專利名稱：晶片加工用膠帶和使用其的半導(dǎo)體加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造工序中所使用的晶片加工用膠帶以及使用該晶片加工用膠帶的半導(dǎo)體加工方法，特別是涉及在利用高速旋轉(zhuǎn)的薄型磨石來(lái)分割半導(dǎo)體晶片和接合劑層的切割工序、以及將通過(guò)分割而被單片化的半導(dǎo)體晶片與通過(guò)分割而被單片化的接合劑層一同進(jìn)行拾取而層積在基板上的芯片粘貼工序中所用的切割 芯片粘貼帶以及使用該切割·芯片粘貼帶的半導(dǎo)體加工方法。
背景技術(shù)：
作為在半導(dǎo)體裝置的制造工序中所使用的晶片加工用膠帶，有人提出了層積切割帶(粘合帶)以及含有環(huán)氧樹(shù)脂成分的熱固性的粘接膜而成的切割 芯片粘貼帶(例如專利文獻(xiàn)1 幻。這些切割·芯片粘貼帶在接合劑層(粘接膜)含有具有環(huán)氧基的化合物， 因而可通過(guò)熱固化將半導(dǎo)體芯片與基板牢固地粘接。另外，通過(guò)使切割帶的粘合劑層為能量射線固化型，能夠通過(guò)UV照射等來(lái)降低切割帶的粘合力，易于剝離粘合劑層與接合劑層的界面，能夠使通過(guò)分割而對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行單片化的半導(dǎo)體晶片與通過(guò)分割進(jìn)行單片化的接合劑層一同從切割帶上進(jìn)行拾取。對(duì)于上述這樣的切割·芯片粘貼帶，要求具有能夠?qū)Π雽?dǎo)體晶片和接合劑層確實(shí)地進(jìn)行切斷·單片化；一片片地進(jìn)行拾取、以良好的合格率提供于芯片粘貼工序中的性能， 并且還要求將半導(dǎo)體芯片與基板牢固地粘接的性能。但是，在上述這樣的切割·芯片粘貼帶中，在利用高速旋轉(zhuǎn)的薄型磨石將半導(dǎo)體晶片與接合劑層一同切削時(shí)，理應(yīng)被單片化的接合劑層有一部分發(fā)生再粘連，在拾取時(shí)半導(dǎo)體芯片的一部分與相鄰的半導(dǎo)體芯片會(huì)在相連接的狀態(tài)下被供給至芯片粘貼工序，產(chǎn)生所謂“雙芯片拾取錯(cuò)誤(夕'寸；7 -) ”，具有工序的合格率變差的缺點(diǎn)。為了抑制“雙芯片拾取錯(cuò)誤”的發(fā)生，起碼需要通過(guò)擴(kuò)張切割帶而一定程度地?cái)U(kuò)張擴(kuò)大半導(dǎo)體芯片彼此的間隔從而嘗試進(jìn)行再粘連的破壞。因而，要求切割帶的支持基材具有均勻擴(kuò)張張性；作為這樣的切割帶，有人提出了支持基材由乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物、或者將這些物質(zhì)用金屬離子進(jìn)行螯合物交聯(lián)而成的離聚物樹(shù)脂而構(gòu)成的膠帶(例如專利文獻(xiàn)4 8)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2002-2^796號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2005-303275號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)2006-2992 號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)4日本特開(kāi)平5-156219號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)5 日本特開(kāi)平5-2112 號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)6日本特開(kāi)2000-3451 號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)7日本特開(kāi)2003-158098號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)8 日本特開(kāi)2007-88240號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問(wèn)題但是，即使是這樣的切割帶，也未必充分具有抑制雙芯片拾取錯(cuò)誤產(chǎn)生的效果，具有偶爾會(huì)產(chǎn)生雙芯片拾取錯(cuò)誤的問(wèn)題。