本發(fā)明涉及注塑熱流道技術領域，具體的說是涉及一種全封閉、高效散熱的精密熱流道溫控箱及其控制系統(tǒng)。

背景技術：

現(xiàn)有的熱流道溫控箱有以下不足之處：

1.體積大；

2.帶風葉直接與箱體內(nèi)導通，灰塵易進入箱體內(nèi)，且散熱不好；

3.控溫不穩(wěn)定（易受環(huán)境溫度影響而溫度漂移及偏差）；

4.scr易發(fā)熱燒壞及其信號的轉(zhuǎn)換（模擬信號轉(zhuǎn)數(shù)字信號）導致溫度不精確不真實直觀；

5.溫度偏差及偏移大；

6.風扇直接與箱體內(nèi)導通會導致粉塵進入箱體內(nèi)電子元件等上面造成整個系統(tǒng)的元件加快老化壽命縮短；

7.現(xiàn)有熱流道溫控（卡）箱線路復雜電子元件繁多成本較高。

技術實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術中的不足，本發(fā)明要解決的技術問題在于提供了一種全封閉、高效散熱的精密熱流道溫控箱及其控制系統(tǒng)。

為解決上述技術問題，本發(fā)明通過以下方案來實現(xiàn)：一種全封閉、高效散熱的精密熱流道溫控箱，該溫控箱包括外殼體、設于外殼體內(nèi)的內(nèi)殼體，所述外殼體為方形或多邊形體狀，其前后端面為開孔，在其前端面封蓋有觸控顯示屏或鏡片，觸控顯示屏或鏡片將外殼體前端面封閉；

所述內(nèi)殼體包括前安裝架、后安裝架及設置于前安裝架和后安裝架之間的方形或多邊形盒體，所述前安裝架上端向內(nèi)垂直翻折，其前端面安裝觸控pcba板，所述后安裝架四邊全部向內(nèi)垂直翻折，其翻折邊板上設置有若干螺絲孔，翻折邊板與外殼體開口面持平，形成外殼體的后封板，方形或多邊形體狀盒體內(nèi)的型腔中，設置有一組或多組緊貼半導體可控硅制冷加熱恒溫裝置或ssr固態(tài)繼電器組件，所述可控硅制冷加熱恒溫裝置通過散熱器向箱體外散熱，所述ssr固態(tài)繼電器組件不需要制冷，直接通過散熱器向外部散熱；其中散熱的方式還有通過方形或多邊形體狀盒體的外殼向箱體外散熱；

所述半導體可控硅制冷加熱恒溫裝置包括安裝架、制冷片、可控硅元件、散熱器，所述安裝架外端設有一孔口，在各孔口上安裝散熱器，散熱器通過螺絲固定在安裝架孔口處，且散熱器將孔口封閉，使整個溫控箱背面形成封閉面；

所述制冷片的熱面與散熱器的內(nèi)側(cè)面貼合連接或制冷片貼合外殼散熱，所述可控硅元件與制冷片的冷面貼合連接。

進一步的，所述外殼體右側(cè)面設置有航空插口孔，其左側(cè)面設置有pg接頭孔，航空插口孔處設置有航空插口，pg接頭孔處設置有pg接頭，所述航空插口、pg接頭安裝于內(nèi)殼體上。

進一步的，所述內(nèi)殼體留有一段腔室用于安裝接線模塊，所述接線模塊上設置有空氣開關，所述空氣開關設置有內(nèi)殼體外側(cè)面。

進一步的，所述安裝架上安裝有pcba控制板，該pcba控制板與其所在同腔內(nèi)的半導體可控硅制冷加熱恒溫裝置電性連接，用于控制半導體可控硅制冷加熱恒溫裝置制冷或加熱恒溫，所述pcba控制板與接線模塊電性連接，所述pcba控制板設有溫控模塊和顯示模塊。

進一步的，所述散熱器至少包括鋁散熱器或銅散熱器。

一種精密熱流道溫控箱控制系統(tǒng)，該控制系統(tǒng)連接有觸控顯示屏和半導體可控硅制冷加熱恒溫裝置。

進一步的，所述觸控顯示屏至少設置有溫度顯示模塊，用于顯示溫控箱內(nèi)當前的溫度值。

進一步的，：所述控制系統(tǒng)為全數(shù)字信號ssr控制系統(tǒng)。

相對于現(xiàn)有技術，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明精密熱流道溫控箱采用全封閉式結構，不再使用傳統(tǒng)的風葉直接與箱體內(nèi)導通散熱，可以防止灰塵進入溫控箱，進而防止灰塵給電子元件帶來損壞及加速老化。

在溫控箱內(nèi)設置有半導體可控硅制冷加熱恒溫裝置，可以有效的將溫控箱內(nèi)的溫度控制在需要的范圍內(nèi)，本發(fā)明溫控箱運行穩(wěn)定，制造成本較低，比傳統(tǒng)的溫控箱體積要小很多，不占據(jù)注塑機旁邊的空間。

