專利名稱：一種太陽能硅片承載架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及太陽能硅片加工器件，具體涉及一種太陽能硅片承載架。
背景技術(shù)：
作為寬禁帶半導體代表的SiC單太陽能硅片，由于其為化合物半導體，其(001)方向太陽能硅片的上下兩個面分別為Si面和C面，兩個面的物理化學性質(zhì)不同，在應用中必須嚴格區(qū)分不同的晶面，一旦混淆SiC的晶面后，要重新辨別極其困難。實驗室中往往需要使用到各種不同厚度和長度的SiC太陽能硅片，而在清洗，沸煮，吹干等步驟中極易發(fā)生晶面的混淆，從而使實驗失敗。因此，一種能在清洗、干燥等太陽能硅片處理過程中都能保證不同大小形狀太陽能硅片方向一致的清洗干燥架成為各個SiC材料器件實驗室所急需的設(shè)備。目前存在的太陽能硅片清洗架主要為半導體制造工廠用太陽能硅片清洗架，這種太陽能硅片清洗架僅針對標準尺寸的完整Si太陽能硅片(如3英寸、4英寸等)設(shè)計，尺寸單一，且Si為非極性單質(zhì)晶體，其太陽能硅片正反兩個面物理化學性質(zhì)完全一致，不涉及正反面的問題，不適用于SiC單太陽能硅片的清洗、干燥。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，提供一種使太陽能硅片在清洗和干燥時不發(fā)生面翻轉(zhuǎn)的太陽能硅片承載架。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是提供了一種太陽能硅片承載架，所述太陽能硅片承載架包括基座、方槽和通孔，在所述基座的側(cè)面設(shè)有一平面，所述平面作為基座的定向面，所述方槽開設(shè)置在所述基座的上表面，所述通孔連接所述方槽，其特征在于， 所述方槽的最寬面與所述基座的定向面平行。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述基座為圓柱體。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述方槽具有不同的長度、寬度和深度。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述通孔垂直于所述方槽的底面或側(cè)面。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述太陽能硅片承載架還包括與所述基座連接的提手。進一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述基座與所述提手以可拆卸方式連接。進一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述可拆卸方式連接是通過螺紋連接。進一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述基座和所述提手的制備材料為耐腐蝕材料。進一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述耐腐蝕材料為聚四氟乙烯或有機玻璃。本實用新型的優(yōu)點和有益效果在于(1)太陽能硅片在整個清洗過程中斜靠在方槽內(nèi)壁，與方槽只在邊緣處接觸，使整個太陽能硅片得到有效清洗，并且不會在沸煮過程中發(fā)生晶面翻轉(zhuǎn)；(2)方槽連有通孔，使清洗過程中方槽內(nèi)的清洗液體能有效流動，避免清洗下的顆粒沉積在方槽內(nèi)對太陽能硅片產(chǎn)生二次污染，同時，在清洗結(jié)束時能讓清洗液體快速流出方槽；[0016](3)使用提手可方便地將基座從清洗液中取出。
圖1是本實用新型太陽能硅片承載架的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型太陽能硅片承載架中方槽的斷面圖。圖中1、基座；2、方槽；3、通孔；4、提手；5、平面。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式
作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本實用新型的技術(shù)方案，而不能以此來限制本實用新型的保護范圍。如圖1所示，本實用新型太陽能硅片承載架，包括基座1、方槽2，基座1為直徑 60mm，高20mm的圓柱體，在基座1的側(cè)面設(shè)有一平面5，平面5作為基座1的定向面，定向面邊長為33. 17mm ；方槽2開在基座1上表面，方槽2最寬面與基座1的定向面平行，方槽2 寬度為2mm，深度包括5mm、IOmm兩種類型，長度包括6mm、11mm、16mm和^mm四種類型。如圖2所示，太陽能硅片承載架，還包括通孔3，通孔3連接方槽2，通孔3垂直于方槽2底面，且通孔3為直徑2mm的圓孔。如圖1所示，太陽能硅片承載架還包括與基座1連接的提手4，基座1與提手4以可拆卸方式連接，該可拆卸方式連接是通過螺紋連接。基座1和提手4的制備材料為聚四氟乙烯，以防止清洗時溶液介質(zhì)對基座1腐蝕， 同時可避免干燥時溫度過高時使基座1受損。在實際使用中采用此承載架清洗了如下尺寸的太陽能硅片品2mmX5mmX0.5mm、 IOmmX IOmmX 0. 5mm,5mmX IOmmX 0. 5mm 和 IOmmX 15mmX0. 5mm 的 SiC 太陽能硅片。在超