因此，為了進(jìn)一步抑制雙芯片拾取錯(cuò)誤的產(chǎn)生，要求在拾取時(shí)充分抑制半導(dǎo)體芯片彼此的再粘連。本發(fā)明是為了解決上述課題而進(jìn)行的，本發(fā)明的目的在于提供在拾取時(shí)能夠充分抑制半導(dǎo)體芯片彼此的再粘連的晶片加工用膠帶以及使用該晶片加工用膠帶的半導(dǎo)體加
工方法。解決問(wèn)題所采用的手段方案1所述的發(fā)明涉及在由支持基材和粘合劑層構(gòu)成的粘合帶的該粘合劑層上層積了含有具有環(huán)氧基的化合物的熱固性接合劑層的晶片加工用膠帶，該晶片加工用膠帶的特征在于上述支持基材由將乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金屬離子交聯(lián)而成的離聚物樹(shù)脂構(gòu)成；上述共聚物中的上述(甲基)丙烯酸成分的重量分?jǐn)?shù)為以上且不足10%，并且上述離聚物樹(shù)脂中的上述(甲基)丙烯酸的中和度為50%以上。方案2所述的發(fā)明涉及方案1所述的晶片加工用膠帶，其特征在于，上述粘合劑層具有一層或者二層以上的結(jié)構(gòu)，其中的至少一層由能量射線固化型粘合劑形成。方案3所述的發(fā)明涉及使用方案1或2所述的晶片加工用膠帶的半導(dǎo)體加工方法，該半導(dǎo)體加工方法的特征在于，其具備如下工序?qū)雽?dǎo)體晶片貼合至上述晶片加工用膠帶的工序；接下來(lái)使用高速旋轉(zhuǎn)的薄型磨石對(duì)上述半導(dǎo)體晶片以及上述晶片加工用膠帶的上述接合劑層和上述粘合劑層進(jìn)行切削，同時(shí)對(duì)該晶片加工用膠帶的上述支持基材在厚度方向切削10 μ m以上，對(duì)該半導(dǎo)體晶片和該接合劑層進(jìn)行單片化的工序；以及然后，在上述晶片加工用粘合帶的上述膠帶擴(kuò)張的狀態(tài)下，一片片地拾取單片化的上述半導(dǎo)體晶片的工序。方案4所述的發(fā)明涉及方案3所述的半導(dǎo)體加工方法，其特征在于，上述支持基材的厚度為60 μ m以上；在上述單片化工序中，對(duì)上述支持基材在厚度方向切削10 30 μ m。下面對(duì)用于完成本發(fā)明的原委進(jìn)行說(shuō)明。在使用高速旋轉(zhuǎn)的薄型磨石的切割工序中，關(guān)于本應(yīng)單片化的接合劑層發(fā)生部分再粘連的所謂“雙芯片拾取錯(cuò)誤”的產(chǎn)生的原因，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，是由于含有與半導(dǎo)體晶片一同進(jìn)行切削的接合劑層的碎屑的切削屑的聚集體堵塞在圖6所示相鄰的半導(dǎo)體芯片彼此之間，從而引起相鄰的半導(dǎo)體芯片彼此的再粘連。這樣的含有接合劑成分的切削屑所致的相鄰的半導(dǎo)體芯片彼此的再粘連在拾取工序會(huì)使切割帶(粘合帶)擴(kuò)張，增加半導(dǎo)體芯片彼此的間隔，從而有時(shí)也能夠破壞再粘連。為了擴(kuò)大全部半導(dǎo)體芯片彼此的間隔，要求切割帶的支持基材具有均勻擴(kuò)張性，作為這樣的支持基材的材料，可以舉出乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物、或者其中任一種用金屬離子交聯(lián)而成的離聚物樹(shù)脂。然而，在該再粘連牢固的情況下，為了破壞全部的再粘連，僅支持基材的均勻擴(kuò)張性并不充分，還一并需要使再粘連部分脆化。若由切割·芯片粘貼帶的接合劑層中除去具有環(huán)氧基的化合物，則隨著該接合劑層的熱固化所致的粘接性能的降低，以切割工序中產(chǎn)生的切削屑中的接合劑成分為來(lái)源的粘接力也降低。