本發(fā)明屬于發(fā)光材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種適于紫外光激發(fā)的氟硅酸鹽綠色熒光粉及其制備方法。

背景技術(shù)：

白光發(fā)光二極管(led)憑借其效率高、壽命長(zhǎng)、低能耗、無(wú)污染等優(yōu)點(diǎn)，迅速在照明顯示等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，并被視為21世紀(jì)綠色照明光源。目前熒光粉轉(zhuǎn)換型白光led的實(shí)現(xiàn)方案是在藍(lán)光led芯片上涂敷y3al5o12:ce³⁺黃色熒光粉，利用led芯片發(fā)出的藍(lán)光與熒光粉被激發(fā)后發(fā)出的黃光組合得到高亮度白光。然而這種組合由于缺少紅光成份，且led芯片發(fā)出的藍(lán)光參與合成白光，使得最終器件的顯色指數(shù)較低(ra<80)，且存在色漂移。這就限制了白光led在低色溫、暖白光照明領(lǐng)域的應(yīng)用。

為了解決上述問(wèn)題，人們提出了利用紫外及近紫外led與能被近紫外及紫外led有效激發(fā)的紅、綠、藍(lán)三基色熒光粉組合實(shí)現(xiàn)白光，由于人眼對(duì)紫外光不敏感，因此這種方案獲得的白光led的顏色只由紅、綠、藍(lán)三基色熒光粉決定，這種方法的優(yōu)點(diǎn)是獲得的白光不僅顯色指數(shù)高、色彩穩(wěn)定，而且重現(xiàn)力強(qiáng)，從而滿足白光led在全面照明領(lǐng)域的要求，特別是高端照明領(lǐng)域的需求。

但是，目前能與紫外及近紫外led芯片很好匹配，效率高且熱穩(wěn)定性好的熒光粉還很缺乏。因此，開(kāi)發(fā)能與紫外及近紫外光led芯片很好匹配且發(fā)光效率高、熱穩(wěn)定性好的三基色熒光粉是提高白光led性能的關(guān)鍵。稀土硅酸鹽具有良好的化學(xué)性和熱穩(wěn)定性，是一種非常有潛力的熒光粉基質(zhì)材料。但是現(xiàn)有技術(shù)中未見(jiàn)與紫外及近紫外光led芯片很好匹配且發(fā)光效率高、熱穩(wěn)定性好的氟硅酸鹽綠色熒光粉。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種能與紫外光led芯片匹配好、發(fā)光效率高、溫度特性好的適于紫外光激發(fā)的氟硅酸鹽綠色熒光粉及其制備方法。該熒光粉在波長(zhǎng)為200～410nm的紫外/近紫外光激發(fā)下，發(fā)射峰值為543nm的窄帶強(qiáng)綠光。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題采取的技術(shù)方案如下。

一種氟硅酸鹽綠色熒光粉，化學(xué)式為：ba2y3-x-y-nrncextby(sio4)3f，式中，r為元素gd和/或lu，x、y、n為摩爾分?jǐn)?shù)，取值范圍分別為0<x≤0.2，0.005<y≤2.8，0≤n≤0.8。

x、y的優(yōu)選范圍分別是，0.01≤x≤0.1，0.01≤y≤1.2。

上述一種氟硅酸鹽綠色熒光粉的制備方法，包括如下步驟：

(1)按化學(xué)式ba2y3-x-y-nrncextby(sio4)3f中各元素的化學(xué)計(jì)量比，分別稱(chēng)取含有ba²⁺的化合物、含有y³⁺的化合物、含有g(shù)d³⁺的化合物，含有l(wèi)u³⁺的化合物，含有ce³⁺的化合物、含有tb³⁺的化合物、含有si⁴⁺的化合物和含有f^-的化合物，研磨并混合均勻，得到混合物；

(2)將步驟(1)得到的混合物在空氣或者co氣氛下，1100℃～1350℃進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，燒結(jié)時(shí)間為2～10h；

(3)混合物自然冷卻后，充分研磨，在h2還原氣氛下燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1100℃～1250℃，燒結(jié)時(shí)間為2～10h，將燒結(jié)所得產(chǎn)物自然冷卻后，研磨，即得到一種氟硅酸鹽綠色熒光粉。

