薄膜的制造設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種薄膜的制造設(shè)備，其能夠以良好的成品率制造對(duì)熱的尺寸穩(wěn)定性優(yōu)異的薄膜。其是進(jìn)行薄膜的應(yīng)力衰減處理的薄膜的制造設(shè)備，使用從氣體噴射孔對(duì)薄膜噴出加熱氣體來(lái)以非接觸狀態(tài)輸送薄膜的浮置輸送裝置（1），在以非接觸狀態(tài)輸送薄膜的同時(shí)進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。尤其適合于對(duì)聚酰亞胺薄膜的前驅(qū)體進(jìn)行加熱處理而得到的聚酰亞胺薄膜的應(yīng)力衰減處理。
【專利說(shuō)明】薄膜的制造設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種進(jìn)行薄膜的應(yīng)力衰減(応力緩和)處理的薄膜的制造設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]聚酰亞胺薄膜具有高耐熱性、高電絕緣性，滿足使用上所需的剛性、耐熱性或電絕緣性。因此，廣泛用于電絕緣薄膜、隔熱薄膜、柔性電路板的基膜、太陽(yáng)能電池基板等工業(yè)領(lǐng)域。
[0003]聚酰亞胺薄膜通過(guò)下述方法制造:將含有聚酰胺酸等的聚酰亞胺前驅(qū)體溶液流延到支持體上并干燥，形成自支撐膜，對(duì)自支撐膜進(jìn)行加熱處理而制造。
[0004]此外，由于在加熱處理后的聚酰亞胺薄膜上殘留應(yīng)力，因此進(jìn)行應(yīng)力衰減處理(退火處理)來(lái)緩和殘余應(yīng)力，進(jìn)行謀求提高對(duì)熱的尺寸穩(wěn)定性。
[0005]例如，專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了如下內(nèi)容:在實(shí)際上無(wú)張力下，將聚酰亞胺薄膜以150°C以上且420°C以下加熱I秒以上且60小時(shí)以內(nèi)后，進(jìn)行冷卻處理直至室溫，從而制造改進(jìn)了加熱收縮性的聚酰亞胺薄膜。
[0006]此外，專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了如下內(nèi)容:對(duì)聚酰亞胺薄膜在薄膜的長(zhǎng)度方向上施加I?10kg/m的張力，同時(shí)利用熱風(fēng)連續(xù)性地實(shí)施加熱處理后，實(shí)施冷卻處理，從而制造低收縮性聚酰亞胺薄膜。
[0007]此外，專利文獻(xiàn)3中公開(kāi)了如下內(nèi)容:對(duì)聚酰亞胺薄膜將薄膜的長(zhǎng)度方向上的張力保持在lkg/m以上且10kg/m以下，并照射遠(yuǎn)紅外線以短時(shí)間進(jìn)行加熱處理后，實(shí)施冷卻處理，從而制造低收縮性聚酰亞胺薄膜。
[0008]此外，并不限于聚酰亞胺薄膜，為了緩和殘余應(yīng)力，謀求提高對(duì)熱的尺寸穩(wěn)定性，在各種薄膜上進(jìn)行薄膜的應(yīng)力衰減處理。
[0009]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)
[0011]專利文獻(xiàn)1:日本專利公告平成5-87377號(hào)公報(bào)
[0012]專利文獻(xiàn)2:日本專利公開(kāi)2000-72900號(hào)公報(bào)
[0013]專利文獻(xiàn)3:日本專利公開(kāi)2000-72901號(hào)公報(bào)
實(shí)用新型內(nèi)容
[0014](一)要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0015]在應(yīng)力衰減處理中，聚酰亞胺薄膜有時(shí)處于暴露在高于聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(以下將玻璃化轉(zhuǎn)變溫度標(biāo)記為T(mén)g)的溫度下而軟化的狀態(tài)。因此，聚酰亞胺薄膜在應(yīng)力衰減裝置內(nèi)輸送時(shí)，表面容易產(chǎn)生傷痕等。如果在聚酰亞胺薄膜上產(chǎn)生傷痕等，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品不良，因此成品率降低。
[0016]因此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種薄膜的制造設(shè)備，其能夠以良好的成品率制造對(duì)熱的尺寸穩(wěn)定性優(yōu)異的薄膜。[0017](二)技術(shù)方案
[0018]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的薄膜的制造設(shè)備的特征在于，具有對(duì)薄膜進(jìn)行應(yīng)力衰減處理的應(yīng)力衰減裝置，所述應(yīng)力衰減裝置具備浮置輸送裝置，該浮置輸送裝置從氣體噴射孔對(duì)薄膜噴出加熱氣體，以非接觸狀態(tài)對(duì)薄膜進(jìn)行加熱并輸送，所述浮置輸送裝置構(gòu)成為:具備多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器，所述多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器具有設(shè)置有氣體噴射孔的凸曲面狀的薄膜輸送面，所述薄膜輸送導(dǎo)向器的凸曲面交替地在相反方向上排列，從所述氣體噴射孔對(duì)薄膜噴出加熱氣體，使薄膜交替地在相反方向上彎曲，以非接觸狀態(tài)輸送。
[0019]根據(jù)上述實(shí)用新型，通過(guò)使用具備多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的浮置輸送裝置，所述多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器具有設(shè)置有氣體噴射孔的凸曲面狀的薄膜輸送面，將薄膜在非接觸下進(jìn)行輸送，由此即使被加熱氣體加熱而使薄膜軟化，也能夠不產(chǎn)生傷痕等地進(jìn)行輸送。
[0020]此外，如果薄膜軟化，薄膜的剛性下降，變得容易產(chǎn)生折皺，但在上述實(shí)用新型中，通過(guò)使薄膜交替地在相反方向上彎曲，以非接觸狀態(tài)輸送，同時(shí)對(duì)薄膜加熱，由于通過(guò)使其彎曲，基于形狀的剛性增大，因此能夠抑制折皺的產(chǎn)生。
[0021]優(yōu)選地，在本實(shí)用新型的薄膜的制造設(shè)備中，所述浮置輸送裝置構(gòu)成為:還具備壓薄膜裝置，該壓薄膜裝置與所述薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面相對(duì)，具有在與該薄膜輸送面之間以規(guī)定間隙配置的凹曲面，并在該凹曲面上設(shè)置有氣體噴射孔，利用從所述薄膜輸送導(dǎo)向器的氣體噴射孔噴出的加熱氣體和從所述壓薄膜裝置的氣體噴射孔噴出的加熱氣體，對(duì)薄膜的兩面噴吹加熱氣體來(lái)進(jìn)行浮置輸送。
