專利名稱：膠粘片及其用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及膠粘片及其用途。
背景技術(shù)：
近年來，將手機、便攜式音頻設(shè)備用的存儲部件芯片O ^ ') ’一 7°)多段層疊而得到的堆疊MCP (Multi Chip Package :多芯片封裝)得以普及。另外，隨著圖像處理技術(shù)、手機等的多功能化，正在推進封裝的高密度化、高集成化和薄型化。作為將半導(dǎo)體芯片固定到基板等上的方法，提出了使用熱固性糊狀樹脂的方法、使用將熱塑性和熱固性樹脂組合使用的膠粘片的方法。另一方面，存在如下問題在半導(dǎo)體制造的工序中從外部向晶片的結(jié)晶襯底中混入陽離子(例如，銅離子、鐵離子)，該陽離子到達在晶片上形成的電路形成面時，電特性下降。另外，存在在制品使用中從電路或金屬線產(chǎn)生陽離子，從而電特性下降的問題。
針對上述問題，以往嘗試了對晶片的背面進行加工而形成破碎層(應(yīng)變)，并通過該破碎層捕捉并除去陽離子的外部去疵法(以下也稱為“EG”)或者在晶片的結(jié)晶襯底中形成氧沉淀誘生缺陷(酸素析出欠陥)，并通過該氧沉淀誘生缺陷捕捉并除去陽離子的內(nèi)部去疵法(以下也稱為“IG”)。但是，隨著近年的晶片的薄型化，IG的效果減小，并且造成晶片的破裂或翹曲的背面應(yīng)變也被除去，從而EG的效果也得不到，從而存在去疵效果不充分的問題。因此，提出了各種用于補充去疵效果的方案。在專利文獻I中，記載了具備銅離子吸附層的薄膜狀膠粘劑，所述銅離子吸附層含有具有能夠與銅離子形成絡(luò)合物的骨架的樹月旨。另外，記載了可以使銅離子化學(xué)吸附到銅離子吸附層的樹脂內(nèi)部，可以比以往顯著減少從以銅為材料的構(gòu)件產(chǎn)生的銅離子的影響。另外，在專利文獻2、3中，記載了含有離子捕捉劑的粘合膠粘劑組合物，公開了該離子捕捉劑具有捕捉氯離子等的效果。另外，在專利文獻4中，記載了含有離子捕獲劑的薄膜狀膠粘劑，并記載了該離子捕獲劑捕捉鹵族元素。另外，在專利文獻5中，記載了含有陰離子交換體的膠粘片。另外，在專利文獻6中，記載了含有螯合改性的環(huán)氧樹脂，可以捕捉內(nèi)部的離子雜質(zhì)的片狀膠粘劑。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2011-52109號公報專利文獻2 :日本特開2009-203337號公報專利文獻3 :日本特開2009-203338號公報專利文獻4 :日本特開2010-116453號公報專利文獻5 :日本特開2009-256630號公報專利文獻6 :日本特開2011-105875號公報
發(fā)明內(nèi)容
但是，即使使用上述的去疵效果的補充技術(shù)，也會產(chǎn)生下列問題。第一個問題是，對于通過專利文獻2飛的薄膜狀膠粘劑等捕捉陽離子的技術(shù)沒有公開。因此，如果僅僅是捕捉氯離子，則難以防止基于陽離子的電特性下降。另外，專利文獻2飛中公開的離子捕捉劑、離子捕獲劑、陰離子交換體為無機化合物。因此，存在如下問題由于在薄膜狀膠粘劑等的樹脂中的分散狀態(tài)而在捕捉性方面產(chǎn)生偏差，或者在粘貼到晶片上時，無機化合物與晶片接觸從而產(chǎn)生晶片破裂或缺損。特別地，近年來存在膠粘片的薄型化的要求，因此有必要抑制無機化合物造成的晶片的破裂或缺損。另外，根據(jù)專利文獻I的薄膜狀膠粘劑或?qū)＠墨I6的片狀膠粘劑，可以捕捉銅離子。另外，由于樹脂中具有能夠與銅離子形成絡(luò)合物的骨架，因此難以產(chǎn)生無機化合物與晶片接觸從而晶片產(chǎn)生破裂或缺損的問題。但是，樹脂中的能夠與銅離子形成絡(luò)合物的骨架，有可能與構(gòu)成薄膜狀膠粘劑等的其它樹脂反應(yīng)。因此，存在如下問題薄膜狀膠粘劑等的化學(xué)穩(wěn)定性下降，或者薄膜狀膠粘劑等的物性難以控制，從而得不到所需的特性。因此，正在尋求在抑制半導(dǎo)體晶片等的破裂或缺損的同時具有化學(xué)穩(wěn)定性、并且 物性容易控制的半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片、具有該半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片的半導(dǎo)體裝置以及使用該半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片的半導(dǎo)體裝置的制造方法。第二個問題是，為了實現(xiàn)上述的半導(dǎo)體裝置的高容量化而將半導(dǎo)體封裝的尺寸標(biāo)準(zhǔn)化時，不僅需要晶片的薄型化，而且用于固定半導(dǎo)體芯片的薄膜狀膠粘劑也需要薄型化。一般而言，薄膜狀膠粘劑中含有用于確保高溫下的彈性模量的填料時，薄膜狀膠粘劑越薄，則薄膜狀膠粘劑中所含的粗大的填料造成的半導(dǎo)體芯片的缺損或破裂的頻率就越會上升。隨著近年的薄型化，半導(dǎo)體芯片自身的強度也正在下降，因此具有半導(dǎo)體芯片的缺損或破裂這樣的機械損傷的產(chǎn)生變得明顯的傾向。另外，即使是例如薄膜狀膠粘劑含有捕集離子的物質(zhì)的情況，在薄膜狀膠粘劑的薄型化的推進中薄膜狀膠粘劑整體的離子捕集效率也會下降，因此要求更有效的離子捕集。上述現(xiàn)有技術(shù)(例如專利文獻I)中，雖然可以進行某種程度上的捕集離子，但是由于能夠形成絡(luò)合物的骨架部分僅存在于樹脂末端，因此與銅離子的接觸頻率下降，絡(luò)合物形成也不充分，因此尚有改善的余地。因此，正在尋求可以防止所制造的半導(dǎo)體裝置的電特性下降從而提高制品可靠性，并且即使進行薄型化也可以防止對晶片或半導(dǎo)體芯片的機械損傷的薄膜狀膠粘劑。第三個問題是，將具有離子捕捉性的膠粘片與切割薄膜組合而作為切割/芯片接合薄膜使用時，發(fā)現(xiàn)有時膠粘片的離子捕捉性下降。因此，正在尋求即使使用離子捕捉性的膠粘片也可以防止膠粘片的離子捕捉性下降，并且可以捕捉在半導(dǎo)體裝置的制造工序中混入半導(dǎo)體芯片的金屬離子從而可以防止半導(dǎo)體裝置的電特性下降的切割/芯片接合薄膜。本申請發(fā)明人進行了廣泛深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過采用下述的構(gòu)成，可以解決上述的現(xiàn)有問題，從而完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片，其特征在于，含有熱塑性樹脂，所述熱塑性樹脂具有羧基并且不具有環(huán)氧基；熱固性樹脂；和絡(luò)合物形成性有機化合物，所述絡(luò)合物形成性有機化合物含有具有兩個以上酚羥基的苯環(huán)，并且能夠與陽離子形成絡(luò)合物。根據(jù)所述構(gòu)成，含有能夠與陽離子形成絡(luò)合物的絡(luò)合物形成性有機化合物，因此可以捕捉在半導(dǎo)體裝置的制造的各種工序中從外部混入的陽離子。結(jié)果，從外部混入的陽離子難以到達在晶片上形成的電路形成面，可以抑制電特性下降，從而提高制品可靠性。另夕卜，由于是絡(luò)合物形成性有機化合物，因此即使在膠粘時與半導(dǎo)體晶片等接觸，也可以抑制晶片廣生破裂或缺損。另外，通過膠粘片將半導(dǎo)體晶片膠粘到被粘物上時，一般而言在被粘物上存在凹凸，因此會混入氣泡。該氣泡通常在樹脂密封時通過壓力等擴散到密封樹脂等中，從而其影響減弱。但是，使用含有具有兩個以上酚羥基的苯環(huán)的化合物作為絡(luò)合物形成性有機化合物的情況下，在熱塑性樹脂中存在環(huán)氧基時，通過樹脂密封前的絲焊等工序中的熱歷史，會劇烈地進行固化反應(yīng)，從而在樹脂密封工序中不能使氣泡擴散到密封樹脂中。結(jié)果，在膠粘界面處產(chǎn)生由氣泡造成的剝離。特別地，在將半導(dǎo)體芯片多層層疊的情況下，熱歷史增多，氣泡對剝離的影響顯著。根據(jù)本發(fā)明，熱塑性樹脂不具有環(huán)氧基，因此可以抑制與含有具有兩個以上酚羥基的苯環(huán)的絡(luò)合物形成性有機化合物的反應(yīng)。因此，可以提高膠粘片的化學(xué)穩(wěn)定性。另外，由于與含有具有兩個以上酚羥基的苯環(huán)的絡(luò)合物形成性有機化合物的反應(yīng)受到抑制，因此可以抑制成形工序前劇烈地進行固化反應(yīng)，從而可以使膠粘界面的氣泡擴散到密封樹脂等中。由此，可以防止膠粘界面處的剝離。 另外，根據(jù)前述構(gòu)成，熱塑性樹脂具有羧基，因此例如通過樹脂密封后的后固化工序，熱塑性樹脂進行某種程度的交聯(lián)，可以防止膠粘界面處的剝離。即，根據(jù)前述構(gòu)成，含有熱塑性樹脂，所述熱塑性樹脂具有羧基并且不具有環(huán)氧基；熱固性樹脂；和絡(luò)合物形成性有機化合物，所述絡(luò)合物形成性有機化合物含有具有兩個以上酚羥基的苯環(huán)，并且能夠與陽離子形成絡(luò)合物，因此可以提高使用該半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片制造的半導(dǎo)體裝置的制品可靠性。前述構(gòu)成中，優(yōu)選相對于半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片的總量100重量份，含有5^95重量份所述熱塑性樹脂、5 50重量份所述熱固性樹脂、(Γ60重量份填料和O. Γ5重量份所述絡(luò)合物形成性有機化合物。通過將所述各成分設(shè)定到所述數(shù)值范圍內(nèi)，可以進一步抑制半導(dǎo)體晶片等的破裂或缺損，并且可以進一步提高化學(xué)穩(wěn)定性，并且可以更容易控制物性。前述構(gòu)成中，優(yōu)選將重量2. 5g的半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片浸潰到含有IOppm銅離子的50ml水溶液中并在120°C放置20小時后，所述水溶液中的銅離子濃度為(T9. 9ppm。根據(jù)前述構(gòu)成，可以進一步捕捉在半導(dǎo)體裝置的制造的各種工序中從外部混入的銅離子。結(jié)果，從外部混入的銅離子更難以達到在晶片上形成的電路形成面。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有前面記載的半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片。根據(jù)前述構(gòu)成，具有前面記載的半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片，因此可以得到制品可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括通過前面記載的半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片將半導(dǎo)體芯片粘貼到被粘物上的工序。根據(jù)前述構(gòu)成，可以制造具有前面記載的半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片的半導(dǎo)體裝置，因此可以得到制品可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明中，作為一個實施方式，也包括一種薄膜狀膠粘劑，其含有從樹脂骨架游離的離子捕捉性有機化合物、平均粒徑500nm以下的無機填料和膠粘性樹脂。該薄膜狀膠粘劑中，由于將無機填料的平均粒徑設(shè)定為500nm以下，因此可以減小無機填料的平均粒徑相對于薄膜狀膠粘劑的厚度的比例。結(jié)果，即使為了應(yīng)對半導(dǎo)體裝置的高容量化而進行該薄膜狀膠粘劑的薄型化，也可以防止對半導(dǎo)體芯片等的機械損傷。另外，離子捕捉性有機化合物處于從該膠粘薄膜中含有的全部樹脂骨架(包括上述膠粘性樹脂)游離的狀態(tài)(不與樹脂骨架結(jié)合的狀態(tài))，因此自由度高，與金屬離子的接觸頻率也高，從而可以提高離子捕捉性。另外，離子捕捉性有機化合物自身是有機物，因此與樹脂成分的相容性或親合性也良好。由此，可以在該薄膜狀膠粘劑整體中均衡地存在，因此即使進行薄型化，也可以提高離子捕捉效率。另外，本說明書中，“樹脂骨架”以樹脂或高分子領(lǐng)域通常使用的含義來解釋，例如，由一種或多種重復(fù)單元構(gòu)成樹脂時，是指這些重復(fù)單元連接而形成的結(jié)構(gòu)體。無機填料的平均粒徑的測定方法基于實施例的記載。該薄膜狀膠粘劑的厚度可以適當(dāng)?shù)乇⌒突? 15 μ m。
