專利名稱：雙重結(jié)構(gòu)的叢集設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種薄膜晶體管液晶顯示裝置(TFT-LCD)的制造設(shè)備，尤其是關(guān)于一種在薄膜制造的處理模塊之間傳送基板的叢集設(shè)備。
本申請案分別主張2003年1月10日與2003年7月15日于韓國申請的第2003-0001522號與第2003-0048344號申請案之優(yōu)先權(quán)日，在此將其列入?yún)⒖肌?br> 背景技術(shù)：
一般而言，由于平面顯示器具有輕、薄的特點(diǎn)，故通常用于可攜式產(chǎn)品之中。在各種平面顯示器中，由于液晶顯示器(LCD)具有較佳的分辨率、彩色顯示功能、及較佳的畫質(zhì)，故通常用于便攜式及桌上型計(jì)算機(jī)。
LCD裝置之上、下基板具有電極且彼此隔開相對，并在其間充填液晶材料。因此，當(dāng)對液晶材料施加電場并對上、下基板之電極施加電壓時(shí)，液晶分子的對準(zhǔn)方向?qū)㈦S著所施電壓而改變。通過控制所施電壓，LCD裝置將產(chǎn)生不同的透光度而顯現(xiàn)影像。
LCD裝置通常用于辦公室自動化(OA)設(shè)備中。在各種LCD裝置中，主動矩陣型LCD(AM-LCD)具有薄膜晶體管與呈矩陣狀配置的像素電極，故可提供較高的分辨率及較佳的動態(tài)影像。典型的AM-LCD面板具有上基板、下基板、及充填其間的液晶材料層。上基板通常為彩色濾光基板，其具有共同電極與彩色濾光片。下基板通常為數(shù)組基板，其具有如薄膜晶體管(TFT)之開關(guān)組件與像素電極。共同與像素電極產(chǎn)生電場而使液晶分子重排。
在制造數(shù)組基板與彩色濾光基板時(shí)，通常必須在整個(gè)玻璃基板上形成大量的薄膜。此時(shí)，必須利用薄膜沉積處理、光刻處理、圖案化處理、清洗處理而達(dá)成。薄膜沉積處理可在整個(gè)基板上形成如導(dǎo)電膜與絕緣膜等多個(gè)薄膜。光刻與圖案化處理則通過感旋光性光阻去除薄膜或使薄膜殘留而圖案化薄膜。清洗處理則清洗去除殘留雜質(zhì)并使基板干燥。
上述處理皆在已最佳化的處理室中進(jìn)行。尤其，通常利用復(fù)雜的叢集設(shè)備(cluster device)進(jìn)行上述處理。叢集設(shè)備具有供進(jìn)行上述處理的各種處理室，并具有足以將尚未處理的基板傳送到處理室，且從處理室收取已處理的基板的轉(zhuǎn)送室。叢集設(shè)備的處理室通常包括離子強(qiáng)化化學(xué)氣相沈積(PECVD)、干蝕刻機(jī)等等。
此外，上述足以將基板傳送到薄膜沉積處理室、光刻處理室、蝕刻處理室及清洗處理室的叢集設(shè)備亦適用于半導(dǎo)體裝置的制造。
圖1為公知叢集設(shè)備的立體圖，且圖2為圖1之公知叢集設(shè)備的上透視圖。
在圖1及圖2中，叢集設(shè)備1具有位在其中心的轉(zhuǎn)送室30與位在轉(zhuǎn)送室30之一側(cè)的加載互鎖室20。轉(zhuǎn)送室30用以傳送及收取基板，而加載互鎖室20則具有在處理間隔期間供收納基板的開縫部。此外，叢集設(shè)備1具有多個(gè)處理室42、43、44、45及46，皆連接至轉(zhuǎn)送室30，藉以在各處理室中對基板進(jìn)行所需的處理。叢集設(shè)備1尚具有預(yù)熱基板之用的預(yù)熱室50，其連接至轉(zhuǎn)送室30，藉以在處理室42、43、44、45及46對基板進(jìn)行處理之前，先行預(yù)熱基板。再者，容納多個(gè)基板的基板容器10與加載互鎖室20結(jié)合在一起。
叢集設(shè)備1的轉(zhuǎn)送室30將尚未處理的基板從加載互鎖室20傳送到預(yù)熱室50，并從預(yù)熱室50傳送到處理室42、43、44、45及46。在處理室42、43、44、45及46對基板進(jìn)行所需的處理之后，轉(zhuǎn)送室30隨即收取基板，并將其搬運(yùn)回加載互鎖室20。故，轉(zhuǎn)送室30當(dāng)作暫時(shí)的儲存區(qū)或通道之用。
