專利名稱：涂覆組合物、抗指印薄膜及電子產(chǎn)品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種耐久性優(yōu)異的抗指印涂覆組合物及一種使用該抗指印涂覆組合物形成的薄膜。
背景技術(shù)：
電子產(chǎn)品顯示器的表面(例如，TV的屏幕、PC或筆記本顯示器的屏幕、諸如蜂窩電話或PDA的移動(dòng)設(shè)備的屏幕或電子產(chǎn)品的觸摸面板)容易被指印或臉部組分(諸如油脂或蛋白質(zhì))弄臟。因此，這些臟點(diǎn)對肉眼顯著可見，并且在呼叫過程中與用戶的手或臉接觸
因此，結(jié)合了通過在顯示器的表面上形成防水防油的含氟薄膜或用防水硅樹脂架涂覆顯示器的表面來形成抗指印涂覆層的方法。然而，這些方法不能防止油脂(指印的主成分)的粘附，并且不得不清潔指印。出于此原因，存在于產(chǎn)品表面上的指印使其外觀變臟，并且當(dāng)反復(fù)清潔時(shí)，與耐久性相關(guān)的問題(其中，薄涂覆膜的壽命僅為幾個(gè)月)會發(fā)生。

發(fā)明內(nèi)容
在下面的描述中將部分地闡述附加方面和/或優(yōu)點(diǎn)，部分通過描述將是明顯的，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐獲知。因此，本公開的一方面提供了一種涂覆組合物及使用該涂覆組合物的涂覆薄膜，該涂覆組合物能夠防止粘附到顯示器或觸摸面板的指印顯著可見并因優(yōu)異的耐久性而長時(shí)間地維持抗指印性能。根據(jù)本公開的一方面，一種涂覆組合物包括硅烷低聚物，硅烷低聚物具有R1基團(tuán)，由作為式I的[RaO-(CH2CH2O)p-Rb-]表示，其中，Ra選自于由氫和具有I至3個(gè)碳原子的烷基組成的組，Rb選自于由具有5至20個(gè)碳原子的烷基、具有5至20個(gè)碳原子的烯基、具有5至20個(gè)碳原子的炔基、具有5至20個(gè)碳原子的芳基、具有6至20個(gè)碳原子的芳烷基、具有5至20個(gè)碳原子的環(huán)烷基和具有5至20個(gè)碳原子的雜烷基組成的組，P是I至12的整數(shù)；以及R2基團(tuán)，由作為式2的(R。) q表示，其中，R。是具有3至20個(gè)碳原子的環(huán)烷基；q是I至3的整數(shù)。R1基團(tuán)可以是從由甲氧基乙氧基十一燒基、甲氧基二甘醇氧基_十一燒基、3_甲氧基乙氧基-4-乙酸氧基環(huán)己基乙基、16-(2-甲氧基-乙氧基)十六燒基和它們的衍生物組成的組選擇的至少一種。R2基團(tuán)可以是從由3-環(huán)戊二烯基丙基、二環(huán)戊基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)辛基和它們的衍生物組成的組中選擇的至少一種。
硅烷低聚物可以具有100至10000的分子量。使用硅烷低聚物形成的薄膜對水可以具有60度至80度的接觸角，對二碘甲烷可以具有O度至45度的接觸角。根據(jù)另一方面，一種涂覆組合物包括按重量計(jì)45%至49. 5%的具有由式I [RaO- (CH2CH2O)P-Rb-]表示的R1基團(tuán)的硅烷化合物，其中，Ra選自于由氫和具有I至3個(gè)碳原子的烷基組成的組，Rb選自于由具有5至20個(gè)碳原子的烷基、具有5至20個(gè)碳原子的烯基、具有5至20個(gè)碳原子的炔基、具有5至20個(gè)碳原子的芳基、具有6至20個(gè)碳原子的芳烷基、具有5至20個(gè)碳原子的環(huán)烷基和具有5至20個(gè)碳原子的雜烷基組成的組，P是I至12的整數(shù)；按重量計(jì)45%至49. 5%的具有由作為式2的(R。)，表示的R2基團(tuán)的硅烷化合物，其中，R。是具有3至20個(gè)碳原子的環(huán)烷基，q是I至3的整數(shù)；以及按重量計(jì)1%至10%的!120或酸。R1基團(tuán)可以是從由甲氧基乙氧基十一燒基、甲氧基二甘醇氧基_十一燒基、3_甲氧基乙氧基-4-乙酸氧基環(huán)己基乙基、16-(2-甲氧基-乙氧基)十六燒基和它們的衍生物 組成的組選擇的至少一種。R2基團(tuán)可以是從由3-環(huán)戊二烯基丙基、二環(huán)戊基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)辛基和它們的衍生物組成的組中選擇的至少一種。硅烷低聚物可以具有下式3的結(jié)構(gòu)。式權(quán)利要求
1.一種涂覆組合物，所述涂覆組合物包括硅烷低聚物，硅烷低聚物具有 R1基團(tuán)，由作為式I的[RaO-(CH2CH2O)p-Rb-]表示，其中，Ra選自于由氫和具有I至3個(gè)碳原子的烷基組成的組，Rb選自于由具有5至20個(gè)碳原子的烷基、具有5至20個(gè)碳原子的烯基、具有5至20個(gè)碳原子的炔基、具有5至20個(gè)碳原子的芳基、具有6至20個(gè)碳原子的芳烷基、具有5至20個(gè)碳原子的環(huán)烷基和具有5至20個(gè)碳原子的雜烷基組成的組，P是I至12的整數(shù)；以及 R2基團(tuán)，由作為式2的(R。)，表示，其中，R。是具有3至20個(gè)碳原子的環(huán)烷基，q是I至3的整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的涂覆組合物，其中,R1基團(tuán)是從由甲氧基乙氧基十一烷基、甲氧基二甘醇氧基-十一燒基、3_甲氧基乙氧基-4-乙酸氧基環(huán)己基乙基、16-(2_甲氧基-乙氧基)十六烷基和它們的衍生物組成的組中選擇的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的涂覆組合物，其中，R2基團(tuán)是從由3-環(huán)戊二烯基丙基、二環(huán)戊基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)辛基和它們的衍生物組成的組中選擇的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的涂覆組合物，其中，硅烷低聚物具有100至10000的分子量。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的涂覆組合物，其中，硅烷低聚物具有下式3的結(jié)構(gòu)， 式3