所述膠粘性樹脂具體而言為選自由丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂組成的組中的一種以上。該薄膜狀膠粘劑中所述無機填料的含量優(yōu)選為廣30重量％。由此，可以確保高溫下(例如175 260°C)的彈性模量，并且可以防止無機填料對半導(dǎo)體芯片的機械損傷。該薄膜狀膠粘劑在175°C固化I小時后在175°C下的拉伸儲能彈性模量為O. 5飛OOMPa時，即使經(jīng)過密封工序等高溫處理也可以適當(dāng)?shù)胤乐乖摫∧钅z粘劑從半導(dǎo)體芯片上剝離。該薄膜狀膠粘劑在175°C下固化I小時后在175°C下的剪切膠粘力為O. 01 50MPa時，可以在保持良好的膠粘性的同時防止由于絲焊工序中的超聲波振動而引起的剪切變形，從而可以提高制造成品率。該薄膜狀膠粘劑中，相對于所述膠粘性樹脂100重量份，優(yōu)選含有f 10重量份離子捕捉性有機化合物。通過將離子捕捉性有機化合物的含量設(shè)定為上述范圍，可以有效地捕捉金屬離子并且可以防止過量的離子捕捉性有機化合物引起膠粘特性的變化。該薄膜狀膠粘劑中，所述無機填料的含量相對于所述離子捕捉性有機化合物的含量之比以重量為基準(zhǔn)計設(shè)定為I. Γ80,由此可以利用無機填料防止離子捕捉性有機化合物引起彈性模量或膠粘力下降，并且可以防止無機填料對半導(dǎo)體芯片的機械損傷。本發(fā)明中，作為另一實施方式，也包括一種切割/芯片接合薄膜，其具有切割薄膜，所述切割薄膜具有基材以及層疊在該基材上的粘合劑層；和層疊在所述粘合劑層上的膠粘片，所述膠粘片含有能夠捕捉金屬離子的離子捕捉劑，并且所述粘合劑層在26°C下的儲能彈性模量為I. OX IO4Pa以上且I. OX IO7Pa以下。該切割/芯片接合薄膜中，粘合劑層具有I. OXlO4Pa以上且I. OXlO7Pa以下的儲能彈性模量，因此在該粘合劑層中形成適度的交聯(lián)結(jié)構(gòu)。由此，可以限制離子捕捉劑從膠粘片向粘合劑層的轉(zhuǎn)移等，結(jié)果，可以抑制膠粘片的離子捕捉性的下降。另外，膠粘片含有能夠捕捉金屬離子的離子捕捉劑(以下有時簡稱為“離子捕捉劑”)，因此可以有效地捕捉在半導(dǎo)體制造工序中混入半導(dǎo)體芯片的金屬離子，從而可以防止所得到的半導(dǎo)體裝置的電特性的劣化。另外，由于可以通過限制離子捕捉劑從膠粘片向粘合劑層的轉(zhuǎn)移等而保持膠粘片的離子捕捉性，因此也可以應(yīng)對與半導(dǎo)體裝置的高容量化相伴隨的膠粘片的進一步薄型化。根據(jù)該切割/芯片接合薄膜，所述離子捕捉劑為能夠與金屬離子形成絡(luò)合物的有機化合物，從而即使在與粘合劑層的構(gòu)成材料具有親合性的情況下，也可以適當(dāng)?shù)匾种齐x子捕捉劑的轉(zhuǎn)移等。關(guān)于該切割/芯片接合薄膜，優(yōu)選將從所述膠粘片上取的重量2. 5g的樣品浸潰到含有IOppm銅離子的50ml水溶液中并在120°C放置20小時后，所述水溶液中的銅離子濃度為(T9. Sppm0通過使膠粘片具有這樣的銅離子捕捉性，可以捕捉在半導(dǎo)體裝置制造工序中混入半導(dǎo)體芯片等的金屬離子。結(jié)果，從外部混入的金屬離子難以到達在晶片上形成的電路形成面，從而可以抑制電特性的下降，提高制品可靠性。該切割/芯片接合薄膜中，所述粘合劑層優(yōu)選含有重均分子量30萬以上的丙烯酸類樹脂。另外，所述丙烯酸類樹脂優(yōu)選以含羥基丙烯酸類單體作為構(gòu)成單體。另外，所述粘合劑層優(yōu)選含有異氰酸酯類交聯(lián)劑，并且相對于所述丙烯酸類樹脂100重量份含有1飛重量份異氰酸酯類交聯(lián)劑。通過單獨或者組合使用這樣的構(gòu)成，可以在粘合劑層中適當(dāng)形成能夠限制離子捕捉劑的轉(zhuǎn)移等的交聯(lián)結(jié)構(gòu)。該切割/芯片接合薄膜中，所述粘合劑層可以為輻射線固化型。此時，粘合劑層在 輻射線照射前在26°C下的儲能彈性模量需要為I. OX IO4Pa以上且I. OX IO7Pa以下。該切割/芯片接合薄膜，如上所述，可以防止膠粘片的離子捕捉性的劣化，因此可以將所述膠粘片的厚度減薄到3 μ m以上且150 μ m以下。


圖I是表示本發(fā)明的一個實施方式的切割/芯片接合薄膜的剖視示意圖。圖2是表示通過所述切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜安裝半導(dǎo)體芯片的例子的剖視示意圖。圖3是表示通過所述切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜三維安裝半導(dǎo)體芯片的例子的剖視示意圖。圖4是表示本發(fā)明的另一實施方式的切割/芯片接合薄膜的剖視示意圖。
具體實施例方式<第一實施方式>本實施方式的半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片(以下也簡稱為“膠粘片”)，含有熱塑性樹脂，所述熱塑性樹脂具有羧基并且不具有環(huán)氧基；熱固性樹脂；和絡(luò)合物形成性有機化合物，所述絡(luò)合物形成性有機化合物含有具有兩個以上酚羥基的苯環(huán)，并且能夠與陽離子形成絡(luò)合物。所述膠粘片含有能夠與陽離子形成絡(luò)合物的絡(luò)合物形成性有機化合物，因此可以捕捉在半導(dǎo)體裝置的制造的各種工序中從外部混入的陽離子。結(jié)果，從外部混入的陽離子難以到達在晶片上形成的電路形成面，可以抑制電特性的下降，從而提高制品可靠性。另夕卜，由于是絡(luò)合物形成性有機化合物，因此即使在膠粘時與半導(dǎo)體晶片等接觸，也可以抑制破裂或缺損。另外，熱塑性樹脂不具有環(huán)氧基，因此可以抑制與含有具有兩個以上酚羥基的苯環(huán)的化合物的反應(yīng)。因此，可以提高膠粘片的化學(xué)穩(wěn)定性。另外，由于與含有具有兩個以上酚羥基的苯環(huán)的化合物的反應(yīng)受到抑制，因此可以抑制成形工序前劇烈地進行固化反應(yīng)，從而可以使膠粘界面的氣泡擴散到密封樹脂等中。由此，可以防止膠粘界面處的剝離。另外，熱塑性樹脂具有羧基基，因此例如通過樹脂密封后的后固化工序，熱塑性樹脂進行某種程度的交聯(lián)，可以防止膠粘界面處的剝離。S卩，根據(jù)所述膠粘片，含有熱塑性樹脂，所述熱塑性樹脂具有羧基并且不具有環(huán)氧基；熱固性樹脂；和絡(luò)合物形成性有機化合物，所述絡(luò)合物形成性有機化合物含有具有兩個以上酚羥基的苯環(huán)，并且能夠與陽離子形成絡(luò)合物，因此可以提高使用該半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片制造的半導(dǎo)體裝置的制品可靠性。所述絡(luò)合物形成性有機化合物優(yōu)選可溶于有機溶劑。絡(luò)合物形成性有機化合物可溶于有機溶劑時，可以容易并且適當(dāng)?shù)胤稚⒌綐渲?。另外，本發(fā)明中，絡(luò)合物形成性有機化合物可溶于有機溶劑是指，例如相對于作為有機溶劑的甲乙酮100重量份，I重量份絡(luò)合物形成性有機化合物不產(chǎn)生懸濁等而可以溶解。
本發(fā)明中，與所述絡(luò)合物形成性有機化合物形成絡(luò)合物的陽離子，只要是陽離子則沒有特別限制，可以列舉例如Na、K、Ni、Cu、Cr、Co、Hf、Pt、Ca、Ba、Sr、Fe、Al、Ti、Zn、Mo、Mn、V等的離子。(絡(luò)合物形成性有機化合物)所述絡(luò)合物形成性有機化合物只要是含有具有兩上酚羥基的苯環(huán)、并且能夠與陽離子形成絡(luò)合物的化合物則沒有特別限制，從可以適當(dāng)?shù)夭蹲疥栯x子并且抑制與所述熱塑性樹脂所具有的羧基的反應(yīng)的觀點考慮，可以列舉丹寧、丹寧衍生物(沒食子酸、沒食子酸甲酯、連苯三酚)等。這些化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述絡(luò)合物形成性有機化合物，優(yōu)選為微粉狀的、易溶于有機溶劑的、或者液態(tài)的有機化合物。所述膠粘片含有具有羧基并且不具有環(huán)氧基的熱塑性樹脂以及熱固性樹脂。作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚醛樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚硅氧烷樹脂或者熱固性聚酰亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用，特別地，優(yōu)選使用環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂中的至少任意一種。特別地，使用環(huán)氧樹脂時，可以得到高溫(例如175 260°C)下的高膠粘力。因此，通過將絡(luò)合物形成性有機化合物與環(huán)氧樹脂組合使用，可以得到高溫下的膠粘力高的膠粘片。所述環(huán)氧樹脂，只要是通常作為膠粘劑組合物使用的環(huán)氧樹脂則沒有特別限制，可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三(羥苯基)甲烷型、四(羥苯基)乙烷型等雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂、或者乙內(nèi)酰脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些環(huán)氧樹脂中，特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三(羥苯基)甲烷型環(huán)氧樹脂或四(羥苯基)乙烷型環(huán)氧樹脂。這是因為這些環(huán)氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂的反應(yīng)性好，并且耐熱性等優(yōu)良。另外，所述酚醛樹脂作為所述環(huán)氧樹脂的固化劑起作用，可以列舉例如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂、甲階酚醛樹脂(> '/一力)型酚醛樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚醛樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚醛樹脂中特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因為可以提高半導(dǎo)體裝置的連接可靠性。所述環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，例如，以相對于所述環(huán)氧樹脂成分中的環(huán)氧基I當(dāng)量酚醛樹脂中的羥基為O. 5^2. O當(dāng)量的方式進行配合是適當(dāng)?shù)?。另外，更合適的是0.8 1.2當(dāng)量。S卩，這是因為兩者的配合比例在所述范圍以外時，不能進行充分的固化反應(yīng)，從而環(huán)氧樹脂固化物的特性容易劣化。作為所述熱塑性樹脂，只要是具有羧基并且不具有環(huán)氧基的熱塑性樹脂則沒有特另IJ限制，可以列舉丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、PET和PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、或者含氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中熱別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性高且可以確保半導(dǎo)體元件的可靠性的丙烯酸類樹脂。作為所述丙烯酸類樹脂，只要是具有羧基并且不具有環(huán)氧基的丙烯酸類樹脂則沒·有特別限制，可以列舉例如具有碳原子數(shù)30以下、特別是碳原子數(shù)Γ18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯與含有羧基的單體的共聚物。