圖3為公知叢集設(shè)備加載互鎖室的橫剖面圖。在圖3中，加載互鎖室(load lockchamber)20可分成上加載互鎖室20a與下加載互鎖室20b。上、下加載互鎖室20a、20b的每一個(gè)皆具有第一與第二開縫部24、25，用以收納基板。閘門22、26分別設(shè)置在上、下加載互鎖室20a、20b的左、右側(cè)。各開縫部24或25皆具有支撐銷29，藉以防止所收納之基板直接接觸于開縫部24、25。在加載互鎖室的外側(cè)安裝致動用氣缸28，藉以在上、下方向上移動第二開縫部25。
在上述之叢集設(shè)備1中，基板將依照下列順序而傳送。以下假設(shè)已將基板收納在上加載互鎖室20a之中。
首先，通過可在常壓中操作的(ATM)機(jī)械手臂12(如圖2所示)將基板容器10之中的基板搬運(yùn)到上加載互鎖室20a中，并接著將此基板安裝在上加載互鎖室20a的第一開縫部24上。此時(shí)，為了使第二開縫部25能夠接收來自轉(zhuǎn)送室30的處理后的基板，故并不提供基板給第二開縫部25。當(dāng)基板送入加載互鎖室20中時(shí)，加載互鎖室20中為常壓狀態(tài)。換言之，當(dāng)基板安裝在第一開縫部24之上時(shí)，第一閘門22為敞開且第二閘門26關(guān)閉。
在第一開縫部24收納基板之后，第一閘門22隨即關(guān)閉，則真空泵(未圖示)隨即將加載互鎖室20的內(nèi)部抽真空。之后，當(dāng)加載互鎖室20的內(nèi)部呈真空狀態(tài)或當(dāng)加載互鎖室20的內(nèi)部具有與轉(zhuǎn)送室30或處理室42、43、44、45及46相同的壓力時(shí)，隨即打開第二閘門26。之后，轉(zhuǎn)送室30可在真空中操作的機(jī)械手臂32從處理室42、43、44、45或46之中取出已處理的基板而放置到空閑的第二開縫部25之上，并將安裝在第一開縫部24之上的基板搬運(yùn)到預(yù)熱室50之中。
通過可在真空中操作的機(jī)械手臂32將預(yù)熱室50中的基板轉(zhuǎn)送到處理室42、43、44、45及46其中一個(gè)，藉以對基板進(jìn)行薄膜沉積處理。根據(jù)所欲形成的薄膜而在單一處理室中進(jìn)行薄膜沉積處理或在多個(gè)處理室中進(jìn)行薄膜沉積處理。
在處理室42、43、44、45及46進(jìn)行薄膜沉積處理之后，機(jī)械手臂32將已處理之基板從處理室搬運(yùn)到加載互鎖室20的第二開縫部25上。之后，使第二閘門26關(guān)閉，并將N2及/或氦氣充入加載互鎖室20之中而達(dá)到大氣壓力。此時(shí)，利用Ar及/或N2等冷卻用氣體冷卻已處理的基板。
在冷卻已處理的基板并加壓之后，隨即打開第一閘門22、并將已處理的基板送回基板容器10中。
雖然圖1及圖2并未顯示，但在轉(zhuǎn)送室30與預(yù)熱室50之間、及轉(zhuǎn)送室30與處理室42、43、44、45及46設(shè)置有槽閥。當(dāng)基板正進(jìn)入或取出所需的處理室時(shí)，槽閥將足以使所需的處理室敞開。另外，槽閥足以關(guān)閉所需的處理室而進(jìn)行所需的處理。
近來，隨著基板尺寸變大，叢集設(shè)備亦必須隨之變大。然而，這將造成制造與維修成本的增加。故，如何改善昂貴且大型的叢集設(shè)備而提高半導(dǎo)體及/或薄膜裝置的產(chǎn)能為一重要課題。
當(dāng)利用圖1至圖3所示的叢集設(shè)備與加載互鎖室來形成三層式薄膜時(shí)(即SiNx層、a-Si:H層及n+a-Si:H層)，單位時(shí)間的產(chǎn)能為三十片基板。當(dāng)利用圖1至圖3所述的叢集設(shè)備與加載互鎖室來形成單層薄膜時(shí)(即SiNx層)，單位時(shí)間的產(chǎn)能為四十至五十片基板。為了提高單位時(shí)間的產(chǎn)能而降低生產(chǎn)成本，就必須在叢集設(shè)備中增設(shè)大量的處理室，但如此一來，將造成叢集設(shè)備過于龐大或造成設(shè)備投資成本過高。
