薄膜供給裝置及其控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶模組制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜供給裝置及其控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶面板包括有面板和貼附在面板上的覆晶膜。覆晶膜的厚度很小，通常稱之為覆晶薄膜(C0F)。為了實(shí)現(xiàn)在面板上貼附覆晶薄膜，通常使用覆晶薄膜貼附裝置，圖1顯示了現(xiàn)有技術(shù)中的用于向面板貼附覆晶薄膜的裝置示意圖。
[0003]在向面板上貼附覆品薄膜過程中，首先壓頭110吸附覆晶薄膜120。接著，通過伺服平臺130將面板140移動至壓頭110的位置處，在面板140正下方位置處設(shè)有起支撐作用的支撐機(jī)構(gòu)150。通過壓頭110與支撐機(jī)構(gòu)150的共同作用，完成向面板140上貼附覆晶薄膜120。由于使用頻率高，吸附薄膜的壓頭容易磨損，導(dǎo)致COF存在壓痕，交接精度不穩(wěn)定的問題，影響COF產(chǎn)線嫁動率和品質(zhì)。為了解決上述問題，也曾提出降低供給壓頭的交接高度，降低供給壓頭的工作速度，或者更換更加耐磨損的材質(zhì)，但是這些做法也只能緩和磨損程度，無法徹底解決供給壓頭磨損的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是如何消除供給裝置的壓頭磨損。
[0005]為此目的，本發(fā)明提出了一種薄膜供給裝置，包括:
[0006]壓頭，以及位于所述壓頭的表面的至少一個吸氣區(qū)域和至少一個吹氣區(qū)域；
[0007]所述吸氣區(qū)域和吹氣區(qū)域分別包括至少一個氣孔，通過吸氣與吹氣配合，使所述供給裝置吸附所述薄膜時令所述薄膜非接觸地保持在所述壓頭的附近。
[0008]優(yōu)選地，所述吸氣區(qū)域沿所述壓頭中心對稱分布，所述吹氣區(qū)域沿所述壓頭中心對稱分布。
[0009]優(yōu)選地，所述吸氣區(qū)域與所述吹氣區(qū)域間隔排列。
[0010]優(yōu)選地，所述吸氣區(qū)域位于所述吹氣區(qū)域的四周或者所述吹氣區(qū)域位于所述吸氣區(qū)域的四周。
[0011]優(yōu)選地，所述吸氣區(qū)域位于所述吹氣區(qū)域的兩側(cè)或者所述吹氣區(qū)域位于所述吸氣區(qū)域的兩側(cè)。
[0012]優(yōu)選地，所述吸氣區(qū)域和吹氣區(qū)域分別包括多個氣孔，所述多個氣孔均勻分布。
[0013]優(yōu)選地，所述薄膜為覆晶薄膜。
[0014]另一方面，本發(fā)明還提供了一種薄膜供給裝置的控制方法，用于上述壓頭的表面有至少一個吸氣區(qū)域和至少一個吹氣區(qū)域的薄膜供給裝置，所述方法包括:
[0015]在吸附所述薄膜時，控制所述吸氣區(qū)域和吹氣區(qū)域通過吸氣與吹氣相配合，使所述薄膜非接觸地保持在所述壓頭的附近。
[0016]優(yōu)選地，在吸附所述薄膜時，所述供給裝置的吸氣量大于吹氣量。
[0017]優(yōu)選地，該方法還包括:
[0018]在脫附所述薄膜時，控制所述吸氣區(qū)域和吹氣區(qū)域通過吸氣與吹氣相配合，使所述薄膜遠(yuǎn)離所述壓頭。
[0019]優(yōu)選地，在脫附所述薄膜時，所述供給裝置的吹氣量大于吸氣量。
[0020]通過采用本發(fā)明所提供的薄膜供給裝置，通過控制吸氣和吹氣相配合，使壓頭在吸附薄膜時與薄膜非接觸保持，在轉(zhuǎn)移薄膜過程中，壓頭之間不接觸，壓頭不磨損。尤其在轉(zhuǎn)移COF過程中，壓頭不與薄膜接觸，解決了現(xiàn)有技術(shù)中薄膜壓痕的問題，通過吸氣與吹氣相配合，使COF平穩(wěn)地完成交接，保證了交接精度在SPEC范圍內(nèi)，很大程度上減少了COF拋料率，有效提高了 COF產(chǎn)線嫁動率，有效改善了產(chǎn)品的良品率。
【附圖說明】
[0021]通過參考附圖會更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對本發(fā)明進(jìn)行任何限制，在附圖中:
[0022]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)壓頭吸附薄膜的原理示意圖；
[0023]圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例1薄膜供給裝置的壓頭表面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例2薄膜供給裝置的壓頭表面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4示出了本發(fā)明實(shí)施例3薄膜供給裝置的壓頭表面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖5示出了本發(fā)明實(shí)施例4薄膜供給裝置的壓頭表面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖6示出了本發(fā)明實(shí)施例5薄膜供給裝置的壓頭表面的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0029]本發(fā)明提供了一種薄膜供給裝置，包括:壓頭，以及位于所述壓頭的表面的至少一個吸氣區(qū)域和至少一個吹氣區(qū)域；
[0030]所述吸氣區(qū)域和吹氣區(qū)域分別包括至少一個氣孔，通過吸氣與吹氣配合，使所述供給裝置吸附所述薄膜時令所述薄膜非接觸地保持在所述壓頭的附近。
[0031]實(shí)施例1
[0032]如圖2所示，本發(fā)明薄膜供給裝置的壓頭的表面分為兩個區(qū)域，一個吸氣區(qū)域和一個吹氣區(qū)域，所述吸氣區(qū)域位于所述吹氣區(qū)域的四周或者所述吹氣區(qū)域位于所述吸氣區(qū)域的四周。以吹氣區(qū)域2位于吸氣區(qū)域I的四周為例，整個吸氣區(qū)域I作為一個氣孔，整個吹氣區(qū)域2作為一個氣孔。優(yōu)選地，為了保持薄膜平穩(wěn)，所述吸氣區(qū)域I沿所述壓頭中心對稱分布，所述吹氣區(qū)域2沿所述壓頭中心對稱分布。在吸附薄膜時，控制吸氣區(qū)域I進(jìn)行吸氣，控制吹氣區(qū)域2進(jìn)行吹氣，通過控制吸氣區(qū)域I的氣流量大于吹氣區(qū)域2的氣流量，使薄膜非接觸地保持在壓頭的附近。在脫附薄膜時，通過控制吸氣區(qū)域I的氣流量小于吹氣區(qū)域2的氣流量，使薄膜遠(yuǎn)離壓頭。其中，氣流量的大小可以通過氣流強(qiáng)度、氣孔的大小、氣孔的密度等條件來控制。具體在脫附薄膜和吸附薄膜時，吸氣和吹氣的氣流量的多少可以通過多次試驗(yàn)獲得一個合理的吸氣和吹氣的氣流量的值。另外，根據(jù)需要，吸氣區(qū)域I的氣孔可以作為吹氣使用，吹氣區(qū)域2的氣孔可以作為吸氣使用，使吸氣區(qū)域位于吹氣區(qū)域的四周。其中，氣孔的形狀可以根據(jù)需要設(shè)置成圓形、三角形、矩形或其他不規(guī)則形狀。
[0033]由于本發(fā)明薄膜供給裝置的薄膜不與壓頭接觸，在薄膜轉(zhuǎn)移過程中，壓頭之間存在間隙，所以壓頭不會磨損。在不影響精度的情況下，壓頭之間的間隙越大越好。其中，在薄膜轉(zhuǎn)移過程中，壓頭之間的間隙可以通過控制氣流量的大小來進(jìn)行調(diào)節(jié)。當(dāng)轉(zhuǎn)移的薄膜為覆晶薄膜(COF)時，由于壓頭不與薄膜直接接觸，所以COF表面不會存在壓痕，通過吸氣和吹氣相配合，使COF平穩(wěn)地完成交接，最大限度保證了 COF交接精度在SPEC范圍內(nèi)，提高了產(chǎn)線嫁動率，改善了產(chǎn)品品質(zhì)。非接觸式COF的供給方案，在目前各設(shè)備中均沒有應(yīng)用，所以對于消除COF壓痕、解決COF交接精度不穩(wěn)定以及吸附不良的問題起到了至關(guān)重要的作用。
[0034]這里所說的SPEC范圍，指的是壓頭與薄膜之間水平方向和豎直方向上的誤差均不超過0.1_。
[0035]實(shí)施例2