[0022]根據(jù)上述方式，通過(guò)利用從薄膜輸送導(dǎo)向器的氣體噴射孔噴出的加熱氣體和從壓薄膜裝置的氣體噴射孔噴出的加熱氣體對(duì)薄膜的兩面噴吹加熱氣體而進(jìn)行浮置輸送，能夠更加良好地維持薄膜的平坦度，同時(shí)能夠迅速且均勻地對(duì)薄膜進(jìn)行加熱。
[0023]優(yōu)選地，在本實(shí)用新型的薄膜的制造設(shè)備中，所述多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器構(gòu)成為:能夠?qū)臍怏w噴射孔噴出的氣體的溫度進(jìn)行單獨(dú)設(shè)定。
[0024]根據(jù)上述方式，通過(guò)改變從多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的氣體噴射孔噴出的加熱氣體的溫度，能夠根據(jù)所期望的溫度曲線進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。
[0025]本實(shí)用新型的薄膜的制造設(shè)備尤其適合對(duì)將聚酰亞胺薄膜的前驅(qū)體進(jìn)行加熱處理而得到的聚酰亞胺薄膜進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。
[0026]優(yōu)選地，在本實(shí)用新型的薄膜的制造設(shè)備中，將由所述薄膜輸送導(dǎo)向器形成的所述薄膜的輸送路徑上的一個(gè)彎曲部至下一個(gè)彎曲部的直線部的長(zhǎng)度設(shè)定為50mm以下。
[0027]根據(jù)上述方式，通過(guò)將剛性容易下降的直線部的長(zhǎng)度設(shè)為50mm以下，能夠抑制由于薄膜的剛性下降而導(dǎo)致的折皺的產(chǎn)生。
[0028]優(yōu)選地，在本實(shí)用新型的薄膜的制造設(shè)備中，將所述薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面的曲率半徑設(shè)為15mm以上且250mm以下。
[0029]根據(jù)上述方式，通過(guò)使薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面的曲率半徑為15mm以上且250mm以下，由于薄膜的輸送路徑上的彎曲部的曲率半徑也為與其對(duì)應(yīng)的長(zhǎng)度(僅比薄膜輸送面大浮置部分的曲率半徑)，因此即使被加熱氣體加熱而使薄膜軟化，通過(guò)以上述曲率半徑使其彎曲，基于形狀的剛性進(jìn)一步增大，因此能夠更加有效地抑制折皺的產(chǎn)生。
[0030]優(yōu)選地，在本實(shí)用新型的薄膜的制造設(shè)備中，將由所述薄膜輸送導(dǎo)向器形成的所述薄膜的輸送路徑上的沿一個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面彎曲的角度設(shè)定為90? 270。。
[0031]根據(jù)上述方式，通過(guò)將沿一個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面彎曲的角度設(shè)為90?270°，進(jìn)一步提高彎曲部的剛性，能夠更加有效地抑制折皺的產(chǎn)生。
[0032]優(yōu)選地，在本實(shí)用新型的薄膜的制造設(shè)備中，形成如下結(jié)構(gòu):所述薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面由多孔質(zhì)材料形成，通過(guò)該多孔質(zhì)材料噴出加熱氣體。
[0033]根據(jù)上述方式，由于能夠?qū)Ρ∧ご笾戮鹊貒姶导訜釟怏w來(lái)進(jìn)行應(yīng)力衰減處理，因此不易發(fā)生壓力不均或加熱不均等，能夠高效地緩和殘余應(yīng)力。進(jìn)而，能夠抑制在薄膜表面上產(chǎn)生折皺或凹凸等，能夠高效地制造平坦度良好的薄膜。
[0034]優(yōu)選地，在本實(shí)用新型的薄膜的制造設(shè)備中，在配置有所述浮置輸送裝置的區(qū)域配置紅外線加熱器，所述紅外線加熱器對(duì)在所述浮置輸送裝置上以非接觸狀態(tài)輸送的薄膜進(jìn)行加熱。
[0035](三)有益效果
[0036]根據(jù)本實(shí)用新型，由于能夠使用具備多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的浮置輸送裝置，所述多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器具有設(shè)置有氣體噴射孔的凸曲面狀的薄膜輸送面，將薄膜在非接觸下進(jìn)行輸送，因此即使被加熱氣體加熱而使薄膜軟化，也能夠不產(chǎn)生傷痕等地進(jìn)行輸送。此夕卜，通過(guò)使薄膜交替地在相反方向上彎曲而輸送，由于基于形狀的剛性增大，因此即使薄膜軟化，也能夠抑制折皺的產(chǎn)生。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0037]圖1是本實(shí)用新型的第一實(shí)施方式的聚酰亞胺薄膜的制造設(shè)備中使用的應(yīng)力衰減裝置的示意圖。
[0038]圖2是本實(shí)用新型的第二實(shí)施方式的聚酰亞胺薄膜的制造設(shè)備中使用的應(yīng)力衰減裝置的示意圖。
[0039]圖3是表不薄膜輸送導(dǎo)向器的一個(gè)實(shí)施方式的不意圖，Ca)是立體圖，(b)是(a)的A-A剖面圖。
[0040]圖4是表示圖3的薄膜輸送導(dǎo)向器的變形例的示意圖。
[0041]圖5是表示圖3的薄膜輸送導(dǎo)向器的變形例的示意圖。
[0042]圖6是表示薄膜輸送導(dǎo)向器的其他實(shí)施方式的示意圖，Ca)是立體圖，(b)是平面圖。
[0043]圖7是表示薄膜輸送導(dǎo)向器的其他實(shí)施方式的示意圖，Ca)是立體圖，(b)是平面圖。
[0044]圖8是表示相對(duì)薄膜輸送導(dǎo)向器的聚酰亞胺薄膜的彎曲形狀的一例的說(shuō)明圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0045]本實(shí)用新型的薄膜的制造設(shè)備是用于進(jìn)行薄膜的應(yīng)力衰減處理的設(shè)備。尤其適合用于對(duì)聚酰亞胺薄膜的前驅(qū)體進(jìn)行加熱處理而得到聚酰亞胺薄膜后，進(jìn)行緩和聚酰亞胺薄膜上殘留的應(yīng)力的應(yīng)力衰減處理。本實(shí)用新型的特征為使用浮置輸送裝置進(jìn)行應(yīng)力衰減處理，所述浮置輸送裝置從氣體噴射孔對(duì)薄膜噴出加熱氣體，以非接觸狀態(tài)輸送薄膜。下面，列舉將本實(shí)用新型適用于聚酰亞胺薄膜的制造設(shè)備的例子，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。[0046](對(duì)聚酰亞胺薄膜的前驅(qū)體進(jìn)行加熱處理來(lái)得到聚酰亞胺薄膜的工序)
[0047]首先，對(duì)應(yīng)力衰減處理前為止的工序進(jìn)行說(shuō)明。
[0048]將含有聚酰胺酸和有機(jī)溶劑的聚酰亞胺前驅(qū)體溶液流延到支持體上來(lái)形成流延物。所述流延物相當(dāng)于本實(shí)用新型中的聚酰亞胺薄膜的前驅(qū)體。