由于全封閉式溫控箱，不會進入灰塵，進而延長了電子元器件的使用壽命。

附圖說明

圖1為本發(fā)明外觀前側(cè)面立體圖；

圖2為本發(fā)明內(nèi)殼體及安裝架結構示意圖；

圖3為本發(fā)明溫控箱右側(cè)面示意圖；

圖4為本發(fā)明溫控箱后側(cè)面示意圖；

圖5為本發(fā)明內(nèi)殼體內(nèi)部結構示意圖；

圖6為本發(fā)明半導體可控硅制冷加熱恒溫裝置示意圖；

圖7為本發(fā)明半導體可控硅制冷加熱恒溫裝置立體圖；

圖8為本發(fā)明的溫控制箱控制系統(tǒng)電路原理框圖。

圖9為本發(fā)明的溫控箱控制系統(tǒng)電路圖；

圖10為本發(fā)明航空插頭輸出端電路圖；

圖11為圖9的a部放大圖；

圖12為圖9的b部放大圖；

圖13為圖9的c部放大圖；

圖14為圖9的d部放大圖；

圖15為圖9的e部放大圖；

圖16為圖9的f部放大圖；

圖17為圖9的g部放大圖；

圖18為圖9的h部放大圖；

圖19為圖9的i部放大圖；

圖20為圖9的j部放大圖；

圖21為圖9的k部放大圖；

圖22為圖9的l部放大圖；

圖23為圖10的m部放大圖；

圖24為圖10的n部放大圖；

圖25為圖10的o部放大圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。

請參照附圖1-7，本發(fā)明的一種全封閉、高效散熱的精密熱流道溫控箱，該溫控箱包括外殼體101、設于外殼體內(nèi)的內(nèi)殼體112，所述外殼體101為方形或多邊形體狀，其前后端面為開孔，在其前端面封蓋有觸控顯示屏或鏡片，觸控顯示屏或鏡片將外殼體前端面封閉；

所述內(nèi)殼體112包括前安裝架、后安裝架及設置于前安裝架和后安裝架之間的方形或多邊形盒體，所述前安裝架上端向內(nèi)垂直翻折，其前端面安裝觸控pcba板，所述后安裝架四邊全部向內(nèi)垂直翻折，其翻折邊板上設置有若干螺絲孔，翻折邊板與外殼體101開口面持平，形成外殼體的后封板，方形或多邊形體狀盒體內(nèi)的型腔中，設置有一組或多組緊貼半導體可控硅制冷加熱恒溫裝置109或ssr固態(tài)繼電器組件，所述可控硅制冷加熱恒溫裝置109通過散熱器106向箱體外散熱，所述ssr固態(tài)繼電器組件不需要制冷，直接通過散熱器106向外部散熱；其中散熱的方式還有通過方形或多邊形體狀盒體的外殼向箱體外散熱；

所述半導體可控硅制冷加熱恒溫裝置109包括安裝架114、制冷片111、可控硅元件110、散熱器106，所述安裝架114外端設有一孔口，在各孔口上安裝散熱器106，散熱器106通過螺絲固定在安裝架114孔口處，且散熱器106將孔口封閉，使整個溫控箱背面形成封閉面；

所述制冷片111的熱面與散熱器106的內(nèi)側(cè)面貼合連接或制冷片貼合外殼散熱，所述可控硅元件110與制冷片111的冷面貼合連接。

所述外殼體101右側(cè)面設置有航空插口孔，其左側(cè)面設置有pg接頭孔，航空插口孔處設置有航空插口108，pg接頭孔處設置有pg接頭105，所述航空插口108、pg接頭105安裝于內(nèi)殼體112上。

所述內(nèi)殼體112留有一段腔室用于安裝接線模塊113，所述接線模塊113上設置有空氣開關107，所述空氣開關107設置有內(nèi)殼體112外側(cè)面。

所述安裝架114上安裝有pcba控制板，該pcba控制板與其所在同腔內(nèi)的半導體可控硅制冷加熱恒溫裝置109電性連接，用于控制半導體可控硅制冷加熱恒溫裝置109制冷或加熱恒溫，所述pcba控制板與接線模塊113電性連接，所述pcba控制板設有溫控模塊和顯示模塊。

所述散熱器106至少包括鋁散熱器或銅散熱器。

本發(fā)明的一種精密熱流道溫控箱控制系統(tǒng)，該控制系統(tǒng)連接有觸控顯示屏和半導體可控硅制冷加熱恒溫裝置109。

所述觸控顯示屏至少設置有溫度顯示模塊，用于顯示溫控箱內(nèi)當前的溫度值。

所述控制系統(tǒng)為全數(shù)字信號ssr控制系統(tǒng)。

本發(fā)明精密熱流道溫控箱采用全封閉式結構，不再使用傳統(tǒng)的風葉風扇直接與箱體內(nèi)導通散熱，可以防止灰塵進入溫控箱，進而防止灰塵給電子元件帶來損壞。

在溫控箱內(nèi)設置有半導體可控硅制冷加熱恒溫裝置，可以有效的將溫控箱內(nèi)的溫度控制在需要的范圍內(nèi)，本發(fā)明溫控箱運行穩(wěn)定精準，制造成本較低，比傳統(tǒng)的溫控箱體積要小很多，不占據(jù)注塑機旁邊的空間。

由于全封閉式溫控箱，不會進入灰塵，進而延長了電子元器件的使用壽命。

如圖8-25所示，本發(fā)明的溫控箱的控制系統(tǒng)電路圖，包括控制電路，該控制電路包括cpu主電路及與cpu主電路電性連接的操作回路電路、表示回路電路、輸出回路電路、溫度測定電路，所述溫度測定電路的輸出端電性連接制冷片，所述制冷片還電性連接輸出回路電路。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。