作為所述烷基，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或二十烷基等。另外，作為含有羧基的單體，可以列舉羧酸乙烯酯、乙酸乙烯酯等。所述膠粘片中，相對于膠粘片的總量100重量份，優(yōu)選含有5 95重量份(更優(yōu)選10^90重量份)所述熱塑性樹脂，5 55重量份(更優(yōu)選1(Γ50重量份)所述熱固性樹脂，(Γ60重量份(更優(yōu)選(Γ50重量份)填料，和O. Γ5重量份(更優(yōu)選O. 5^3重量份)所述絡(luò)合物形成性有機化合物。通過將所述各成分設(shè)定到所述數(shù)值范圍內(nèi)，可以進一步抑制半導(dǎo)體晶片等的破裂或缺損，并且可以進一步提高化學(xué)穩(wěn)定性，并且可以更容易控制物性。關(guān)于所述膠粘片，將重量2. 5g的膠粘片浸潰到含有IOppm銅離子的50ml水溶液中并在120°C放置20小時后，所述水溶液中的銅離子濃度優(yōu)選為(T9. 9ppm，更優(yōu)選(T9. 5ppm,進一步優(yōu)選(T8ppm。關(guān)于所述膠粘片,將重量2. 5g的膠粘片浸潰到含有IOppm銅離子的50ml水溶液中并在120°C放置20小時后，水溶液中的銅離子濃度為(T9. 9ppm時，更容易捕捉在半導(dǎo)體裝置的制造的各種工序中從外部混入的陽離子。結(jié)果，從外部混入的陽離子難以到達在晶片上形成的電路形成面，可以抑制電特性下降，從而提高制品可靠性。預(yù)先使所述膠粘片進行某種程度的交聯(lián)時，可以添加與聚合物的分子鏈末端的官能團等反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián)劑。由此，可以提高高溫下的膠粘特性，從而改善耐熱性。作為所述交聯(lián)劑，可以采用現(xiàn)有公知的交聯(lián)劑。特別是更優(yōu)選甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1，5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成物等多異氰酸酯化合物。交聯(lián)劑的添加量相對于所述聚合物100重量份通常優(yōu)選設(shè)定為O. 05 7重量份。交聯(lián)劑的量超過7重量份時，膠粘力下降，因此不優(yōu)選。另一方面，低于O. 05重量份時，凝聚力不足，因此不優(yōu)選。另外，在含有這樣的多異氰酸酯化合物的同時，根據(jù)需要可以一起含有環(huán)氧樹脂等其它多官能化合物。另外，所述膠粘片中，根據(jù)其用途可以適當(dāng)配合填料。填料的配合可以對所述膠粘片賦予導(dǎo)電性或提高導(dǎo)熱性、調(diào)節(jié)彈性模量等。作為所述填料，可以列舉無機填料和有機填料，從提高操作性、提高熱電導(dǎo)性、調(diào)節(jié)熔融粘度、賦予觸變性等特性的觀點考慮，優(yōu)選無機填料。作為所述無機填料，沒有特別限制，可以列舉例如氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶須、氮化硼、結(jié)晶二氧化硅、非晶二氧化硅等。這些填料可以單獨使用或者兩種以上組合使用。從提高熱電導(dǎo)性的觀點考慮，優(yōu)選氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結(jié)晶二氧化硅、非晶二氧化硅。另外，從上述各特性平衡良好的觀點考慮，優(yōu)選結(jié)晶二氧化硅或非晶二氧化硅。另外，從賦予導(dǎo)電性、提高熱電導(dǎo)性等目的考慮，也可以使用導(dǎo)電性物質(zhì)(導(dǎo)電填料)作為無機填料。作為導(dǎo)電填料，可以列舉將銀、鋁、金、銅、鎳、導(dǎo)電合金等形成為球形、針狀、薄片狀而得到的金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無定形炭黑、石墨等。所述填料的平均粒徑可以設(shè)定為O. 00Γ1 μ m。通過將所述填料的平均粒徑設(shè)定為O. 001 μ m以上，可以改善對被粘物的潤濕性以及膠粘性。另外，通過設(shè)定為I μ m以下，可以充分發(fā)揮為了賦予上述各特性而添加的填料的效果，同時可以確保耐熱性。另外，填料的平均粒徑例如為通過光度式粒度分布計(H0RIBA制，裝置名LA-910)求出的值。
·
另外，所述膠粘片中，除了所述絡(luò)合物形成性有機化合物以外，根據(jù)需要可以適當(dāng)配合其它添加劑。作為其它添加劑，可以列舉陰離子捕捉劑、分散劑、抗氧化劑、硅烷偶聯(lián)齊U、固化促進劑等。這些添加劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為用于形成所述膠粘片的膠粘劑組合物的制造方法，沒有特別限制，例如，將所述熱固性樹脂、所述熱塑性樹脂、以及所述絡(luò)合物形成性有機化合物和根據(jù)需要的其它添加劑投入到容器中，使其溶解于有機溶劑中，并攪拌至均勻，由此可以以膠粘劑組合物溶液的形式得到。作為所述有機溶劑，只要是可以將構(gòu)成膠粘片的成分均勻地溶解、捏合或分散的有機溶劑則沒有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的有機溶劑。作為這樣的溶劑，可以列舉例如二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮等酮類溶劑、甲苯、二甲苯等。從干燥速度快、可以便宜地獲得的觀點考慮，優(yōu)選使用甲乙酮、環(huán)己酮等。其中，更優(yōu)選可以溶解所述絡(luò)合物形成性有機化合物的甲乙酮。本實施方式的膠粘片，例如可以通過如下方式制作。首先，制作所述膠粘劑組合物溶液。然后，將膠粘劑組合物溶液涂布到基材隔片上達到預(yù)定厚度而形成涂膜，然后在預(yù)定條件下將該涂膜干燥。作為基材隔片，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯或者通過含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進行表面涂布后的塑料薄膜或紙等。另外，作為涂布方法，沒有特別限制，可以列舉例如輥涂、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外，作為干燥條件，例如可以在干燥溫度7(T16(TC、干燥時間f 5分鐘的范圍內(nèi)進行。由此，可以得到本實施方式的膠粘片。(半導(dǎo)體裝置的制造方法)以下，對使用所述膠粘片作為芯片接合薄膜時半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個實施方式進行說明。以下，對使用在現(xiàn)有公知的切割薄膜上層疊有本實施方式的膠粘片3(以下也稱為芯片接合薄膜3)的切割/芯片接合薄膜10的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。本實施方式的切割薄膜具有在基材I上層疊有粘合劑層2的結(jié)構(gòu)。圖I是表示本實施方式的切割/芯片接合薄膜的剖視示意圖。圖2是表示通過所述切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜安裝半導(dǎo)體芯片的例子的剖視示意圖。首先，如圖I所示，將半導(dǎo)體晶片4壓接在切割/芯片接合薄膜10中的芯片接合薄膜3的半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a上，并將其膠粘保持而固定(安裝工序)。本工序利用壓接輥等擠壓手段擠壓來進行。然后，進行半導(dǎo)體晶片4的切割。由此，將半導(dǎo)體晶片4切割為預(yù)定尺寸而小片化，制作半導(dǎo)體芯片5。切割例如按照常規(guī)方法從半導(dǎo)體晶片4的電路面一側(cè)進行。另外，本工序中，例如，可以采用切入到切割/芯片接合薄膜10的、稱為全切割的切割方式等。本工序中使用的切割裝置沒有特別限制，可以采用現(xiàn)有公知的切割裝置。另外，半導(dǎo)體晶片由切割/芯片接合薄膜10膠粘固定，因此可以抑制芯片缺損或芯片飛散，并且可以抑制半導(dǎo)體晶片4的破損。為了剝離由切割/芯片接合薄膜10膠粘固定的半導(dǎo)體芯片，進行半導(dǎo)體芯片5的拾取。拾取方法沒有特別限制，可以采用現(xiàn)有公知的各種方法?？梢粤信e例如用針將每個 半導(dǎo)體芯片5從切割/芯片接合薄膜10 —側(cè)上推，利用拾取裝置拾取上推的半導(dǎo)體芯片5的方法等。在此，在粘合劑層2為紫外線固化型的情況下，在對該粘合劑層2照射紫外線后進行拾取。由此，粘合劑層2對芯片接合薄膜3的粘合力下降，使半導(dǎo)體芯片5容易剝離。結(jié)果，可以在不損傷半導(dǎo)體芯片5的情況下進行拾取。然后，如圖2所示，通過芯片接合薄膜3將通過切割形成的半導(dǎo)體芯片5芯片接合到被粘物6上。芯片接合通過壓接來進行。作為芯片接合的條件，沒有特別限制，可以根據(jù)需要適當(dāng)設(shè)定。具體而言，例如可以在芯片接合溫度8(Tl60°C、芯片接合壓力5曠15N、芯片接合時間f 10秒的范圍內(nèi)進行。然后，進行利用焊線7將被粘物6的端子部(內(nèi)部引線)的前端與半導(dǎo)體芯片5上的電極焊盤(未圖示)電連接的絲焊工序。作為所述焊線7，可以使用例如金線、鋁線或銅線等。進行絲焊時的溫度在8(T250°C、優(yōu)選8(T220°C的范圍內(nèi)進行。另外，其加熱時間可以進行幾秒 幾分鐘。接線是在加熱到所述溫度范圍內(nèi)的狀態(tài)下，通過組合使用超聲波振動能和施加壓力而產(chǎn)生的壓接能來進行。另外，絲焊工序可以在不通過加熱處理使芯片接合薄膜3熱固化的情況下進行。此時，芯片接合薄膜3在25°C下對被粘物的剪切膠粘力優(yōu)選為O. 2MPa以上，更優(yōu)選O. 2 10MPa。通過將所述剪切膠粘力調(diào)節(jié)為O. 2MPa以上，即使在不使芯片接合薄膜3熱固化的情況下進行絲焊工序，也不會由于該工序中的超聲波振動或加熱而在芯片接合薄膜3與半導(dǎo)體芯片5或被粘物6的膠粘面上產(chǎn)生剪切變形。即，半導(dǎo)體元件不會由于絲焊時的超聲波振動而活動，由此，可以防止絲焊成功率下降。芯片接合薄膜3含有具有羧基并且不具有環(huán)氧基的熱塑性樹脂、熱固性樹脂以及含有具有兩個以上酚羥基的苯環(huán)的化合物并且能夠與陽離子形成絡(luò)合物的絡(luò)合物形成性有機化合物。因此，即使受到絲焊工序的熱歷史，不具有環(huán)氧基的所述熱塑性樹脂也幾乎不與所述絡(luò)合物形成性有機化合物反應(yīng)。結(jié)果，可以抑制芯片接合薄膜3劇烈地進行固化反應(yīng)。接著，進行用密封樹脂8將半導(dǎo)體芯片5密封的密封工序。本工序是為了保護搭載在被粘物6上的半導(dǎo)體芯片5或焊線7而進行的。本工序通過用模具將密封用的樹脂成形來進行。作為密封樹脂8，例如可以使用環(huán)氧類樹脂。樹脂密封時的加熱溫度通常為175°C，并進行6(Γ90秒，但是，本實施方式不限于此，例如，也可以在165 185°C下固化幾分鐘。即使不在之后的后固化工序中使芯片接合薄膜3熱固化的情況下，也可以在本工序中在密封樹脂8固化的同時使芯片接合薄膜3熱固化而膠粘固定。所述安裝工序中，一般而言在半導(dǎo)體晶片4上存在微細的凹凸，因此氣泡混入到半導(dǎo)體4與芯片接合薄膜3的界面等中。本密封工序中，該氣泡受到樹脂密封時的壓力而擴散到密封樹脂8等中，從而其影響減弱。另外，如前所述，芯片接合薄膜3的受到絲焊工序中的熱歷史而造成的劇烈的固化反應(yīng)被抑制。結(jié)果，在密封工序中可以使氣泡容易地擴散，從而可以防止由于氣泡而造成的膠粘界面處的剝離。然后，在后固化工序中，使在前述密封工序中固化不足的密封樹脂8完全固化。即使未在密封工序中使芯片接合薄膜3熱固化的情況下，也可以在本工序中在密封樹脂8固化的同時使芯片接合薄膜3熱固化而膠粘固定。本工序中的加熱溫度因密封樹脂的種類而異，例如，在165 185°C的范圍內(nèi)，加熱時間為約O. 