。在所涉及的本發(fā)明薄膜的范圍內，與本發(fā)明相關的芳香族聚酰胺薄膜的制備方法不受限制，例如，該方法可由本領域的技術人員根據下列要點容易地實施。為達到上述表面特性，可將微粒混入在本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜中。粒徑為10-300nm，優(yōu)選為20-200nm，更優(yōu)選為25-100nm，作為這種材料的實例，有包括例如交聯聚苯乙烯、、丙烯酸微粒、聚酯微粒、聚酰亞胺微粒、聚酰胺微粒和含氟聚合物微粒等的有機聚合物微粒，和包括例如膠體二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、碳酸鈣、碳黑和沸石等的無機微粒等。加到薄膜中的微粒的量優(yōu)選為0.005-4.5％(重量)，更優(yōu)選為0.03-1.2％(重量)，該量將隨微粒的比重和粒度而改變，而且必須加入形成所希望的突起數目所必需的量。在本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜中形成均勻的突起，因此，就微粒的形狀而言，優(yōu)選球形微粒，并希望采用粒徑均勻的微粒。具體而言，粒徑分布的相對標準偏差σ(定義為標準偏差/平均粒徑)優(yōu)選為σ≤0.80，更優(yōu)選為σ≤0.30d，最優(yōu)選為σ≤0.15d。當σ大于0.80時，粒徑的均勻性降低，而且在準備加入到芳香族聚酰胺溶液中的微粒漿液中或在芳香族聚酰胺聚合物溶液中會產生微粒再凝聚，因而不能得到本發(fā)明的薄膜。關于將上述微粒加入到薄膜中的方法，首先要求將微粒以漿液形式提前混合和分散在10泊以下的液體介質，例如不能溶解該微粒的有機溶劑、無機溶劑或含有機聚合物的有機溶液中。在本發(fā)明中對有機聚合物的種類無特殊限制，從與芳香族聚酰胺的親和性以及制備薄膜時所需的耐熱性來看，要求有機聚合物為相同或不同的芳香族聚酰胺，或芳香族聚酰亞胺。此外，對有機聚合物在漿液中的濃度無特別限制，但從提高向芳香族聚酰胺溶液中添加微粒漿液時的混合效率的觀點看，該濃度優(yōu)選為0.001-10％(重量)，更優(yōu)選為0.01-3.5％(重量)。分散方法可以是例如超聲波分散、介質分散或高壓均化器分散等，但是若不進行充分的分散，就會產生凝聚微粒，該微粒往往超出本發(fā)明的范圍。另外，分散后采用過濾精度為0.8μm以下，優(yōu)選為0.6μm以下，更優(yōu)選為0.3μm以下的過濾器過濾微粒漿液對形成均勻的突起有效。此外，要求漿液的初始過濾性指數Q1和通過500ml微粒漿液后的過濾性指數Q2滿足式Q2/Q1≥0.3。在本發(fā)明中，過濾性指數是在壓頭為490-1470Pa的條件下，單位時間內通過過濾精度為0.5μm的玻璃纖維過濾器(例如ADVANTEC(株)制GC-50)的微粒漿液的流量，而且它由下式定義過濾性指數通過過濾器的微粒漿液的量(ml)過濾材料面積(cm2)×時間(分)初始過濾性指數Q1表示過濾剛剛開始后的過濾性指數，為過濾開始后5分鐘內過濾性指數的平均值。而Q2為500ml微粒漿液通過上述過濾器后5分鐘內過濾性指數的平均值。由Q2/Q1表示的過濾性指數比值受粒徑的彌散、過濾前微粒的分散性、溶劑與微粒的親和性以及微粒表面電位等的影響，當Q2/Q1≥0.3時，在微粒漿液或芳香族聚酰胺聚合物溶液中微粒的分散性很好，因而可令人滿意地獲得本發(fā)明的薄膜。更優(yōu)選Q2/Q1≥0.5，最優(yōu)選Q2/Q1≥0.8。如果Q2/Q1小于0.3，那么即使采用過濾精度符合要求的過濾器來過濾微粒漿液，在過濾后的微粒漿液中或在芳香族聚酰胺聚合物溶液中，或在形成薄膜時也很容易出現微粒凝聚，因而不能獲得本發(fā)明的薄膜。在本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜中，作為形成更均勻突起的方法，采用經有機聚合物對上述有機聚合物微?；驘o機微粒進行表面處理而改性的微粒，例如經有機聚合物涂布或吸附而改性的微粒是有效的。表面處理不僅可采用有機聚合物，而且也可采用低分子材料，作為結果形成的有機聚合物的種類應當根據微粒以及聚合物所用溶劑等適當選擇。聚合物的實例為聚酯、丙烯酸、丙烯酸酯、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇和聚乙二醇等。作為用有機聚合物改性微粒的方法實例，通過將同樣溶解在分散介質中的有機聚合物慢慢添加到微粒的分散介質中，然后在20℃-200℃下，優(yōu)選在80℃-150℃下反應30分鐘-3小時，由此用有機聚合物改性微粒表面。采用由上述方法制備的微粒時，在薄膜形成過程中微粒的凝聚被抑制，因而所得表面突起更為均勻，且突起數目增加，所以可使制備的薄膜在制成磁記錄媒體時具有優(yōu)秀的輸出特性、耐久性和耐熱變形性等。此外，由于減少了粗大突起，因而可減少信號失落。