所述含有ba²⁺的化合物為含有ba²⁺的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物中的一種或者其任意組合。

所述含有y³⁺的化合物為含有y³⁺的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物中的一種或者其任意組合；

所述含有g(shù)d³⁺的化合物為含有g(shù)d³⁺的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物中的一種或者其任意組合；

所述含有l(wèi)u³⁺的化合物為含有l(wèi)u³⁺的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物中的一種或者其任意組合；

所述含有ce³⁺的化合物為含有ce³⁺的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物中的一種或其任意組合；

所述含有tb³⁺的化合物為含有tb³⁺的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物中的一種或其任意組合。

所述含有si⁴⁺的化合物為二氧化硅和/或正硅酸乙酯。

所述含有f^-的化合物為氟化鋇、氟化銨、氟化氫銨、氟化釔中的一種或其任意組合。

步驟(1)中，含有f^-的化合物按化學(xué)計(jì)量比計(jì)算量的105℅～150℅稱(chēng)取，以補(bǔ)償其在燒結(jié)過(guò)程中因揮發(fā)而導(dǎo)致的化學(xué)計(jì)量比減小。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果：

1、本發(fā)明的氟硅酸鹽綠色熒光粉，其基質(zhì)晶格具有磷灰石晶體結(jié)構(gòu)，物理化學(xué)性能穩(wěn)定，熱穩(wěn)定性好；

本發(fā)明的氟硅酸鹽綠色熒光粉，通過(guò)ce³⁺和tb³⁺的共摻，成功地實(shí)現(xiàn)了ce³⁺向tb³⁺的能量傳遞，tb³⁺的激發(fā)光譜由200～300nm展寬至200～410nm，使之能夠更好地與紫外led芯片和熒光燈中汞蒸氣的發(fā)射光譜匹配，與目前市場(chǎng)上使用的綠色熒光粉lapo4:ce，tb相比(激發(fā)光譜主要在200～335nm之間)，本發(fā)明的氟硅酸鹽綠色熒光粉在近紫外區(qū)域(350～410nm)具有較寬的激發(fā)光譜，可以與近紫外led芯片結(jié)合獲得高效的綠色發(fā)光，更好的用于制備白光led器件；

本發(fā)明的氟硅酸鹽綠色熒光粉在紫外光激發(fā)下，能夠發(fā)射出峰值波長(zhǎng)為543nm的窄帶強(qiáng)綠光，且其發(fā)射強(qiáng)度比ba2y3(sio4)3f：tb³⁺的發(fā)射強(qiáng)度提高了近8倍，可以作為一種基于紫外光led芯片的白光led或三基色熒光燈中的綠色熒光粉；

本發(fā)明的氟硅酸鹽綠色熒光粉通過(guò)r及不同反應(yīng)物的合理匹配和合成工藝制度的調(diào)控，不僅可以獲得ba2y3-x-y-nrncextby(sio4)3f純相物質(zhì)，還可以在一定程度上對(duì)光譜進(jìn)行調(diào)控。

2、本發(fā)明提供的綠色熒光粉的制備方法，其工藝簡(jiǎn)單，無(wú)污染，易于操作。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明對(duì)比例和實(shí)施例4中熒光粉的xrd譜與標(biāo)準(zhǔn)卡片icsd-170852的比較；

圖2為本發(fā)明對(duì)比例和實(shí)施例4中熒光粉的激發(fā)光譜；

圖3為本發(fā)明對(duì)比例和實(shí)施例4中熒光粉在360nm激發(fā)下的發(fā)射光譜；

圖4為本發(fā)明對(duì)比例和實(shí)施例4中熒光粉在380nm激發(fā)下的發(fā)射光譜。

具體實(shí)施方式

為了進(jìn)一步了解本發(fā)明，下面結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案進(jìn)行描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，這些描述只是為進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)而不是對(duì)本發(fā)明專(zhuān)利要求的限制。