[0049]聚酰胺酸可以利用公知的方法使四羧酸二酐成分與二胺成分反應(yīng)來(lái)制備。例如，可以在通常用于制備聚酰亞胺的有機(jī)溶劑中使四羧酸二酐成分與二胺成分聚合來(lái)制備。
[0050]作為上述四羧酸二酐成分，可以列舉芳香族四羧酸二酐、脂肪族四羧酸二酐、脂環(huán)族四羧酸二酐等。作為具體例可以列舉:3，3’，4，4’ -聯(lián)苯四羧酸二酐、均苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’ -氧雙鄰苯二甲酸酐、二苯砜_3，4，3’，4’ -四羧酸二酐、雙(3，4- 二羧基苯基)硫醚二酐、2，2-雙(3，4- 二羧基苯基)-1, I, I, 3, 3, 3-六氟丙燒二酐等。
[0051]作為上述二胺成分，可以列舉芳香族二胺，脂肪族二胺，脂環(huán)族二胺等。作為具體例可以列舉:對(duì)苯二胺、4，4’ - 二氨基二苯醚、3，4’ - 二氨基二苯醚、間聯(lián)甲苯胺、對(duì)聯(lián)甲苯胺、5-氨基-2-(對(duì)氨基苯基)苯并惡唑、4，4’ - 二氨基苯酰替苯胺、1，3-雙(4-氨基苯氧基)苯、1，4_雙(3-氨基苯氧基)苯、1，4_雙(4-氨基苯氧基)苯、3，3’ -雙(3-氨基苯氧基)聯(lián)苯、3，3’ -雙(4-氨基苯氧基)聯(lián)苯、4，4’ -雙(3-氨基苯氧基)聯(lián)苯、4，4’ -雙(4-氨基苯氧基)聯(lián)苯、雙[3-(3-氨基苯氧基)苯基]醚、雙[3-(4-氨基苯氧基)苯基]醚、雙[4-(3-氨基苯氧基)苯基]醚、雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]醚、2，2-雙[3-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-雙[3-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-雙[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷等。
[0052]作為四羧酸二酐成分與二胺成分的組合的一例，可以列舉以下(I)?(6)。從機(jī)械特性、耐熱性的觀點(diǎn)考慮優(yōu)選這些組合。
[0053](I) 3，3’，4，4’ -聯(lián)苯四羧酸二酐與對(duì)苯二胺的組合。
[0054](2) 3，3’，4，4’ -聯(lián)苯四羧酸二酐、對(duì)苯二胺與4，4’ - 二氨基二苯醚的組合。
[0055](3)均苯四甲酸二酐與對(duì)苯二胺的組合。
[0056](4)均苯四甲酸二酐、對(duì)苯二胺與4，4’ - 二氨基二苯醚的組合。
[0057](5) 3，3’，4，4’ -聯(lián)苯四羧酸二酐、均苯四甲酸二酐與對(duì)苯二胺的組合。
[0058](6) 3，3’，4，4’ -聯(lián)苯四羧酸二酐、均苯四甲酸二酐、對(duì)苯二胺與4，4’ - 二氨基二苯醚的組合。
[0059]作為上述有機(jī)溶劑，只要能夠溶解聚酰胺酸即可。可以使用公知的有機(jī)溶劑。例如，N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二乙基乙酰胺等。這些溶劑可以單獨(dú)使用，也可以同時(shí)使用兩種以上。
[0060]在通過(guò)熱酰亞胺化反應(yīng)完成聚酰亞胺前驅(qū)體溶液酰亞胺化的情況下，可以在聚酰亞胺前驅(qū)體溶液中，根據(jù)需要添加酰亞胺化催化劑等。此外，在通過(guò)化學(xué)酰亞胺化反應(yīng)完成聚酰亞胺前驅(qū)體溶液酰亞胺化的情況下，可以在聚酰亞胺前驅(qū)體溶液中，根據(jù)需要添加環(huán)化催化劑、脫水劑等。
[0061]作為上述酰亞胺化催化劑，可以列舉取代或非取代的含氮雜環(huán)化合物、該含氮雜環(huán)化合物的N-氧化物化合物、取代或非取代的氨基酸化合物、具有羥基的芳香族烴化合物或芳香族雜環(huán)化合物。
[0062]作為上述環(huán)化催化劑，可以列舉脂肪族叔胺、芳香族叔胺、雜環(huán)叔胺等。作為環(huán)化催化劑的具體例，可以列舉三甲胺、三乙胺、二甲基苯胺、吡啶、β-甲基吡啶、異喹啉、喹啉
坐寸O
[0063]作為上述脫水劑，可以列舉脂肪族羧酸酐、芳香族羧酸酐等。作為脫水劑的具體例，可以列舉乙酸酐、丙酸酐、丁酸酐、甲酸酐、琥珀酸酐、馬來(lái)酸酐、鄰苯二甲酸酐、苯甲酸酐、吡啶甲酸酐等。
[0064]聚酰亞胺前驅(qū)體溶液的固體成分濃度(聚合物成分)只要是適合通過(guò)流延制造薄膜的粘度范圍的濃度即可，并無(wú)特別限定。優(yōu)選為10?30質(zhì)量％，更加優(yōu)選為15?27質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為16?24質(zhì)量％。
[0065]接著，將上述流延物導(dǎo)入干燥爐進(jìn)行干燥，形成具有自支撐性的自支撐膜(聚酰亞胺薄膜的前驅(qū)體)。在此，具有自支撐性是指具有能夠從支持體剝離的程度的強(qiáng)度的狀態(tài)。
[0066]用于形成自支撐膜的干燥條件(加熱條件)并無(wú)特別限定。優(yōu)選在溫度100?180°C下，加熱2?60分鐘。更加優(yōu)選在溫度120?160°C下，加熱4?30分鐘。另外，這里所說(shuō)的溫度是指通過(guò)設(shè)置在爐內(nèi)的熱電偶測(cè)定的氣氛溫度。
[0067]接著，將自支撐膜從支持體剝離進(jìn)行固化工序。作為自支撐膜從支持體剝離的方法并無(wú)特別限定，可以列舉冷卻自支撐膜，通過(guò)滾子給予張力來(lái)剝離的方法等。
[0068]在固化工序中，將自支撐膜導(dǎo)入固化爐進(jìn)行加熱處理，完成溶劑去除和酰亞胺化，使其加熱固化，得到聚酰亞胺薄膜。固化爐相當(dāng)于本實(shí)用新型的聚酰亞胺薄膜的制造設(shè)備中的“對(duì)聚酰亞胺薄膜的前驅(qū)體進(jìn)行加熱處理的加熱裝置”。
[0069]作為自支撐膜的加熱方法，能夠使用公知的方法。作為加熱方法的一例，如下方法適合:在約100?400°C的溫度下，以約0.05?5小時(shí)、優(yōu)選為0.1?3小時(shí)逐漸加熱，進(jìn)行酰亞胺化及溶劑的蒸發(fā)、去除。自支撐膜的加熱也可以階段性地進(jìn)行。作為一例，可以列舉如下方法:在約100?170°C的比較低的溫度下加熱約0.5?30分鐘，進(jìn)行第一次加熱處理，然后在170°C?220°C的溫度下加熱約0.5?30分鐘，進(jìn)行第二次加熱處理，之后在220°C?400°C的溫度下加熱約0.5?30分鐘，進(jìn)行第三次加熱處理。如果必要，也可以在第三次加熱處理后，在400°C?550°C、優(yōu)選為450?520°C下加熱，進(jìn)行第四次加熱處理。另外，這里所說(shuō)的溫度是指通過(guò)貼在薄膜上的熱電偶測(cè)定的薄膜的表面溫度。
[0070]在固化工序中，優(yōu)選在利用針板拉幅機(jī)、夾子、框架等夾具夾持自支撐膜的同時(shí)進(jìn)行。能夠抑制伴隨加熱固化發(fā)生的薄膜的收縮，防止在薄膜表面上產(chǎn)生凹凸等。更加優(yōu)選地，在利用夾具將與長(zhǎng)形的自支撐膜的長(zhǎng)度方向呈直角的方向固定，即將薄膜的寬度方向的兩端邊緣固定的同時(shí)進(jìn)行。此外，根據(jù)需要，也可以在自支撐膜的寬度方向或長(zhǎng)度方向上縮放而加熱，進(jìn)行固化工序。