尤其是，轉(zhuǎn)送室通常由鋁或不銹鋼所構(gòu)成。故，一旦轉(zhuǎn)送室隨著基板尺寸的增大而變大時(shí)，生產(chǎn)成本勢必大幅增加、且亦難以制造龐大的叢集設(shè)備。
依據(jù)公知技術(shù)，加壓且冷卻加載互鎖室的時(shí)間需四十秒，且抽真空加載互鎖室的時(shí)間需三十秒。故，這些額外的前置處理時(shí)間將嚴(yán)重影響單位時(shí)間的產(chǎn)能。為了縮短前置處理時(shí)間，已經(jīng)有各種對策。尤其是，利用提高抽真空速度來達(dá)成；然而這將引起絕熱膨脹過程的水滴。再者，一旦為了縮短前置處理時(shí)間而縮短抽真空時(shí)間，則當(dāng)開縫部收納有基板時(shí)，將造成大量的微粒因不當(dāng)?shù)呐艢舛M(jìn)行加載互鎖室中。而這些水滴與微粒將嚴(yán)重破壞薄膜沉積處理所形成的薄膜。另外，一旦為了縮短基板冷卻時(shí)間而過快地冷卻基板的話，將大幅降低薄膜的穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
因此，為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明提供一種在薄膜制備的處理模塊之間傳送晶片的叢集設(shè)備。本發(fā)明所述的傳送基板用的叢集設(shè)備優(yōu)點(diǎn)之一為可提高薄膜生產(chǎn)的產(chǎn)能。
本發(fā)明傳送基板用的叢集設(shè)備之另一優(yōu)點(diǎn)為可在更大的基板上形成薄膜。
本發(fā)明之傳送基板用的叢集設(shè)備之另一優(yōu)點(diǎn)為可提高薄膜的可靠度并降低其制造成本。
本發(fā)明其它目的及優(yōu)點(diǎn)由隨后的詳細(xì)說明當(dāng)可更加明白。
為了完成本發(fā)明上述優(yōu)點(diǎn)及目的，如以下實(shí)施例所示，為提供一種雙重結(jié)構(gòu)的叢集設(shè)備，其包含一基板容器，容納多個(gè)基板，且該基板容器具有一用以搬運(yùn)該基板常壓中操作的(ATM)機(jī)械手臂；一第一叢集，此第一叢集還包含一第一轉(zhuǎn)送室，具有一真空中操作的機(jī)械手臂；多個(gè)第一處理室，皆連接至該第一轉(zhuǎn)送室；及一第一加載互鎖室，連接至該基板容器與該第一轉(zhuǎn)送室兩者；及一第二叢集，此第二叢集還包含一第二轉(zhuǎn)送室，位于該第一轉(zhuǎn)送室下方；多個(gè)第二處理室，皆連接至該第二轉(zhuǎn)送室，且各第二處理室位于每兩個(gè)第一處理室之間；及一第二加載互鎖室，其連接至該基板容器與該第二轉(zhuǎn)送室。
依據(jù)本發(fā)明，第一轉(zhuǎn)送室與第二轉(zhuǎn)送室兩者都呈一體結(jié)構(gòu)，且該第一與第二轉(zhuǎn)送室兩者共有一內(nèi)部空間。又，第一與第二轉(zhuǎn)送室兩者互相接合并利用O形環(huán)而達(dá)密封效果，且該第一與第二轉(zhuǎn)送室兩者共有一內(nèi)部空間。第一與第二加載互鎖室的每一個(gè)之中皆至少具有三個(gè)開縫部。在本發(fā)明的叢集設(shè)備中，第一與第二加載互鎖室的每一個(gè)尚至少包含位在其外底面的致動用氣缸，該致動用氣缸系用以移動至少一個(gè)開縫部。各開縫部之上表面皆具有支撐銷。第二轉(zhuǎn)送室附設(shè)有一真空中操作的機(jī)械手臂。
根據(jù)另一實(shí)施例，第一與第二處理室的其中一個(gè)系用于預(yù)熱基板。第一與第二加載互鎖室的每一個(gè)的兩側(cè)壁分別具有一入口閘與一出口閘，且其分別面對著該基板容器與該轉(zhuǎn)送室。第二轉(zhuǎn)送室與該第一轉(zhuǎn)送室具有相同的外形，且該第二轉(zhuǎn)送室與該第一轉(zhuǎn)送室之間具有四十五度的夾角。各第二處理室與相鄰之其中一個(gè)第一處理室之間具有四十五度的夾角。第一加載互鎖室系緊貼著該第二加載互鎖室，且與該第二加載互鎖室具有四十五度的夾角。
以上所述僅為了用于方便說明本發(fā)明之較佳實(shí)施例，而并非將本發(fā)明狹義地限制于該較佳實(shí)施例。