本發(fā)明的原理：在本發(fā)明熒光粉體系中，稀土離子tb³⁺摻雜的ba2y3(sio4)3f：tb³⁺在200～300nm的紫外光激發(fā)下發(fā)射出非常強(qiáng)的峰值在543nm的窄帶綠光。該激發(fā)帶屬于4f⁸-4f⁷5d¹自旋允許躍遷，其吸收強(qiáng)，但是這一范圍的泵浦光與紫外及近紫外led芯片(340～410nm)及熒光燈中汞蒸氣的發(fā)射光譜均不能很好的匹配。在350～400nm可匹配區(qū)域tb³⁺只有一些微弱的線狀激發(fā)帶，由于這些激發(fā)帶屬于4f殼層內(nèi)的f-f禁戒躍遷，其吸收很弱，所以543nm綠光發(fā)射非常弱，不能達(dá)到應(yīng)用水平。稀土離子ce³⁺摻雜的ba2y3(sio4)3f：ce³⁺中能在紫外光的激發(fā)下，發(fā)射出峰值在423nm的強(qiáng)紫光，此波長(zhǎng)的光不但人眼對(duì)其不敏感，并且其在基于紫外光led芯片的白光led中與綠光和紅光亦不能很好匹配。但是我們發(fā)現(xiàn)ce³⁺的發(fā)射光譜與tb³⁺的激發(fā)光譜存在明顯交疊，ce³⁺到tb³⁺很有可能存在有效的能量傳遞?；谏鲜鲈?，我們通過(guò)ce³⁺和tb³⁺共摻，實(shí)現(xiàn)了tb³⁺離子位于543nm綠光發(fā)射的激發(fā)光譜由200～300nm展寬為200～410nm，并且實(shí)現(xiàn)了其位于543nm綠光發(fā)射的強(qiáng)度明顯高于單摻tb³⁺時(shí)的強(qiáng)度，進(jìn)而獲得了一種能被紫外光有效激發(fā)的新型綠色熒光粉。同時(shí)通過(guò)不同元素r的摻雜，反應(yīng)物的調(diào)配更均衡，加之工藝制度的調(diào)控，不僅可以獲得純相物質(zhì)，還可以在一定程度上對(duì)光譜進(jìn)行調(diào)控。

本發(fā)明是適于紫外光激發(fā)的氟硅酸鹽綠色熒光粉，化學(xué)式為ba2y3-x-y-nrncextby(sio4)3f，其中r為元素gd、lu的一種或兩種按任意比例的組合，x、y、n為摩爾分?jǐn)?shù)，取值范圍分別為：0<x≤0.2，0.005<y≤2.8，0≤n≤0.8，x、y的優(yōu)選范圍分別為0.01≤x≤0.1，0.01≤y≤1.2。該綠色熒光粉具有磷灰石晶體結(jié)構(gòu)，屬于六方晶系，空間群為p63/m。能在波長(zhǎng)為200～410nm的紫外/近紫外光激發(fā)下，發(fā)射峰值為543nm的窄帶強(qiáng)綠光。

本發(fā)明的適于紫外光激發(fā)的氟硅酸鹽綠色熒光粉的制備方法，包括如下步驟：

(1)按化學(xué)式ba2y3-x-y-nrncextby(sio4)3f中各元素的化學(xué)計(jì)量比，分別稱(chēng)取含有鋇離子ba²⁺的化合物、含有釔離子y³⁺的化合物、含有釓離子gd³⁺的化合物，含有镥離子lu³⁺的化合物，含有鈰離子ce³⁺的化合物、含有鋱離子tb³⁺的化合物、含有硅離子si⁴⁺的化合物、含有氟離子f^-的化合物，在瑪瑙研缽中研磨并混合均勻，得到混合物；

上述步驟(1)中，混合原料中含有f^-的配比量為按化學(xué)計(jì)量比計(jì)算量的105℅～150℅，以補(bǔ)償其在燒結(jié)過(guò)程中因揮發(fā)而導(dǎo)致的化學(xué)計(jì)量比減??；

