專利名稱：發(fā)射輻射裝置的制作方法
發(fā)射輻射裝置
本發(fā)明涉及一種發(fā)射輻射的裝置，其發(fā)射初級輻射并且具有輻射轉(zhuǎn) 換材料。
本專利申請要求德國專利申請10 2006 045 705.6和10 2007 020 782.6的優(yōu)先權(quán)，它們的公開內(nèi)容在此通過引用并入本文。
發(fā)射輻射的裝置包括兩個觸點接通，例如電極，其與發(fā)光功能層導 電接觸。電子從陰極注入發(fā)射層和正電荷(所謂的空穴)從陽極注入發(fā) 射層。通過這些電荷在發(fā)射層的復合而產(chǎn)生光。根據(jù)發(fā)射層所用的半導 體材料，發(fā)出的光具有不同的波長。為了產(chǎn)生可見光或其它顏色的光， 可以將半導體層的初級輻射至少部分轉(zhuǎn)換成次級輻射。這通常通過所謂 的轉(zhuǎn)換熒光材料來實現(xiàn)，轉(zhuǎn)換熒光材料通過初級輻射激發(fā)且發(fā)射其它波 長的次級輻射。存在有機和無機轉(zhuǎn)換熒光材料，其中無機轉(zhuǎn)換熒光材料 具有較高的溫度穩(wěn)定性和輻射穩(wěn)定性。然而，滿足關(guān)于激發(fā)范圍和發(fā)射 范圍要求的適合的無機轉(zhuǎn)換材料只有有限的數(shù)目。
本發(fā)明的目的在于，提供發(fā)射輻射裝置中的新型轉(zhuǎn)換熒光材料。
所述目的通過根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)射輻射裝置來實現(xiàn)。其它權(quán)利要 求的主題是所述發(fā)射輻射的裝置及其制造方法的特別有利的實施方案。
在根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的發(fā)射輻射裝置中，使用通式為 Ca3_x_yEuxMeySi04Cl2的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料，其將初級輻射至少部分轉(zhuǎn)換 成次級輻射。這種發(fā)射輻射裝置包含發(fā)射初級輻射的發(fā)射輻射功能層和 設(shè)置在所述發(fā)射輻射功能層的光程中并且含有通式為 Ca3-x-yEuxMeySi04Cl2的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料的輻射轉(zhuǎn)換材料。這種輻射轉(zhuǎn) 換熒光材料將發(fā)射輻射功能層的至少 一部分初級輻射轉(zhuǎn)換成次級輻射。
所用的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料的特點在于簡單的制備。其在UV光語范 圍和藍光光鐠范圍內(nèi)具有良好的吸收能力并且因此特別適用于發(fā)射輻 射裝置。在一個優(yōu)選的實施方式中，所述輻射轉(zhuǎn)換熒光材料是發(fā)光轉(zhuǎn)換 熒光材料。所述發(fā)射輻射裝置有利地涉及一種裝置，其發(fā)射輻射功能層發(fā)射
UV范圍內(nèi)的初級輻射，優(yōu)選波長為360 nm至400 nm。所述發(fā)射輻射 裝置還可以涉及一種裝置，其發(fā)射輻射功能層在藍光范圍，優(yōu)選波長為 400nm至470nm發(fā)射。這種發(fā)射輻射功能層的材料可以是有機(OLED ) 或無機的。所述發(fā)射輻射功能層的材料有利地包含半導體。半導體材料 有利地在無機基礎(chǔ)上選自InGaN、 Ga(In， A1)N和GaN。由于這種發(fā)射 輻射功能層所發(fā)射的輻射限于一定的波長范圍，因此應通過使用轉(zhuǎn)換熒 光材料來擴展所述范圍。
用于所述發(fā)射輻射裝置中的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料可以在由所述裝置 發(fā)射的輻射的UV波長范圍和藍光波長范圍內(nèi)被激發(fā)。
根據(jù)本發(fā)明的一個改進方案，所述輻射轉(zhuǎn)換熒光材料具有在波長 470nm和550nm之間的發(fā)射峰值，其發(fā)射光譜帶的半值寬度為約60nm。 在另一實施方式中，所述輻射轉(zhuǎn)換熒光材料具有在512士3nm的發(fā)射峰 值。由此將初級輻射轉(zhuǎn)換成更長波長的次級輻射，即可見光。根據(jù)被轉(zhuǎn) 換的初級輻射的比例有多高，也可由初級輻射和次級輻射的混合共同決 定發(fā)射輻射裝置的輻射的色覺(Farbeindruck)和色度坐標。其優(yōu)點是， 通過有針對的改變輻射轉(zhuǎn)換熒光材料的量，可以通過有針對的混合初級 輻射和次級輻射來得到各種不同的顏色。