關于在薄膜中加入上述微粒的方法，首先要求將微粒以漿液形式提前混合和分散在10泊以下的不能溶解該微粒的有機溶劑、無機溶劑或芳香族聚酰胺溶液中。分散方法可以是例如超聲波分散、介質分散或高壓均化器分散等，但是若不進行充分的分散，就會產生凝聚微粒，該微粒往往超出本發(fā)明的范圍。另外，分散后采用過濾精度為0.8μm以下，優(yōu)選為0.6μm以下的過濾器過濾微粒漿液對形成均勻的突起有效。此外，關于添加的時間，可以在聚合前、聚合中或聚合后進行添加。當本發(fā)明芳香族聚酰胺薄膜A面上高5nm-20nm突起的數目為至少5×103個/mm2時，特別在蒸鍍型磁記錄媒體的情況下，由于減小了冷卻槽的接觸面積，因而可抑制由加熱引起的尺寸變化，即所謂熱變形性的發(fā)生，所以這種薄膜是符合要求的。上述突起的數目優(yōu)選為至少105個/mm2，更優(yōu)選為106個/mm2。列舉下列可達到上述表面性質的方法。第一種方法是除上述微粒之外，還加入小粒徑即粒徑5-50nm，更優(yōu)選5-20nm的微粒。該微粒的種類可與上述微粒相同或不同，可像上述微粒一樣添加到有機溶劑、無機溶劑或芳香族聚酰胺溶液中，分散和過濾之后添加到聚合物溶液中。此外，優(yōu)選以上述同樣的方法，用適當的有機聚合物改性微粒表面。第二種方法是將微粒添加到例如N-甲基-2-吡咯烷酮或二甲基乙酰胺等有機溶劑中、添加到例如甲基纖維素等水溶性聚合物的水溶液中、或添加到含有芳香族聚酰胺/有機溶劑的溶液中等，添加后進行過濾和分散，然后將所得漿液薄薄地涂布在薄膜上，隨后干燥，從而形成薄膜表面上的微粒層。漿液中微粒的濃度及涂布量可根據微粒的粒徑和比重等適當地選擇，一般選擇微粒濃度為2-20％(重量)，涂布量為0.1-3g/m2。此外，微粒層的厚度優(yōu)選為1-50nm，更優(yōu)選為3-15nm?？梢栽谌魏螘r間涂布漿液，例如可以在從口模中壓出之后，在干燥工序之后，在濕式工序之后，或在薄膜形成之后涂布漿液。必須使本發(fā)明薄膜帶有磁層的一面高度無缺陷。也就是說，在該薄膜的A面，優(yōu)選高h(nm)的粗大突起的數目(A；個/100cm2)滿足下式h≥270A＜100h＞540A＜70h＞810A＜15h＞1080A＜5更優(yōu)選h≥270A＜30h＞540A＜10h＞810A＜5h＞1080A＜2最優(yōu)選h≥270A＜15h＞540A＜5h＞810A＜1h＞1080A＜0關于由數據儲存用數字磁帶代表的最新的高密度磁記錄媒體，有許多缺陷的薄膜表面，例如在粗大突起數目超過上述范圍的表面，電磁轉換特性之一的信號失落相當多，因此絕對不能將這種薄膜用于本發(fā)明的應用領域。為滿足上式，優(yōu)選使制膜原液通過具有特定過濾精度的過濾器，以除去聚合物中存在的粗粒異物。在本發(fā)明中，過濾精度定義為，當分散在聚合物或溶劑等中的微粒通過過濾器時，在過濾器上收集恰好95％的微粒時該微粒的粒徑。當然，過濾精度值越小，可除去異物的粒徑就越小。本發(fā)明過濾器的過濾精度為6000nm以下，優(yōu)選為5000nm以下，更優(yōu)選為3000nm以下。實現無缺陷表面的另一種方法是采用在聚合單體和添加劑等聚合物原料階段進行過濾所得的干凈的聚合物。還優(yōu)選上述粗大突起的數目也適宜于另一側表面(以下稱B面)。關于本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜，優(yōu)選在A面0.002mm2測定面積上的三維表面糙度SRa1和在1.0mm2測定面積上的三維表面糙度SRa2滿足下式0.8≤SRa2/SRa1≤2.5如果SRa2/SRa1超過2.5，在薄膜表面會產生凹凸不平，當該薄膜用于磁帶時，會產生磁頭接觸不穩(wěn)定、輸出降低以及數據丟失等現象。另一方面，如果SRa2/SRa1小于0.8，則會引起磁帶運行性能降低，且在纏繞成卷狀時會造成障礙。SRa2/SRa1優(yōu)選在下述范圍內1.1≤SRa2/SRa1≤1.8還優(yōu)選上述SRa2/SRa1范圍也適宜于B面。例如下列方法對于將SRa2/SRa1控制在上述范圍內是有效的。在上述薄膜的制備過程中，一種方法是在從環(huán)帶等上面剝離薄膜之后對與薄膜接觸的滾筒面進行鏡面拋光；另一種方法是使溶劑抽提工序的溫度保持在例如-10至50℃，以防薄膜溶劑非常迅速地抽提或干涸；再一種方法是在從環(huán)帶等上面剝離薄膜時使薄膜中聚合物的濃度保持在30-70％(重量)；又一種方法是在拉幅機上干燥和熱處理之前將薄膜預熱至50-100℃；或上述方法相結合。本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜可作為單膜制備，也可以是層壓膜。就層壓膜來說，要求在至少一面層壓本發(fā)明薄膜作為最外層。例如，當薄膜由兩層構成時，最好是本發(fā)明薄膜層(以下稱A層)作為在上形成磁層的表面，而另一層(以下稱B層)作為運行面。在上述情況下，在優(yōu)選實施方案中，為增強薄膜的運行性能，在B層采用的微粒比在A層采用的微粒的粒徑大。此外，在三層以上的情況下可同樣實施。