本發(fā)明涉及薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種中等硬度抗硫化性能優(yōu)良的LED封裝硅膠。
背景技術(shù)：
LED的硫化是使用過程中經(jīng)常發(fā)生的問題，它是由于硫或含硫物質(zhì)在一定溫度、濕度條件下，硫與銀發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成黑色二硫化銀的過程，硫化后的LED表現(xiàn)為支架黑化不良，光通量下降明顯。因此，抗硫化是LED封裝硅膠一項十分重要的性能要求?，F(xiàn)市場上有兩種封裝硅膠抗硫化的技術(shù)方案：其一，有機(jī)硅改性硅樹脂方案，代表產(chǎn)品是日本信越公司的SCR1018，SCR1018的抗硫化性能是優(yōu)異的，但是其耐溫不佳，最高耐溫120℃；其二，單純提高封裝硅膠硬度以達(dá)到增強(qiáng)抗硫化性能的方案，國內(nèi)很多抗硫化性能較好，封裝硅膠均屬于這一類型，但是上述封裝硅膠普遍存在固化后易裂膠、封裝硅膠與燈杯及芯片的粘結(jié)性差、LED燈珠抗冷熱沖擊性能差等問題。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，本發(fā)明的目的在于提供一種中等硬度抗硫化性能優(yōu)良的LED封裝硅膠，使得LED燈珠經(jīng)封裝后的耐溫性、抗裂膠性、封裝硅膠與燈杯及芯片的粘結(jié)性、抗冷熱沖擊性等均衡良好。
本發(fā)明的上述目的是通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn)的。
一種中等硬度抗硫化性能優(yōu)良的LED封裝硅膠，由重量比A:B=1：4的A、B雙組分構(gòu)成，所述A、B組分分別按以下重量份數(shù)配比：
A組分：由基料（1）20~40份、基料（2）60~80份及微量Pt劑加工制成；
B組分：由基料（1）60~80份、基料（3）10~30份、基料（4）8~16份、增粘劑1~3份及微量阻聚劑加工制成；
其中：
基料（1）為端側(cè)烯基苯基硅樹脂，其整體平均結(jié)構(gòu)式為(PhSiO1.5)m1(Ph2SiO)m2(ViMeSiO)m3(ViMe2SiO0.5)m4，即m1摩爾苯基三烷氧基硅烷、m2摩爾二苯基二烷氧基硅烷、m3摩爾乙烯基甲基二烷氧基硅烷、m4摩爾乙烯基二甲基烷氧基硅烷；m1=18~30、m2=3~12、m3=2~10、m4=2~6；
基料（2）為含烯基硅油，其整體平均結(jié)構(gòu)式為(PhMeSiO)n1(Ph2SiO)n2(ViMe2SiO0.5)n3，即n1摩爾苯基甲基二烷氧基硅烷、n2摩爾二苯基二烷氧基硅烷、n3摩爾乙烯基二甲基烷氧基硅烷；n1=1~3、n2=1~6、n3=0.5~2；
基料（3）為含硅氫基硅樹脂，其整體平均結(jié)構(gòu)式為(PhSiO1.5)p1(HMe2SiO0.5)p2，即p1摩爾苯基三烷氧基硅烷、p2/2摩爾含氫雙封頭，p1=1~3、p2=2~10；
基料（4）為端側(cè)硅氫基硅油，其整體平均結(jié)構(gòu)式為(Ph2SiO)q1(HMeSiO)q2(HMe2SiO0.5)q3，即q1摩爾二苯基二烷氧基硅烷、q2摩爾(HMeSiO)計的的高含氫硅油、q3/2含氫雙封頭；q1=1~3、q2=1~6、q3=0.5~2。
所述LED封裝硅膠固化后形成交聯(lián)密度較均衡的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而使其抗硫化性、耐溫性、抗裂膠性、封裝硅膠與燈杯及芯片的粘結(jié)性、抗冷熱沖擊性等均衡良好。
優(yōu)選的，所述A組分按以下重量份數(shù)配比加工制成：基料（1）30份、基料（2）70份及微量Pt劑。
優(yōu)選的，所述B組分按以下重量份數(shù)配比加工制成：基料（1）66份、基料（3）20份、基料（4）12份、增粘劑2份及微量阻聚劑。
優(yōu)選的，所述基料（1）中m1=23~25、m2=7~8、m3=6、m4=4；所述基料（2）中n1=2、n2=3~4、n3=1~1.5；所述基料（3）中p1=2、p2=6；所述基料（4）中q1=2~3、q2=3~4、q3=1~1.5。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明有益效果在于：
1）固化后的硬度在25℃時：（50±5）HD；
2）硫化腐蝕2835單晶燈珠，1g升華硫/1000ml，進(jìn)行80℃*5h烘烤，光通量衰減<5%；
3）耐溫性>150℃，不會產(chǎn)生裂膠、脫模、黃變現(xiàn)象；
4）抗冷熱沖擊：在（-40℃至125℃），進(jìn)行200次回合，無死燈，（脫模、裂膠）不良率<5%；