所述輻射轉(zhuǎn)換熒光材料有利地可以在360至470nm的波長被激發(fā)。 因此，轉(zhuǎn)換熒光材料可以將藍光轉(zhuǎn)換成其它顏色的光或?qū)V輻射轉(zhuǎn)換 成可見光。
另外，所述發(fā)射輻射裝置可以包含通式為Ca3-x.yEuxMeySi04Cl2的 輻射轉(zhuǎn)換熒光材料，其中參數(shù)x選自0.05至0.5的范圍。Ca還可以部 分由選自金屬Sr、 Ba和Mg的其它金屬Me取代。參數(shù)y的范圍有利 地在0至0.5之間選擇。這種部分取代的優(yōu)點在于，輻射轉(zhuǎn)換熒光材料 的發(fā)射峰值因此可以移至其它波長。
所述發(fā)射輻射裝置另外可以包含式Ca2，9EU(uSi04Cl2的輻射轉(zhuǎn)換熒 光材料。這種輻射轉(zhuǎn)換熒光材料具有在512nm的發(fā)射峰值。所述發(fā)射 輻射裝置的另一實施方式可以包含式Ca2.625Eu。.。55Mg。.32Si04Cl2的輻射 轉(zhuǎn)換熒光材料。這種輻射轉(zhuǎn)換熒光材料與上述輻射轉(zhuǎn)換熒光材料相比，其發(fā)射峰值向短波移動了 3nm。根據(jù)本發(fā)明的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料與傳統(tǒng)的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料(Ca,Eu)8Mg(Si04)4Cl2相比的優(yōu)點在于，根據(jù)本發(fā)明的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料合成期間，反應物的反應更簡單，并且因此合成工藝更可靠。
在另一實施方式中，所述輻射轉(zhuǎn)換材料在一側(cè)或更多側(cè)覆蓋發(fā)射輻射功能層。所述輻射轉(zhuǎn)換材料可以成型為輻射轉(zhuǎn)換體，其包含對輻射透明的基質(zhì)材料，例如樹脂例如環(huán)氧樹脂、聚硅氧烷或玻璃，其中嵌入輻射轉(zhuǎn)換熒光材料。通過在基質(zhì)中引入輻射轉(zhuǎn)換熒光材料可以改變輻射轉(zhuǎn)換體的層厚和填充度。由此可以改變所述輻射轉(zhuǎn)換熒光材料在基質(zhì)材料中的濃度。初級輻射和次級輻射的混合比因此也可以被輻射轉(zhuǎn)換熒光材料在基質(zhì)材料中的濃度所影響。另外，所述輻射轉(zhuǎn)換體可以是發(fā)射輻射裝置的澆注體(Verguss)。在多側(cè)圍繞發(fā)射輻射功能層的輻射轉(zhuǎn)換體的優(yōu)點在于，在輻射轉(zhuǎn)換熒光材料上大面積入射初級輻射并且由此實現(xiàn)了轉(zhuǎn)換率的提高。
另外，所述發(fā)射輻射裝置可以包含例如在基質(zhì)中以足夠高濃度存在的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料，從而將初級輻射完全轉(zhuǎn)換成次級輻射。由此將全部初級輻射轉(zhuǎn)換成更長波長的光，即次級輻射。所述發(fā)射輻射裝置還可以包含只是將初級輻射部分轉(zhuǎn)換成次級輻射的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料。由此得到初級輻射和次級輻射的混合。其優(yōu)點在于，可以因此產(chǎn)生混合顏色。
所述發(fā)射輻射裝置可以另外包含含有附加的熒光材料的輻射轉(zhuǎn)換材料。其優(yōu)點在于，可以產(chǎn)生其它顏色混合或者還可以產(chǎn)生白光。
這類適合作為轉(zhuǎn)換材料的可以包含在熒光材料混合物中的熒光材料的實例是
—氯代硅酸鹽，例如DE 10036940中以及其中所描述的現(xiàn)有技術(shù)中所公開的，
—正硅酸鹽、硫化物、硫代鎵酸鹽和釩酸鹽，例如WO 2000/33390中以及其中所描述的現(xiàn)有技術(shù)中所公開的，
-鋁酸鹽、氧化物、卣代磷酸鹽，例如US 6,616,862中以及其中所描述的現(xiàn)有技術(shù)中所公開的，-氮化物、Sione和賽隆(Sialone)，例如DE 10147040中以及其中所描述的現(xiàn)有技術(shù)中所公開的，和