圖1為公知叢集設(shè)備的立體圖。
圖2為公知叢集設(shè)備的上透視圖。
圖3為公知叢集設(shè)備的加載互鎖室的橫剖面圖。
圖4為本發(fā)明叢集設(shè)備的立體圖。
圖5為本發(fā)明叢集設(shè)備的上透視圖。
圖6為本發(fā)明叢集設(shè)備的加載互鎖室的橫剖面圖。組件符號說明1、100叢集設(shè)備；10、110基板容器；12、120、220、32機(jī)械手臂；20、20a、20b、240、340加載互鎖室；22、26閘門；24、25、235、244、245、246開縫部；28、248氣缸；29、247支撐銷；200第一叢集；210、30、310轉(zhuǎn)送室；242、342入口閘；243出口閘；260、270、280、360、370、380、42、43、44、45、46處理室；300第二叢集；50預(yù)熱室。
具體實(shí)施例方式
以下將結(jié)合

，參見各附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例。
圖4為本發(fā)明叢集設(shè)備的立體圖，且圖5為顯示圖4叢集設(shè)備的詳細(xì)透視圖。在圖4及圖5中，叢集設(shè)備100區(qū)分成第一叢集200與第二叢集300，兩者沿著上、下方向互相接合。
第一叢集200具有位在其中心的第一轉(zhuǎn)送室210，并具有位在第一轉(zhuǎn)送室210之一側(cè)的第一加載互鎖室240。第一轉(zhuǎn)送室210則具有用以傳送及收取基板并可在真空中操作的機(jī)械手臂220，且第一加載互鎖室240則具有在處理間隔期間供收納基板的開縫部。此外，叢集設(shè)備100尚具有多個(gè)第一處理室260、270及280，皆連接至第一轉(zhuǎn)送室210，俾能在各第一處理室中對基板進(jìn)行所需的處理。
第二叢集300具有位于第一轉(zhuǎn)送室210下方的第二轉(zhuǎn)送室310，并具有位于第二轉(zhuǎn)送室310之一側(cè)的第二加載互鎖室340。第二加載互鎖室340緊貼著第一加載互鎖室240。此外，叢集設(shè)備100具有多個(gè)第二處理室360、370及380，皆連接至第二轉(zhuǎn)送室310，俾能在各第二處理室中對基板進(jìn)行所需的處理。各第二處理室360、370及380位于每兩個(gè)第一處理室之間、并位于第一加載互鎖室240與第一處理室之間。第二轉(zhuǎn)送室310與第一轉(zhuǎn)送室210兩者都呈一體結(jié)構(gòu)，故第一與第二轉(zhuǎn)送室210、310共有一個(gè)內(nèi)部空間。又，亦可分別形成第一與第二轉(zhuǎn)送室210、310，并互相接合而利用O形環(huán)加以密封。第二轉(zhuǎn)送室310附設(shè)有一個(gè)可在真空中操作的機(jī)械手臂(未圖示)，其如同可在真空中操作的機(jī)械手臂220。如同第一轉(zhuǎn)送室210，第二轉(zhuǎn)送室310亦用以傳送及收取基板。第二加載互鎖室340亦具有在處理間隔期間供收納基板的開縫部。
如上所述，第一與第二加載互鎖室240、340的每一個(gè)皆具有多個(gè)開縫部，例如三個(gè)開縫部。再者，容納有多個(gè)基板的基板容器110與第一與第二加載互鎖室240、340結(jié)合在一起。第一與第二加載互鎖室240、340則具有分別位在基板容器110與第一與第二加載互鎖室240、340之間的入口閘242、342。雖然在圖4及圖5中并未顯示，但第一與第二加載互鎖室240、340的每一個(gè)系具有分別位在第一與第二加載互鎖室240、340與轉(zhuǎn)送室之間的出口閘。