綜上所述：這種中等硬度抗硫化性能優(yōu)良的LED封裝硅膠，具有抵抗環(huán)境的污染、濕氣、沖擊、震動等的影響，可在廣泛的溫度，濕度及其惡劣環(huán)境條件下保持其光學(xué)特性、物理機(jī)械性能的良好。
具體實施方式
以下將結(jié)合各實施例的技術(shù)方案對本發(fā)明進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所得到的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明所保護(hù)的范圍。
本發(fā)明中所述Pt劑、增粘劑、阻聚劑均為市場上銷售購得；Pt劑、阻聚劑的用量采用本領(lǐng)域的常規(guī)用量，均可以制得本發(fā)明所述產(chǎn)品。
以下具體實施方式中所述LED封裝硅膠的制備均采用現(xiàn)有制備方法，各實施例及對比例的制備步驟相同。
實施例1
一種中等硬度抗硫化性能優(yōu)良的LED封裝硅膠，由重量比A:B=1：4的A、B雙組分構(gòu)成，所述A、B組分分別按以下重量份數(shù)配比：
A組分：由基料（1）30份、基料（2）70份及0.3份Pt劑加工制成；
B組分：由基料（1）66份、基料（3）20份、基料（4）12份、增粘劑2份及0.1份阻聚劑加工制成；
其中：
基料（1）為端側(cè)烯基苯基硅樹脂，其整體平均結(jié)構(gòu)式為(PhSiO1.5)m1(Ph2SiO)m2(ViMeSiO)m3(ViMe2SiO0.5)m4，即m1摩爾苯基三烷氧基硅烷、m2摩爾二苯基二烷氧基硅烷、m3摩爾乙烯基甲基二烷氧基硅烷、m4摩爾乙烯基二甲基烷氧基硅烷；m1=24、m2=7.5、m3=6、m4=4；
基料（2）為含烯基硅油，其整體平均結(jié)構(gòu)式為(PhMeSiO)n1(Ph2SiO)n2(ViMe2SiO0.5)n3，即n1摩爾苯基甲基二烷氧基硅烷、n2摩爾二苯基二烷氧基硅烷、n3摩爾乙烯基二甲基烷氧基硅烷；n1=2、n2=3.5、n3=1.5；
基料（3）為含硅氫基硅樹脂，其整體平均結(jié)構(gòu)式為(PhSiO1.5)p1(HMe2SiO0.5)p2，即p1摩爾苯基三烷氧基硅烷、p2/2摩爾含氫雙封頭，p1=2、p2=6；
基料（4）為端側(cè)硅氫基硅油，其整體平均結(jié)構(gòu)式為(Ph2SiO)q1(HMeSiO)q2(HMe2SiO0.5)q3，即q1摩爾二苯基二烷氧基硅烷、q2摩爾(HMeSiO)計的的高含氫硅油、q3/2含氫雙封頭；q1=2.5、q2=3.5、q3=1。
實施例2
本實施例的LED封裝硅膠與實施例1基本相同，不同之處在于，所述A組分：由基料（1）20份、基料（2）80份及0.3份Pt劑加工制成；B組分：由基料（1）80份、基料（3）10份、基料（4）8份、增粘劑2份及0.1份阻聚劑加工制成；其它相同。
實施例3
本實施例的LED封裝硅膠與實施例1基本相同，不同之處在于，所述A組分：由基料（1）40份、基料（2）60份及0.3份Pt劑加工制成；B組分：由基料（1）60份、基料（3）23份、基料（4）16份、增粘劑1份及0.1份阻聚劑加工制成；其它相同。
實施例4
本實施例的LED封裝硅膠與實施例1基本相同，不同之處在于，所述基料（1）中m1=18、m2=12、m3=10、m4=2；其它相同。
實施例5
本實施例的LED封裝硅膠與實施例1基本相同，不同之處在于，所述基料（2）中n1=2、n2=6、n3=2；其它相同。
實施例6
本實施例的LED封裝硅膠與實施例1基本相同，不同之處在于，所述基料（3）中p1=3、p2=4；其它相同。
實施例7
本實施例的LED封裝硅膠與實施例1基本相同，不同之處在于，所述基料（4）中q1=1、q2=6、q3=0.5；其它相同。
對比例1
本實施例的LED封裝硅膠與實施例1基本相同，不同之處在于，A、B雙組分的重量比為A:B=1：1；其它相同。
對比例2
一種中等硬度抗硫化性能優(yōu)良的LED封裝硅膠大體與實施例相同，由重量比A:B=1：4的A、B雙組分構(gòu)成，所述A、B組分分別按以下重量份數(shù)配比：
A組分：由基料（1）30份、基料（2）70份及0.3份Pt劑加工制成；
B組分：由基料（1）50份、基料（3）23份、基料（4）25份、增粘劑2份及0.1份阻聚劑加工制成；
其中：基料（1）中m1=16、m2=7.5、m3=6、m4=10；其它相同。
將實施例1~7與對比例1~2制得的LED封裝硅膠進(jìn)行性能測試，結(jié)果見下表：
注：*硫化腐蝕條件為：硫化腐蝕2835單晶燈珠，1g升華硫/1000ml，進(jìn)行80℃*5h烘烤；**冷熱沖擊條件為：在（-40℃至125℃），進(jìn)行200次回合。
最后應(yīng)說明的是：以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明實施例技術(shù)方案。