5小時 約8小時?！?br> 另外，膠粘片(芯片接合薄膜)，也可以適當(dāng)用于如圖3所示的將多個半導(dǎo)體芯片層疊進行三維安裝的情況。圖3是表示通過芯片接合薄膜三維安裝半導(dǎo)體芯片的例子的剖視示意圖。圖3所示的三維安裝的情況下，首先，將切割為與半導(dǎo)體芯片相同尺寸的至少一個芯片接合薄膜3芯片粘貼在被粘物6上，然后，通過芯片接合薄膜3將半導(dǎo)體芯片5以其絲焊面為上側(cè)的方式進行粘貼。然后，避開半導(dǎo)體芯片5的電極焊盤部分將芯片接合薄膜13進行粘貼。進而，將另一個半導(dǎo)體芯片15以其絲焊面為上側(cè)的方式芯片接合到芯片接合薄膜13上。然后，進行絲焊工序。由此，用焊線7將半導(dǎo)體芯片5及另一半導(dǎo)體芯片15中各自的電極焊盤與被粘物6電連接。另外，本工序可以在不經(jīng)過芯片接合薄膜3、13的加熱工序的情況下實施。接著，利用密封樹脂8進行將半導(dǎo)體芯片5等密封的密封工序，并使密封樹脂固化。然后，在后固化工序中，使在所述密封工序中固化不充分的密封樹脂8完全固化。在將半導(dǎo)體芯片多層層疊的情況下，絲焊工序等的熱歷史多，芯片接合薄膜與半導(dǎo)體芯片的界面處存在的氣泡對剝離的影響大。但是，不具有環(huán)氧基的所述熱塑性樹脂幾乎不與所述絡(luò)合物形成性有機化合物進行反應(yīng)。結(jié)果，可以抑制芯片接合薄膜3、13劇烈地進行固化反應(yīng)。因此，在密封工序中可以容易地使氣泡擴散，從而可以防止由氣泡引起的膠粘界面處的剝離。在上述實施方式中，對所述膠粘片為芯片接合薄膜的情況進行了說明，但是，所述膠粘片只要是可以用于半導(dǎo)體裝置的制造的膠粘片則沒有特別限制。也可以是用于保護倒裝芯片型半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體芯片的背面的保護薄膜、用于將倒裝芯片型半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體芯片的正面與被粘物間密封的密封片。所述膠粘片可以用于包括通過所述膠粘片將半導(dǎo)體芯片粘貼到被粘物上的工序的半導(dǎo)體裝置的制造方法。通過所述膠粘片將半導(dǎo)體芯片粘貼到被粘物上的工序可以采用現(xiàn)有公知的粘貼工序。另外，通過所述半導(dǎo)體裝置的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置，為具有所述膠粘片的半導(dǎo)體裝置。<第二實施方式>以下，關(guān)于本實施方式，對與第一實施方式的不同點進行說明。本實施方式的膠粘片，作為除了特別地在本實施方式的項目中說明的以外的特性，可以發(fā)揮與第一實施方式的膠粘片同樣的特性。[薄膜狀膠粘劑]所述薄膜狀膠粘劑含有從樹脂骨架游離的離子捕捉性有機化合物、平均粒徑500nm以下的無機填料和膠粘性樹脂。所述薄膜狀膠粘劑中，無機填料的平均粒徑為500nm以下，因此可以減小無機填料的尺寸相對于薄膜狀膠粘劑的厚度的比例。結(jié)果，即使為了應(yīng)對半導(dǎo)體裝置的高容量化而進行所述薄膜狀膠粘劑的薄型化，也可以防止對半導(dǎo)體芯片等的機械損傷。另外，離子捕捉性有機化合物處于從所述膠粘薄膜中含有的全部樹脂骨架游離的狀態(tài)，因此自由度高，與金屬離子的接觸頻率也高，從而可以提高離子捕捉性。另外，由于使用作為有機物的離子捕捉性有機化合物，因此可以發(fā)揮與樹脂成分良好的相容性或親合性，并且可以在所述薄膜狀膠粘劑整體中均衡地存在，因此即使進行薄型化也可以提高離子捕捉效率。
所述膠粘片的厚度沒有特別限制，由于所述膠粘片中所含的無機填料的平均粒徑為500nm以下，因此為了應(yīng)對半導(dǎo)體裝置的高容量化，可以容易地實現(xiàn)薄型化。膠粘片的厚度優(yōu)選可以薄型化至3" 5μηι,更優(yōu)選3· 5 13 μ m,進一步優(yōu)選進行薄型化至3 10 μ m。所述薄膜狀膠粘劑在85°C、85%RH的氣氛中放置120小時時的吸水率優(yōu)選為3重量％以下，更優(yōu)選2重量％以下，進一步優(yōu)選I重量％以下。所述吸水率為3重量％以下時，在半導(dǎo)體封裝中，薄膜狀膠粘劑中金屬離子的運動受到抑制，從而可以更適當(dāng)?shù)夭蹲疥栯x子。所述薄膜狀膠粘劑在175°C下熱固化I小時后對硅晶片的剪切膠粘力在175°C的條件下優(yōu)選為O. OlMPa以上且50MPa以下，更優(yōu)選O. 02MPa以上且30MPa以下，進一步優(yōu)選O. 05MPa以上且25MPa以下。所述剪切膠粘力在175°C的條件下為O. OlMPa以上時，在半導(dǎo)體封裝中，金屬離子容易從支撐構(gòu)件(例如晶片等)向薄膜狀膠粘劑擴散，從而可以更適當(dāng)?shù)夭蹲浇饘匐x子。另外，可以防止由于絲焊時的超聲波振動引起的剪切變形，從而可以提高絲焊的成功率。對于所述薄膜狀膠粘劑而言，將重量2. 5g的薄膜狀膠粘劑浸潰到含有IOppm銅離子的水溶液50mL中并在120°C放置20小時后，所述水溶液中的銅離子濃度優(yōu)選為(T9. 9ppm,更優(yōu)選(T9. 5ppm,進一步優(yōu)選(T9. Oppm。通過薄膜狀膠粘劑具有這樣的銅離子捕集性，可以捕捉在半導(dǎo)體裝置的制造工序中混入半導(dǎo)體芯片等的金屬離子。結(jié)果，從外部混入的金屬離子難以到達在晶片上形成的電路形成面，可以抑制電特性的下降，從而可以提高制品可靠性。本發(fā)明中，作為使銅離子捕捉后的銅離子濃度為(T9. 9ppm的方法，如上所述，可以采用使薄膜狀膠粘劑中含有離子捕捉性有機化合物的方法、以及在欲使用的樹脂成分中引入羧酸基等能夠捕捉金屬離子的官能團的方法、離子注入硼或η型摻雜劑的方法等。(離子捕捉性有機化合物)所述薄膜狀膠粘劑中含有能夠捕捉金屬離子的離子捕捉性有機化合物時，可以更適當(dāng)?shù)夭蹲皆诎雽?dǎo)體裝置的制造的各種工序中從外部混入或者能夠混入半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片的金屬離子。離子捕捉性有機化合物以從包括膠粘性樹脂的骨架在內(nèi)的所述薄膜狀膠粘劑中的樹脂骨架游離的狀態(tài)存在，因此擴散或遷移的自由度高，從而可以有效地捕捉金屬尚子。本發(fā)明中，作為由所述離子捕捉性有機化合物捕捉的金屬離子，只要是金屬離子則沒有特別限制，可以列舉例如Na、K、Ni、Cu、Cr、Co、Hf、Pt、Ca、Ba、Sr、Fe、Al、Ti、Zn、Mo、Mn、V等的離子。所述離子捕捉性有機化合物，只要是能夠與金屬離子形成絡(luò)合物的有機化合物，則沒有特別限制，從可以適當(dāng)?shù)夭蹲浇饘匐x子的觀點考慮，優(yōu)選選自由含氮化合物、含羥基化合物和含羧基化合物組成的組中的一種以上。 (含氮化合物)作為所述含氮化合物，優(yōu)選微粉狀的、易溶于有機溶劑的或者液態(tài)的含氮化合物。作為這樣的含氮化合物，從可以更適當(dāng)?shù)夭蹲浇饘匐x子的觀點考慮，優(yōu)選具有叔氮原子的雜環(huán)化合物，可以列舉三唑化合物、四唑化合物或聯(lián)吡啶化合物。從與銅離子間形成的絡(luò)合物的穩(wěn)定性的觀點考慮，更優(yōu)選三唑化合物。這些物質(zhì)可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述三唑化合物，沒有特別限制，可以列舉I，2，3-苯并三唑、I - {N，N-雙(2-乙基己基)氨基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-{2’ -羥基-5’ -甲基苯基}苯并三唑、2- {2 ’ -羥基-3 ’，5 ’ - 二叔丁基苯基} -5-氯苯并三唑、2- {2 ’ -羥基-3 ’ -叔丁基-5 ’ -甲基苯基}-5_氯苯并三唑、2-{2’ -羥基-3’，5’ - 二叔戊基苯基}苯并三唑、2-{2’ -羥基-5’ -叔辛基苯基}苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-叔辛基-6’ -叔丁基_4’ -甲基-2，2’ -亞甲基雙酚、1_(2’，3’ -羥基丙基)苯并三唑、1_(1’，2’ - 二羧基二乙基)苯并三唑、I- (2-乙基己基氨基甲基)苯并三唑、2，4- 二叔戊基-6- {(H-苯并三唑-I-基)甲基}苯酚、2-(2-羥基-5-叔丁基苯基)-2H-苯并三唑、3-(2H-苯并三唑_2_基)-5-(1, I- 二甲基乙基)-4-羥基、辛基-3-[3-叔丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑_2_基)苯基]丙酸酯、2-乙基己基-3-[3-叔丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-I-苯基乙基)-4-(1, 1,3, 3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-叔丁基苯酚、2-(2’ -羥基_5’ -甲基苯基)苯并三唑、2- (2 ’ -羥基-5 ’ -叔辛基苯基)苯并三唑、2- (3 ’ -叔丁基-2 ’ -羥基-5 ’ -甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-{2’ -羥基-3’，5’ - 二叔戊基苯基}苯并三唑、2-{2’ -羥基-3’，5’ - 二叔丁基苯基}-5-氯苯并三唑、2-[2’-羥基-3，5-二(1，1_ 二甲基芐基)苯基]-2H-苯并三唑、2，2’ -亞甲基雙[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1, 1，3，3-四甲基丁基)苯酚]、(2_[2_羥基-3,5-雙(α，α-二甲基芐基)苯基]-2Η-苯并三唑、3_(3_(2Η-苯并三唑_2_基)_5_叔丁基-4-羥基苯基)丙酸甲酯等。作為所述三唑化合物的市售品，沒有特別限制，可以列舉城北化學(xué)株式會社制造的商品名BT-120、BT-LX、CBT-1、JF-77、JF-78、JF-79、JF-80、JF83、JAST-500、BT-GL、BT-M、BT-260、BT-365 ;BASF 公司制造的商品名TINUVIN PS,TINUVIN P,TINUVIN P FL.TINUVIN99-2、TINUVIN 109、TINUVIN 900、TINUVIN 928、TINUVIN234, TINUVIN 329、TINUVIN 329FL、TINUVIN 326、TINUVIN 326FL、TINUVIN 571、TINUVIN 213 ;臺灣永光化學(xué)公司制造的商品名EVERS0RB 8UEVERS0RB 109、EVERS0RB 70、EVERS0RB 7UEVERS0RB 72、EVERS0RB73、EVERS0RB 74、EVERS0RB 75、EVERS0RB 76、EVERS0RB 78、EVERS0RB 80 等。三唑化合物也可以作為防銹劑使用。