[0071](應(yīng)力衰減(退火)處理)
[0072]在本實(shí)用新型中，如上所述地對(duì)聚酰亞胺薄膜的前驅(qū)體進(jìn)行加熱處理而得到聚酰亞胺薄膜，對(duì)該聚酰亞胺薄膜使用具備浮置輸送裝置的應(yīng)力衰減裝置進(jìn)行應(yīng)力衰減處理，所述浮置輸送裝置從氣體噴射孔對(duì)聚酰亞胺薄膜噴出加熱氣體，以非接觸狀態(tài)輸送聚酰亞胺薄膜。應(yīng)力衰減處理優(yōu)選不用夾具固定薄膜的寬度方向而進(jìn)行。
[0073](第一實(shí)施方式)
[0074]首先，參照?qǐng)D1，對(duì)本實(shí)用新型的應(yīng)力衰減裝置的第一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0075]圖1所示的應(yīng)力衰減裝置I具備呈大致圓筒形的多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器10a、10b、10c、10d、10e。而且，將聚酰亞胺薄膜50在各薄膜輸送導(dǎo)向器IOa?IOe之間拉伸設(shè)置成之字形狀而進(jìn)行配置。另外，雖然在圖1中配置有5個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器，但薄膜輸送導(dǎo)向器的數(shù)量并無(wú)特別限定。通過(guò)改變薄膜輸送導(dǎo)向器的外徑或根數(shù)，能夠調(diào)整由各薄膜輸送導(dǎo)向器所進(jìn)行的工序距離、工序時(shí)間。
[0076]在各薄膜輸送導(dǎo)向器IOa?IOe的表面的至少一部分上形成有氣體噴射孔，該面成為薄膜輸送面。而且，在各薄膜輸送導(dǎo)向器IOa?IOe上,連接有從各熱風(fēng)加熱器AHl?5伸出的氣體導(dǎo)入管LI?L5。各熱風(fēng)加熱器AHl?5能夠獨(dú)立地調(diào)整供給的熱風(fēng)溫度。如果通過(guò)各氣體導(dǎo)入管將加熱氣體導(dǎo)入至各薄膜輸送導(dǎo)向器IOa?10e，則從設(shè)置在各薄膜輸送導(dǎo)向器IOa?IOe的薄膜輸送面上的氣體噴射孔噴出加熱氣體。由此，能夠在以非接觸狀態(tài)輸送聚酰亞胺薄膜的同時(shí)，對(duì)其加熱來(lái)進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。
[0077]在本實(shí)施方式中，其構(gòu)成為:薄膜輸送導(dǎo)向器IOa?IOe相當(dāng)于本實(shí)用新型中的浮置輸送裝置，通過(guò)熱風(fēng)加熱器AHl?5，從各薄膜輸送導(dǎo)向器噴出預(yù)先單獨(dú)設(shè)定的溫度的氣體。
[0078]從各薄膜輸送導(dǎo)向器噴出的加熱氣體的溫度能夠根據(jù)聚酰亞胺薄膜的種類、厚度適當(dāng)調(diào)整，使得聚酰亞胺薄膜的表面溫度沿輸送路徑成為所期望的溫度曲線。
[0079]從各薄膜輸送導(dǎo)向器噴出的加熱氣體的流速并無(wú)特別限定?？梢愿鶕?jù)聚酰亞胺薄膜的厚度等適當(dāng)調(diào)整。優(yōu)選為0.1?3m/sec,更加優(yōu)選為0.1?lm/sec。
[0080]從各薄膜輸送導(dǎo)向器噴出的加熱氣體的風(fēng)量并無(wú)特別限定，但優(yōu)選調(diào)整薄膜輸送導(dǎo)向器與聚酰亞胺薄膜的間隔(浮置高度)為0.1?20mm，更加優(yōu)選調(diào)整為0.1?5mm。
[0081]利用圖3對(duì)薄膜輸送導(dǎo)向器的優(yōu)選方式進(jìn)行說(shuō)明。圖3 (a)是薄膜輸送導(dǎo)向器的立體圖，(b)是(a)的A-A截面圖。
[0082]圖3所示的薄膜輸送導(dǎo)向器10整體呈大致圓筒形，除了兩端部102a、102b，幾乎全圓周上配置有多孔質(zhì)材料101。并且，在一側(cè)端部102a上，連接有氣體導(dǎo)入管103。
[0083]通過(guò)向薄膜輸送導(dǎo)向器10導(dǎo)入氣體，該薄膜輸送導(dǎo)向器10如圖3 (b)所示，通過(guò)多孔質(zhì)材料101向外部噴出氣體。因此，通過(guò)從多孔質(zhì)材料101噴出的氣體的噴出壓力，能夠在薄膜輸送導(dǎo)向器10上以非接觸狀態(tài)輸送聚酰亞胺薄膜。此外，由于能夠?qū)νㄟ^(guò)薄膜輸送導(dǎo)向器10上的聚酰亞胺薄膜的整面大致均等地噴吹氣體，因此能夠?qū)埘啺繁∧ぞ鶆虻丶訜帷?br> [0084]在圖3所示的薄膜輸送導(dǎo)向器10上，形成有多孔質(zhì)材料101的區(qū)域優(yōu)選為在薄膜輸送導(dǎo)向器10上輸送的聚酰亞胺薄膜的寬X(1?1.5)，更加優(yōu)選為聚酰亞胺薄膜的寬X(I?1.1)。如果形成有多孔質(zhì)材料101的區(qū)域?yàn)樯鲜龇秶?，能夠?qū)埘啺繁∧さ恼娲笾戮鹊貒姶导訜釟怏w來(lái)進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。
[0085]在圖3所示的薄膜輸送導(dǎo)向器10中，作為多孔質(zhì)材料101并無(wú)特別限定，可以列舉將疊層篩網(wǎng)、多孔質(zhì)陶瓷、多孔質(zhì)金屬、沖孔金屬材料等成形為大致圓筒形或?qū)⑵湟徊糠殖尚螢榍娑玫降牟牧系?，特別優(yōu)選使用疊層篩網(wǎng)、多孔質(zhì)陶瓷。
[0086]優(yōu)選地，多孔質(zhì)材料101的開(kāi)孔部的直徑以等效圓形為大于O且小于等于2mm，孔間距為大于O且小于等于3mm，更加優(yōu)選地，開(kāi)孔部的直徑以等效圓形為大于O且小于等于
0.3mm，孔間距為大于O且小于等于0.5mm。如果多孔質(zhì)材料101的開(kāi)孔部的直徑和孔間距為上述數(shù)值，則能夠在以非接觸狀態(tài)輸送聚酰亞胺薄膜的同時(shí)，對(duì)聚酰亞胺薄膜的整面大致均等地噴吹加熱氣體來(lái)進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。如果多孔質(zhì)101的開(kāi)孔部的直徑大于2mm，或孔間距大于3mm，則在應(yīng)力衰減處理時(shí)有時(shí)會(huì)發(fā)生加熱不均等。另外，在本實(shí)用新型中，開(kāi)孔部的等效圓形的直徑是指將開(kāi)孔部的面積換算成同等面積的圓時(shí)的圓的直徑。
[0087]另外，圖3的薄膜輸送導(dǎo)向器10的結(jié)構(gòu)是，在整個(gè)圓周上形成有多孔質(zhì)材料101，從薄膜輸送導(dǎo)向器10的整個(gè)圓周噴出氣體，但也可以構(gòu)成為如圖4 Ca)所不,僅在薄膜輸送面(聚酰亞胺薄膜50通過(guò)的部分)上形成多孔質(zhì)材料101，僅從薄膜輸送面噴出氣體。此夕卜，如圖4 (b)、(c)所示，還可以構(gòu)成為:雖然在整個(gè)圓周上形成多孔質(zhì)材料101，但在薄膜輸送面以外的部分配置罩材料110，使得僅從薄膜輸送面噴出氣體。另外，圖4 (b)是在薄膜輸送導(dǎo)向器10的外周配置罩材料110，圖4 (c)是在薄膜輸送導(dǎo)向器10的內(nèi)周配置罩材料 110。