其結(jié)果，相鄰的半導(dǎo)體芯片間的再粘連部分也發(fā)生脆化，能夠抑制雙芯片拾取錯(cuò)誤的產(chǎn)生，但在這樣的情況下，接合劑層相對(duì)于半導(dǎo)體芯片的粘接力會(huì)降低，原本的性能受損。因而，作為抑制雙芯片拾取錯(cuò)誤產(chǎn)生的對(duì)策，要求這樣的方法在不會(huì)減少粘接材層所含有的具有環(huán)氧基的化合物的情況下，使含有接合劑成分的切削屑所致的半導(dǎo)體芯片彼此的再粘連發(fā)生脆化。本發(fā)明人進(jìn)行了深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過(guò)使切割·芯片粘貼帶的支持基材中所用的乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的比例少于特定量、且用金屬離子進(jìn)行離聚物化，能夠抑制雙芯片拾取錯(cuò)誤的產(chǎn)生。通過(guò)抑制支持基材中所用的離聚物樹(shù)脂的(甲基)丙烯酸成分、 且與金屬離子形成穩(wěn)定的絡(luò)合物降低反應(yīng)活性，能夠抑制(甲基)丙烯酸成分的羧基與接合劑層中的具有環(huán)氧基的化合物之間的反應(yīng)，因而會(huì)降低切割工序中產(chǎn)生的切削屑中的基材屑成分與接合劑屑成分之間的粘接力、可以使切削屑所致的半導(dǎo)體芯片間的粘連部分發(fā)生脆化。具有對(duì)支持基材提供充分的均勻擴(kuò)張性、同時(shí)抑制雙芯片拾取錯(cuò)誤的產(chǎn)生的效果的物質(zhì)為共聚物(二元共聚物、三元共聚物)中的(甲基)丙烯酸成分的重量分?jǐn)?shù)不足 10%、且離聚物樹(shù)脂中的(甲基)丙烯酸的中和度為50%以上的離聚物樹(shù)脂，進(jìn)一步優(yōu)選為 (甲基)丙烯酸成分的重量分?jǐn)?shù)為3% 5%、且(甲基)丙烯酸的中和度為50%以上的離聚物樹(shù)脂。若支持基材(離聚物樹(shù)脂)中的共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分?jǐn)?shù)為
以上，則能夠期待支持基材具有均勻擴(kuò)張性；若為3%以上，則能夠進(jìn)一步期待支持基材的均勻擴(kuò)張性。離聚物樹(shù)脂中的共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分?jǐn)?shù)可以通過(guò)將NMR與熱分解GC-ms光譜測(cè)定等方法相組合進(jìn)行定量。例如，可以由熱分解GC-ms光譜的峰鑒定出乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物的烷基酯域中的烷基。另外，若使用1H-NMR,則可以通過(guò)將乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物的離聚物樹(shù)脂中(甲基)丙烯酸單元的α位氫或(甲基)丙烯酸單元的甲基氫的峰的積分值與乙烯單元的氫的峰的積分值進(jìn)行比較來(lái)定量。在觀測(cè)到來(lái)源于(甲基)丙烯酸單元的甲基的峰與來(lái)源于化學(xué)位移相近的乙烯末端或(甲基)丙烯酸烷基酯的酯末端的峰相互有部分重合的情況下，由于來(lái)源于(甲基)丙烯酸單元的甲基的峰在更低的磁場(chǎng)側(cè)顯現(xiàn)出峰，因而可根據(jù)低磁場(chǎng)側(cè)積分估算出(甲基)丙烯酸成分的分?jǐn)?shù)。對(duì)于乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物，也仍然可以通過(guò)使用1H-NMR,根據(jù)(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸烷基酯的α位氫或(甲基)丙烯酸單元的甲基氫的峰，對(duì)(甲基)丙烯酸的分?jǐn)?shù)與(甲基)丙烯酸烷基酯的分?jǐn)?shù)的合計(jì)進(jìn)行定量，進(jìn)一步地，對(duì)于(甲基)丙烯酸烷基酯單元的分?jǐn)?shù)，可根據(jù)與烷基的1位碳相鍵合的氫的峰，僅定量出(甲基)丙烯酸烷基酯的分?jǐn)?shù)，因而可以對(duì)(甲基)丙烯酸的重量分?jǐn)?shù)進(jìn)行計(jì)算。