如圖4及圖5所示，第一叢集200的第一加載互鎖室240及第一處理室260、270、280皆連接至第一轉(zhuǎn)送室210，且彼此之間夾一直角。第二叢集300的第二加載互鎖室340及第二處理室360、370、380皆連接至第二轉(zhuǎn)送室310，且彼此之間亦夾一直角。如圖5所示，第二轉(zhuǎn)送室310與第一轉(zhuǎn)送室210之間具有四十五度的偏轉(zhuǎn)角度。第二加載互鎖室340及第二處理室360、370、380的每一個(gè)亦與相鄰的第一加載互鎖室240及第一處理室260、270、280呈四十五度的夾角。換言之，第二加載互鎖室340及第二處理室360、370、380的每一個(gè)皆位在每兩個(gè)第一加載互鎖室240及第一處理室260、270、280之間。然而，上述的加載互鎖室與處理室的數(shù)目亦可為任意的。根據(jù)本發(fā)明，第一與第二處理室260、270、280、及360、370、380之其中一個(gè)作為預(yù)熱基板用，能在處理室260、270、280、及360、370、380中對基板進(jìn)行所需處理之前，先行預(yù)熱基板。
第一與第二轉(zhuǎn)送室210、310將尚未處理的基板從第一與第二加載互鎖室240、340轉(zhuǎn)送到第一與第二處理室260、270、280、及360、370、380。在各第一與第二處理室260、270、280、及360、370、380對基板進(jìn)行所需處理之后，隨即收取已處理的基板并搬運(yùn)回第一與第二加載互鎖室240、340之中。故第一與第二轉(zhuǎn)送室210、310當(dāng)作暫時(shí)的儲存區(qū)或通道。
圖6為本發(fā)明之叢集設(shè)備中的加載互鎖室之橫剖面圖。在圖6中系顯示第一加載互鎖室240。
根據(jù)圖6所示，加載互鎖室240具有三個(gè)以上的開縫部，例如第一至第三開縫部244、245、246，用以收納基板。第一至第三開縫部244、245、246的每一個(gè)的上表面都具有支撐銷247。支撐銷247為用以使基板免于直接接觸開縫部244、245、246。將致動用氣缸(driving cylinder)248安裝在加載互鎖室240的外底面，藉以移動開縫部244、245、246。在加載互鎖室240面對著基板容器110的左側(cè)壁上設(shè)置入口閘242，并在其面對著轉(zhuǎn)送室210的右側(cè)壁上設(shè)置出口閘243。根據(jù)本發(fā)明，第二加載互鎖室340具有與圖6之第一加載互鎖室240完全相同的構(gòu)造。
雖然圖6并未顯示，但加載互鎖室240具有連接至真空泵的抽氣管，故可使加載互鎖室240的內(nèi)部成為真空狀態(tài)，且加載互鎖室240亦具有連接至氣體源的進(jìn)氣管，故可使加載互鎖室240的內(nèi)部成為常壓狀態(tài)。
在上述叢集設(shè)備100中，基板將依照下列順序而傳送。以下假設(shè)已將基板收納在第一加載互鎖室240中。
首先，通過可在常壓中操作的(ATM)機(jī)械手臂120將兩個(gè)尚未處理的基板從基板容器110搬運(yùn)到加載互鎖室240中，并接著分別將此兩個(gè)尚未處理的基板安裝在第一與第二開縫部244、245之上。之后，關(guān)閉入口閘242，并啟動真空泵(未圖示)而使加載互鎖室240內(nèi)部的真空度達(dá)到轉(zhuǎn)送室與處理室210、260、270及280者。
在抽真空之后，隨即打開出口閘243。然后，利用可在真空中操作的機(jī)械手臂220從處理室260、270或280中取出已處理的基板，并將已處理的基板放置在加載互鎖室240空閑的第三開縫部246之上。又，機(jī)械手臂220將尚未處理的一個(gè)基板從第一開縫部244轉(zhuǎn)送到處理室260、270或280，并接著將另一個(gè)已處理的基板從處理室260、270或280搬運(yùn)到空閑的第一開縫部244之上。機(jī)械手臂220亦將第二開縫部235之上的剩下之一個(gè)未處理的基板搬運(yùn)到處理室260、270及280的其中一個(gè)。因此，得以使兩個(gè)尚未處理的基板與兩個(gè)已處理之基板互換位置。