[0088]此外，圖3的薄膜輸送導(dǎo)向器10的氣體導(dǎo)入管103僅設(shè)置在薄膜輸送導(dǎo)向器10的一側(cè)端部，但也可以如圖5 (a)所示，設(shè)置在薄膜輸送導(dǎo)向器10的兩端。此外，也可以如圖5 (b)所示，設(shè)置在薄膜輸送面相反側(cè)的薄膜輸送導(dǎo)向器10的中央附近。
[0089]此外，圖3的薄膜輸送導(dǎo)向器10呈大致圓筒形，但薄膜輸送導(dǎo)向器10的形狀并無(wú)特別限定，只要使薄膜輸送面呈凸曲面狀的形狀即可。例如，也可以是薄膜輸送面設(shè)置在曲面?zhèn)鹊拇笾掳雸A筒形。
[0090]使用圖6對(duì)薄膜輸送導(dǎo)向器的其他例進(jìn)行說(shuō)明。圖6 (a)是薄膜輸送導(dǎo)向器的立體圖、(b)是(a)的局部平面圖。
[0091]圖6所示的薄膜輸送導(dǎo)向器10’作為整體呈大致圓筒形，在曲面上設(shè)置的薄膜輸送面上進(jìn)行沖孔形成氣體噴出孔105。并且，在一端連接有氣體導(dǎo)入管106。
[0092]在圖6所示的薄膜輸送導(dǎo)向器10’上，沖孔形成氣體噴出孔105的區(qū)域優(yōu)選為在薄膜輸送導(dǎo)向器10’上輸送的聚酰亞胺薄膜的寬X (I?1.5)，更加優(yōu)選為聚酰亞胺薄膜的寬X (I?1.1)。如果沖孔形成有氣體噴出孔105的區(qū)域?yàn)樯鲜龇秶?，則能夠?qū)埘啺繁∧さ恼娲笾戮鹊貒姶导訜釟怏w來(lái)進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。
[0093]氣體噴出孔105沿薄膜的寬度方向及移動(dòng)方向以規(guī)定間隔排列，優(yōu)選其排列方向相對(duì)寬度方向及移動(dòng)方向以角度Θ傾斜。上述角度Θ優(yōu)選為O?45°，更加優(yōu)選為3?10。。
[0094]另外，圖6所示的薄膜輸送導(dǎo)向器10’的氣體導(dǎo)入管106僅設(shè)置在薄膜輸送導(dǎo)向器10’的一側(cè)端部，但也可以設(shè)置在薄膜輸送導(dǎo)向器10’的兩端。此外，也可以設(shè)置在薄膜輸送面相反側(cè)的薄膜輸送導(dǎo)向器10’的中央附近。
[0095]此外，圖6的薄膜輸送導(dǎo)向器10’呈大致圓筒形，但也可以為薄膜輸送面成形為曲面的大致半圓筒形。形狀并無(wú)特別限定，但優(yōu)選使用薄膜輸送面呈凸曲面狀的形狀。
[0096]使用圖7對(duì)薄膜輸送導(dǎo)向器的又一其他例進(jìn)行說(shuō)明。圖7 (a)是薄膜輸送導(dǎo)向器的立體圖，(b)是(a)的局部平面圖。
[0097]圖7所示的薄膜輸送導(dǎo)向器10”作為整體呈大致圓筒形，在薄膜輸送面上形成有狹縫噴嘴108。并且，在一端連接有氣體導(dǎo)入管109。
[0098]狹縫噴嘴108的厚度T優(yōu)選為2mm以下，更加優(yōu)選為0.5mm以下。
[0099]狹縫噴嘴108的寬W優(yōu)選為在薄膜輸送導(dǎo)向器10”上輸送的聚酰亞胺薄膜的寬X(I?1.5)，更加優(yōu)選為聚酰亞胺薄膜的寬X(1?1.1)。如果狹縫噴嘴108的寬W為上述范圍，則能夠?qū)埘啺繁∧さ恼娲笾戮鹊貒姶导訜釟怏w來(lái)進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。
[0100]另外，圖6所示的薄膜輸送導(dǎo)向器10”的氣體導(dǎo)入管109僅設(shè)置在薄膜輸送導(dǎo)向器10”的一側(cè)端部，但也可以設(shè)置在薄膜輸送導(dǎo)向器10”的兩端。此外，也可以設(shè)置在薄膜輸送面相反側(cè)的薄膜輸送導(dǎo)向器10”的中央附近。
[0101]此外，圖7的薄膜輸送導(dǎo)向器10”呈大致圓筒形，但也可以為薄膜輸送面成形為曲面的大致半圓筒形。形狀并無(wú)特別限定，但優(yōu)選使用薄膜輸送面形成為凸曲面狀的形狀。
[0102]此外，圖7所示的薄膜輸送導(dǎo)向器10”配置有一個(gè)狹縫噴嘴108，但也可以配置多個(gè)。狹縫噴嘴108的個(gè)數(shù)并無(wú)特別限定。在配置多個(gè)狹縫噴嘴108的情況下，優(yōu)選配置為沿薄膜輸送導(dǎo)向器10”的周向空開(kāi)規(guī)定間隔進(jìn)行排列。
[0103]薄膜輸送導(dǎo)向器IOa?IOe的凸曲面狀的薄膜輸送面的曲率半徑可以全部相同，也可以不同。但是，如果增大薄膜輸送面的曲率半徑，由于禁不住由輸送張力導(dǎo)致的寬度方向的壓曲，變得容易產(chǎn)生折皺或凹凸，因此薄膜輸送面的曲率半徑優(yōu)選為15mm以上且250mm以下，更加優(yōu)選為15mm以上且75mm以下。
[0104]與此相對(duì)應(yīng)，聚酰亞胺薄膜50在輸送路徑上的彎曲部的曲率半徑優(yōu)選為大于15mm且小于等于270mm,更加優(yōu)選為大于15mm且小于等于95mm。
[0105]如圖1所示，通過(guò)將薄膜輸送面呈凸曲面狀的薄膜輸送導(dǎo)向器10沿輸送線進(jìn)行配置，使其凸曲面狀的薄膜輸送面交替地朝向相反方向，從而能夠使聚酰亞胺薄膜50交替地在相反方向上彎曲，拉伸設(shè)置成之字形狀。
[0106]圖8是表示相對(duì)薄膜輸送導(dǎo)向器10的聚酰亞胺薄膜50的彎曲形狀的一例的說(shuō)明圖。在此，聚酰亞胺薄膜50沿薄膜輸送導(dǎo)向器10的薄膜輸送面彎曲的角度Θ (以下稱為“夾角Θ ”)優(yōu)選為60?270°，更加優(yōu)選為90?270°，最優(yōu)選為150?240°。上述夾角
Θ小于60°時(shí)，基于聚酰亞胺薄膜50的彎曲形狀的剛性付與效果不足，如果大于270°，薄膜輸送導(dǎo)向器10的配置間隔變得過(guò)窄，有可能不能充分地取得設(shè)置空間。
[0107]此外，聚酰亞胺薄膜50跨過(guò)鄰接的薄膜輸送導(dǎo)向器10時(shí)的從一個(gè)彎曲部至下一個(gè)彎曲部的直線部的長(zhǎng)度L優(yōu)選設(shè)定為50mm以下,更加優(yōu)選設(shè)定為30mm以下。如果上述直線部的長(zhǎng)度L大于50mm，則在該直線部上，會(huì)有聚酰亞胺薄膜50的剛性下降，容易產(chǎn)生折皺的傾向。
[0108]圖1所示的應(yīng)力衰減裝置I通過(guò)設(shè)置了薄膜輸送用狹縫的隔板11，區(qū)劃有配置了各薄膜輸送導(dǎo)向器IOa?IOe的區(qū)域12a?12e。各區(qū)域的區(qū)劃寬度并無(wú)特別限制，但優(yōu)選每一區(qū)劃為容下I?3個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的長(zhǎng)度。
[0109]在該實(shí)施方式中，在區(qū)域12b上，在與聚酰亞胺薄膜50的配置有薄膜輸送導(dǎo)向器IOb—側(cè)的相反側(cè)上，配置有紅外線加熱器IR1、IR2。通過(guò)設(shè)置紅外線加熱器，能夠提高加熱效率，能夠使應(yīng)力衰減裝置更加小型化。紅外線加熱器的加熱溫度并無(wú)特別限定，但優(yōu)選高于從薄膜輸送導(dǎo)向器IOb噴出的熱風(fēng)溫度,更加優(yōu)選為(從薄膜輸送導(dǎo)向器IOb噴出的熱風(fēng)溫度)?(從薄膜輸送導(dǎo)向器IOb噴出的熱風(fēng)溫度+ 300°C)。