已知方法可用作制備層壓膜的方法，例如在口模中層壓的方法，在進料組件中層壓的方法，或形成一層后在上面再形成另一層的方法等。另外，薄膜也可以是先從口模中擠出，然后涂布含有微粒的溶液來形成層壓膜。優(yōu)選本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜至少在一個方向上的楊氏拉伸模量為9.8GPa。磁帶的輸出隨著磁帶與磁頭之間接觸的增強而提高，因此要求基膜具有高楊氏模量。當記錄方法為固定磁頭方式時，縱向楊氏模量特別重要，而當記錄方法為螺旋掃描方式時，橫向楊氏模量特別重要，如果在上述兩個基膜方向中的楊氏模量數值均小于9.8GPa，就不能獲得任何采用高輸出的記錄方式。此外，本發(fā)明芳香族聚酰胺薄膜至少一個方向的楊氏模量優(yōu)選為至少11.7GPa，更優(yōu)選為至少12.7GPa。不用說，所有方向的楊氏模量優(yōu)選為至少9.8GPa。本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜可令人滿意地用于例如軟性印刷基板、電容器、打印帶、音響振動板和太陽能電池基膜等各種應用領域，當作為至少在一面帶有磁層的磁記錄媒體使用時，同時具有高輸出性、高耐久性和無缺陷性的本發(fā)明芳香族聚酰胺薄膜的有效作用可充分發(fā)揮，因此該薄膜為特別優(yōu)選。本發(fā)明磁記錄媒體的形狀可以是盤狀、卡狀或帶狀等，并無特殊限制，為了在充分利用本發(fā)明芳香族聚酰胺薄膜優(yōu)秀的表面特性和高楊氏模量的同時滿足薄膜化的要求，在制備由芳香族聚酰胺薄膜組成的基材的厚度為6.5μm以下，寬度為2.3-9.0mm，長度為至少100m/卷，作為磁記錄媒體的記錄密度(非壓縮時)為8千字節(jié)/mm2以上的較長的高密度磁帶時，限制表面形狀和高剛性的優(yōu)秀效果可表現得更明顯，因此該薄膜為特別優(yōu)選。在本發(fā)明中，記錄密度是磁記錄媒體的全部記錄容量除以磁面面積所得的值。近年來，對磁帶所代表的磁記錄媒體更加小型化和高容量化的要求非常強烈，在實現高容量化方面有下列方法。一種方法是通過減小基材厚度和增加其長度來提高全部記錄容量，另一種方法是通過壓縮磁道間距和減小記錄波長的波長來提高單位面積的記錄容量。一般傾向于上述方法結合使用。當基膜的厚度減小時，自然需要提高基膜的剛性，與厚基膜相比，上述基材表面對于磁頭接觸以及進而對于電磁轉換特性的貢獻非常明顯。也就是說，當磁帶厚時，可以設定高運行張力和高磁頭接觸壓力，因此甚至在基材表面未加以限制的情況下也可以實現與磁頭的穩(wěn)定接觸，而在磁帶厚度減小的情況下，運行張力和磁頭接觸壓力必須降低，因此，如果該基材未像本發(fā)明那樣加以限制，那么與磁頭的緊密接觸以及運行特性會不均勻和不穩(wěn)定，因而勢必產生磁道位置偏離或信號失落。此外，由于要求更高的數據傳輸速度，因而傾向于使磁頭與磁帶的相對速度比以前更高，在保證不會由此產生多于所需的摩擦熱方面，本發(fā)明芳香族聚酰胺薄膜由于把突起高度和數目控制在特定范圍內，因而也非常有效。所以，如上所述，采用本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜可制備能適合上述高容量要求的磁帶?；暮穸葍?yōu)選為4.5μm以下，更優(yōu)選為3.5μm以下，磁記錄媒體的記錄密度優(yōu)選為至少15千字節(jié)/mm2，更優(yōu)選為至少25千字節(jié)/mm2，最優(yōu)選為至少34千字節(jié)/mm2。另外，本發(fā)明的磁記錄媒體可令人滿意地用于民用、專業(yè)用、D-1、D-2、D-3等和其它廣播電臺用、數字式錄像機盒式磁帶、DDS-2、3、4的8mm數據和QIC等和其它數據儲存等應用領域，該磁記錄媒體最適合用在數據丟失可靠性最為重要的數據存儲應用領域?？刹捎萌魏涡纬纱艑拥姆椒ǎ鐚⒀趸F、金屬粉末等或其它磁性粉末與熱固性、熱塑性或輻射固化的粘合劑等混合，然后進行涂布和干燥涂布方法，或通過蒸鍍、噴鍍或離子鍍敷等在基膜上直接形成Ni、Co、Cr、Fe、γ-Fe2O3或其它金屬或其合金的磁性金屬薄膜層的干法，在采用于法時，本發(fā)明薄膜優(yōu)秀的表面特性表現得更明顯，因此為優(yōu)選。在采用干法時，可形成以提高所得磁記錄媒體的耐久性，并提供滑動性為目的的例如金剛石涂層似的保擴涂層。此外，關于磁化方式，水平磁化或垂直磁化均可采用，該薄膜也適于用作光學記錄磁帶。下面說明本發(fā)明制備方法，此方法只是例證性的，決不是限制性的。首先，在從酰氯和二胺制備芳香族聚酰胺時，在例如N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAc)或二甲基甲酰胺(DMF)等非質子性的極性有機溶劑中通過溶液聚合或采用水介質的界面聚合等進行合成。當用酰氯和二胺作為單體時，在聚合物溶液中副產氯化氫，可用例如氫氧化鈣、碳酸鈣或碳酸鋰等無機中和劑，或例如環(huán)氧乙烷、環(huán)氧丙烷、氨、三乙胺、三乙醇胺或二乙醇胺等有機中和劑中和該溶液。