—稀土金屬石榴石例如YAG:Ce和堿土元素石榴石，例如US2004/062699中以及其中所描述的現(xiàn)有技術(shù)中所公開的。
本發(fā)明的一個實施方案還涉及一種用于制備根據(jù)上述實施方式的發(fā)射輻射裝置的方法。所述方法步驟包括A)提供發(fā)射輻射功能層和B)在所述發(fā)射輻射功能層的光程上設(shè)置輻射轉(zhuǎn)換材料。
在此，在方法步驟B)中，在發(fā)射輻射功能層上產(chǎn)生包含含有輻射轉(zhuǎn)換熒光材料的輻射轉(zhuǎn)換材料的輻射轉(zhuǎn)換體。所述輻射轉(zhuǎn)換體可以在一側(cè)或更多側(cè)圍繞所述發(fā)射輻射功能層。在這種情況下的優(yōu)點在于，發(fā)射輻射裝置和特別是其光出射面盡可能大面積地被包含輻射轉(zhuǎn)換熒光材料的輻射轉(zhuǎn)換體所覆蓋。所述輻射轉(zhuǎn)換體可以例如形成用于發(fā)射輻射裝置的澆注體。
另外，可以在所述輻射轉(zhuǎn)換材料中引入附加的熒光材料。在制備輻射轉(zhuǎn)換體時還可以使用基質(zhì)，在其中包埋含有輻射轉(zhuǎn)換熒光材料的輻射轉(zhuǎn)換材料。如果輻射轉(zhuǎn)換體被成型為層，則其厚度可以為5 fim至幾個厘米。如果在發(fā)射輻射功能層上產(chǎn)生不含基質(zhì)的輻射轉(zhuǎn)換材料層，則所述層的厚度可以為50nm至20jtm。
在另一實施方式中，在方法步驟B)中可以如下制備輻射轉(zhuǎn)換熒光材料，即通過以對應組成Ca3_x_yEuxMeySi04Cl2的化學計量比來均勻混合碳酸釣、氯化鈣、氧化銪、二氧化硅和任選地選自碳酸鍶、碳酸鋇和氧化鎂的附加組分，其中0.05^^0.5, 0SyS0.5， Me = Sr和/或Ba和/或Mg。隨后將所述均勻混合物在600"C至1000匸下在成型氣流(Formiergasstrom)中燉燒。
在另一實施方式中，可以通過將輻射轉(zhuǎn)換熒光材料分散在基質(zhì)，例如環(huán)氧樹脂、玻璃或聚硅氧烷中來制備輻射轉(zhuǎn)換體。通過改變轉(zhuǎn)換熒光材料與基質(zhì)的比例，即填充度，可以改變初級輻射/次級輻射的比例。通過使用適合的基質(zhì)材料可以產(chǎn)生牢固地粘附在載體表面上，例如發(fā)射輻射功能層表面上的輻射轉(zhuǎn)換體。在有利的實施方式中，由輻射轉(zhuǎn)換熒光材料產(chǎn)生的糊可以被形成任意對轉(zhuǎn)換有利的形狀并且隨后固化。這種糊可以借助于不同的方法施加在發(fā)射輻射功能層上。
依據(jù)附圖和實施例應更詳細地說明本發(fā)明


圖1示出具有輻射轉(zhuǎn)換體的發(fā)射輻射裝置的結(jié)構(gòu)的橫截面。
圖2示出圖l所示發(fā)射輻射裝置的結(jié)構(gòu)的另一實施方式。
圖3示出根據(jù)另一實施方式的具有輻射轉(zhuǎn)換體的發(fā)射輻射裝置的結(jié)構(gòu)的橫截面。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料的發(fā)射光鐠。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的發(fā)射輻射裝置1的一個實施方式的橫截面。在此，發(fā)射輻射功能層2位于殼體6中，發(fā)射輻射功能層2通過連接線(Bonddraht) 22與兩個觸點接通21導電接觸。發(fā)射輻射功能層2發(fā)射初級輻射4。圍繞所述發(fā)射輻射功能層存在有輻射轉(zhuǎn)換體3，其由基質(zhì)32和輻射轉(zhuǎn)換焚光材料31組成。輻射轉(zhuǎn)換體3在被初級輻射4激發(fā)之后發(fā)射次級輻射5。這種發(fā)射輻射裝置例如可以是發(fā)光轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管。殼體6的側(cè)壁還可以是傾斜的，并且例如可以具有反射涂層，其可以反射發(fā)射輻射功能層2發(fā)射的初級輻射及也可以反射次級輻射。