含有ba²⁺的化合物為含有ba²⁺的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物中的一種或者其任意組合。含有y³⁺的化合物為含有y³⁺的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物中的一種或其任意組合。含有g(shù)d³⁺的化合物為含有g(shù)d³⁺的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物中的一種或其任意組合。含有l(wèi)u³⁺的化合物為含有l(wèi)u³⁺的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物中的一種或其任意組合。含有ce³⁺的化合物為含有ce³⁺的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物中的一種或其任意組合。含有tb³⁺的化合物為含有tb³⁺的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物中的一種或其任意組合。含有si⁴⁺離子的化合物為二氧化硅、正硅酸乙酯中的一種或者兩種的組合。含有f^-離子的化合物為氟化鋇、氟化銨、氟化氫銨、氟化釔中的一種，或者它們的任意組合。當(dāng)含有相應(yīng)離子的化合物為多種物質(zhì)的混合物時(shí)，多種物質(zhì)的組成比例沒(méi)有特殊限制，只要保證組合后，相應(yīng)離子的總量符合化學(xué)計(jì)量比的配比要求即可。

(2)將步驟(1)得到的混合物在空氣或者co氣氛下，1100℃～1350℃進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，燒結(jié)時(shí)間為2～10h；

待燒結(jié)產(chǎn)物自然冷卻后，充分研磨，再在h2還原氣氛下燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1100℃～1250℃，燒結(jié)時(shí)間為2～10h，將燒結(jié)所得產(chǎn)物自然冷卻后，適當(dāng)研磨即得到一種氟硅酸鹽綠色熒光粉。

上述制備方法中，由于化學(xué)式中各離子半徑、電負(fù)性、電荷極性等特性差異很大，各物質(zhì)反應(yīng)性能對(duì)晶格的影響也不同，因此x、y、n的取值范圍及燒結(jié)工藝均要依據(jù)離子的不同及選用的化合物不同改變灼燒溫度和灼燒時(shí)間以控制得到所需材料的晶相。若匹配不平衡或灼燒工藝控制不當(dāng)，極易引起失配，使各物質(zhì)不能完全固溶而產(chǎn)生晶格缺陷，生成雜質(zhì)晶相。雜相的生成增加了熒光材料中基質(zhì)的吸收，從而降低了材料中tb³⁺的吸收，使得熒光材料的發(fā)光強(qiáng)度減弱。

本發(fā)明上述提供的適于紫外光激發(fā)的氟硅酸鹽綠色熒光粉的制備方法是高溫固相法。然而，該熒光粉的合成方法并不局限于此。其中，溶膠凝膠法、燃燒法等濕化學(xué)法均可合成該熒光粉。

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。

實(shí)施例中用分析純baco3，baf2，高純y2o3，lu2o3，gd2o3，ceo2，tb4o7，sio2作原料，制備本發(fā)明各實(shí)施例熒光粉。

實(shí)施例1

ba2y2.985ce0.005tb0.01(sio4)3f的制備

按化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取baco3：0.2960克，baf2：0.0921克，y2o3：0.3370克，sio2：0.1803克，ceo2：0.0009克，tb4o7：0.0019克。其中，由于baf2的熔點(diǎn)較低，易揮發(fā)，按計(jì)算量過(guò)量5℅。在瑪瑙研缽中研磨混合均勻，放入剛玉坩堝中，加蓋，置于高溫爐中，在空氣氣氛下，1290℃下進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，燒結(jié)時(shí)間為6h，待自然冷卻后取出；再次研磨后，放入剛玉坩堝中，在氫氣h2還原氣氛條件下，1200℃下燒結(jié)2h，自然冷卻后，適當(dāng)研磨即得到熒光粉ba2y2.985ce0.005tb0.01(sio4)3f。其晶體結(jié)構(gòu)、激發(fā)光譜和發(fā)射光譜與實(shí)施例4相似。