進(jìn)一步地，通過(guò)利用金屬離子使(甲基)丙烯酸的中和度為50%以上，能夠抑制離聚物樹(shù)脂的(甲基)丙烯酸成分、且能夠與金屬離子形成穩(wěn)定的絡(luò)合物使反應(yīng)活性降低、 能夠抑制(甲基)丙烯酸成分的羧基與接合劑層中的具有環(huán)氧基的化合物之間的反應(yīng)，因而能夠降低切割工序中產(chǎn)生的切削屑中的基材屑成分與接合劑屑成分之間的粘接力，以使切削屑所致的半導(dǎo)體芯片間的粘連部分發(fā)生脆化。其結(jié)果，能夠確實(shí)地抑制雙芯片拾取錯(cuò)誤的產(chǎn)生。上述(甲基)丙烯酸的中和度可以利用ICP發(fā)光分析等各種分光分析進(jìn)行定量化。例如，可以利用ICP發(fā)光分析同時(shí)進(jìn)行離聚物中的金屬離子種的鑒定及其重量分?jǐn)?shù)的定量。進(jìn)一步地，若利用將上述NMR與熱分解GC-ms光譜測(cè)定相組合的方法來(lái)獲得離聚物中的(甲基)丙烯酸的重量分?jǐn)?shù)，則可與上述金屬離子的信息相結(jié)合，對(duì)中和度進(jìn)行定量化。通過(guò)將這樣的支持基材應(yīng)用于切割·芯片粘貼帶等晶片加工用膠帶中，能夠抑制雙芯片拾取錯(cuò)誤的產(chǎn)生，此外，切割工序中向支持基材中的切入量越深，則其效果越大。另一方面，若向支持基材的切入量增大至所需以上，則膠帶擴(kuò)張時(shí)可能會(huì)發(fā)生斷裂。若向支持基材的切入量為向厚度方向切削10 μ m以上，則具有充分地抑制雙芯片拾取錯(cuò)誤的產(chǎn)生的效果；若對(duì)支持基材向厚度方向進(jìn)行30 μ m以下的切削且該支持基材的厚度為60 μ m以上，則能夠防止支持基材的斷裂。另外，通過(guò)使上述切割 芯片粘貼帶的粘合劑層具有一層或者二層以上的結(jié)構(gòu)、其中的至少一層由能量射線固化型粘合劑形成，可以在切割工序中具有牢固地保持半導(dǎo)體晶片所需的充分的粘合力，但在切割后，切割帶的粘合力卻還是會(huì)通過(guò)照射能量射線而得到有效地降低，因此在拾取工序中不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體芯片施加過(guò)度的負(fù)荷，可以將半導(dǎo)體芯片與單片化的接合劑層容易地從切割帶的粘合劑層表面進(jìn)行剝離。發(fā)明效果若利用本發(fā)明的晶片加工用膠帶，則由于共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分?jǐn)?shù)為以上且不足10%，并且離聚物樹(shù)脂中的(甲基)丙烯酸的中和度為50%以上，因而在拾取時(shí)能夠充分地抑制半導(dǎo)體芯片彼此的再粘連，能夠進(jìn)一步抑制雙芯片拾取錯(cuò)誤的產(chǎn)生。另外，若利用本發(fā)明的半導(dǎo)體加工方法，則由于使用本發(fā)明的晶片加工用膠帶，且在對(duì)半導(dǎo)體晶片和接合劑層進(jìn)行單片化的工序中將晶片加工用膠帶的支持基材在厚度方向切削10 μ m以上，因而在拾取時(shí)能夠更進(jìn)一步地充分抑制半導(dǎo)體芯片彼此的再粘連，能夠進(jìn)一步抑制雙芯片拾取錯(cuò)誤的產(chǎn)生。


圖1為示出本發(fā)明實(shí)施方式的切割·芯片粘貼帶的示意性構(gòu)成的截面圖。圖2為用于說(shuō)明切割·芯片粘貼帶的示意性使用方法的圖，其為在切割·芯片粘貼帶上貼合半導(dǎo)體晶片的圖。圖3為用于說(shuō)明圖2的后續(xù)工序(切割工序)的圖。