發(fā)射輻射功能層2發(fā)射UV范圍(優(yōu)選波長為360至400nm)或藍光范圍(優(yōu)選波長為400至470nm)的初級輻射4。在此，所述發(fā)射輻射功能層的材料包含半導體材料，例如InGaN、 Ga(In， A1)N或GaN。包含在輻射轉(zhuǎn)換體3中的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料31在藍光和UV范圍內(nèi)，優(yōu)選在360至470nm的范圍內(nèi)可被激發(fā)并且包含通式為Ca3.x_yEUxMeySi04Cl2的轉(zhuǎn)換熒光材料。所述輻射轉(zhuǎn)換熒光材料的發(fā)射峰值在波長大于470nm，優(yōu)選在470nm和550nm之間的范圍內(nèi)，也就是說，所述輻射轉(zhuǎn)換熒光材料可以將初級輻射4轉(zhuǎn)換成波長更長的次級輻射5。
輻射轉(zhuǎn)換熒光材料31的通式為Ca3+yEuxMeySi04Cl2，其中選自0.05至0.5范圍。x優(yōu)選在0.1至0.3的范圍內(nèi)。如果Ca被金屬Me(例如Ba、 Sr或Mg或者這些金屬的任意組合)部分取代，則y選自0至0.5的范圍。輻射轉(zhuǎn)換熒光材料31的發(fā)射峰值根據(jù)取代程度移動。輻射轉(zhuǎn)換熒光材料31例如可以具有式Ca2,9Eu(uSi04Cl2。這個實施例的發(fā)射峰值在512nm處。與此相比，另一輻射轉(zhuǎn)換熒光材料31可以具有式Ca2.62sEu。.。ssMg(U2Si04Cl2并且其發(fā)射峰值相對于熒光材料Ca29EU(uSK)4Cl2移動了 3nm,在509nm處。
輻射轉(zhuǎn)換體3可以將初級輻射4完全或只是部分地轉(zhuǎn)換成次級輻射5。尤其可以通過輻射轉(zhuǎn)換材料31在基質(zhì)32中的濃度來控制有多少初級輻射4被轉(zhuǎn)換。基質(zhì)可以例如是聚硅氧烷、玻璃或環(huán)氧樹脂，在其中根據(jù)需要混入了粉末狀輻射轉(zhuǎn)換熒光材料。其濃度越高，則越多初級輻射4被轉(zhuǎn)換并且色覺更多地朝次級輻射5的方向移動。輻射轉(zhuǎn)換體3還可以100%由輻射轉(zhuǎn)換熒光材料31構(gòu)成.在這種情況下輻射轉(zhuǎn)換熒光材料有利地以相對薄(50nm至20nm)的層施加到發(fā)射輻射功能層上。
圖2中示出本發(fā)明的一個實施方式，其中輻射轉(zhuǎn)換體3只是將初級輻射4部分轉(zhuǎn)換成次級輻射5。在此也示出了發(fā)射輻射裝置的實施例的橫截面。發(fā)射輻射裝置的輻射是初級輻射4和次級輻射5的混合。為了產(chǎn)生其它顏色，還可以在基質(zhì)中混入其它熒光材料。
圖3示出與圖1類似的根據(jù)本發(fā)明的發(fā)射輻射裝置1的實施例的橫截面。在此，包含基質(zhì)32和輻射轉(zhuǎn)換熒光材料31的輻射轉(zhuǎn)換體3以相對薄的層的方式施加到發(fā)射輻射功能層2上。輻射轉(zhuǎn)換體3在此不必一定與發(fā)射輻射功能層2保持接觸(在此未示出)，而是可以在發(fā)射輻射功能層2和輻射轉(zhuǎn)換體3之間存在其它層。
在圖4中可以看到式Ca2,9EudSi04Cl2的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料31的發(fā)射光譜36。其上繪制了相對于單位為nm的波長入的相對發(fā)射強度Ir。將根據(jù)本發(fā)明的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料的發(fā)射光譜，與通式為(Ca，Eu)8Mg(Si04)4Cl2的另 一轉(zhuǎn)換熒光材料的發(fā)射光譜35進行了比較。兩種熒光材料的發(fā)射峰值的位置相差約3nm，除此之外，可以看到光譜的半值寬度的差別。兩種熒光材料具有非常近似的發(fā)射光鐠并且因此適合相同的應用領(lǐng)域。根據(jù)本發(fā)明的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料的優(yōu)點在于其與傳統(tǒng)轉(zhuǎn)換熒光材料相比簡單的制備。發(fā)射輻射裝置可以通過提供發(fā)射輻射功能層2和在發(fā)射輻射功能層 的光程上設(shè)置輻射轉(zhuǎn)換材料來制備。在這種情況下，可以在發(fā)射輻射功 能層2上產(chǎn)生例如輻射轉(zhuǎn)換體3形式，例如薄層或澆注體形式的輻射轉(zhuǎn) 換材料，其包含輻射轉(zhuǎn)換熒光材料。輻射轉(zhuǎn)換熒光材料可以如下制備， 即通過以對應式Ca3_x.yEuxMeySi04Cl2的化學計量比均勻混合碳酸鈣、 氯化鉤、氧化銪、二氧化硅和任選地選自碳酸鍶、碳酸鋇和氧化鎂的附 加組分，其中0.05^x50.5, 0SyS0.5， Me = Sr和/或Ba和/或Mg。隨后