作為所述四唑化合物，沒有特別限制，可以列舉5-氨基-IH-四唑等。作為所述聯(lián)吡啶化合物，沒有特別限制，可以列舉2，2’-聯(lián)吡啶、1，10-菲咯啉等。(含羥基化合物)作為所述含羥基化合物，沒有特別限制，優(yōu)選微粉狀的、易溶于有機溶劑的、或者液態(tài)的含羥基化合物。作為這樣的含羥基化合物，從可以更適當(dāng)?shù)夭蹲浇饘匐x子的觀點考慮，優(yōu)選一個芳香環(huán)上具有兩 個以上羥基的化合物，具體地可以列舉苯二酚化合物、羥基蒽醌化合物或者多酚化合物，從與銅離子間形成的絡(luò)合物的穩(wěn)定性的觀點考慮，更優(yōu)選多酚化合物。這些物質(zhì)可以單獨使用或者兩種以上組合使用。另外，芳香環(huán)是指η電子體系非定域化的共軛環(huán)結(jié)構(gòu)，不僅包括未縮合的芳香環(huán)(例如苯環(huán))，也包括縮合的芳香環(huán)(例如，萘環(huán)、蒽環(huán)、菲環(huán)、并四苯環(huán)、并五苯環(huán)、芘環(huán)等)、蒽醌環(huán)等。作為所述苯二酚化合物，沒有特別限制，可以列舉1，2_苯二酚等。作為所述羥基蒽醌化合物，沒有特別限制，茜素、1，5- 二羥基蒽醌等。作為所述多酚化合物，沒有特別限制，可以列舉丹寧、丹寧衍生物(沒食子酸、沒食子酸燒基酷(作為燒基，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、戍基、己基、庚基、羊基、壬基、癸基、十一燒基、十_■燒基等)、鄰苯二酌O等。(含羧基化合物)作為所述含羧基化合物，沒有特別限制，可以列舉含羧基芳香族化合物、含羧基脂肪族化合物等。作為所述含羧基芳香族化合物，沒有特別限制，可以列舉鄰苯二甲酸、吡啶甲酸、吡咯-2-甲酸等。作為所述含羧基脂肪族化合物，沒有特別限制，可以列舉高級脂肪酸、羧酸型螯合試劑等。作為所述羧酸型螯合試劑的市售品，沒有特別限制，可以列舉々> ^卜株式會社制造的商品名今> 7卜A、今> 7卜110、今> 7卜B、今> 7卜200、今> 7卜C、今> 7卜D、今> 7卜400、今> 7卜40、今> 7卜0D、今> 7卜NTA、今> 7卜700、今> 7卜PA、今>叉卜HA、今 > 叉卜MZ-2、今 > 叉卜MZ-4A、今 > 叉卜MZ—8等。所述離子捕捉性有機化合物的含量相對于構(gòu)成所述膠粘片的樹脂成分100重量份優(yōu)選為f 10重量份，更優(yōu)選21重量份，進一步優(yōu)選3飛重量份。通過設(shè)定為I重量份以上，可以有效地捕捉陽離子(特別是銅離子)，通過設(shè)定為10重量份以下，可以抑制耐熱性的下降或成本的增加，并且可以防止過量的離子捕捉性有機化合物引起的膠粘特性的變化。(無機填料)所述薄膜狀膠粘劑中，含有平均粒徑500nm以下的無機填料。無機填料的平均粒徑為500nm以下即可，沒有特別限制，優(yōu)選500nnTlnm,更優(yōu)選450nnT2nm,進一步優(yōu)選400nnT5nm。通過將無機填料的平均粒徑設(shè)定為500nm以下,可以防止對半導(dǎo)體芯片的機械損傷，并且可以防止高溫下的彈性模量或膠粘力的下降。作為所述無機填料，可以適當(dāng)?shù)夭捎玫谝粚嵤┓绞街械臒o機填料。所述無機填料的有特別限制，可以為球形、橢球形、平板狀、棒狀、柱狀、層狀、鏈狀、鱗片狀、圓環(huán)狀(卜''一狀)、不定形狀等任意一種形狀。另外，雖然是任意一種形狀，但是平均粒徑是將作為對象的無機填料假定為球形時基于該球的直徑而求出的。
所述薄膜狀膠粘劑中所述無機填料的含量，只要可以防止對半導(dǎo)體芯片的機械損傷則沒有特別限制，優(yōu)選廣50重量％，更優(yōu)選3 45重量％，進一步優(yōu)選5 40重量％。由此，可以在防止無機填料對半導(dǎo)體芯片的機械損傷的同時確保高溫下的彈性模量。所述薄膜狀膠粘劑中，以重量為基準(zhǔn)的所述無機填料的含量相對于所述離子捕捉性有機化合物的含量之比，可以考慮離子捕捉性、芯片損傷防止性、膠粘力等適當(dāng)選擇，優(yōu)選I.廣80，更優(yōu)選I. 5 70，進一步優(yōu)選2. (Γ60。通過將所述重量比設(shè)定在所述范圍內(nèi)，可以利用無機填料防止離子捕捉性有機化合物引起的彈性模量或膠粘力的下降，并且可以防止無機填料對半導(dǎo)體芯片的機械損傷。(膠粘性樹脂)所述薄膜狀膠粘劑中，含有膠粘性樹脂。作為膠粘性樹脂，可以使用現(xiàn)有公知的具有膠粘性的樹脂，可以適當(dāng)?shù)厥褂脽崴苄詷渲驘峁绦詷渲?
(熱塑性樹脂)所述薄膜狀膠粘劑優(yōu)選含有熱塑性樹脂。作為所述熱塑性樹脂，可以適當(dāng)?shù)厥褂锰烊幌鹉z、以及第一實施方式中所列舉的樹脂。但是，與第一實施方式不同的是，并沒有含有環(huán)氧基及羧基的限制，既可以含有其中一種，也可以含有其中兩種，也可以都不含。所述薄膜狀膠粘劑中，優(yōu)選所述熱塑性成分與后述的熱固性成分可以相互交聯(lián)。通過熱塑性成分與熱固性成分交聯(lián)，高溫(例如175 260°C)下的膠粘力更高，可以防止回流焊接工序等中的剝離等，結(jié)果，可以提高半導(dǎo)體裝置的制造的成品率。作為使所述熱塑性成分與所述熱固性成分可以相互交聯(lián)的手段，可以列舉例如在兩成分中引入可以相互交聯(lián)的官能團；等。作為可以相互交聯(lián)的官能團的組合，可以列舉例如環(huán)氧基與羥基、環(huán)氧基與羧基、環(huán)氧基與氨基等。通過將這些官能團的組合中的一方引入到所述熱塑性成分中，并將另一方官能團引入到所述熱固性成分中，可以使所述熱塑性成分與所述熱固性成分相互交聯(lián)。為了使所述熱塑性成分與所述熱固性成分相互交聯(lián)，所述熱塑性成分具體地具有環(huán)氧基或羧基時，可以適當(dāng)?shù)嘏c熱固性成分進行交聯(lián)反應(yīng)。熱塑性成分具有環(huán)氧基的情況下，所述膠粘片優(yōu)選含有酚醛樹脂作為熱固性成分。另外，熱塑性成分具有羧基的情況下，所述膠粘片優(yōu)選含有環(huán)氧樹脂作為熱固性成分。熱塑性成分的環(huán)氧基與熱固性成分的酚醛樹脂的羥基之間、或者熱塑性成分的羥基與熱固性成分的環(huán)氧樹脂的環(huán)氧基之間可以適當(dāng)進行交聯(lián)反應(yīng)。為了在所述熱塑性成分中引入環(huán)氧基，可以采用含有環(huán)氧基的單體作為所述丙烯酸類共聚物的構(gòu)成單體。作為含有環(huán)氧基的單體，只要具有環(huán)氧基則沒有特別限制，可以列舉例如丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯等。另外，為了在所述熱塑性成分中引入羧基，可以采用含有羧基的單體作為所述丙烯酸類共聚物的構(gòu)成單體。作為含有羧基的單體，只要具有羧基則沒有特別限制，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸及巴豆酸等。所述丙烯酸類樹脂中，優(yōu)選酸值為5 150的丙烯酸類樹脂，更優(yōu)選酸值為1(Γ145的丙烯酸類樹脂，進一步優(yōu)選酸值為2(Γ140的丙烯酸類樹脂，特別優(yōu)選酸值為2(Γ40的丙烯酸類樹脂。所述薄膜狀膠粘劑中含有酸值為5 150的丙烯酸類樹脂時，丙烯酸類樹脂的羧基對絡(luò)合物的形成有貢獻并促進離子捕捉性有機化合物的捕捉效果，通過這樣的協(xié)同效果，可以更良好地捕捉金屬離子。本發(fā)明中丙烯酸類樹脂的酸值，是指中和每Ig試樣中含有的游離脂肪酸、樹脂酸等所需的氫氧化鉀的mg數(shù)。另外，作為形成所述聚合物的其它單體，沒有特別限制，可以列舉例如酸酐單體，如馬來酸酐或衣康酸酐等；含羥基單體，如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等；含磺酸基單體，如苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧萘磺酸等；或者含磷酸基單體，如丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等；等。這些單體可以單獨使用或者兩種以上組合使用。(熱固性樹脂)另外，所述薄膜狀膠粘劑優(yōu)選在含有所述熱塑性樹脂的同時含有熱固性樹脂。作為所述熱固性樹脂，可以適當(dāng)使用第一實施方式中說明過的熱固性樹脂。所述環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，例如，以相對于所述環(huán)氧樹脂成分中的環(huán)氧基I當(dāng)量酚醛樹脂中的羥基為O. 5^2. O當(dāng)量的方式進行配合是適當(dāng)?shù)?。另外，更合適的是0.8 1.2當(dāng)量。S卩，這是因為兩者的配合比例在所述范圍以外時，不能進行充分的固化反應(yīng)，從而環(huán)氧樹脂固化物的特性容易劣化。作為所述熱固性樹脂的配合比例，只要是在預(yù)定條件下加熱薄膜狀膠粘劑時發(fā)揮作為熱固型薄膜狀膠粘劑的功能的程度則沒有特別限制，相對于薄膜狀膠粘劑的重量優(yōu)選為(Γ90重量％，更優(yōu)選5 85重量％。其中，從兼具低溫下的膠粘性和高溫下的彈性模量的觀點考慮，膠粘性樹脂優(yōu)選為選自由丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂組成的組中的一種以上。特別地，作為膠粘性樹脂，含有環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂以及丙烯酸類樹脂，相對于丙烯酸類樹脂100重量份，環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的合計量優(yōu)選為1(Γ2000重量份，更優(yōu)選1(Γ1500重量份，進一步優(yōu)選1(Γ1000重量份。通過將相對于丙烯酸類樹脂100重量份的環(huán)氧樹脂以及酚醛樹脂的合計量設(shè)定為10重量份以上，可以通過固化得到膠粘效果，可以抑制剝離，通過設(shè)定為2000重量份以下，可以抑制薄膜變脆而作業(yè)性下降的情況。(交聯(lián)劑) 在預(yù)先將所述薄膜狀膠粘劑進行某種程度的交聯(lián)的情況下，可以添加與聚合物的分子鏈末端的官能團等反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián)劑。由此，可以提高高溫下的膠粘特性，改善耐熱性。作為所述交聯(lián)劑，可以適當(dāng)使用第一實施方式中說明過的交聯(lián)劑。(其它添加劑)另外，所述薄膜狀膠粘劑中，除了上述成分以外，根據(jù)需要可以適當(dāng)配合其它添加齊U。作為其它添加劑，可以適當(dāng)使用第一實施方式中說明過的添加劑。上述實施方式中，對于使用作為膠粘性樹脂的熱固性樹脂、熱塑性樹脂作為薄膜狀膠粘劑中所含的膠粘劑主成分的情況進行了說明，但是，本發(fā)明中，作為薄膜狀膠粘劑中所含的膠粘劑主成分，可以在上述的熱固性樹脂、熱塑性樹脂的基礎(chǔ)上含有陶瓷類、水泥類、焊料等無機成分。[薄膜狀膠粘劑的制造方法]本實施方式的薄膜狀膠粘劑，例如以如下方法制作。首先，制備作為薄膜狀膠粘劑的前體的膠粘劑組合物。作為制備方法，沒有特別限制，例如將離子捕捉性有機化合物以及根據(jù)需要的熱固性樹脂、熱塑性樹脂、其它添加劑投入到容器中，在有機溶劑中溶解，并攪拌到均勻，由此可以膠粘劑組合物溶液的形式得到。以后的程序可以適當(dāng)?shù)夭捎玫谝粚嵤┓绞街械某绦?。作為所述薄膜狀膠粘劑的用途沒有特別限制，可以適當(dāng)用于半導(dǎo)體裝置的制造，可以列舉例如可以作為用于將半導(dǎo)體芯片固定到引線框等被粘物上的芯片接合薄膜、用于保護倒裝芯片型半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體芯片的背面的保護薄膜、用于密封半導(dǎo)體芯片的密封片使用。所述薄膜狀膠粘劑在熱固化前在60°C下的拉伸儲能彈性模量優(yōu)選為O. OlMPa以上且IOOOMPa以下，更優(yōu)選O. 05MPa以上且IOOMPa以下，進一步優(yōu)選O. IMPa以上且50MPa以下。通過將熱固化前在60°C下的拉伸儲能彈性模量調(diào)節(jié)為O. OlMPa以上，可以保持作為薄膜的形狀，可以賦予良好的作業(yè)性。另外，通過將熱固化前在60°C下的拉伸儲能彈性模量 調(diào)節(jié)為IOOOMPa以下，可以賦予對被粘物的良好的潤濕性。[半導(dǎo)體裝置]參考圖2對本實施方式的半導(dǎo)體裝置進行說明。半導(dǎo)體裝置具有被粘物6、層疊在所述被粘物6上的所述薄膜狀膠粘劑3、配置在所述薄膜狀膠粘劑3上的半導(dǎo)體芯片5。作為被粘物6，可以為基板，也可以為其它半導(dǎo)體芯片。圖2中使用基板作為被粘物。圖2所示的半導(dǎo)體裝置中，進一步以將被粘物6的端子部(內(nèi)部引線)的前端與半導(dǎo)體芯片5上的電極焊盤(未圖示)連接的方式設(shè)置將半導(dǎo)體芯片5與被粘物6電連接的焊線7，包括焊線7在內(nèi)，半導(dǎo)體芯片5由密封樹脂8覆蓋。本實施方式的半導(dǎo)體裝置中，在往被粘物上固定半導(dǎo)體芯片時使用該薄膜狀膠粘齊U，因此即使經(jīng)過密封工序或回流焊接工序等的高溫處理也可以在保持薄膜狀膠粘劑與半導(dǎo)體芯片的粘附性的同時有效地捕捉在其制造工序中混入的金屬離子，結(jié)果，可以確保優(yōu)良的制品可罪性。[半導(dǎo)體裝置的制造方法]以下，對于使用上述薄膜狀膠粘劑作為芯片接合薄膜的情況中半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個實施方式進行說明。(切割/芯片接合薄膜)以下，對于使用在現(xiàn)有公知的切割薄膜上層疊有本實施方式的薄膜狀膠粘劑3(以下也稱為芯片接合薄膜3)的切割/芯片接合薄膜10的半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。另外，本實施方式的切割薄膜為在基材I上層疊有粘合劑層2的結(jié)構(gòu)。(半導(dǎo)體裝置的制造方法)作為本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，可以適當(dāng)采用第一實施方式中說明過的制造方法。〈第三實施方式〉本實施方式的切割/芯片接合薄膜，如圖I所示具有在粘合劑層2層疊于基材I的切割薄膜上層疊有膠粘片3的構(gòu)成。膠粘片3層疊在粘合劑層2上。另外，作為膠粘片的形成方式，如圖4所示，可以是僅在半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a (參考圖I)形成有膠粘片3’的構(gòu)成。