圖4為用于說(shuō)明圖3的后續(xù)工序(擴(kuò)張工序)的圖。圖5為用于說(shuō)明圖4的后續(xù)工序(拾取工序)的圖。圖6為拍攝出切割時(shí)所產(chǎn)生的切削屑堵塞在半導(dǎo)體芯片間的模式的電子顯微鏡照片。符號(hào)說(shuō)明1半導(dǎo)體晶片2半導(dǎo)體芯片10切割·芯片粘貼帶(晶片加工用膠帶)11剝離襯墊12切割帶(粘合帶)12a支持基材12b粘合劑層13接合劑層20環(huán)形框架21薄型磨石22吸附臺(tái)30上頂部件31 支桿(O )32吸附夾具
具體實(shí)施例方式下面基于附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，示例出切割·芯片粘貼帶作為晶片加工用膠帶進(jìn)行說(shuō)明。圖1為示出本實(shí)施方式的切割·芯片粘貼帶10的截面圖。如圖1所示，切割·芯片粘貼帶10是在作為粘合帶的切割帶12上層積接合劑層 13而構(gòu)成的，所述粘合帶由支持基材12a以及在其上形成的粘合劑層12b構(gòu)成的。在圖1 中示出，為了對(duì)接合劑層13進(jìn)行保護(hù)，在切割·芯片粘貼帶10設(shè)有剝離襯墊11的狀態(tài)。另外，粘合劑層12b可以由一層粘合劑層構(gòu)成，也可以由二層以上粘合劑層進(jìn)行層積而得到的結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)成。此外，切割帶12和接合劑層13可以結(jié)合使用工序或裝置預(yù)先切斷為預(yù)定形狀 (預(yù)切，7。'J力夕卜)。另外，切割·芯片粘貼帶10可以為對(duì)每一片半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切斷的形態(tài)，其也可以為將多個(gè)所形成的長(zhǎng)尺寸片材卷繞成卷筒狀的形態(tài)。(切割·芯片粘貼帶的使用方法)在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，切割·芯片粘貼帶10如下進(jìn)行使用。圖2中示出了在切割 芯片粘貼帶10上貼合半導(dǎo)體晶片1和環(huán)形框架20的狀態(tài)。首先，如圖2所示，將切割帶12粘貼于環(huán)形框架20，將半導(dǎo)體晶片1貼合至接合劑層13。對(duì)它們的粘貼順序并無(wú)限制，可以在將半導(dǎo)體晶片1貼合至接合劑層13后將切割帶 12粘貼于環(huán)形框架20，也可以同時(shí)進(jìn)行切割帶12向環(huán)形框架20的粘貼以及半導(dǎo)體晶片1向接合劑層13的貼合。另外，使用高速旋轉(zhuǎn)的薄型磨石21來(lái)實(shí)施半導(dǎo)體晶片1的切割工序(圖3)。此時(shí)，將半導(dǎo)體晶片1與接合劑層13和粘合劑層12b —同進(jìn)行切削分割，且將支持基材1 在厚度方向進(jìn)行IOym 30μπι切削。另外，可以通過(guò)一次切削由半導(dǎo)體晶片1表面切削至規(guī)定的深度，也可以通過(guò)多次切削而切削至規(guī)定深度。具體地說(shuō)，為了利用薄型磨石21對(duì)半導(dǎo)體晶片1和接合劑層13進(jìn)行切割，通過(guò)吸附臺(tái)22從切割帶12側(cè)對(duì)切割·芯片粘貼帶10進(jìn)行吸附支承。并且，利用高速旋轉(zhuǎn)的薄型磨石21將半導(dǎo)體晶片1和接合劑層13切斷為半導(dǎo)體芯片單元進(jìn)行單片化。在切割帶12的粘合劑層12b具有一層或者二層以上的結(jié)構(gòu)、其中的至少一層由能量射線固化型粘合劑形成的情況下，優(yōu)選在切割工序后通過(guò)由切割帶12的下面?zhèn)?支持基材1 側(cè))照射能量射線，使粘合劑層12b發(fā)生固化，降低其粘合力。另外，粘合劑層12b由二層以上的粘合劑層通過(guò)層積進(jìn)行構(gòu)成的情況下，也可以各粘合劑層內(nèi)的一層或全部的層由能量射線固化型粘合劑形成，通過(guò)能量射線照射進(jìn)行固化，降低各粘合劑層內(nèi)的該一層或全部的層的粘合力。此外，也可以代替能量射線的照射，通過(guò)加熱等外部刺激來(lái)降低切割帶12的粘合力。