將所述均勻混合物在600x:至iooox:，優(yōu)選在6so"c至soo"c下在成型
氣流中煅燒。通過將輻射轉(zhuǎn)換熒光材料分散在基質(zhì)中，例如聚硅氧烷、
玻璃或環(huán)氧樹脂中，可以制備輻射轉(zhuǎn)換體的坯料(Mass)。
圖1至圖4中所示的實施例還可以任意變化。另外需要注意，本發(fā)明 不限于這些實施例，而是可以具有在此沒有提及的其它構(gòu)型。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)射輻射裝置(1)，其包含發(fā)射初級輻射(4)的發(fā)射輻射功能層(2)和輻射轉(zhuǎn)換材料(3)，所述輻射轉(zhuǎn)換材料設(shè)置在所述發(fā)射輻射功能層的光程中并且含有通式為Ca3-x-yEuxMeySiO4Cl2的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料(31)，其中熒光材料將初級輻射的至少一部分轉(zhuǎn)化成次級輻射(5)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)射輻射裝置(1 )，其中所述發(fā)射輻射功能層 (2 )發(fā)射UV范圍內(nèi)，優(yōu)選波長為360至400 nm的初級輻射(4 )。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)射輻射裝置(1 )，其中所述發(fā)射輻射功能層 (2 )發(fā)射藍光范圍內(nèi)，優(yōu)選波長為400至470nm的初級輻射(4 )。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的發(fā)射輻射裝置，其中所述發(fā)射輻 射功能層的材料包含半導體，所述半導體優(yōu)選選自InGaN、 Ga(In，Al)N 和GaN。1
5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的發(fā)射輻射裝置(1)，其中所述輻 射轉(zhuǎn)換熒光材料(31)在藍光和/或UV范圍內(nèi)被激發(fā)。
6. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的發(fā)射輻射裝置(1)，其中所述輻 射轉(zhuǎn)換熒光材料(31)優(yōu)選在360nm至470nm范圍內(nèi)被激發(fā)。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的發(fā)射輻射裝置(1)，其中所述輻 射轉(zhuǎn)換熒光材料(31)在波長470nm和550nm之間具有發(fā)射峰值。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的發(fā)射輻射裝置(1),其中所述輻 射轉(zhuǎn)換熒光材料(31)在波長512 ± 3rnn具有發(fā)射峰值。
9. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的發(fā)射輻射裝置(1)，其中通式為 Ca3+yEuxMeySi04Cl2的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料(31)中x選自0.05至0.5 的范圍。
10. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的發(fā)射輻射裝置(1)，其中在通式 為Ca3-x.yEUxMeySi04Cl2的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料(31)中Ca部分被金屬 Me取代，所述金屬Me選自Sr、 Ba和Mg。
11. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的發(fā)射輻射裝置(1),其中通式為Ca3—x-yEuxMeySi04Cl2的輻射轉(zhuǎn)換熒光材料(31)中y選自0至0.5的范 圍。
12. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的發(fā)射輻射裝置(1)，其中所述輻 射轉(zhuǎn)換熒光材料(31)具有式Ca^EufuSiOaCh.
