技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及高儲能密度電容器用氧化鋁基電介質(zhì)薄膜及其制備方法，其化學(xué)組成成分為Al2Bi2?xSiyOz，其中：x＝0.005～0.1,y＝0.02，采用溶膠凝膠法制備得到氧化鋁基電介質(zhì)薄膜。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明制備得到的氧化鋁基電介質(zhì)薄膜耐壓在80～200V之間可調(diào)控，擊穿之前漏導(dǎo)低于1μA，同時介電常數(shù)高于傳統(tǒng)氧化鋁薄膜，可用于各種高儲能密度及高壓電容器。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明制備工藝簡單，薄膜致密均勻，介電性能優(yōu)良。

技術(shù)研發(fā)人員：姚曼文;蘇振;李菲;彭勇;陳建文;姚熹
受保護(hù)的技術(shù)使用者：同濟(jì)大學(xué)
文檔號碼：201710034897
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.17
技術(shù)公布日：2017.06.23