其后，如圖4所示，將保持有經(jīng)切割的半導(dǎo)體晶片1(即半導(dǎo)體芯片2)和經(jīng)切割的接合劑層13的切割帶12向環(huán)形框架20的徑向進(jìn)行拉伸來(lái)實(shí)施擴(kuò)張工序。具體地說(shuō)，針對(duì)保持有多個(gè)半導(dǎo)體芯片2和接合劑層13的狀態(tài)的切割帶12，使中空?qǐng)A柱形狀的上頂部件30從切割帶12的下面?zhèn)壬仙瑢⑶懈顜?2向環(huán)形框架20的徑向進(jìn)行拉伸。由此，通過(guò)擴(kuò)張工序，擴(kuò)大了半導(dǎo)體芯片2彼此的間隔，切割工序中所產(chǎn)生的切削屑所致的半導(dǎo)體芯片2彼此的再粘接(再粘連)被破壞，可以防止拾取工序中的雙芯片拾取錯(cuò)誤的產(chǎn)生。在實(shí)施了擴(kuò)張工序之后，如圖5所示，在保持著切割帶12擴(kuò)張的狀態(tài)下實(shí)施對(duì)半導(dǎo)體芯片2進(jìn)行拾取的拾取工序。具體地說(shuō)，利用支桿31將半導(dǎo)體芯片2從切割帶12的下面?zhèn)认蛏享?，同時(shí)利用吸附夾具32從切割帶12的上面?zhèn)任桨雽?dǎo)體芯片2，從而將半導(dǎo)體芯片2與接合劑層13 — 同進(jìn)行拾取。然后，在實(shí)施了拾取工序之后，實(shí)施芯片粘貼工序。具體地說(shuō)，利用在拾取工序中與半導(dǎo)體芯片2 —同被拾取的接合劑層13(粘接膜)，將半導(dǎo)體芯片2粘接至引線框架或封裝基板等進(jìn)行層積。下面對(duì)本實(shí)施方式的切割·芯片粘貼帶10的各構(gòu)成要件進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。(接合劑層)接合劑層13在與半導(dǎo)體晶片1等貼合并切割之后，拾取半導(dǎo)體芯片2時(shí)，其從切割帶12剝離而附著于半導(dǎo)體芯片2，在將半導(dǎo)體芯片2固定于基板或引線框架等時(shí)接合劑層13作為接合劑進(jìn)行使用。因而，在芯片粘貼工序中，為了將半導(dǎo)體芯片2粘接固定至基板或引線框架等，接合劑層13需要具有充分的粘接可靠性。
接合劑層13為對(duì)接合劑預(yù)先進(jìn)行膜化而成的層，含有至少一種具有環(huán)氧基的化合物，此外可以根據(jù)需要含有公知的聚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、聚醚樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、聚酯酰亞胺樹(shù)脂、苯氧基樹(shù)脂、聚砜樹(shù)脂、聚苯硫醚樹(shù)脂、聚醚酮樹(shù)脂、氯化聚丙烯樹(shù)脂、丙烯酸類樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚丙烯酰胺樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂等或其混合物這樣的高分子成分；無(wú)機(jī)填料；或固化促進(jìn)劑。另外，為了提高對(duì)基板或引線框架等的粘接力，可以加入硅烷偶合劑或者鈦偶合劑作為添加劑。作為上述具有環(huán)氧基的化合物，只要進(jìn)行固化而呈現(xiàn)出粘接作用就沒(méi)有特別限制，但優(yōu)選以二官能團(tuán)以上計(jì)不足500 5000的環(huán)氧樹(shù)脂。作為這樣的環(huán)氧樹(shù)脂，可以舉出例如雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚F型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚S型環(huán)氧樹(shù)脂、脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂、脂肪族鏈狀環(huán)氧樹(shù)脂、線型酚醛環(huán)氧樹(shù)脂、甲酚-線型酚醛環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚A酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、 聯(lián)苯酚的二縮水甘油醚化物、萘二醇的二縮水甘油醚化物、苯酚類的二縮水甘油醚化物、醇類的二縮水甘油基醚化物以及他們的烷基取代物、鹵化物、氫化物等二官能環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂。另外，也可以應(yīng)用多官能環(huán)氧樹(shù)脂或雜環(huán)含有環(huán)氧樹(shù)脂等通常已知的物質(zhì)。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或兩種以上組合使用。進(jìn)一步地，在無(wú)損于特性的范圍內(nèi)，也可以以雜質(zhì)的形式含有環(huán)氧樹(shù)脂以外的成分。對(duì)接合劑層13的厚度沒(méi)有特別限制，通常優(yōu)選為5 ΙΟΟμπι左右。另外，接合劑層13可以層積在切割帶12的整個(gè)面上，也可以層積預(yù)先切斷(預(yù)切)成與所貼合的半導(dǎo)體晶片1的對(duì)應(yīng)的形狀的粘接膜，來(lái)形成接合劑層13。在層積對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體晶片1的粘接膜的情況下，如圖2所示，在貼合半導(dǎo)體晶片1的部分具有接合劑層 13，在貼合切割用的環(huán)形框架20的部分不存在有接合劑層13而僅存在有切割帶12。一般來(lái)說(shuō)，由于接合劑層13不易與被粘物相剝離，因而通過(guò)使用預(yù)切的粘接膜，可以將環(huán)形框架20與切割帶12相貼合，可獲得在使用后剝離帶時(shí)不易在環(huán)形框架20上殘留糊劑(糊殘
)這樣的效果。(切割帶)切割帶12是這樣的帶在切割半導(dǎo)體晶片1時(shí)，具有不會(huì)使半導(dǎo)體晶片1剝離這樣充分的粘合力；在對(duì)切割后的半導(dǎo)體芯片2進(jìn)行拾取時(shí)，具有能夠容易地從接合劑層13 剝離這樣的低粘合力，如圖1所示，其為在支持基材1 上設(shè)有粘合劑層12b的結(jié)構(gòu)。支持基材12a由將乙烯_(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金屬離子交聯(lián)而成的離聚物樹(shù)脂構(gòu)成。共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分?jǐn)?shù)為以上且不足10%，并且離聚物樹(shù)脂中的丙烯酸的中和度為50%以上。此處，對(duì)于共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量分?jǐn)?shù)，在支持基材12a由將乙烯-丙烯酸二元共聚物用金屬離子交聯(lián)而成的離聚物樹(shù)脂構(gòu)成的情況下，將其按照下述結(jié)構(gòu)式1中的“m · Mwm/ (η · Mwn+m · Mwm)，，進(jìn)行規(guī)定。另外，在支持基材12a由將乙烯-甲基丙烯酸二元共聚物用金屬離子交聯(lián)而成的離聚物樹(shù)脂構(gòu)成的情況下，將其按照下述結(jié)構(gòu)式2中的“b · Mwb/ (a · Mwa+b · Mwb)，，進(jìn)行規(guī)定。CN 102337089 A
說(shuō)明書(shū)
8/15 頁(yè)此外，在支持基材12a由將乙烯-丙烯酸-丙烯酸烷基酯三元共聚物用金屬離子交聯(lián)而成的離聚物樹(shù)脂構(gòu)成的情況下，將其按照下述結(jié)構(gòu)式3中的“m· Mwm/ (η · Mwn+m · Mwm+1 · Mw1) ”進(jìn)行規(guī)定。此外，在支持基材12a由將乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸烷基酯三元共聚物用金屬離子交聯(lián)而成的離聚物樹(shù)脂構(gòu)成的情況下，將其按照下述結(jié)構(gòu)式4中的“b · Mwb/ (a · Mwa+b · Mwb+c · Mwc) ”進(jìn)行規(guī)定。