13. 根據(jù)權(quán)利要求l-ll中任一項的發(fā)射輻射裝置(l)，其中所述輻射轉(zhuǎn)換熒光材料(31)具有式Ca2.625EUfl.Q5sMg。.32Si04Cl2。
14. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的發(fā)射輻射裝置(1),其中所述輻 射轉(zhuǎn)換材料被成型為輻射轉(zhuǎn)換體并且在一側(cè)或更多側(cè)上覆蓋所述發(fā)射 輻射功能層。
15. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的發(fā)射輻射裝置(1)，其中所述輻 射轉(zhuǎn)換體被成型為層狀。
16. 根據(jù)前述權(quán)利要求14或15中任一項的發(fā)射輻射裝置(1 )，其 中所述輻射轉(zhuǎn)換體(3)將初級輻射(4)完全轉(zhuǎn)換成次級輻射(5)。
17. 根據(jù)前述權(quán)利要求14或15中任一項的發(fā)射輻射裝置(1 )，其 中所述輻射轉(zhuǎn)換體(3)將初級輻射(4)部分轉(zhuǎn)換成次級輻射(5)并 且未被轉(zhuǎn)換的初級輻射與次級輻射疊加，因此存在初級輻射和次級輻射 的混合。
18. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的發(fā)射輻射裝置(1)，其中所述輻 射轉(zhuǎn)換材料(3)包含附加的熒光材料。
19. 根據(jù)前述權(quán)利要求14 17中任一項的發(fā)射輻射裝置(1)，其中 所述輻射轉(zhuǎn)換體包含基質(zhì)(32),所述輻射轉(zhuǎn)換熒光材料(31)位于所 述基質(zhì)中。
20. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的發(fā)射輻射裝置(1)，其中所述基 質(zhì)(32)是透明的。
21. 根據(jù)前述權(quán)利要求19或20中任一項的發(fā)射輻射裝置(1 )，其 中所述基質(zhì)的材料選自環(huán)氧樹脂、聚硅氧烷和玻璃。
22. —種用于制備根據(jù)權(quán)利要求1~21中任一項的發(fā)射輻射裝置(1)的方法，其包括下列方法步驟A) 提供發(fā)射輻射功能層(2);B) 將含有輻射轉(zhuǎn)換熒光材料的輻射轉(zhuǎn)換材料設(shè)置在發(fā)射輻射功能 層的光程中。
23. 根據(jù)前述權(quán)利要求的方法，其中在方法步驟B)中在發(fā)射輻射功 能層(2)上制造包含輻射轉(zhuǎn)換熒光材料的輻射轉(zhuǎn)換體(3)。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22或23中任一項的方法，其中如下制備所述輻 射轉(zhuǎn)換熒光材料，即通過以對應式Ca3小yEuxMeySi04Cl2的化學計量比 例均勻混合碳酸鈣、氯化鉀、氧化銪、二氧化硅和任選地選自碳酸鍶、 碳酸鋇和氧化鎂的附加組分，并且隨后在600匸至IOOO"C在成型氣流中 煨燒，其中0.05 ￡x ￡0.5, 0Sy^0.5， Me選自Sr、 Ba和Mg。
25. 根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中在制備所述輻射轉(zhuǎn)換體時使用其 中包埋輻射轉(zhuǎn)換熒光材料的基質(zhì)(32 )。
26. 根據(jù)前述權(quán)利要求的方法，其中所述基質(zhì)的材料選自環(huán)氧樹 脂、聚硅氧烷和玻璃。
27. 根據(jù)權(quán)利要求23 26中任一項的方法，其中通過將所述輻射轉(zhuǎn) 換熒光材料分散在基質(zhì)中來制備輻射轉(zhuǎn)換體的坯料。
28. 根據(jù)權(quán)利要求23 27中任一項的方法，其中在所述輻射轉(zhuǎn)換體 中引入附加的熒光材料。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)射輻射的裝置(1)，其包含發(fā)射初級輻射(4)的發(fā)射輻射功能層(2)和通式為Ca_3+x-yEu_xMe_ySiO₄Cl₂的輻射轉(zhuǎn)換材料，其中“Me”是來自Ba、Sr、Mg或這些金屬任意組合的組的金屬，所述轉(zhuǎn)換材料設(shè)置在所述發(fā)射輻射功能層的光程中并且至少部分將初級輻射轉(zhuǎn)換成波長更長的輻射。
文檔編號C09K11/77GK101517035SQ200780036009
公開日2009年8月26日 申請日期2007年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月27日
發(fā)明者烏特·利波爾德, 曼弗雷德·科布施 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司