[切割薄膜]作為所述切割薄膜，可以列舉例如在基材I上層疊有粘合劑層2的切割薄膜。(基材)所述基材I作為切割/芯片接合薄膜10、11的強度母體?？梢粤信e例如低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、聚硅氧烷樹脂、金屬(箔)、紙等。粘合劑層2為紫外線固化型的情況下，優(yōu)選基材I對紫外線具有透射性。 另外，作為基材I的材料，可以列舉前述樹脂的交聯(lián)體等聚合物。所述塑料薄膜可以未拉伸而使用，也可以根據(jù)需要進行單軸或雙軸拉伸處理后使用。利用通過拉伸處理等而賦予了熱收縮性的樹脂片，通過在切割后使該基材I熱收縮，可以減小粘合劑層2與膠粘片3的膠粘面積，從而可以容易地回收半導(dǎo)體芯片。為了提高與鄰接層的粘附性、保持性等，基材I的表面可以實施慣用的表面處理，例如，鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離射線處理等化學(xué)或物理處理、利用底涂劑(例如后述的粘合物質(zhì))的涂布處理。所述基材I可以適當(dāng)?shù)剡x擇使用同種或不同種類的材料，根據(jù)需要也可以使用將數(shù)種材料共混后的材料。另外，為了賦予基材I防靜電性能，可以在所述基材I上設(shè)置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度為約30 A 約500 A的導(dǎo)電性物質(zhì)的蒸鍍層?；腎可以是單層或者兩種以上的多層?；腎的厚度沒有特別限制，可以適當(dāng)確定，一般為約5μπΓ約200μπι。另外，基材I中，在不損害本實施方式的效果的范圍內(nèi)，可以含有各種添加劑(例如，著色劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。(粘合劑層)粘合劑層2在26°C下的儲能彈性模量為I. OX IO4Pa以上且I. OX IO7Pa以下。通過粘合劑層2具有這樣范圍的儲能彈性模量，可以在該粘合劑層中形成適度的交聯(lián)結(jié)構(gòu)。由此，可以限制離子捕捉劑從膠粘片向粘合劑層的轉(zhuǎn)移等，結(jié)果，可以抑制膠粘片的離子捕捉性的下降。粘合劑層2的形成中使用的粘合劑，只要是在粘合劑層形成后顯示預(yù)定的儲能彈性模量，并且能夠以可剝離的方式控制膠粘片3的粘合劑則沒有特別限制。例如，可以使用丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等一般的壓敏膠粘劑。作為所述壓敏膠粘劑，從半導(dǎo)體晶片或玻璃等避忌污染的電子部件的利用超純水或醇類等有機溶劑的清潔洗滌性等觀點考慮，優(yōu)選以丙烯酸類聚合物為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類粘合劑。作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉使用丙烯酸酯作為主要單體成分的丙烯酸類聚合物。作為所述丙烯酸酯，可以列舉例如使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數(shù)廣30、特別是碳原子數(shù)Γ18的直鏈或支鏈烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環(huán)烷酯(例如，環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸類聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發(fā)明的(甲基)全部表示相同的含義。為了改善凝聚力、耐熱性等，所述丙烯酸類聚合物根據(jù)需要可以含有與能夠同所述(甲基)丙烯酸烷基酯或環(huán)烷酯共聚的其它單體成分對應(yīng)的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如含羧基單體，如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等；酸酐單體，如馬來酸酐、衣康酸酐等；含羥基單體，如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等；含磺酸基單體，如苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧萘磺酸等；含磷酸基單體如丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等；丙烯酰胺、丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共·聚單體的使用量優(yōu)選為全部單體成分的40重量％以下。另外，所述丙烯酸類聚合物為了進行交聯(lián)根據(jù)需要也可以含有多官能單體等作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能單體，可以列舉例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體也可以使用一種或兩種以上。多官能單體的使用量從粘合特性等觀點考慮優(yōu)選為全部單體成分的30重量％以下。所述丙烯酸類聚合物可以通過將單一單體或兩種以上單體的混合物聚合來得到。聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意方式進行。從防止對潔凈被粘物的污染等觀點考慮，優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量少，另外，從粘合劑層顯示預(yù)定的儲能彈性模量的觀點考慮，丙烯酸類聚合物的重均分子量優(yōu)選為約30萬以上，進一步優(yōu)選約40萬 約300萬。丙烯酸類聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)，從剝離粘合力的觀點考慮，優(yōu)選_70°C以上。更優(yōu)選_60°C以上。另外，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度優(yōu)選為_4(T15°C。因此，對于用于形成丙烯酸類聚合物的主要單體而言，均聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-70°C以上是適當(dāng)?shù)?。丙烯酸類聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)的測定方法基于實施例的記載。丙烯酸類聚合物的碘值優(yōu)選在5 10的范圍內(nèi)，更優(yōu)選5. 5、的范圍內(nèi)。所述碘值小于5時，有時粘合劑層2為輻射線固化型時的輻射線照射后的粘合力下降效果不充分。另一方面，所述碘值超過10時，切割薄膜對膠粘片的粘合力提高，有時難以拾取。另外，所述碘值的數(shù)值范圍為基于JIS K 0070-1992測定的值，測定程序的詳細內(nèi)容基于實施例的記載。丙烯酸類聚合物的羥值優(yōu)選在7 30的范圍內(nèi)，更優(yōu)選1(Γ25的范圍內(nèi)。所述羥值小于7時，有時粘合劑層2為輻射線固化型時的輻射線照射后的粘合力下降效果不充分。另一方面，所述羥值超過30時，切割薄膜對芯片接合薄膜的粘合力提高，有時難以拾取。另夕卜，所述羥值的數(shù)值范圍為通過基于JIS K 0070-1992的乙?；y定的值，測定程序的詳細內(nèi)容基于實施例的記載。另外，為了提高作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類聚合物等的重均分子量，所述粘合劑中也可以適當(dāng)采用外部交聯(lián)劑。外部交聯(lián)方法的具體手段可以列舉添加多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑并使其反應(yīng)的方法。使用外部交聯(lián)劑時，其使用量根據(jù)與應(yīng)交聯(lián)的基礎(chǔ)聚合物的平衡以及作為粘合劑的使用用途適當(dāng)確定。一般而言，相對于所述基礎(chǔ)聚合物100重量份優(yōu)選配合約5重量份以下，進一步優(yōu)選配合O. I飛重量份。另外，從對粘合劑層賦予預(yù)定的儲能彈性模量的觀點考慮，相對于所述丙烯酸類樹脂100重量份，優(yōu)選含有廣5重量份異氰酸酯類交聯(lián)劑。另外，根據(jù)需要，在粘合劑中除前述成分以外還可以使用以往公知的各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。粘合劑層2可以由輻射線固化型粘合劑形成。此時，粘合劑層在輻射線照射 前在26°C下的儲能彈性模量需要為LOXlO4Pa以上且LOXlO7Pa以下。輻射線固化型粘合劑通過利用紫外線等輻射線的照射增大交聯(lián)度從而可以容易地使其粘合力下降。例如，圖I所示粘合劑層2中，通過僅對與晶片粘貼部分3a對應(yīng)的部分2a照射輻射線，可以設(shè)置與該部分2a以外的部分2b的粘合力差。另外，通過根據(jù)膠粘片3’使輻射線固化型粘合劑層2固化，可以容易地形成粘合力顯著下降的部分2a。由于膠粘片3’粘貼在固化且粘合力下降的部分2a上，因此部分2a與膠粘片3’的界面具有在拾取時容易剝離的性質(zhì)。另一方面，未照射輻射線的部分具有充分的粘合力，形成部分2b。如上所述，圖I所示的切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，由未固化的輻射線固化型粘合劑形成的所述部分2b與膠粘片3粘合，可以確保切割時的保持力。這樣，輻射線固化型粘合劑可以以良好的膠粘-剝離平衡支撐用于將半導(dǎo)體芯片固定到基板等被粘物上的膠粘片3。圖4所示的切割/芯片接合薄膜11的粘合劑層2中，所述部分2b能夠?qū)①N片環(huán)(wafer ring)固定。所述輻射線固化型粘合劑可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等輻射線固化性官能團，并且顯示粘合性的輻射線固化型粘合劑。作為輻射線固化型粘合劑，可以例示例如在丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等一般的壓敏粘合劑中配合有輻射線固化性單體成分或低聚物成分的添加型輻射線固化型粘合劑。作為欲配合的輻射線固化性單體成分，可以列舉例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，輻射線固化性低聚物成分可以列舉氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其重均分子量在約10(Γ約30000的范圍內(nèi)是適當(dāng)?shù)?。輻射線固化性單體成分或低聚物成分的配合量可以根據(jù)所述粘合劑層的種類適當(dāng)?shù)卮_定能夠降低粘合劑層的粘合力的量。一般而言，相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份，例如為約5重量份 約500重量份，優(yōu)選約40重量份 約150重量份。