[0110]另外，在圖1中，在區(qū)域12b上配置有兩列紅外線加熱器，但紅外線加熱器的臺(tái)數(shù)并無(wú)特別限定，此外，配置紅外線加熱器的區(qū)域不限于區(qū)域12b，也可以配置在其他區(qū)域上，但優(yōu)選配置在使聚酰亞胺薄膜50的溫度為最高溫的區(qū)域(最高到達(dá)溫度區(qū)域)上。此外，紅外線加熱器并非必須設(shè)置，也可以省略。[0111]導(dǎo)入應(yīng)力衰減裝置I內(nèi)的聚酰亞胺薄膜50，通過(guò)從設(shè)置在各薄膜輸送導(dǎo)向器IOa?IOe上的氣體噴射孔噴出的氣體，以非接觸狀態(tài)輸送聚酰亞胺薄膜50。并且，由于從各薄膜輸送導(dǎo)向器IOa?IOe的氣體噴射孔噴出加熱氣體，通過(guò)加熱氣體對(duì)聚酰亞胺薄膜50加熱，進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。
[0112]此外，由于該應(yīng)力衰減裝置I的內(nèi)部由隔板11區(qū)劃成多個(gè)區(qū)域12a?12e，因此能夠從各薄膜輸送導(dǎo)向器的氣體噴射孔噴出預(yù)先單獨(dú)設(shè)定的溫度的加熱氣體，從而使聚酰亞胺薄膜50的溫度階段性地升溫及降溫來(lái)進(jìn)行處理。例如，能夠在應(yīng)力衰減裝置I的前半?yún)^(qū)域上，以任意的升溫速度加熱聚酰亞胺薄膜而以任意的最高到達(dá)溫度進(jìn)行處理，在后半?yún)^(qū)域上，以任意的降溫速度冷卻聚酰亞胺薄膜而進(jìn)行處理。
[0113]列舉具體的一例，可以列舉如下方法:區(qū)域12a?12b作為將聚酰亞胺薄膜的溫度加熱至設(shè)定在(聚酰亞胺薄膜的Tg-150) V?(聚酰亞胺薄膜的Tg + 200) °C的范圍內(nèi)的溫度以上的第I區(qū)域，區(qū)域12c?12d作為將聚酰亞胺薄膜的溫度設(shè)定為低于第I區(qū)域中設(shè)定溫度的(聚酰亞胺薄膜的Tg-150) °C?(聚酰亞胺薄膜的Tg) °C的范圍內(nèi)的溫度的第2區(qū)域，區(qū)域12e作為將聚酰亞胺薄膜的溫度冷卻至設(shè)定為低于第2區(qū)域中設(shè)定溫度的(聚酰亞胺薄膜的Tg-150) °C?常溫(大氣溫度或室溫)的范圍內(nèi)的溫度的第3區(qū)域，來(lái)進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。在第3區(qū)域上，優(yōu)選冷卻至常溫。
[0114]在第I區(qū)域上，通過(guò)將聚酰亞胺薄膜加熱至上述設(shè)定的溫度以上，能夠高效地緩和殘留在熱固化后的聚酰亞胺薄膜上的應(yīng)力。另外，聚酰亞胺薄膜的Tg (玻璃化轉(zhuǎn)變溫度)是指構(gòu)成聚酰亞胺薄膜的聚合物的運(yùn)動(dòng)性有較大變化的邊界溫度。在本實(shí)用新型中，使用動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)定裝置(TA Instruments公司制造的RSA-G2)，將以頻率1Hz、升溫速度10°C /分鐘測(cè)定的tan δ的峰值溫度作為聚酰亞胺薄膜的Tg。
[0115]在第I區(qū)域上，優(yōu)選調(diào)整從薄膜輸送導(dǎo)向器IOa?IOb的氣體噴射孔噴出的氣體的溫度，以便能夠使聚酰亞胺薄膜50階段性地升溫。此外，在第2區(qū)域及第3區(qū)域上，優(yōu)選調(diào)整從薄膜輸送導(dǎo)向器IOc?IOd的氣體噴射孔噴出的氣體的溫度，以便能夠使聚酰亞胺薄膜50階段性地降溫。在作為再加熱工序的第I區(qū)域及作為冷卻固化工序的第2區(qū)域上，通過(guò)階段性地改變溫度，能夠平滑地對(duì)聚酰亞胺薄膜50進(jìn)行加熱處理，能夠高效地防止伴隨急劇的溫度變化的折皺或凹凸的產(chǎn)生。
[0116]另外，圖1的應(yīng)力衰減裝置中，在第I區(qū)域(區(qū)域12a?12b)、第2區(qū)域(區(qū)域12c?12d)、第3區(qū)域(區(qū)域12e)全都使用浮置輸送裝置，但在第3區(qū)域(區(qū)域12e)上，由于聚酰亞胺薄膜處于不易產(chǎn)生傷痕等的狀態(tài)，因此也可以僅在第I區(qū)域(區(qū)域12a?12b)及第2區(qū)域(區(qū)域12c?12d)使用浮置輸送裝置，在第3區(qū)域(區(qū)域12e)使用浮置輸送裝置以外的輸送裝置進(jìn)行處理。作為浮置輸送裝置以外的輸送裝置，可以列舉接觸式導(dǎo)向器等。
[0117]優(yōu)選地，應(yīng)力衰減處理不用夾具等固定聚酰亞胺薄膜50的兩端邊緣，而將聚酰亞胺薄膜50在各薄膜輸送導(dǎo)向器上以非接觸狀態(tài)輸送來(lái)進(jìn)行。如果利用夾具固定聚酰亞胺薄膜50的兩端邊緣，有時(shí)不能充分地降低殘余應(yīng)力，有時(shí)尺寸穩(wěn)定性下降。
[0118]進(jìn)行如上的應(yīng)力衰減處理而得到的聚酰亞胺薄膜，其平坦度優(yōu)異，在表面上傷痕、折皺、凹凸等變少。特別是通過(guò)使用圖3?5所示的薄膜輸送導(dǎo)向器，能夠?qū)埘啺繁∧さ恼娲笾戮鹊貒姶导訜釟怏w來(lái)進(jìn)行應(yīng)力衰減處理，因此不易發(fā)生壓力不均或加熱不均等，能夠聞效地緩和殘余應(yīng)力。進(jìn)而，能夠抑制在薄I旲表面上廣生折皺或凹凸等，能夠聞效地制造平坦度良好的聚酰亞胺薄膜。
[0119]這樣制造的聚酰亞胺薄膜能夠優(yōu)選用于電氣/電子部件的基板或絕緣材料等。例如，能夠用作TAB用帶、COF用帶等的帶基材、IC芯片等芯片元件等的保護(hù)基材(力〃一基材)、液晶顯示器、有機(jī)電致發(fā)光顯示器、電子紙、太陽(yáng)能電池、印刷電路板等的基底基板。
[0120](第二實(shí)施方式)
[0121]下面使用圖2，對(duì)本實(shí)用新型的應(yīng)力衰減裝置的第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，與圖1所示的應(yīng)力衰減裝置實(shí)質(zhì)上相同的位置，付上相同的附圖標(biāo)記，并省略說(shuō)明。
[0122]圖2所示的應(yīng)力衰減裝置是在區(qū)域12b、12c上，與薄膜輸送導(dǎo)向器IObUOc的薄膜輸送面相對(duì)地配置壓薄膜裝置15a、15b。
[0123]壓薄膜裝置向與其相對(duì)配置的薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面噴出氣體，利用氣體的噴出壓力，將通過(guò)各薄膜輸送導(dǎo)向器與壓薄膜裝置的輸送面之間的聚酰亞胺薄膜向薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面?zhèn)葔合隆?br> [0124]在圖2所示的應(yīng)力衰減裝置中，壓薄膜裝置15a、15b具有在與薄膜輸送導(dǎo)向器IObUOc的薄膜輸送面之間以規(guī)定間隙配置的凹曲面16。并且，在該凹曲面16上設(shè)置有氣體噴射孔(沒(méi)有圖示)。此外，其構(gòu)成為:在壓薄膜裝置15a、15b上，連接有從熱風(fēng)加熱器AH2、AH3伸出的氣體導(dǎo)入管L2a、L3a，使得能夠從各壓薄膜裝置15a、15b噴出加熱氣體。