此外，異氰酸酯與羧酸之間的反應在催化劑存在下在非質子極性有機溶劑中進行。上述聚合物溶液可直接用作制膜原液，或可將聚合物暫時分離，然后再溶入上述有機溶劑中或例如硫酸等無機溶劑中，以配制制膜原液。為獲得本發(fā)明的芳香族聚酰胺薄膜，聚合物的特性粘度(在30℃下的測定值，采用100ml的0.5g聚合物在硫酸中的溶液)優(yōu)選為至少0.5。例如氯化鈣、氯化鎂、氯化鋰或硝酸鋰等無機鹽也可作為助溶劑添加到制膜原液中。制膜原液中聚合物的濃度優(yōu)選為約2-40％(重量)。關于微粒的添加方法，一種方法是預先在溶劑中將微粒充分漿液化，然后用該漿液作為聚合溶劑或稀釋劑，另一種方法是在配制制膜原液之后直接添加微粒。如上所述配制的制膜原液用過濾精度6000nm以下的過濾器過濾，然后通過所謂溶液制膜法將上述溶液轉變成薄膜。溶液制膜法包括干濕法、干法和濕法等。在采用濕法形成薄膜時，首先過濾制膜原液，然后將它們或者由口模直接擠壓到制膜槽中，或先將它擠壓在例如滾筒或環(huán)帶等支承面上，然后和支承面一起導入濕式槽中。該濕式槽一般含有水介質，除水以外還可含有有機溶劑、無機溶劑或無機鹽等。濕式槽的溫度通常為0-100℃，薄膜中所含的鹽和溶劑由通過濕式槽來進行抽提。在本發(fā)明中，薄膜被導入濕式槽中時尚不具備足夠的表面硬度，所以，如果在濕式槽介質中存在雜質，它們會粘附在薄膜表面，并損害薄膜表面的性能。因此，在濕式槽中使用的介質需先通過過濾精度6000nm以下，優(yōu)選5000nm以下，更優(yōu)選3000nm以下的過濾器。通過整個濕式槽的時間隨薄膜厚度而定，為10秒-30分鐘。此外，必要時可沿薄膜縱向進行拉伸。然后進行干燥和熱處理，一般希望這類處理在200-500℃下進行總共1秒-30分鐘。必要時可在該過程中進行橫向拉伸。當采用干濕法制膜時，將制膜原液從口模擠壓在例如環(huán)帶等支承面上形成薄膜，然后從薄膜層中驅除溶劑直到薄膜具有自持性，由此進行干燥。干燥條件包括在室溫-220℃下，優(yōu)選在室溫-200℃下干燥至多60分鐘。另外，可通過控制干燥過程所用的滾筒或環(huán)帶上的表面缺陷的頻度來控制B面的表面特性。粒徑至少30μm的表面缺陷頻度優(yōu)選為0.001-0.02個/mm2，更優(yōu)選為0.002-0.015個/mm2。干燥工序結束后將薄膜從支承面上剝離下來，然后引入濕式工序，和上述濕法同樣進行脫除溶劑和鹽。然后進行拉伸、干燥和熱處理，形成薄膜。當采用干法為基礎的方法時，在滾筒或環(huán)帶等上面進行干燥后從支承面上剝離自持性薄膜，并進行縱向拉伸。然后干燥除去殘存溶劑，并進行拉伸和熱處理。熱處理優(yōu)選在200-500℃下進行1秒-30分鐘，更優(yōu)選在有機粒子的耐熱溫度以下進行。在制膜過程中對如上所述形成的薄膜進行拉伸，以使其機械性能和熱特性在本發(fā)明的范圍內。拉伸倍率優(yōu)選為0.8-8.0(拉伸倍率定義為拉伸后薄膜面積除以拉伸前薄膜面積所得值)，更優(yōu)選為1.1-5.0。本發(fā)明所述特性數值基于下列測定方法和評價標準。(1)突起的高度和數目用電子顯微鏡觀察所得薄膜表面投影(角度5°)后的圖像。從影長可得突起高度，并計算突起數目。對10個視野進行上述步驟，取平均值作為突起數目。測定條件如下?！ぱb置掃描電子顯微鏡(日立(株)制S-900H)·倍率5000倍(在觀察高20nm-50nm突起的數目和高50nm-100nm突起的數目時)30000倍(在觀察高5nm-20nm突起的數目時)但是，取決于突起數目，在上述兩種情況中都可以更高倍率觀察?！ぜ铀匐妷?KV·樣品制備直接法，Ag投影角度為傾角5°(2)三維表面糙度采用小坂制作所(株)制細微形狀測定儀ET-30HK測定。用光觸針(HIPOSS，商品名)作為檢測器，在薄膜表面真空蒸鍍鋁之后進行測定。測定條件如下。(i)SRa1(測定面積0.002mm2)·縱向測定長度0.02mm·橫向測定長度0.10mm·截取值0.08mm(ii)SRa2(測定面積1.0mm2)·縱向測定長度0.50mm·橫向測定長度2.00mm·截取值0.08mm(3)粗大突起計數用立體顯微鏡在偏光下觀察薄膜表面至少50cm2范圍，標記例如異物等粗大突起。用多重干涉法求出突起高度，確定的數目換算成個/100cm2。(4)楊氏拉伸模量切取寬10mm，長150mm的薄膜，采用Instron型拉力試驗機在卡盤間距為100mm和延伸速度為300mm/分鐘、記錄紙速度為500mm/分鐘、溫度為23℃以及相對濕度為65％的條件下進行拉伸。從所得載荷延伸曲線上升處的切線求得楊氏拉伸模量。(5)所含微粒的平均粒徑采用電子顯微鏡觀察微粒，微粒圖像(由微粒產生的光線明暗)與圖像分析儀(例如劍橋儀器公司制QTM900)連接。改變觀察位置，對至少5000個微粒進行下列數值處理。這樣求得的數均粒徑D作為平均粒徑。D＝∑Di/N式中，Di為微粒的圓當量直徑，N為微粒數目。