在基板互換位置之后，即可將兩個(gè)已處理的基板收納到加載互鎖室240的第一與第三開縫部244至246之上。當(dāng)出口閘243關(guān)閉時(shí)，則將N2及/或氦氣通入加載互鎖室240中，以使加載互鎖室240的內(nèi)部成為常壓狀態(tài)。此時(shí)，利用Ar及/或N2等冷卻用氣體使已處理的基板冷卻。在加壓及/或冷卻期間，使收納有已處理的基板第一與第三開縫部244、246移動到緊貼著未收納基板的第二開縫部245，以能使已處理的基板的高溫能夠傳遞到第二開縫部245。如圖6所示，可利用致動用氣缸248而使各開縫部移動。
在已處理的基板冷卻且加載互鎖室240加壓之后，隨即打開入口閘242并將已處理的基板送回到基板容器110中。雖然圖4及圖5并未顯示，但在轉(zhuǎn)送室210與各處理室260、270、280之間設(shè)置有槽閥。當(dāng)尚未處理或已處理的基板正進(jìn)入或取出所需的處理室時(shí)，槽閥將足以使所需的處理室敞開。又，槽閥足以關(guān)閉所需的處理室而進(jìn)行所需的處理。
依據(jù)圖4至圖6的本發(fā)明的叢集設(shè)備，需六十秒即可加壓并冷卻加載互鎖室，且需四十秒即可將加載互鎖室抽真空。相公知技術(shù)而言，本發(fā)明所需的加壓、冷卻及抽真空時(shí)間略長。然而，本發(fā)明的單位時(shí)間的產(chǎn)能卻大幅提高。當(dāng)利用本發(fā)明形成三層式薄膜時(shí)(即SiNx層、a-Si:H層及n+a-Si:H層)，單位時(shí)間的產(chǎn)能將高達(dá)三十六片基板。又，當(dāng)利用本發(fā)明的叢集設(shè)備與加載互鎖室形成單層薄膜(SiNx層)時(shí)，單位時(shí)間的產(chǎn)能將高達(dá)六十五片基板。
亦可在第二叢集300中設(shè)置上述的基板搬運(yùn)系統(tǒng)。換言之，可同時(shí)在第一與第二叢集200、300中進(jìn)行第一與第二加載互鎖室240、340的抽真空及加壓過程、并在處理室之中進(jìn)行基板的傳送。因此，由于同時(shí)使用兩個(gè)加載互鎖室與兩個(gè)轉(zhuǎn)送室，故可縮短總處理時(shí)間及步驟。
本發(fā)明的叢集設(shè)備系適用于制造液晶顯示器(LCD)、半導(dǎo)體裝置、等離子顯示器(PDP)及有機(jī)電致發(fā)光顯示器。尤其，本發(fā)明的叢集設(shè)備特別適用于電漿強(qiáng)化化學(xué)氣相沉積(PECVD)與干蝕刻機(jī)。
由于本發(fā)明的叢集設(shè)備使用兩個(gè)轉(zhuǎn)送室，故本發(fā)明足以大幅提高薄膜沉積及其圖案化處理時(shí)的產(chǎn)能。此外，由于本發(fā)明叢集設(shè)備為雙重結(jié)構(gòu)，故，僅需極小的占地面積。本發(fā)明叢集設(shè)備亦具有降低制造成本的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明叢集設(shè)備更具有處理大型基板的能力。
綜上所述僅為用于說明本發(fā)明的較佳實(shí)施例，而并非將本發(fā)明狹義地限制于該較佳實(shí)施例。凡根據(jù)本發(fā)明所做的任何變更，皆屬本發(fā)明專利范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種雙重結(jié)構(gòu)之叢集設(shè)備，包含一基板容器，容納多個(gè)基板，該基板容器具有一用以搬運(yùn)該基板的常壓中操作的(ATM)機(jī)械手臂；一第一叢集，還包含一第一轉(zhuǎn)送室，具有一真空中操作的機(jī)械手臂；多個(gè)第一處理室，皆連接至該第一轉(zhuǎn)送室；及一第一加載互鎖室，連接至該基板容器與該第一轉(zhuǎn)送室兩者；及一第二叢集，還包含一第二轉(zhuǎn)送室，位在該第一轉(zhuǎn)送室之下方；多個(gè)第二處理室，皆連接至該第二轉(zhuǎn)送室，且各第二處理室位于每兩個(gè)第一處理室之間；及一第二加載互鎖室，連接至該基板容器與該第二轉(zhuǎn)送室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙重結(jié)構(gòu)的叢集設(shè)備，其特征在于該第一轉(zhuǎn)送室與該第二轉(zhuǎn)送室呈一體結(jié)構(