實(shí)施例2

ba2y2.96ce0.01tb0.03(sio4)3f的制備

按化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取baco3：0.3947克，nh4f：0.0407克，y2o3：0.3342克，sio2：0.1803克，ceo2：0.0017克，tb4o7：0.0056克，其中，由于nh4f的熔點(diǎn)較低，易揮發(fā)，按計(jì)算量過(guò)量10℅。在瑪瑙研缽中研磨混合均勻，放入剛玉坩堝中，加蓋，置于高溫爐中，在空氣氣氛下，1260℃下進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，燒結(jié)時(shí)間為6h，待自然冷卻后取出；再次研磨后，放入剛玉坩堝中，在氫氣h2還原氣氛條件下，1200℃下燒結(jié)2h，自然冷卻后，適當(dāng)研磨即得到熒光粉ba2y2.96ce0.01tb0.03(sio4)3f。其晶體結(jié)構(gòu)、激發(fā)光譜和發(fā)射光譜與實(shí)施例4相似。

實(shí)施例3

ba2y2.67ce0.03tb0.3(sio4)3f的制備

按化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取baco3：0.3947克，nh4hf：0.0684克，y2o3：0.3015克，sio2：0.1803克，ceo2：0.0052克，tb4o7：0.0561克，其中，由于nh4hf的熔點(diǎn)較低，易揮發(fā)，按計(jì)算量過(guò)量20℅。在瑪瑙研缽中研磨混合均勻，放入剛玉坩堝中，加蓋，置于高溫爐中，在co還原氣氛下，1200℃下進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，燒結(jié)時(shí)間為6h，待自然冷卻后取出；再次研磨后，放入剛玉坩堝中，在氫氣h2還原氣氛條件下，1150℃下燒結(jié)2h，自然冷卻后，適當(dāng)研磨即得到熒光粉ba2y2.67ce0.03tb0.3(sio4)3f。其晶體結(jié)構(gòu)、激發(fā)光譜和發(fā)射光譜與實(shí)施例4相似。

實(shí)施例4

ba2y1.74ce0.06tb1.2(sio4)3f的制備

按化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取baco3：0.2960克，baf2：0.1052克，y2o3：0.1965克，sio2：0.1803克，ceo2：0.0103克，tb4o7：0.2243克，其中，由于baf2的熔點(diǎn)較低，易揮發(fā)，按計(jì)算量過(guò)量20℅。在瑪瑙研缽中研磨混合均勻，放入剛玉坩堝中，加蓋，置于高溫爐中，在空氣氣氛下，1250℃下進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，燒結(jié)時(shí)間為6h，待自然冷卻后取出；再次研磨后，放入剛玉坩堝中，在氫氣h2還原氣氛條件下，1200℃下燒結(jié)2h，自然冷卻后，適當(dāng)研磨即得到熒光粉ba2y1.74ce0.06tb1.2(sio4)3f。

附圖1的曲線1，是本實(shí)施例制備的樣品的粉末x射線衍射圖譜，從圖中可以說(shuō)明當(dāng)摻雜適量的稀土離子ce³⁺和tb³⁺時(shí)，與標(biāo)準(zhǔn)卡片相比，除樣品固有的特征衍射峰位發(fā)生移動(dòng)外，其晶體結(jié)構(gòu)并未改變。從附圖1可知，該熒光粉的晶體結(jié)構(gòu)屬于六方晶系，空間群為p63/m。

附圖2的曲線1，是本實(shí)施例樣品在監(jiān)測(cè)543nm時(shí)獲得的激發(fā)光譜。從附圖2可知，與對(duì)比例相比，該熒光粉的激發(fā)光譜從200～300nm展寬到200～410nm，可以很好地匹配紫外光led芯片。

附圖3的曲線1，是本實(shí)施例樣品在360nm激發(fā)下獲得的發(fā)射光譜。從附圖3可知，該熒光粉在紫外光激發(fā)下發(fā)射峰值位于543nm的窄帶綠光，且同條件下其發(fā)射強(qiáng)度比單獨(dú)摻雜tb的對(duì)比例樣品的發(fā)射強(qiáng)度(見(jiàn)附圖3曲線2)提高了近8倍。

附圖4的曲線1，是本實(shí)施例樣品在380nm激發(fā)下獲得的發(fā)射光譜。從附圖4可知，該熒光粉在紫外光激發(fā)下發(fā)射峰值位于543nm的窄帶綠光，且同條件下其發(fā)射強(qiáng)度比單獨(dú)摻雜tb的對(duì)比例樣品的發(fā)射強(qiáng)度(見(jiàn)附圖4曲線2)提高了近3倍。