6.一種抗指印薄膜，所述抗指印薄膜通過在基底的表面上涂覆根據(jù)權(quán)利要求I所述的涂覆組合物形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的抗指印薄膜，其中，使用硅烷低聚物形成的薄膜對水具有60度至80度的接觸角，對二碘甲烷具有O度至45度的接觸角。
8.一種涂覆組合物，所述涂覆組合物包含 按重量計(jì)45%至49. 5%的具有由作為式I的[RaO-(CH2CH2O)p-Rb-]表示的札基團(tuán)的硅烷化合物，其中，Ra選自于由氫和具有I至3個(gè)碳原子的烷基組成的組，Rb選自于由具有5至20個(gè)碳原子的烷基、具有5至20個(gè)碳原子的烯基、具有5至20個(gè)碳原子的炔基、具有5至20個(gè)碳原子的芳基、具有6至20個(gè)碳原子的芳烷基、具有5至20個(gè)碳原子的環(huán)烷基和具有5至20個(gè)碳原子的雜烷基組成的組，P是I至12的整數(shù)； 按重量計(jì)45 %至49. 5 %的具有由作為式2的(R。)，表示的R2基團(tuán)的硅烷化合物，其中，Rc是具有3至20個(gè)碳原子的環(huán)烷基，q是I至3的整數(shù)；以及 按重量計(jì)1%至10%的!120或酸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的涂覆組合物，其中,R1基團(tuán)是從由甲氧基乙氧基十一烷基、甲氧基二甘醇氧基-十一燒基、3_甲氧基乙氧基-4-乙酸氧基環(huán)己基乙基、16-(2_甲氧基-乙氧基)十六烷基和它們的衍生物組成的組中選擇的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的涂覆組合物，其中,R2基團(tuán)是從由3-環(huán)戊二烯基丙基、二環(huán)戊基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)辛基和它們的衍生物組成的組中選擇的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的涂覆組合物，其中，涂覆組合物具有100至10000的分子量。
12.—種抗指印薄膜，所述抗指印薄膜通過在基底的表面上涂覆根據(jù)權(quán)利要求8所述的涂覆組合物形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的抗指印薄膜，其中，所述抗指印薄膜對水具有60度至80度的接觸角，對二碘甲烷具有O度至45度的接觸角。
14.一種電子產(chǎn)品，所述電子產(chǎn)品具有設(shè)置有抗指印薄膜的顯示器，其中，所述抗指印薄膜對水具有60度至80度的接觸角，對二碘甲烷具有O度至45度的接觸角。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子產(chǎn)品，其中，抗指印薄膜包括硅烷低聚物，硅烷低聚物包含 R1基團(tuán)，由作為式I的[RaO-(CH2CH2O)p-Rb-]表示，其中，Ra選自于由氫和具有I至3個(gè)碳原子的烷基組成的組，Rb選自于由具有5至20個(gè)碳原子的烷基、具有5至20個(gè)碳原子的烯基、具有5至20個(gè)碳原子的炔基、具有5至20個(gè)碳原子的芳基、具有6至20個(gè)碳原子的芳烷基、具有5至20個(gè)碳原子的環(huán)烷基和具有5至20個(gè)碳原子的雜烷基組成的組，P是I至12的整數(shù)； R2基團(tuán)，由作為式2的(R。)，表示，其中，R。是具有3至20個(gè)碳原子的環(huán)烷基，q是I至3的整數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種涂覆組合物、抗指印薄膜及電子產(chǎn)品。涂覆組合物包括硅烷低聚物，硅烷低聚物具有R1基團(tuán)，由作為式1的[RaO-(CH2CH2O)p-Rb-]表示，其中，Ra選自于由氫和具有1至3個(gè)碳原子的烷基組成的組，Rb選自于由具有5至20個(gè)碳原子的烷基、具有5至20個(gè)碳原子的烯基、具有5至20個(gè)碳原子的炔基、具有5至20個(gè)碳原子的芳基、具有6至20個(gè)碳原子的芳烷基、具有5至20個(gè)碳原子的環(huán)烷基和具有5至20個(gè)碳原子的雜烷基組成的組，p是1至12的整數(shù)；R2基團(tuán)，由作為式2的(Rc)q表示，其中，Rc是具有3至20個(gè)碳原子的環(huán)烷基，q是1至3的整數(shù)。
文檔編號C09D183/06GK102898943SQ201210265400
公開日2013年1月30日 申請日期2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月27日
發(fā)明者樸炳夏, 黃仁吾, 咸喆, 宋基镕, 樸秀袗, 樸成俊, 黃宇澤, 金明坤, 吳昇澤, 山姆·扎厄 申請人:三星電子株式會社