另外，作為輻射線固化型粘合劑，除了前面說明過的添加型輻射線固化型粘合劑以外，還可以列舉使用在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳碳雙鍵的聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)在型輻射線固化型粘合劑。內(nèi)在型輻射線固化型粘合劑無需含有或者不大量含有作為低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會隨時間推移在粘合劑中移動，可以形成穩(wěn)定的層結(jié)構(gòu)的粘合劑層，因此優(yōu)選。所述具有碳碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物，可以沒有特別限制地使用具有碳碳雙鍵并且具有粘合性的聚合物。作為這樣的基礎(chǔ)聚合物，優(yōu)選以丙烯酸類聚合物作為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉前面例示過的丙烯酸類聚合物。在所述丙烯酸類聚合物中引入碳碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以采用各種方法，但是，將碳碳雙鍵引入聚合物側(cè)鏈在分子設(shè)計上比較容易?？梢粤信e例如先將具有官能團的單體共聚到丙烯酸類聚合物中，然后，使具有能夠與該官能團反應(yīng)的官能團和碳碳雙鍵的化合物在保持碳碳雙鍵的輻射線固化性的情況下進行縮合或加成反應(yīng)的方法。作為這些官能團的組合例，可以列舉例如羧基與環(huán)氧基、羧基與氮丙啶基、羥基 與異氰酸酯基等。這些官能團的組合中從反應(yīng)追蹤的容易性方面考慮，優(yōu)選羥基與異氰酸酯基的組合。另外，如果是通過這些官能團的組合而生成所述具有碳碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合，則官能團可以在丙烯酸類聚合物與所述化合物的任意一方上，在所述的優(yōu)選組合中，優(yōu)選丙烯酸類聚合物具有羥基、所述化合物具有異氰酸酯基的情況。此時，作為具有碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉例如甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α-二甲基聯(lián)苯酰異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用共聚有前面例示的含羥基單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚的醚類化合物等的聚合物。所述內(nèi)在型輻射線固化型粘合劑可以單獨使用所述具有碳碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的范圍內(nèi)配合所述輻射線固化性單體成分或低聚物成分。輻射線固化性低聚物成分等相對于基礎(chǔ)聚合物100重量份通常在30重量份的范圍內(nèi)，優(yōu)選(Γιο重量份的范圍。所述輻射線固化型粘合劑在通過紫外線等固化時可以含有光聚合弓丨發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，可以列舉例如α -酮醇類化合物，如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、0-輕基-0，0 二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、I-羥基環(huán)己基苯基酮等；苯乙酮類化合物，如甲氧基苯乙酮、2，2- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2- 二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-I-酮等；苯偶姻醚類化合物，如苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲基醚等；縮酮類化合物，如聯(lián)苯酰二甲基縮酮等；芳香族磺酰氯類化合物，如2-萘磺酰氯等；光活性肟類化合物，如I-苯基-1，2-丙二酮-2- (O-乙氧基羰基)肟等；二苯甲酮類化合物，如二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等；噻噸酮類化合物，如噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4- 二氯噻噸酮、2，4- 二乙基噻噸酮、2，4- 二異丙基噻噸酮等；樟腦醌；鹵代酮；?；⒀趸铮货；⑺狨サ取９饩酆弦l(fā)劑的配合量相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份，例如為約O. 05重量份 約20重量份。通過輻射線固化型粘合劑形成粘合劑層2的情況下，優(yōu)選對粘合劑層2的一部分進行輻射線照射使得部分2a的粘合力〈部分2b的粘合力。圖I的切割/芯片接合薄膜中，例如，對于作為被粘物的SUS304板(#2000研磨)的關(guān)系，為部分2a的粘合力〈部分2b的粘合力。作為在所述粘合劑層2中形成所述部分2a的方法，可以列舉在基材I上形成輻射線固化型粘合劑層2后，對所述部分2a局部地照射輻射線使其固化的方法。局部的輻射線照射可以通過形成有與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a以外的部分3b等對應(yīng)的圖案的光掩模來進行。另外，可以列舉點狀照射紫外線進行固化的方法等。輻射線固化型粘合劑層2的形成可以通過將設(shè)置在隔片上的輻射線固化型粘合劑層轉(zhuǎn)印到基材I上來進行。局部的輻射線照射也可以對設(shè)置在隔片上的輻射線固化型粘合劑層2進行。另外，通過輻射線固化型粘合劑形成粘合劑層2的情況下，可以使用對基材I的至少單面的、與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對應(yīng)的部分以外的部分的全部或局部進行遮光的基材，在該基材上形成輻射線固化型粘合劑層2后進行輻射線照射，使與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對應(yīng)的部分固化，從而形成粘合力下降的所述部分2a。作為遮光材料，可以通過在支撐薄膜上印刷或蒸鍍能夠成為光掩模的材料來制作。通過所述制造方法，可以有效地制造本實施方式的切割/芯片接合薄膜10?！?br> 另外，輻射線照射時因氧而產(chǎn)生固化障礙時，優(yōu)選利用任意方法從輻射線固化型粘合劑層2的表面隔絕氧(空氣)?？梢粤信e例如用隔片將所述粘合劑層2的表面覆蓋的方法、或者在氮氣氛圍中進行紫外線等輻射線的照射的方法等。粘合劑層2的厚度沒有特別限制，從同時實現(xiàn)防止芯片切割面的缺損和膠粘層的固定保持等觀點考慮，優(yōu)選為約Iym至約50 μ m。優(yōu)選2 μ πΓ30 μ m、更優(yōu)選5 μ πΓ25 μ m。另外，粘合劑層2中，在不損害本實施方式的效果的范圍內(nèi)，可以含有各種添加劑(例如，著色劑、增稠劑、增量劑、填充劑、增粘劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián)劑等)。[膠粘片]膠粘片3、3’(以下有時將兩者合并稱為“膠粘片3”)含有能夠捕捉金屬離子的離子捕捉劑，并且適當(dāng)?shù)睾袩崴苄詷渲蜔峁绦詷渲部梢赃M一步含有其它成分。作為膠粘片3、3’，可以適當(dāng)采用上述的實施方式的膠粘片。膠粘片3的厚度沒有特別限制，由于可以抑制離子捕捉劑從膠粘片3向粘合劑層的轉(zhuǎn)移等，因此為了應(yīng)對半導(dǎo)體裝置的高容量化，可以容易地實現(xiàn)薄型化。膠粘片的厚度優(yōu)選可以薄型化直到3μπ 以上且150 μ m以下的范圍，更優(yōu)選可以薄型化直到4μπι以上且120μπι以下的范圍，進一步優(yōu)選5μπι以上且IOOym以下的范圍。對于膠粘片3而言，將重量2. 5g的膠粘片浸潰到含有IOppm銅離子的水溶液50mL中并在120°C放置20小時后，所述水溶液中的銅離子濃度優(yōu)選為(T9. 8ppm，更優(yōu)選為(Γ9. 5ppm,進一步優(yōu)選(Γ9. Oppm。通過膠粘片具有這樣的銅離子捕集性,可以捕捉在半導(dǎo)體裝置的制造工序中從外部混入半導(dǎo)體芯片等的金屬離子。結(jié)果，從外部混入的金屬離子難以到達在晶片上形成的電路形成面，可以抑制電特性的下降，從而可以提高制品可靠性。本實施方式中，作為使銅離子捕捉后的銅離子濃度為(T9. Sppm的方法，除了如上所述使膠粘片中含有離子捕捉劑的方法以外，還可以采用在欲使用的樹脂成分中引入羧酸基等能夠捕捉金屬離子的官能團的方法、離子注入硼或η型摻雜劑的方法等。所述膠粘片在熱固化前在60°C下的拉伸儲能彈性模量優(yōu)選為O. OlMPa以上且IOOOMPa以下，更優(yōu)選O. 05MPa以上且IOOMPa以下，進一步優(yōu)選O. IMPa以上且50MPa以下。通過將熱固化前在60°C下的拉伸儲能彈性模量調(diào)節(jié)為O. OlMPa以上，可以保持作為薄膜的形狀，可以賦予良好的作業(yè)性。另外，通過將熱固化前在60°C下的拉伸儲能彈性模量調(diào)節(jié)為IOOOMPa以下，可以賦予對被粘物的良好的潤濕性。[切割/芯片接合薄膜的制造方法]本實施方式的切割/芯片接合薄膜10、11，例如可以通過分別制作切割薄膜和膠粘片，最后將它們粘貼來制作。具體而言，可以按照以下的程序來制作。首先，基材I可以通過現(xiàn)有公知的制膜方法制膜。作為該制膜方法，可以例示例如壓延制膜法、有機溶劑中的澆注法、密閉體系中的吹塑擠出法、T形模頭擠出法、共擠出法、干式層壓法等。接著，制備粘合劑層形成用的粘合劑組合物。粘合劑組合物中配合有在粘合劑層項目中說明過的樹脂、添加物等。在基材I上涂布制備的粘合劑組合物形成涂膜，然后在 預(yù)定條件下使該涂膜干燥(根據(jù)需要加熱交聯(lián))而形成粘合劑層2。作為涂布方法沒有特別限制，可以列舉例如輥涂、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外，作為干燥條件，例如在干燥溫度8(T15(TC、干燥時間O. 5飛分鐘的范圍內(nèi)進行。另外，也可以在隔片上涂布粘合劑組合物形成涂膜后，在前述干燥條件下干燥涂膜而形成粘合劑層2。之后，將粘合劑層2與隔片一起粘貼到基材I上。由此，制作具有基材I和粘合劑層2的切割薄膜。另外，作為切割薄膜，至少具有基材和粘合劑層即可，在具有隔片等其它要素的情況下也稱為切割薄膜。本實施方式的膠粘片，例如以如下方法制作。首先，例如將離子捕捉劑以及根據(jù)需要的熱固性樹脂、熱塑性樹脂、其它添加劑投入到容器中，在有機溶劑中溶解，并攪拌到均勻，由此可以膠粘劑組合物溶液的形式得到。作為所述有機溶劑，只要是可以將構(gòu)成膠粘片的成分均勻地溶解、捏合或分散的有機溶劑則沒有限制，可以使用現(xiàn)有公知的有機溶劑。作為這樣的溶劑，可以列舉例如二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮等酮類溶劑、甲苯、二甲苯等。從干燥速度快、可以便宜地獲得的觀點考慮，優(yōu)選使用甲乙酮、環(huán)己酮等。將如上制備的膠粘劑組合物溶液涂布到基材隔片上達到預(yù)定厚度而形成涂膜，然后在預(yù)定條件下將該涂膜干燥。作為基材隔片，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯或者通過含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進行表面涂布后的塑料薄膜或紙等。另外，作為涂布方法，沒有特別限制，可以列舉例如輥涂、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外，作為干燥條件，例如在干燥溫度7(T16(TC、干燥時間I飛分鐘的范圍內(nèi)進行。由此，可以得到本實施方式的膠粘片。接著，從切割薄膜剝離隔片，以膠粘片和粘合劑層為粘貼面的方式將膠粘片與切割薄膜粘貼。粘貼例如可以通過壓接進行。此時，層壓溫度沒有特別限制，例如優(yōu)選3(T50°C，更優(yōu)選35 45°C。另外，線壓也沒有特別限制，例如優(yōu)選O. I 20kgf/cm，更優(yōu)選ri0kgf/cmo然后，將膠粘薄膜上的基材隔片剝離，可以得到本實施方式的切割/芯片接合薄膜。[半導(dǎo)體裝置及其制造方法]作為本實施方式的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，可以適當(dāng)采用第一實施方式中說明過的半導(dǎo)體裝置和制造方法。實施例