gòu)，且該第一與第二轉(zhuǎn)送室共有一內(nèi)部空間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙重結(jié)構(gòu)的叢集設(shè)備，其特征在于該第一與第二轉(zhuǎn)送室互相接合并利用O形環(huán)而達(dá)密封效果，且該第一與第二轉(zhuǎn)送室共有一內(nèi)部空間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙重結(jié)構(gòu)的叢集設(shè)備，其特征在于該第一與第二加載互鎖室的每一個(gè)都至少具有三個(gè)開縫部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙重結(jié)構(gòu)的叢集設(shè)備，其特征在于該第一與第二加載互鎖室的每一個(gè)尚至少包含位在其外底面的致動用氣缸，該致動用氣缸用以移動至少一個(gè)開縫部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙重結(jié)構(gòu)的叢集設(shè)備，其特征在于各開縫部的上表面都具有支撐銷。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙重結(jié)構(gòu)的叢集設(shè)備，其特征在于該第二轉(zhuǎn)送室附設(shè)有一真空中操作的機(jī)械手臂。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙重結(jié)構(gòu)的叢集設(shè)備，其特征在于該第一與第二處理室的其中一個(gè)用于預(yù)熱基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙重結(jié)構(gòu)的叢集設(shè)備，其特征在于該第一與第二加載互鎖室的每一個(gè)的兩側(cè)壁分別具有一入口閘與一出口閘，且其分別面對著該基板容器與該轉(zhuǎn)送室。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙重結(jié)構(gòu)的叢集設(shè)備，其特征在于該第二轉(zhuǎn)送室與該第一轉(zhuǎn)送室具有相同的外形，且該第二轉(zhuǎn)送室與該第一轉(zhuǎn)送室之間具有四十五度的夾角。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙重結(jié)構(gòu)的叢集設(shè)備，其特征在于各第二處理室與相鄰的其中一個(gè)第一處理室之間具有四十五度的夾角。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙重結(jié)構(gòu)的叢集設(shè)備，其特征在于該第一加載互鎖室緊貼著該第二加載互鎖室，且與該第二加載互鎖室具有四十五度的夾角。
全文摘要
一種雙重結(jié)構(gòu)的叢集設(shè)備，包含一基板容器，容納多個(gè)基板，且該基板容器具有一用以搬運(yùn)該基板的常壓中操作的機(jī)械手臂；一第一叢集，此第一叢集還包含一第一轉(zhuǎn)送室；具有一真空中操作的機(jī)械手臂；多個(gè)第一處理室，皆連接至該第一轉(zhuǎn)送室；及一第一加載互鎖室，連接至該基板容器與該第一轉(zhuǎn)送室兩者；及一第二叢集，此第二叢集還包含一第二轉(zhuǎn)送室，位在該第一轉(zhuǎn)送室之下方；多個(gè)第二處理室，皆連接至該第二轉(zhuǎn)送室，且各第二處理室位于每兩個(gè)第一處理室之間；及一第二加載互鎖室，連接至該基板容器與該第二轉(zhuǎn)送室。
文檔編號B65G49/07GK1517769SQ20041000052
公開日2004年8月4日 申請日期2004年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月10日
發(fā)明者張根夏, 劉致旭 申請人:周星工程股份有限公司