(6)所含微粒的相對標準偏差由以上(4)的方法測定的粒徑Di、平均粒徑D和微?？倲礜計算出的標準偏差σ(＝{∑(Di-D)2/N})除以平均粒徑D所得值σ/D表示微粒的相對標準偏差。(7)所含微粒的含量將薄膜溶入選定的不溶解微粒的溶劑中，然后離心收集微粒，取微粒占總重量的比率(重量百分數)作為微粒含量。在一些情況中，結合采用紅外光譜法也很有效。(8)輸出特性(初始輸出特性)將在上形成磁層的薄膜切成寬6.35mm，長150m，裝入磁帶盒中，然后以最適合的記錄電流記錄6.5MHz的正弦波。初始輸出特性由重放輸出與標準磁帶的差表示。(9)耐久性以上(8)中獲得的磁帶在40℃和相對濕度80％的環(huán)境條件下播放100次，測定輸出特性，根據以下標準進行評價。○與初始輸出特性之差小于1dB△與初始輸出特性之差為1dB-3dB×與初始輸出特性之差為至少3dB(10)耐熱變形性評價關于熱變形性，在2×10-3Pa的真空下沿-10℃的冷卻槽用電子束蒸鍍厚度0.2μm的Co-O蒸鍍膜，然后對該薄膜縱向觀察10m。由熱所產生的變形即凸起或凹陷等的程度進行評價。·蒸鍍后絲毫未變形◎·1-5處局部變形(凸起，凹陷)○·6-10處局部變形(凸起，凹陷)△·10處以上局部變形(除凸起和凹陷以外，還有由熱產生的空洞)×(11)信號失落的測定借助于錄像機走帶裝置，用以上(8)中獲得的磁帶錄制4.4MHz的信號，然后重播該磁帶。采用大倉工業(yè)(株)制信號失落測量儀測定20分鐘內15μ秒-20dB的信號失落數目，換算成每分鐘信號失落數目(個/分鐘)。下面用實施例說明本發(fā)明，但這絕不意味著在本申請書中限制對本發(fā)明的解釋。實施例1作為芳香族二胺組分，相當于80％(摩爾)的2-氯-鄰-苯二胺和相當于20％(摩爾)的4，4-二氨基二苯醚溶解于N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中，然后在該溶液中添加相當于100％(摩爾)的2-氯-對苯二酰氯，攪拌2小時以完成聚合。用氫氧化鋰進行中和，得聚合物濃度為10％(重量)，粘度為3000泊的芳香族聚酰胺溶液。(配制A層用聚合物溶液)平均粒徑為50nm，粒徑分布的相對標準偏差為0.12的球形二氧化硅在NMP中經超聲波分散24小時，然后用過濾精度為1.0μm、0.6μm和0.3μm的過濾器順次過濾。該微粒漿液的過濾性指數比值Q2/Q1為0.92。將如此得到的二氧化硅漿液添加到芳香族聚酰胺溶液中，使二氧化硅濃度為聚合物的0.3％(重量)，然后進行充分的攪拌，制得A層用聚合物溶液。(配制B層用聚合物溶液)平均粒徑為150nm，粒徑分布的相對標準偏差為0.20的二氧化硅在NMP中經超聲波分散24小時，然后用過濾精度為1.2μm和0.8μm的過濾器順次過濾。該微粒漿液的過濾性指數比值Q2/Q1為0.87。將如此得到的二氧化硅漿液添加到芳香族聚酰胺溶液中，使二氧化硅為聚合物的1.2％(重量)，然后進行充分的攪拌，制得B層用聚合物溶液。A層用聚合物溶液和B層用聚合物溶液分別通過過濾精度為1000nm和5000nm的過濾器之后，在多層管中復合，使B層與載體接觸進行復合，使最終薄膜層厚為A層/B層＝2.0/1.6μm，，然后在直徑30μm以上的表面缺陷的頻度為0.005個/mm2的環(huán)帶上流延。在180℃下用熱風加熱2分鐘蒸除溶劑，從環(huán)帶上連續(xù)剝離所得自持性薄膜。然后將該薄膜導入經過濾精度為4000nm的過濾器過濾的40℃水槽中，用水提取殘存溶劑和中和產生的無機鹽。在拉幅機上于80℃下預干燥30秒后，進行水分干燥和熱處理，得厚度為3.6μm的芳香族聚酰胺薄膜。在此期間將薄膜沿縱向和橫向分別拉伸1.16和1.43倍，在280℃下干燥和熱處理1.5分鐘后，以20℃/秒的速度慢慢冷卻，得芳香族聚酰胺薄膜。在上述薄膜A面上，高20nm-50nm突起的數目為2.1×105個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為1.2×104個/mm2，高5nm-20nm突起的數目為8.6×104個/mm2。另外，h≥270nm、h＞540nm、h＞810nm和h＞1080nm的粗大突起的數目分別為8、1、0和0個/100cm2，而SRa2/SRa1為1.16，縱向和橫向楊氏拉伸模量分別為12.0GPa和16.7GPa。在2×10-3Pa的真空室中，在通入氧氣的同時用電子槍加熱器在上述薄膜上蒸鍍Co，在薄膜A面連續(xù)形成厚度為200nm的Co-O膜，從而制成磁層。然后采用DC磁控管噴鍍法形成厚度為15nm的碳保護膜，切割該薄膜制得磁帶。上述磁帶的特性非常出色，即輸出＝+1.7dB、耐久性＝○、耐熱變形性＝○、信號失落＝0.3個/分鐘，綜合評價為◎。實施例2像實施例1一樣配制A層和B層用聚合物溶液，不同的是A層用聚合物溶液中添加的二氧化硅的濃度為聚合物的0.03％(重量)。上述溶液像實施例1一樣在環(huán)帶上流延和干燥。