1.一種電磁屏蔽復(fù)合材料，其特征在于，該復(fù)合材料包括SiC纖維增強(qiáng)體、樹脂碳界面層和Si-O-C基體，樹脂碳界面層位于SiC纖維增強(qiáng)體與Si-O-C基體之間。
2.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽復(fù)合材料，其特征在于，所述的SiC纖維增強(qiáng)體占電磁屏蔽復(fù)合材料體積分?jǐn)?shù)的40％。
3.如權(quán)利要求2所述的電磁屏蔽復(fù)合材料，其特征在于，SiC纖維增強(qiáng)體為連續(xù)纖維編織而成的預(yù)制體，其結(jié)構(gòu)為2.5維淺彎交連結(jié)構(gòu)，經(jīng)緯密度分別為6束/厘米和8束/厘米。
4.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽復(fù)合材料，其特征在于，所述的樹脂碳界面層的厚度為0.2～2μm。
5.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽復(fù)合材料，其特征在于，所述的Si-O-C基體占電磁屏蔽復(fù)合材料體積分?jǐn)?shù)的40％～42％，Si-O-C基體的氣孔率為18％～20％。
6.權(quán)利要求1、2、3、4或5所述的電磁屏蔽復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，包括采用浸漬熱解法在SiC纖維增強(qiáng)體上制備樹脂碳界面層；聚合物真空浸滲熱解法在帶有樹脂碳界面層的SiC纖維增強(qiáng)體內(nèi)制備Si-O-C基體。
7.如權(quán)利要求6所述的電磁屏蔽復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，浸漬熱解法在SiC纖維增強(qiáng)體上制備樹脂碳界面層包括：以酚醛樹脂溶液為前軀體，氬氣作為保護(hù)氣體，熱解溫度為800～1000℃，保溫時(shí)間2h。
8.如權(quán)利要求7所述的電磁屏蔽復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，按質(zhì)量分?jǐn)?shù)計(jì)，所述的酚醛樹脂溶液的濃度為10％～30％。
9.如權(quán)利要求6所述的電磁屏蔽復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，聚合物真空浸滲熱解法在帶有樹脂碳界面層的SiC纖維增強(qiáng)體內(nèi)制備Si-O-C基體包括：以聚硅氧烷二甲苯溶液為前驅(qū)體，聚硅氧烷在二甲苯中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20％～40％，熱解溫度900～1300℃，保溫時(shí)間2h，浸漬熱解循環(huán)次數(shù)為12次。
10.如權(quán)利要求6所述的電磁屏蔽復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述的SiC纖維增強(qiáng)體為用連續(xù)SiC纖維編織成的纖維預(yù)制體，纖維預(yù)制體的結(jié)構(gòu)為淺交彎連2.5維結(jié)構(gòu)。