[0125]在圖2所示的應(yīng)力衰減裝置中，如果通過(guò)各氣體導(dǎo)入管向各薄膜輸送導(dǎo)向器及各壓薄膜裝置導(dǎo)入氣體，則從各薄膜輸送導(dǎo)向器及各壓薄膜裝置的氣體噴射孔噴出氣體。由此，聚酰亞胺薄膜50在區(qū)域12a、12d、12e上通過(guò)從薄膜輸送導(dǎo)向器10a、10d、IOe噴出的氣體的噴出壓力進(jìn)行浮置輸送。并且，在區(qū)域12b、12c上，聚酰亞胺薄膜50夾在從薄膜輸送導(dǎo)向器IObUOc的薄膜輸送面噴出的氣體與從壓薄膜裝置15a、15b噴出的氣體之間進(jìn)行浮置輸送。
[0126]在此，在僅對(duì)聚酰亞胺薄膜的一側(cè)的面噴吹氣體來(lái)浮置輸送聚酰亞胺薄膜的情況下，與聚酰亞胺薄膜的寬度方向的兩側(cè)相比，在寬度方向中央部附近，施加在聚酰亞胺薄膜上的壓力有時(shí)會(huì)變強(qiáng)。在聚酰亞胺薄膜的溫度低的狀態(tài)的情況下，雖然在聚酰亞胺薄膜的寬度方向上發(fā)生壓力不均也沒(méi)有特別的問(wèn)題，但在將聚酰亞胺薄膜暴露于高溫的情況下，有時(shí)發(fā)生加熱不均而使平坦度下降。對(duì)此，通過(guò)對(duì)聚酰亞胺薄膜的兩面噴吹氣體進(jìn)行浮置輸送，能夠幾乎不發(fā)生壓力不均地浮置輸送聚酰亞胺薄膜。因此，聚酰亞胺薄膜的加熱不均更不易發(fā)生，能夠得到平坦度更加良好的聚酰亞胺薄膜。
[0127]此外，在該實(shí)施方式中，由于從壓薄膜裝置15a、15b噴出加熱氣體，因此在區(qū)域12b、12c上，對(duì)聚酰亞胺薄膜50的兩面噴吹加熱氣體。因此，能夠?qū)⒕埘啺繁∧ぱ杆俚丶訜嶂了谕臏囟?，能夠更加高效地進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。此外，能夠使裝置整體長(zhǎng)度更加緊湊。
[0128]在本實(shí)用新型中，作為壓薄膜裝置的結(jié)構(gòu)并無(wú)特別限定，只要能夠在與薄膜輸送導(dǎo)向器的所述薄膜輸送面相對(duì)的面(以下稱為壓薄膜面)上形成有氣體噴射孔即可?？梢粤信e例如在壓薄膜面上配置與薄膜輸送導(dǎo)向器相同的疊層篩網(wǎng)、多孔質(zhì)陶瓷、多孔質(zhì)金屬、沖孔金屬材料等多孔質(zhì)材料，并通過(guò)多孔質(zhì)材料噴出氣體的結(jié)構(gòu)，在壓薄膜面上沖孔形成有氣體噴出孔的結(jié)構(gòu)，在壓薄膜面上形成有狹縫噴嘴的結(jié)構(gòu)等。優(yōu)選為通過(guò)多孔質(zhì)材料噴出氣體的結(jié)構(gòu)。由此，能夠?qū)νㄟ^(guò)薄膜輸送導(dǎo)向器與壓薄膜裝置的輸送面之間的聚酰亞胺薄膜大致均等地噴吹氣體。作為多孔質(zhì)材料，能夠使用與在所述第一實(shí)施方式的薄膜輸送導(dǎo)向器中說(shuō)明的多孔質(zhì)材料相同的材料。
[0129]在本實(shí)用新型中，作為壓薄膜裝置的形狀并無(wú)特別限定。優(yōu)選根據(jù)與壓薄膜裝置相對(duì)配置的薄膜輸送裝置的形狀進(jìn)行適當(dāng)選擇。作為優(yōu)選的組合，是薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面呈凸曲面，壓薄膜裝置的壓薄膜面呈凹曲面的組合。在這種情況下，壓薄膜裝置的壓薄膜面更加優(yōu)選為如下形狀:其以大于薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面的曲率，而且與其相對(duì)地形成彎曲的凹曲面，并相對(duì)于薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面分開(kāi)預(yù)先設(shè)定的一定的距離來(lái)配置。通過(guò)這樣的組合，從薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面與壓薄膜裝置的壓薄膜面以均勻的壓力對(duì)聚酰亞胺薄膜噴吹氣體，因此能夠以穩(wěn)定的形狀描繪曲面地輸送，能夠使得到的聚酰亞胺薄膜的平坦度更加良好。
[0130]在本實(shí)用新型中，薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面與壓薄膜裝置的壓薄膜面的間隔優(yōu)選為0.2?40mm,更加優(yōu)選為0.2?IOmm,最優(yōu)選為0.2?5mm。如果上述間隔小于
0.2_，則具有聚酰亞胺薄膜容易與薄膜輸送導(dǎo)向器或壓薄膜裝置接觸的傾向。
[0131]在本實(shí)用新型中，從各壓薄膜裝置噴出的氣體的溫度可以與從相對(duì)配置的薄膜輸送導(dǎo)向器噴出的加熱氣體的溫度相同，也可以不同。
[0132]在本實(shí)用新型中，從各壓薄膜裝置噴出的氣體的流速可以與從相對(duì)配置的薄膜輸送導(dǎo)向器噴出的加熱氣體的流速相同，也可以不同。從壓薄膜裝置噴出的氣體的流速優(yōu)選為從相對(duì)配置的薄膜輸送導(dǎo)向器噴出的加熱氣體的流速的0.5?1.5倍。如果為上述范圍，能夠更加有效地抑制聚酰亞胺薄膜的壓力不均。
[0133]在本實(shí)用新型中，在各壓薄膜裝置的壓薄膜面上形成有氣體噴出孔的區(qū)域，與相對(duì)配置的薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面上形成有氣體噴出孔的區(qū)域相比，優(yōu)選寬度方向上的長(zhǎng)度相等。如果壓薄膜裝置的形成有氣體噴出孔的區(qū)域?yàn)樯鲜龇秶瑒t幾乎不會(huì)發(fā)生壓力不均，能夠?qū)埘啺繁∧みM(jìn)行浮置輸送。
[0134]另外，在該實(shí)施方式中，在區(qū)域12b、12c上配置壓薄膜裝置，但也可以僅在區(qū)域12b、12c中任意一個(gè)區(qū)域上配置。此外，還可以在區(qū)域12a?12e的全部區(qū)域上配置。優(yōu)選地，在上述第I區(qū)域(區(qū)域12a?12b)、第2區(qū)域(區(qū)域12c?12d)中，在聚酰亞胺薄膜暴露在特別高溫的區(qū)域上配置。
[0135]此外，在該實(shí)施方式中，各區(qū)域的薄膜輸送裝置與壓薄膜裝置構(gòu)成為從相同的加熱器導(dǎo)入加熱氣體，也可以構(gòu)成為從不同的加熱器導(dǎo)入相同或不同溫度的加熱氣體。
[0136]此外，在第二實(shí)施方式中，考慮壓薄膜裝置的配置，也可以設(shè)置第一實(shí)施方式的紅外線加熱器。
[0137]此外，上述實(shí)施方式是適用于聚酰亞胺薄膜的例子，但本實(shí)用新型并不限于聚酰亞胺薄膜，能夠適用于各種薄膜的應(yīng)力衰減處理。
[0138]作為適合本實(shí)用新型的進(jìn)行應(yīng)力衰減處理的薄膜的基材，主要可以列舉熱塑性樹(shù)月旨，例如，適合使用一般的作為光學(xué)薄膜用樹(shù)脂的聚碳酸酯、聚酯、聚醚砜、聚芳酯、聚酰亞胺、聚烯烴等。此外，也能夠使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚砜、聚乙烯、聚氯乙烯、脂環(huán)族烯烴聚合物、丙烯酸類聚合物、二乙酸纖維素、三乙酸纖維素、乙酸丙酸纖維素等。
[0139]實(shí)施例[0140](試驗(yàn)例I)