同時，將NMP中經超聲波分散24小時的平均粒徑為16nm，相對標準偏差為0.15的球形二氧化硅的漿液加入由再沉淀獲得的芳香族聚酰胺聚合物NMP溶液中，使二氧化硅濃度為7.5％(重量)，芳香族聚酰胺聚合物濃度為2.2％(重量)，然后用過濾精度為1.0μm、0.6μm和0.3μm的過濾器進行過濾。用金屬棒在從環(huán)帶上剝離的聚合物濃度為40％(重量)的凝膠狀薄膜上涂布上述二氧化硅/聚合物漿液，使層厚為15nm，然后像實施例1一樣制膜，得厚度為3.6μm的芳香族聚酰胺薄膜。在上述薄膜A面上，高20nm-50nm突起的數目為1.5×104個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為2.0×103個/mm2，高5nm-20nm突起的數目為1.3×107個/mm2。另外，h≥270nm、h＞540nm、h＞810nm和h＞1080nm的粗大突起的數目分別為10、1、0和0個/100cm2，而SRa2/SRa1為1.12，縱向和橫向楊氏拉伸模量分別為12.0GPa和16.7GPa。采用上述薄膜，像實施例1一樣制備磁帶。上述磁帶的特性非常出色，即輸出＝+2.5dB、耐久性＝○、耐熱變形性＝◎、信號失落＝0.1個/分鐘，綜合評價為◎。實施例3像實施例2一樣配制A層和B層用聚合物溶液，同時，將NMP中經超聲波分散24小時的平均粒徑為25nm、相對標準偏差為0.15、過濾性指數比值Q2/Q1＝0.94的球形二氧化硅的漿液加入到無微粒的聚合物中，作為形成最外層(以下稱C層)層壓用的聚合物，由此配制微粒濃度為8.0％(重量)、聚合物濃度為9.3％(重量)、粘度為2800泊的C層用聚合物溶液。A層、B層和C層用聚合物溶液分別通過過濾精度為1000nm、5000nm和1000nm的過濾器之后用多層管復合，使B層與載體接觸，C層形成B層相對側的外層，此外，使最終層壓膜的厚度為B層/A層/C層＝1.6/1.8/0.2μm，然后像實施例1一樣制膜，制得薄膜。在上述薄膜A面上，高20nm-50nm突起的數目為1.8×104個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為1.0×103個/mm2，高5nm-20nm突起的數目為9.1×106個/mm2。另外，h≥270nm、h＞540nm、h＞810nm和h＞1080nm的粗大突起的數目分別為13、2、0和0個/100cm2，而SRa2/SRa1為1.10，縱向和橫向楊氏拉伸模量分別為12.0GPa和16.7GPa。采用上述薄膜，像實施例1一樣制備磁帶。上述磁帶的特性非常出色，即輸出＝+2.2dB、耐久性＝○、耐熱變形性＝◎、信號失落＝0.3個/分鐘，綜合評價為◎。實施例4采用實施例1的聚合物，用同樣方法在環(huán)帶上流延后，在120℃下干燥1.5分鐘，然后將聚合物與環(huán)帶一起導入40℃的水槽中。隨后像實施例1一樣制膜，得厚度為3.6μm的芳香族聚酰胺薄膜。在上述薄膜A面上，高20nm-50nm突起的數目為5.5×105個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為2.4×104個/mm2，高5nm-20nm突起的數目為1.5×105個/mm2。另外，h≥270nm、h＞540nm、h＞810nm和h＞1080nm的粗大突起的數目分別為45、16、3和1個/100cm2，而SRa2/SRa1為2.82，縱向和橫向楊氏拉伸模量分別為13.3GPa和17.9GPa。采用上述薄膜，像實施例1一樣制備磁帶。上述磁帶的特性為，輸出＝-0.6dB、耐久性＝○、耐熱變形性＝○、信號失落＝3.4個/分鐘，綜合評價為△。實施例5除了采用含有2％(重量)的平均粒徑為100nm、相對標準偏差為0.25、過濾性指數比值Q2/Q1＝0.90的球形二氧化硅的聚合物作為A層用聚合物之外，像實施例1一樣制得厚度為3.6μm的芳香族聚酰胺薄膜。在上述薄膜A面上，高20nm-50nm突起的數目為2.5×103個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為2.7×104個/mm2，高5nm-20nm突起的數目為2.0×103個/mm2。另外，h≥270nm、h＞540nm、h＞810nm和h＞1080nm的粗大突起的數目分別為15、3、0和0個/100cm2，而SRa2/SRa1為1.40，縱向和橫向楊氏拉伸模量分別為12.0GPa和16.7GPa。采用上述薄膜，像實施例1一樣制備磁帶。上述磁帶的特性為，輸出＝+0.4dB、耐久性＝○、耐熱變形性＝△、信號失落＝1.3個/分鐘，綜合評價為○。實施例6除了采用含有0.12％(重量)的平均粒徑為25nm、相對標準偏差為0.2、過濾性指數比值Q2/Q1＝0.67、用熱重分析產生10％減重的溫度為390℃的耐熱交聯聚苯乙烯微粒的聚合物作為A層用聚合物之外，像實施例1一樣制得厚度為3.6μm的芳香族聚酰胺薄膜。