聲清洗、酸堿溶液中沸煮、去離子水沖洗、氮氣吹干等過程中，太陽能硅片沒有發(fā)生面翻轉(zhuǎn)， 有效地保證了后續(xù)操作時太陽能硅片方向的準確性。檢測表明使用此清洗干燥架采用標準 RCA工藝清洗的SiC太陽能硅片具有非常好的潔凈度。由于承載架基座1為圓柱形，在基座1的側(cè)面設(shè)有一平面5，平面5作為基座1的定向面，可根據(jù)太陽能硅片的大小和形狀設(shè)計出盛放不同尺寸太陽能硅片的方槽，這些方槽為承載架的基本單元，方槽開在基座上表面，方槽最寬面與基座的走向面平行。方槽尺寸的基本原則是太陽能硅片與方槽底面夾角在45° -75°之間；太陽能硅片上頂點離方槽頂部距離為2mm 5mm。在以上設(shè)計中，太陽能硅片在整個清洗過程中將保持斜靠在方槽內(nèi)壁，與方槽始終只在邊緣有很小的線接觸，這樣能保證整個太陽能硅片得到有效的清洗，并且不會在沸煮過程中發(fā)生晶面的翻轉(zhuǎn)。在每個盛放太陽能硅片的方槽底部相連有通孔。通孔截面為圓形，直徑在1. 5mm 至2. 5mm之間。通孔連接各個方槽，在超聲，沸煮等清洗過程中，方槽內(nèi)的清洗液體介質(zhì)能有效產(chǎn)生流動，和整個燒杯中的清洗液產(chǎn)生交換，避免了清洗下的顆粒等污物沉積在方槽內(nèi)對太陽能硅片產(chǎn)生二次污染，保證了每個方槽中的太陽能硅片都得到有效的清洗。在清洗干燥架從液體介質(zhì)中取出時，通孔能讓液體介質(zhì)快速的流出而不在方槽內(nèi)殘留。在基座的邊緣對稱地開有兩個螺紋孔，并配有采用聚四氟乙烯制作的相應的螺
4桿。這樣就能通過螺桿方便地將基座從盛有清洗液的燒杯等容器中取出。對SiC單太陽能硅片進行有效的清洗必須經(jīng)過以下幾個步驟(1)四氯化碳超聲清洗，丙酮超聲清洗，硫酸、雙氧水和純水混合溶液的加熱超聲清洗，鹽酸、雙氧水和純水混合溶液的加熱超聲清洗，氨水、雙氧水和純水混合溶液的加熱超聲清洗；(2)氫氟酸刻蝕；(3)純水的沖洗，氮氣吹干；(4)烘箱干燥。在這些過程中涉及硫酸、鹽酸、氫氟酸和氨水等酸堿的腐蝕，選擇聚四氟乙烯作為基座材料能有效的防止這些溶液介質(zhì)的腐蝕。同時，聚四氟乙烯的正常工作的最高溫度達到250°C，能承受上述清洗過程中涉及的加熱沸煮和烘箱烘烤的溫度。以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種太陽能硅片承載架，所述太陽能硅片承載架包括基座、方槽和通孔，在所述基座的側(cè)面設(shè)有一平面，所述平面作為基座的定向面，所述方槽開設(shè)置在所述基座的上表面，所述通孔連接所述方槽，其特征在于，所述方槽的最寬面與所述基座的定向面平行。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能硅片承載架，其特征在于，所述基座為圓柱體。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽能硅片承載架，其特征在于，所述方槽具有不同的長度、寬度和深度。
4.如權(quán)利要求1所述的太陽能硅片承載架，其特征在于，所述通孔垂直于所述方槽的底面或側(cè)面。
5.如權(quán)利要求1所述的太陽能硅片承載架，其特征在于，所述太陽能硅片承載架還包括與所述基座連接的提手。
6.如權(quán)利要求5所述的太陽能硅片承載架，其特征在于，所述基座與所述提手以可拆卸方式連接。
7.如權(quán)利要求6所述的太陽能硅片承載架，其特征在于，所述可拆卸方式連接是通過螺紋連接。
8.如權(quán)利要求1 7中任一權(quán)利要求所述的太陽能硅片承載架，其特征在于，所述基座和所述提手的制備材料為耐腐蝕材料。
9.如權(quán)利要求8所述的太陽能硅片承載架，其特征在于，所述耐腐蝕材料為聚四氟乙烯或有機玻璃。
專利摘要本實用新型公開了一種太陽能硅片承載架，該硅片承載架包括基座、方槽和通孔，在基座的側(cè)面設(shè)有一平面，平面作為基座的定向面，方槽開設(shè)置在基座的上表面，通孔連接所述方槽，該方槽的最寬面與基座的定向面平行。該硅片承載架可使太陽能硅片在整個清洗過程中斜靠在方槽內(nèi)壁，與方槽只在邊緣處接觸，使整個硅片得到有效清洗，并且不會在沸煮過程中發(fā)生晶面翻轉(zhuǎn)；由于方槽連有通孔，使清洗過程中方槽內(nèi)的清洗液體能有效流動，避免清洗下的顆粒沉積在方槽內(nèi)對太陽能硅片產(chǎn)生二次污染，同時，在清洗結(jié)束時能讓清洗液體快速流出方槽；使用提手可方便地將基座從清洗液中取出。
文檔編號B65D61/00GK202186641SQ20112026317
公開日2012年4月11日 申請日期2011年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月22日
發(fā)明者李向清, 沈彪, 胡德良 申請人:江陰市愛多光伏科技有限公司