實(shí)施例5

ba2y0.9ce0.1tb2(sio4)3f的制備

按化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取baco3：0.2960克，baf2：0.0921克，y2o3：0.1016克，sio2：0.1803克，ceo2：0.0172克，tb4o7：0.3738克，其中，由于baf2的熔點(diǎn)較低，易揮發(fā)，按計(jì)算量過(guò)量5℅。在瑪瑙研缽中研磨混合均勻，放入剛玉坩堝中，加蓋，置于高溫爐中，在空氣氣氛下，1290℃下進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，燒結(jié)時(shí)間為6h，待自然冷卻后取出；再次研磨后，放入剛玉坩堝中，在氫氣h2還原氣氛條件下，1200℃下燒結(jié)2h，自然冷卻后，適當(dāng)研磨即得到熒光粉ba2y0.9ce0.1tb2(sio4)3f。其晶體結(jié)構(gòu)、激發(fā)光譜和發(fā)射光譜與實(shí)施例4相似。

實(shí)施例6

ba2ce0.2tb2.8(sio4)3f的制備

按化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取baco3：0.3947克，nh4hf：0.0856克，sio2：0.1803克，ceo2：0.0344克，tb4o7：0.5234克，其中，由于nh4hf的熔點(diǎn)較低，易揮發(fā)，按計(jì)算量過(guò)量50℅。在瑪瑙研缽中研磨混合均勻，放入剛玉坩堝中，加蓋，置于高溫爐中，在空氣氣氛下，1100℃下進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，燒結(jié)時(shí)間為6h，待自然冷卻后取出；再次研磨后，放入剛玉坩堝中，在氫氣h2還原氣氛條件下，1250℃下燒結(jié)2h，自然冷卻后，適當(dāng)研磨即得到熒光粉ba2ce0.2tb2.8(sio4)3f。其晶體結(jié)構(gòu)、激發(fā)光譜和發(fā)射光譜與實(shí)施例4相似。

實(shí)施例7

ba2y1.7gd0.5ce0.2tb0.6(sio4)3f的制備

按化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取baco3：0.2960克，baf2：0.1052克，y2o3：0.1919克，gd2o3：0.0906克，sio2：0.1803克，ceo2：0.0344克，tb4o7：0.1122克，其中，由于baf2的熔點(diǎn)較低，易揮發(fā)，按計(jì)算量過(guò)量20℅。在瑪瑙研缽中研磨混合均勻，放入剛玉坩堝中，加蓋，置于高溫爐中，在空氣氣氛下，1250℃下進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，燒結(jié)時(shí)間為6h，待自然冷卻后取出；再次研磨后，放入剛玉坩堝中，在氫氣h2還原氣氛條件下，1200℃下燒結(jié)2h，自然冷卻后，適當(dāng)研磨即得到熒光粉ba2y1.7gd0.5ce0.2tb0.6(sio4)3f。其晶體結(jié)構(gòu)、激發(fā)光譜和發(fā)射光譜與實(shí)施例4相似。

實(shí)施例8

ba2y1.7lu0.5ce0.2tb0.6(sio4)3f的制備

按化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取baco3：0.2960克，baf2：0.1052克，y2o3：0.1919克，lu2o3：0.0995克，sio2：0.1803克，ceo2：0.0344克，tb4o7：0.1122克，其中，由于baf2的熔點(diǎn)較低，易揮發(fā)，按計(jì)算量過(guò)量20℅。在瑪瑙研缽中研磨混合均勻，放入剛玉坩堝中，加蓋，置于高溫爐中，在空氣氣氛下，1250℃下進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，燒結(jié)時(shí)間為6h，待自然冷卻后取出；再次研磨后，放入剛玉坩堝中，在氫氣h2還原氣氛條件下，1200℃下燒結(jié)2h，自然冷卻后，適當(dāng)研磨即得到熒光粉ba2y1.7lu0.5ce0.2tb0.6(sio4)3f。其晶體結(jié)構(gòu)、激發(fā)光譜和發(fā)射光譜與實(shí)施例4相似。