在上述薄膜A面上，高20nm-50nm突起的數目為2.4×104個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為3.5×103個/mm2，高5nm-20nm突起的數目為1.4×106個/mm2。另外，h≥270nm、h＞540nm、h＞810nm和h＞1080nm的粗大突起的數目分別為16、2、0和0個/100cm2，而SRa2/SRa1為1.13，縱向和橫向楊氏拉伸模量分別為12.0GPa和16.7GPa。采用上述薄膜，像實施例1一樣制備磁帶。上述磁帶的特性為，輸出＝+2.1dB、耐久性＝○、耐熱變形性＝◎、信號失落＝0.4個/分鐘，綜合評價為◎。實施例7像實施例1一樣配制聚合物，除了A層用聚合物溶液通過過濾精度為10000nm的過濾器之外，像實施例1一樣制膜，得厚度為3.6μm的芳香族聚酰胺薄膜。在上述薄膜A面上，高20nm-50nm突起的數目為2.3×105個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為1.7×104個/mm2，高5nm-20nm突起的數目為6.2×104個/mm2。另外，h≥270nm、h＞540nm、h＞810nm和h＞1080nm的粗大突起的數目分別為130、55、10和2個/100cm2，而SRa2/SRa1為1.52，縱向和橫向楊氏拉伸模量分別為12.0GPa和16.7GPa。采用上述薄膜，像實施例1一樣制備磁帶。上述磁帶的特性為，輸出＝-0.7dB、耐久性＝○、耐熱變形性＝△、信號失落＝2.7個/分鐘，綜合評價為△。實施例8(配制A層用聚合物)平均粒徑為50nm，粒徑分布的相對標準偏差為0.12的球形二氧化硅在NMP中經超聲波分散24小時后，慢慢加入溶解在NMP中的聚乙二醇(PEG)，使PEG的量為二氧化硅的10％(重量)，然后在110℃下攪拌2小時。該漿液用過濾精度為1.0μm、0.6μm和0.3μm的過濾器順次過濾。該微粒漿液的過濾性指數比值Q2/Q1為0.98。將如此得到的二氧化硅漿液添加到芳香族聚酰胺溶液中，使二氧化硅濃度為聚合物的0.3％(重量)，然后進行充分的攪拌，制得A層用聚合物溶液。B層用聚合物溶液采用像實施例1一樣的聚合物溶液，其他方面像實施例1一樣制膜，得厚度為3.6μm的芳香族聚酰胺薄膜。在上述薄膜A面上，高20nm-50nm突起的數目為0.8×104個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為0.1×104個/mm2，高5nm-20nm突起的數目為2.0×106個/mm2。另外，h≥270nm、h＞540nm、h＞810nm和h＞1080nm的粗大突起的數目分別為4、0、0和0個/100cm2，而SRa2/SRa1為1.12，縱向和橫向楊氏拉伸模量分別為12.0GPa和16.7GPa。采用上述薄膜，像實施例1一樣制備磁帶。上述磁帶的特性為，輸出＝+3.3dB、耐久性＝○、耐熱變形性＝◎、信號失落＝0.04個/分鐘，綜合評價為◎。實施例9(配制A層用聚合物)平均粒徑為80nm，粒徑分布的相對標準偏差為0.08的球形二氧化硅在NMP中經超聲波分散24小時后，慢慢加入溶解在NMP中的聚乙二醇(PEG)，使PEG的量為二氧化硅的10％(重量)，然后在110℃下攪拌2小時。該漿液用過濾精度為1.0μm、0.6μm和0.3μm的過濾器順次過濾。該漿液的過濾性指數比值Q2/Q1為0.97。(二氧化硅漿液①)另外，平均粒徑為30nm，粒徑分布的相對標準偏差為0.13的球形二氧化硅在NMP中經超聲波分散24小時后，慢慢加入溶解在NMP中的聚乙二醇(PEG)，使PEG的量為二氧化硅的10％(重量)，然后在110℃下攪拌2小時。該漿液用過濾精度為1.0μm、0.6μm和0.3μm的過濾器順次過濾。該漿液的過濾性指數比值Q2/Q1為0.94。(二氧化硅漿液②)將如此制得的二氧化硅漿液①和②添加到芳香族聚酰胺溶液中，使二氧化硅濃度分別為聚合物的0.03％(重量)和1.5％(重量)，然后進行充分的攪拌，制得A層用聚合物溶液。B層用聚合物溶液采用像實施例1一樣的聚合物溶液，其他方面像實施例1一樣制膜，得厚度為3.6μm的芳香族聚酰胺薄膜。在上述薄膜A面上，高20nm-50nm突起的數目為1.6×104個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為0.2×104個/mm2，高5nm-20nm突起的數目為1.2×107個/mm2。另外，h≥270nm、h＞540nm、h＞810nm和h＞1080nm的粗大突起的數目分別為6、0、0和0個/100cm2，而SRa2/SRa1為1.13，縱向和橫向楊氏拉伸模量分別為12.0GPa和16.7GPa。采用上述薄膜，像實施例1一樣制備磁帶。上述磁帶的特性為，輸出＝+3.1dB、耐久性＝○、耐熱變形性＝◎、信號失落＝0.1個/分鐘，綜合評價為◎。對比例1除了采用含有5％(重量)的平均粒徑為50nm和相對標準偏差為0.12的球形二氧化硅的聚合物作為A層用聚合物之外，像實施例1一樣制得厚度為3.6μm的芳香族聚酰胺薄膜。