本技術(shù)涉及膠帶領(lǐng)域,具體為一種吸波降噪緩沖的電磁屏蔽膠帶。
背景技術(shù):
1、隨著新技術(shù)的發(fā)展,科技進(jìn)步的速度日新月異。智能化的電器設(shè)備的使用頻次越來(lái)越高。nfc,rfid,音箱,高壓設(shè)備等設(shè)備使用過(guò)程中都會(huì)產(chǎn)生電磁干擾使得周?chē)O(shè)備靈敏度大大降低。電磁干擾不僅影響人的健康,也會(huì)影響本設(shè)備及其他設(shè)備的使用。現(xiàn)有的電磁屏蔽膠帶不能在低頻段和高頻段同時(shí)滿足電磁屏蔽吸收效果,通常只能滿足一種。且現(xiàn)有的電磁屏蔽膠帶阻燃效果不理想。
2、鑒于此,有必要提供一種吸波降噪緩沖的電磁屏蔽膠帶。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本實(shí)用新型提供的一種吸波降噪緩沖的電磁屏蔽膠帶,有效的解決了現(xiàn)有膠帶不能同時(shí)滿足高頻和低頻下的電磁屏蔽以及阻燃效果差的問(wèn)題。
2、本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是
3、一種吸波降噪緩沖的電磁屏蔽膠帶,包括聚酰亞胺雙面鍍銅薄膜層、第一膠層、高磁吸波層、第二膠層、低磁吸波層、第三膠層、三元乙丙橡膠吸波層以及第四膠層,所述第一膠層連接聚酰亞胺雙面鍍銅薄膜層的下端面與高磁吸波層的上端面,所述第二膠層連接高磁吸波層的下端面與低磁吸波層的上端面,所述第三膠層連接低磁吸波層和三元乙丙橡膠吸波層上端面,所述第四膠層設(shè)置在三元乙丙橡膠吸波層下端面。
4、進(jìn)一步的是:所述聚酰亞胺雙面鍍銅薄膜層的厚度范圍在6um~100um。
5、進(jìn)一步的是:所述第一膠層、第二膠層、第三膠層和第四膠層的結(jié)構(gòu)相同,所述第一膠層為熱熔膠或耐高溫亞克力膠。
6、進(jìn)一步的是:所述三元乙丙橡膠吸波層的厚度范圍在100um~5mm。
7、進(jìn)一步的是:所述高磁吸波層和低磁吸波層的厚度范圍均為10um~5mm。
8、實(shí)用新型的有益效果:通過(guò)聚酰亞胺雙面鍍銅薄膜層作為屏蔽反射層,可以有效反射電磁波。并且聚酰亞胺雙面鍍銅薄膜層具有良好的防水性能,在85℃/85%rh?240h老化后依然具有較好的導(dǎo)電屏蔽效果,且耐溫性能可達(dá)到260攝氏度。高磁吸波層和低磁吸波層作為磁波主材,低磁導(dǎo)率的吸波材可以有效損耗大多數(shù)頻段的電磁波且不容易飽和且可吸收1mhz-1ghz電磁波,高磁導(dǎo)率的吸波材可以再次吸收高頻段的電磁波,可屏蔽吸收1m-1ghz頻段的電磁波,避免影響電磁信號(hào)。三元乙丙橡膠吸波層具有優(yōu)異的緩沖吸波效果,可壓縮工作高度至原高度的30%,且橡膠中的半閉合孔可以有效吸收聲波,有一定的降噪效果,且三元乙丙橡膠吸波層可吸收1g-30ghz的電磁波。
1.一種吸波降噪緩沖的電磁屏蔽膠帶,其特征在于:包括聚酰亞胺雙面鍍銅薄膜層(1)、第一膠層(2)、高磁吸波層(3)、第二膠層(4)、低磁吸波層(5)、第三膠層(6)、三元乙丙橡膠吸波層(7)以及第四膠層(8),所述第一膠層(2)連接聚酰亞胺雙面鍍銅薄膜層(1)的下端面與高磁吸波層(3)的上端面,所述第二膠層(4)連接高磁吸波層(3)的下端面與低磁吸波層(5)的上端面,所述第三膠層(6)連接低磁吸波層(5)和三元乙丙橡膠吸波層(7)上端面,所述第四膠層(8)設(shè)置在三元乙丙橡膠吸波層(7)下端面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸波降噪緩沖的電磁屏蔽膠帶,其特征在于:所述聚酰亞胺雙面鍍銅薄膜層(1)的厚度范圍在6um~100um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸波降噪緩沖的電磁屏蔽膠帶,其特征在于:所述第一膠層(2)、第二膠層(4)、第三膠層(6)和第四膠層(8)的結(jié)構(gòu)相同,所述第一膠層(2)為熱熔膠或耐高溫亞克力膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸波降噪緩沖的電磁屏蔽膠帶,其特征在于:所述三元乙丙橡膠吸波層(7)的厚度范圍在100um~5mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸波降噪緩沖的電磁屏蔽膠帶,其特征在于:所述高磁吸波層(3)和低磁吸波層(5)的厚度范圍均為10um~5mm。