以下，例示性地具體說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。但是，該實施例中記載的材料、配合量等，如果沒有特別限定性的記載，則并不將本發(fā)明要旨僅僅限于這些。另外，下文中，有份時是指重量份。[第一實施方式]以下的各實施例等，與第一實施方式的所述膠粘片對應(yīng)。(實施例I)將下述的(a) Ce)溶解于甲乙酮中，得到濃度20重量％的膠粘劑組合物溶液。(a)具有羧基和羥基作為官能團的丙烯酸類樹脂(f節(jié)k今V ^ ^株式會社制造，SG-708-6,重均分子量70萬)29. 97份(b)環(huán)氧樹脂(新日鐵化學(xué)株式會社制造，YDF-8170C) 4. 995份 (c)酚醛樹脂(明和化成株式會社制造，MEH-7851H) 4. 995份(d) 二氧化硅填料(株式會社飛Y r V > 7^制造，SC-2050，平均粒徑O. 5 μ m)59. 94 份(e)絡(luò)合物形成性有機化合物(東京化成工業(yè)株式會社制造，沒食子酸十二烷酯)O. I份將所述膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜上之后，在130°C干燥2分鐘。由此，制作厚度20 μ m的實施例I的膠粘片。(實施例2)將下述的(a) Ce)溶解于甲乙酮中，得到濃度20重量％的膠粘劑組合物溶液。(a)具有羧基和羥基作為官能團的丙烯酸類樹脂(f節(jié)k今V ^ ^株式會社制造，SG-708-6,重均分子量70萬)28. 5份(b)環(huán)氧樹脂(新日鐵化學(xué)株式會社制造，YDF-8170C) 4. 75份(c)酚醛樹脂(明和化成株式會社制造，MEH-7851H) 4. 75份(d) 二氧化硅填料(株式會社7 K^制造，SC-2050，平均粒徑0·5μπι)57份(e)絡(luò)合物形成性有機化合物(東京化成工業(yè)株式會社制造，沒食子酸十二烷酯)5份將所述膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜上之后，在130°C干燥2分鐘。由此，制作厚度20 μ m的實施例2的膠粘片。(實施例3)將下述的(a) Ce)溶解于甲乙酮中，得到濃度20重量％的膠粘劑組合物溶液。(a)具有羧基和羥基作為官能團的丙烯酸類樹脂(f -fc ^ A r ^ 7株式會社制造，SG-708-6,重均分子量70萬)27份(b)環(huán)氧樹脂(新日鐵化學(xué)株式會社制造，YDF-8170C) 4. 5份(c)酚醛樹脂(明和化成株式會社制造，MEH-7851H) 4. 5份(d) 二氧化硅填料(株式會社7 K^制造，SC-2050，平均粒徑O. 5μπι)54份
(e)絡(luò)合物形成性有機化合物(東京化成工業(yè)株式會社制造，沒食子酸十二烷酯)10份將所述膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜上之后，在130°C干燥2分鐘。由此，制作厚度20 μ m的實施例3的膠粘片。
(比較例I)將下述的(a) Ce)溶解于甲乙酮中，得到濃度20重量％的膠粘劑組合物溶液。(a)具有環(huán)氧基作為官能團的丙烯酸類樹脂(f節(jié)k今V ^ ^株式會社制造，SG-P3，重均分子量85萬)28. 5份(b)環(huán)氧樹脂(新日鐵化學(xué)株式會社制造，YDF-8170C) 4. 75份(c)酚醛樹脂(明和化成株式會社制造，MEH-7851H) 4. 75份(d) 二氧化硅填料(株式會社7 K^制造，SC-2050，平均粒徑0·5μπι)57份(e)絡(luò)合物形成性有機化合物(東京化成工業(yè)株式會社制造，沒食子酸十二烷酯)5份將所述膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜上之后，在130°C干燥2分鐘。由此，制作厚度20 μ m的比較例I的膠粘片。(比較例2)將下述的(a) Ce)溶解于甲乙酮中，得到濃度20重量％的膠粘劑組合物溶液。(a)具有羥基作為官能團的丙烯酸類樹脂(f HO K虧'y ^株式會社制造，SG-600TEA,重均分子量120萬)28. 5份(b)環(huán)氧樹脂(新日鐵化學(xué)株式會社制造，YDF-8170C) 4. 75份(c)酚醛樹脂(明和化成株式會社制造，MEH-7851H) 4. 75份(d) 二氧化硅填料(株式會社7 K^制造，SC-2050，平均粒徑0·5μπι)57份(e)絡(luò)合物形成性有機化合物(東京化成工業(yè)株式會社制造，沒食子酸十二烷酯)5份將所述膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜上之后，在130°C干燥2分鐘。由此，制作厚度20 μ m的比較例2的膠粘片。(比較例3)將下述的(a) Ce)溶解于甲乙酮中，得到濃度20重量％的膠粘劑組合物溶液。(a)具有羧基和羥基作為官能團的丙烯酸類樹脂(f節(jié)k今V ^ ^株式會社制造，SG-708-6,重均分子量70萬)28. 5份(b)環(huán)氧樹脂(新日鐵化學(xué)株式會社制造，YDF-8170C) 4. 75份(c)酚醛樹脂(明和化成株式會社制造，MEH-7851H) 4. 75份(d) 二氧化硅填料(株式會社7 K^制造，SC-2050，平均粒徑0·5μπι)57份
(e)絡(luò)合物形成性有機化合物(城北化學(xué)株式會社制造，TT-LX,三唑化合物)5份將所述膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜上之后，在130°C干燥2分鐘。由此，制作厚度20 μ m的比較例3的膠粘片。(比較例4)將下述的(a) Cd)溶解于甲乙酮中，得到濃度20重量％的膠粘劑組合物溶液。(a)具有羧基和羥基作為官能團的丙烯酸類樹脂(f節(jié)k今V ^ ^株式會社 制造，SG-708-6,重均分子量70萬)30份(b)環(huán)氧樹脂(新日鐵化學(xué)株式會社制造，YDF-8170C) 5份(c)酚醛樹脂(明和化成株式會社制造，MEH-7851H) 5份(d) 二氧化硅填料(株式會社7 K^制造，SC-2050，平均粒徑O. 5μπι)60份將所述膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜上之后，在130°C干燥2分鐘。由此，制作厚度20 μ m的比較例4的膠粘片。(銅離子捕捉性評價)將實施例和比較例的膠粘片(厚度20 μ m)分別切割為240mmX 300mm的大小(約
2.5g)，將其五次對折而得到37. 5mmX 60mm的尺寸，將其放置到直徑58mm、高度37mm的圓柱狀密閉式特氟隆(注冊商標(biāo))制容器中，并加入IOppm的銅(II)離子水溶液50ml。然后，在恒溫干燥機(二株式會社制，PV-231)中在120°C放置20小時。取出薄膜后，使用ICP-AES A -T λ 口 y'—株式會社制，SPS-1700HVR)測定水溶液中的銅離子濃度。水溶液中的銅離子的濃度為(T9. 8ppm時評價為〇，大于9. 8ppm時評價為X。結(jié)果如表I所示。(空隙消失性)將實施例和比較例的膠粘片(厚度20 μ m)分別在溫度40°C的條件下粘貼到IOmm見方的半導(dǎo)體芯片上，再通過各膠粘片將半導(dǎo)體芯片安裝到BGA基板上。安裝條件是溫度120°C、壓力O. IMPaU秒。然后，利用干燥機在175°C下對安裝有半導(dǎo)體芯片的BGA基板熱處理30分鐘，然后用密封樹脂(日東電工株式會社制造，GE-100)進行封裝。密封條件是加熱溫度175°C、90秒。接著，將密封后的半導(dǎo)體裝置用玻璃刀切斷，使用超聲波顯微鏡觀察其剖面，測定各膠粘片與BGA基板的粘貼面中的空隙面積?？障睹娣e相對于粘貼面積低于50%時評價為〇，為50%以上時評價為X。結(jié)果如下表I所示。(耐濕回流焊接性)將實施例和比較例的膠粘片(厚度20 μ m)分別在溫度40°C的條件下粘貼到IOmm見方的半導(dǎo)體芯片上，再通過各膠粘片將半導(dǎo)體芯片安裝到BGA基板上。安裝條件是溫度120°C、壓力O. IMPaU秒。然后，利用干燥機在175°C下對安裝有半導(dǎo)體芯片的BGA基板熱處理30分鐘，然后用密封樹脂(日東電工株式會社制造，GE-100)進行封裝。密封條件是加熱溫度175°C、90秒。然后，在85°C、60%RH、時間168小時的條件下進行吸濕，再將安裝有所述半導(dǎo)體芯片的BGA基板載置到以在260°C以上保持10秒的方式進行設(shè)定的IR回流爐中。然后，將密封后的半導(dǎo)體裝置用玻璃刀切斷，使用超聲波顯微鏡觀察其剖面，確認(rèn)各熱固型芯片接合薄膜與BGA基板的邊界處有無剝離。對9個半導(dǎo)體芯片進行確認(rèn)，產(chǎn)生剝離的半導(dǎo)體芯片為3個以下時評價為〇，為4個以上時評價為X。結(jié)果如下表I所示。表I
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片，其特征在于，含有 熱塑性樹脂，所述熱塑性樹脂具有羧基并且不具有環(huán)氧基， 熱固性樹脂，和 絡(luò)合物形成性有機化合物，所述絡(luò)合物形成性有機化合物含有具有兩個以上酚羥基的苯環(huán)，并且能夠與陽離子形成絡(luò)合物。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片，其特征在于， 相對于半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片的總量100重量份，含有5 95重量份所述熱塑性樹月旨、5 50重量份所述熱固性樹脂、(Γ60重量份填料和O. Γ5重量份所述絡(luò)合物形成性有機化合物。
3.如權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片，其特征在于， 將重量2. 5g的半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片浸潰到含有IOppm銅離子的50ml水溶液中并在120°C放置20小時后，所述水溶液中的銅離子濃度為(T9. 9ppm。
4.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 具有權(quán)利要求I至3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片。
5.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 包括通過權(quán)利要求I至3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片將半導(dǎo)體芯片粘貼到被粘物上的工序。
全文摘要
本發(fā)明涉及膠粘片及其用途。本發(fā)明提供在抑制半導(dǎo)體晶片等的破裂或缺損的同時具有化學(xué)穩(wěn)定性、并且物性容易控制的半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片。一種半導(dǎo)體裝置制造用的膠粘片，其特征在于，含有熱塑性樹脂，所述熱塑性樹脂具有羧基并且不具有環(huán)氧基；熱固性樹脂；和絡(luò)合物形成性有機化合物，所述絡(luò)合物形成性有機化合物含有具有兩個以上酚羥基的苯環(huán)，并且能夠與陽離子形成絡(luò)合物。
文檔編號C09J7/00GK102898966SQ20121026085
公開日2013年1月30日 申請日期2012年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月25日
發(fā)明者木村雄大, 菅生悠樹, 宇圓田大介 申請人:日東電工株式會社