實(shí)施例9

ba2y1.01lu0.8gd0.8ce0.09tb0.3(sio4)3f的制備

按化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取baco3：0.2960克，baf2：0.0965克，y2o3：0.1140克，lu2o3：0.1592克，gd2o3：0.1450克，sio2：0.1803克，ceo2：0.0155克，tb4o7：0.0561克，其中，由于baf2的熔點(diǎn)較低，易揮發(fā)，按計(jì)算量過(guò)量10℅。在瑪瑙研缽中研磨混合均勻，放入剛玉坩堝中，加蓋，置于高溫爐中，在空氣氣氛下，1270℃下進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，燒結(jié)時(shí)間為6h，待自然冷卻后取出；再次研磨后，放入剛玉坩堝中，在氫氣h2還原氣氛條件下，1200℃下燒結(jié)2h，自然冷卻后，適當(dāng)研磨即得到熒光粉ba2y1.01lu0.8gd0.8ce0.09tb0.3(sio4)3f。其晶體結(jié)構(gòu)、激發(fā)光譜和發(fā)射光譜與實(shí)施例4相似。

對(duì)比例

ba2y2.4tb0.6(sio4)3f的制備

按化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取baco3：0.2960克，baf2：01052克，y2o3：0.2710克，sio2：0.1803克，tb4o7：0.1122克，其中，由于baf2的熔點(diǎn)較低，易揮發(fā)，按計(jì)算量過(guò)量20℅。在瑪瑙研缽中研磨混合均勻，放入剛玉坩堝中，加蓋，置于高溫爐中，在空氣氣氛下，1250℃下進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，燒結(jié)時(shí)間為6h，待自然冷卻后取出；再次研磨后，放入剛玉坩堝中，在氫氣h2還原氣氛條件下，1200℃下燒結(jié)2h，自然冷卻后，適當(dāng)研磨即得到熒光粉ba2y2.4tb0.6(sio4)3f。

附圖1的曲線2，是本對(duì)比例制備的樣品的粉末x射線衍射圖譜，從圖中可以說(shuō)明當(dāng)摻雜適量的稀土離子tb³⁺時(shí)，與標(biāo)準(zhǔn)卡片相比，除樣品固有的特征衍射峰位發(fā)生移動(dòng)外，其晶體結(jié)構(gòu)并未改變。從附圖1可知，該熒光粉的晶體結(jié)構(gòu)屬于六方晶系，空間群為p63/m。

附圖2的曲線2，是本對(duì)比例樣品在監(jiān)測(cè)543nm時(shí)獲得的激發(fā)光譜。從附圖2可知，該熒光粉的激發(fā)光譜包含200～300nm的4f⁸-4f⁷5d¹自旋允許躍遷，其吸收強(qiáng)，但是與紫外led芯片不能很好的匹配；還包含350～400nm區(qū)域一些微弱的線狀激發(fā)帶，由于這些激發(fā)帶屬于4f殼層內(nèi)的f-f禁戒躍遷，其吸收很弱。

附圖3的曲線2，是本對(duì)比例樣品分別在360nm激發(fā)下獲得的發(fā)射光譜。從附圖3可知，該熒光粉在紫外光激發(fā)下發(fā)射峰值位于543nm的窄帶綠光，且同條件下其發(fā)射強(qiáng)度低于實(shí)施例4ce³⁺和tb³⁺共摻雜時(shí)樣品的發(fā)射強(qiáng)度(見(jiàn)附圖3曲線1)。

附圖4的曲線2，是本對(duì)比例樣品分別在380nm激發(fā)下獲得的發(fā)射光譜。從附圖4可知，該熒光粉在紫外光激發(fā)下發(fā)射峰值位于543nm的窄帶綠光，且同條件下其發(fā)射強(qiáng)度低于實(shí)施例4ce³⁺和tb³⁺共摻雜時(shí)樣品的發(fā)射強(qiáng)度(見(jiàn)附圖4曲線1)。

顯然，上述實(shí)施例僅僅是為了清楚的說(shuō)明所作的舉例，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其他形式的變動(dòng)或變化。因此，由此所引申出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。