[0141](例I ~4)
[0142]將使用3，3’，4，4’ -聯(lián)苯四羧酸二酐作為四羧酸二酐成分，使用對(duì)苯二胺作為二胺成分制造的聚酰亞胺薄膜(厚度:25μπκ Tg:340°C)導(dǎo)入圖1所示的應(yīng)力衰減裝置，以表I所示的加熱條件進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。在例I~4中，能夠以非接觸狀態(tài)輸送聚酰亞胺薄膜。
[0143]另外，各薄膜輸送導(dǎo)向器上的圖8所示的夾角Θ為150°，跨過(guò)薄膜輸送導(dǎo)向器間的直線部的長(zhǎng)度L為50mm。
[0144]對(duì)應(yīng)力衰減處理后的聚酰亞胺薄膜進(jìn)行了關(guān)于平坦度、尺寸穩(wěn)定性、有無(wú)傷痕的評(píng)價(jià)。平坦度是將切成A4大小的試樣在平坦的桌面上展開(kāi)，通過(guò)目視，與沒(méi)有實(shí)施應(yīng)力衰減處理的聚酰亞胺薄膜比較薄膜的折皺或凹凸的產(chǎn)生狀態(tài)來(lái)進(jìn)行評(píng)價(jià)。
[0145]如果試樣的表面狀態(tài)與沒(méi)有進(jìn)行應(yīng)力衰減處理的聚酰亞胺薄膜同等，則平坦度為◎，如果與沒(méi)有進(jìn)行應(yīng)力衰減處理的聚酰亞胺薄膜幾乎同等，則平坦度為〇，在與沒(méi)有進(jìn)行應(yīng)力衰減處理的聚酰亞胺薄膜相比顯著不同的情況下，平坦度為X。關(guān)于聚酰亞胺薄膜的尺寸穩(wěn)定性的評(píng)價(jià)，使用熱機(jī)械分析裝置(SII NanoTechnology株式會(huì)社制造EXSTAR6100TMA/SS )，測(cè)定線膨脹系數(shù)(CTE )，并確認(rèn)有無(wú)線膨脹系數(shù)(CTE )變化大的點(diǎn)(拐點(diǎn))。沒(méi)有拐點(diǎn)的尺寸穩(wěn)定性為〇，具有拐點(diǎn)的尺寸穩(wěn)定性為X。通過(guò)目視評(píng)價(jià)有無(wú)傷痕，沒(méi)有明顯傷痕的為〇，有明顯傷痕的為X。結(jié)果如表1所示。在表1中，“一”表示與左側(cè)相同。
[0146]另外，例1、2所使用的薄膜輸送導(dǎo)向器如圖3所示，其形成為如下結(jié)構(gòu):其整體呈大致圓筒形，在除了兩端部102a、102b的幾乎整個(gè)圓周上，配置多孔質(zhì)材料101，在一側(cè)端部102a上連接氣體導(dǎo)入管103。
[0147]此外，例3所使用的薄膜輸送導(dǎo)向器如圖6所示，其形成為如下結(jié)構(gòu):作為整體呈大致圓筒形，在薄膜輸送面上沖孔形成有氣體噴出孔105，在一側(cè)端部上連接氣體導(dǎo)入管106。
[0148]此外，例4所使用的薄膜輸送導(dǎo)向器如圖7所示，其形成為如下結(jié)構(gòu):整體呈大致圓筒形，在上面形成狹縫噴嘴108，在一側(cè)端部上連接氣體導(dǎo)入管109。將狹縫噴嘴108 (噴出孔)的尺寸設(shè)置為T(mén)0.5mmXW380mm。
[0149]表1
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜的制造設(shè)備，其特征在于，具有對(duì)薄膜進(jìn)行應(yīng)力衰減處理的應(yīng)力衰減裝置， 所述應(yīng)力衰減裝置具備浮置輸送裝置，該浮置輸送裝置從氣體噴射孔對(duì)薄膜噴出加熱氣體，以非接觸狀態(tài)對(duì)薄膜進(jìn)行加熱并輸送； 所述浮置輸送裝置構(gòu)成為:具備多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器，所述多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器具有設(shè)置有氣體噴射孔的凸曲面狀的薄膜輸送面，所述薄膜輸送導(dǎo)向器的凸曲面交替地在相反方向上排列，從所述氣體噴射孔對(duì)薄膜噴出加熱氣體，使薄膜交替地在相反方向上彎曲，以非接觸狀態(tài)輸送。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制造設(shè)備，其特征在于，所述浮置輸送裝置構(gòu)成為:還具備壓薄膜裝置，該壓薄膜裝置與所述薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面相對(duì)，具有在與該薄膜輸送面之間以規(guī)定間隙配置的凹曲面，并在該凹曲面上設(shè)置有氣體噴射孔，利用從所述薄膜輸送導(dǎo)向器的氣體噴射孔噴出的加熱氣體和從所述壓薄膜裝置的氣體噴射孔噴出的加熱氣體，對(duì)薄膜的兩面噴吹加熱氣體來(lái)進(jìn)行浮置輸送。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜的制造設(shè)備，其特征在于，所述多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器構(gòu)成為:能夠?qū)臍怏w噴射孔噴出的氣體的溫度進(jìn)行單獨(dú)設(shè)定。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜的制造設(shè)備，其特征在于，所述應(yīng)力衰減裝置對(duì)將聚酰亞胺薄膜的前驅(qū)體進(jìn)行加熱處理而得到的聚酰亞胺薄膜進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜的制造設(shè)備，其特征在于，將由所述薄膜輸送導(dǎo)向器形成的所述薄膜的輸送路徑上的一個(gè)彎曲部至下一個(gè)彎曲部的直線部的長(zhǎng)度設(shè)定為50mm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜的制造設(shè)備，其特征在于，使所述薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面的曲率半徑為15mm以上且250mm以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜的制造設(shè)備，其特征在于，將由所述薄膜輸送導(dǎo)向器形成的所述薄膜的輸送路徑上的沿一個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面彎曲的角度設(shè)定為90 ?270。。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜的制造設(shè)備，其特征在于，形成如下結(jié)構(gòu):所述薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面由多孔質(zhì)材料形成，通過(guò)該多孔質(zhì)材料噴出加熱氣體。
【文檔編號(hào)】B29C71/02GK203766039SQ201420148256
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】伊藤和美, 木村征克, 小川祐二, 廣幡大樹(shù) 申請(qǐng)人:宇部興產(chǎn)株式會(huì)社