在上述薄膜A面上，高20nm-50nm突起的數目為1.2×106個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為6.0×104個/mm2，高5nm-20nm突起的數目為6.0×106個/mm2。另外，h≥270nm、h＞540nm、h＞810nm和h＞1080nm的粗大突起的數目分別為35、10、2和0個/100cm2，而SRa2/SRa1為1.51，縱向和橫向楊氏拉伸模量分別為12.0GPa和16.7GPa。采用上述薄膜，像實施例1一樣制備磁帶。上述磁帶的特性為，輸出＝-2.4dB、耐久性＝×、耐熱變形性＝△、信號失落＝5.1個/分鐘，綜合評價為×。對比例2除了采用含有0.003％(重量)的平均粒徑為16nm和相對標準偏差為0.15的球形二氧化硅的聚合物作為A層用聚合物之外，像實施例1一樣制得厚度為3.6μm的芳香族聚酰胺薄膜。在上述薄膜A面上，高20nm-50nm突起的數目為7.0×102個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為8.0×102個/mm2，高5nm-20nm突起的數目為1.5×103個/mm2。另外，h≥270nm、h＞540nm、h＞810nm和h＞1080nm的粗大突起的數目分別為7、2、0和0個/100cm2，而SRa2/SRa1為1.07，縱向和橫向楊氏拉伸模量分別為12.0GPa和16.7GPa。采用上述薄膜，像實施例1一樣制備磁帶。上述磁帶的特性為，輸出＝+2.9dB、耐久性＝×、耐熱變形性＝×、信號失落＝0.3個/分鐘，綜合評價為×。對比例3除了采用含有1.0％(重量)的平均粒徑為120nm、相對標準偏差為1.10、過濾性指數比值Q2/Q1＝0.26的球形二氧化硅的聚合物作為A層用聚合物之外，像實施例1一樣制得厚度為3.6μm的芳香族聚酰胺薄膜。在上述薄膜A面上，高20nm-50nm突起的數目為4.7×103個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為4.2×104個/mm2，高5nm-20nm突起的數目為7.5×104個/mm2。另外，h≥270nm、h＞540nm、h＞810nm和h＞1080nm的粗大突起的數目分別為28、2、0和0個/100cm2，而SRa2/SRa1為1.18，縱向和橫向楊氏拉伸模量分別為12.0GPa和16.7GPa。采用上述薄膜，像實施例1一樣制備磁帶。上述磁帶的特性為，輸出＝-1.3dB、耐久性＝×、耐熱變形性＝△、信號失落＝3.7個/分鐘，綜合評價為×。表1</tables>表2</tables>表3權利要求1.一種芳香族聚酰胺薄膜，其特征在于，在該薄膜的至少一面，高20nm-50nm突起的數目為103-108個/mm2，高50nm-100nm突起的數目為0-3×104個/mm2。2.權利要求1的芳香族聚酰胺薄膜，其特征在于，在上述表面上高5nm-20nm突起的數目至少為5×103個/mm2。3.權利要求1或2的芳香族聚酰胺薄膜，其特征在于，在上述表面上高h(nm)的粗大突起的數目(A；個/100cm2)滿足下式h≥270A＜100h＞540A＜70h＞810A＜15h＞1080A＜54.權利要求1、2、或3的芳香族聚酰胺薄膜，其特征在于，在上述表面的0.002mm2測定面積上的三維表面糙度SRa1和1.0mm2測定面積上的三維表面糙度SRa2滿足下式0.8≤SRa2/SRa1≤2.55.權利要求1、2、3或4的芳香族聚酰胺薄膜，其特征在于，該薄膜包含至少兩層，A層和B層。6.權利要求1、2、3、4或5的芳香族聚酰胺薄膜，其特征在于，至少一個方向的楊氏拉伸模量為9.8GPa。7.一種制備芳香族聚酰胺薄膜的方法，其特征在于，將粒徑10-300nm的微粒分散于10泊以下的液體介質中形成的含微粒漿液加入到芳香族聚酰胺溶液中，使該微粒的添加量為芳香族聚酰胺的0.005-4.5％(重量)，在從這樣所得溶液中制備芳香族聚酰胺薄膜的方法中，所述微粒粒徑的相對標準偏差在0.8以下，此外，所用含微粒漿液的初始過濾性指數Q1和通過500ml液體后的過濾性指數Q2滿足下式Q2/Q1≥0.38.權利要求7的制備芳香族聚酰胺薄膜的方法，其特征在于，權利要求7中所述微粒包含無機材料，和所述微粒由有機聚合物進行表面處理。9.一種磁記錄媒體，它通過在權利要求1、2、3、4、5或6的芳香族聚酰胺薄膜的至少一面設置磁層而形成。10.權利要求9的磁記錄媒體，其特征為，該磁記錄媒體是厚度為6.5μm以下，寬度為2.3-9.0mm，長度為至少100m/卷，作為磁記錄媒體的記錄密度為至少8千字節(jié)/mm2的磁帶。全文摘要本發(fā)明涉及芳香族聚酰胺薄膜,其特征在于,在該薄膜的至少一面,高20nm—50nm突起的數目為10文檔編號B29D7/01GK1195316SQ97190689公開日1998年10月7日申請日期1997年4月17日優(yōu)先權日1996年4月19日發(fā)明者佃明光,堀內光弘,筑木稔博申請人:東麗株式會社