另外，對(duì)于離聚物樹(shù)脂中的(甲基)丙烯酸的中和度，將其規(guī)定為離聚物樹(shù)脂的 (甲基)丙烯酸部用金屬離子進(jìn)行離子化(中和)的程度(例如，日本Ideology學(xué)會(huì)志 Vol.32, No. 2，65-69，2004)。另外，m為下述結(jié)構(gòu)式1或下述結(jié)構(gòu)式3中的m(即丙烯酸的重復(fù)單元數(shù))，b為下述結(jié)構(gòu)式2或下述結(jié)構(gòu)式4中的b (即甲基丙烯酸的重復(fù)單元數(shù))。式1
權(quán)利要求
1.一種晶片加工用膠帶，其為在由支持基材和粘合劑層構(gòu)成的粘合帶的該粘合劑層上層積了含有具有環(huán)氧基的化合物的熱固性接合劑層的晶片加工用膠帶，該晶片加工用膠帶的特征在于上述支持基材由將乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基) 丙烯酸烷基酯三元共聚物用金屬離子交聯(lián)而成的離聚物樹(shù)脂構(gòu)成；上述共聚物中的上述(甲基)丙烯酸成分的重量分?jǐn)?shù)為以上且不足10%，并且上述離聚物樹(shù)脂中的上述(甲基)丙烯酸的中和度為50%以上。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片加工用膠帶，其特征在于，所述粘合劑層具有一層或者二層以上的結(jié)構(gòu)，其中的至少一層由能量射線固化型粘合劑形成。
3.一種半導(dǎo)體加工方法，其為使用權(quán)利要求1或2所述的晶片加工用膠帶的半導(dǎo)體加工方法，該半導(dǎo)體加工方法的特征在于，其具備如下工序?qū)雽?dǎo)體晶片貼合至所述晶片加工用膠帶的工序；接下來(lái)使用高速旋轉(zhuǎn)的薄型磨石對(duì)所述半導(dǎo)體晶片以及所述晶片加工用膠帶的所述接合劑層和所述粘合劑層進(jìn)行切削，同時(shí)對(duì)該晶片加工用膠帶的所述支持基材在厚度方向切削10 μ m以上，對(duì)該半導(dǎo)體晶片和該接合劑層進(jìn)行單片化的工序；以及然后，在上述晶片加工用膠帶的上述粘合帶擴(kuò)張的狀態(tài)下，一片片地拾取單片化的上述半導(dǎo)體晶片的工序。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體加工方法，其特征在于所述支持基材的厚度為60 μ m以上；在所述單片化工序中，對(duì)所述支持基材在厚度方向切削10 30μπι。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠充分抑制拾取時(shí)半導(dǎo)體芯片彼此的再粘連的晶片加工用膠帶以及使用該晶片加工用膠帶的半導(dǎo)體加工方法。本發(fā)明的晶片加工用膠帶為在作為由支持基材12a和粘合劑層12b構(gòu)成的粘合帶的切割帶12的該粘合劑層12b上層積了含有具有環(huán)氧基的化合物的熱固性接合劑層13的作為晶片加工用膠帶的切割芯片粘貼帶10，該晶片加工用膠帶的特征在于支持基材12a由將乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金屬離子交聯(lián)而成的離聚物樹(shù)脂構(gòu)成；共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量份分?jǐn)?shù)為1％以上且不足10％，并且離聚物樹(shù)脂中的(甲基)丙烯酸的中和度為50％以上。
文檔編號(hào)C09J7/02GK102337089SQ20111018817
公開(kāi)日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月7日
發(fā)明者三原尚明, 盛島泰正, 矢吹朗 申請(qǐng)人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社