專利名稱：：有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件。
背景技術(shù)：
：利用電場發(fā)光的EL元件由于具有因自發(fā)光而可視性高以及因完全是固體元件而耐沖擊性優(yōu)異等特點(diǎn)，因此其作為各種顯示裝置的發(fā)光元件的應(yīng)用令人注目。該EL元件有發(fā)光材料采用無機(jī)化合物的無機(jī)EL元件和采用有機(jī)化合物的有機(jī)EL元件，其中，特別是有機(jī)EL元件不僅能大幅降低外加電壓，而且易于全彩色化，電耗小，可以面發(fā)光，因此已開發(fā)成為下一代的發(fā)光元件。關(guān)于該有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu)，基于陽極/有機(jī)發(fā)光層/陰極的結(jié)構(gòu)，以效率高、壽命長的有機(jī)EL元件為目標(biāo)，對各種各樣的元件結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究。作為上述延長壽命、提高效率的技術(shù)之一，有將陰極/有機(jī)發(fā)光層/陽極的單元多個層疊的技術(shù)(例如專利文獻(xiàn)13等)。與單層元件相比，以低電流密度即可獲得相同的輝度，因而具有能延長元件壽命的優(yōu)點(diǎn)。但是，在上述技術(shù)中存在因多個元件串聯(lián)層疊導(dǎo)致驅(qū)動電壓顯著提高的問題。專利文獻(xiàn)1:日本專利特開平6-176870號公報專利文獻(xiàn)2:日本專利特開平11-312584號公報專利文獻(xiàn)3:日本專利特開平11-312585號公報本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的發(fā)明，其目的在于提供多個發(fā)光層串聯(lián)層疊，效率也高且電壓低的有機(jī)EL元件。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供以下有機(jī)EL元件。1.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其在陽極和陰極之間介入有至少2層有機(jī)發(fā)光層，在所述有機(jī)發(fā)光層之間具有至少l層中間連接層，所述中間連接層由受電子體層、供電子體層和含有不為金屬絡(luò)合物的芳香族環(huán)化合物的電子輸送材料層依次從陰極側(cè)層疊而成。2.根據(jù)1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物含有蒽環(huán)、芘環(huán)、窟環(huán)、芴環(huán)結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(1)表示的化合物，式中，Ar、Ar'分別是取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為560的芳基，或者取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為560的雜芳基；X分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的雜芳基，取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸基，取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸氧基，取代或未取代的碳原子數(shù)為650的芳垸基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基，取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基羰基、羧基、鹵原子、氰基、硝基或羥基；a和b分別是04的整數(shù)；n是13的整數(shù)。4.根據(jù)1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(2)表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>(2)式中，A—禾nAr2分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基，或者取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為560的雜芳基；m和n分別是l4的整數(shù)；WR"分別是氫原子，取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的雜芳基，取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷基，取代或未取代的環(huán)烷基，取代或未取代的碳原子數(shù)為l50的烷氧基，取代或未取代的碳原子數(shù)為650的芳垸基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基，取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基羰基，取代或未取代的甲硅烷基、羧基、鹵原子、氰基、硝基或羥基。5.根據(jù)1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(3)表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>(3)式中，A!和A2分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為1020的稠合芳香族環(huán)基；A—和Ar4分別是氫原子、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳WR^分別是氫原子，取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的雜芳基，取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷基，取代或未取代的環(huán)烷基，取代或未取代的碳原子數(shù)為l50的烷氧基，取代或未取代的碳原子數(shù)為650的芳烷基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基，取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸氧基羰基，取代或未取代的甲硅烷基、羧基、卣原子、氰基、硝基或羥基；Ar3、Ar4、R9和R1Q分別可以為多個基團(tuán)，也可以與相鄰的基團(tuán)形成飽和或不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(4)表示的化合物，式中，R"R^分別表示氫原子、烷基、環(huán)垸基、取代或未取代的芳基、烷氧基、芳氧基、垸基氨基、鏈烯基、芳基氨基、取代或未取代的雜環(huán)基;a和b分別表示15的整數(shù)，當(dāng)它們?yōu)?以上時，R"之間或1112之間可以相同也可以不同，R"之間或RU之間也可鍵合而形成環(huán)，R"和R14、R"和R16、R"和R18、1119和112()也可以相互鍵合而形成環(huán)；IJ表示單鍵、-O-、-S-、-N(R)-、亞垸基或亞芳基，-N(R)-中的R為烷基、或者取代或未取代的芳基。7.根據(jù)1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(5)表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>(5)式中，R"R"分別表示氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基、垸氧基、芳氧基、垸基氨基、芳基氨基、取代或未取代的雜環(huán)基；c、d、e和f分別表示l5的整數(shù)，當(dāng)它們?yōu)?以上時，R"之間、R"之間、R^之間或R"之間可以相同也可以不同，R"之間、R"之間、R"6之間或R"之間也可相互鍵合而形成環(huán)，R"和R24、R"和R"也可以相互鍵合而形成環(huán)；!^表示單鍵、-O-、-S-、-N(R)-、亞垸基或亞芳基，-N(R)-中的R為垸基、取代或未取代的芳基。8.根據(jù)1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物是下式(6)表示的化合物，(A3)e—(X1)f—(Ar5)廣(Y1)h—(B1);(6)式中，Xi是取代或未取代的芘殘基；八3和B'分別是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為350的芳香族烴基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為150的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷基或亞烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的鏈烯基或亞鏈烯基；ArS是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為350的芳香族烴基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為150的芳香族雜環(huán)基；Y1分別是取代或未取代的芳基；f是l3的整數(shù)，e和i分別是04的整數(shù)，h是03的整數(shù)，g是l5的整數(shù)。9.根據(jù)1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(7)表示的化合物，式中，A一和A,分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基；1^和1^分別是取代或未取代的亞苯基、取代或未取代的亞萘基、取代或未取代的亞苑基、取代或未取代的亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯；m是02的整數(shù)，n是14的整數(shù)，s是02的整數(shù)，t是04的整數(shù)，1^或A一鍵合于芘的15位中的任一位置，1/或Af鍵合于芘的610位中的任一位置。10.根據(jù)1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(8)表示的化合物，(8)式中，A"A〒分別是取代或未取代的聯(lián)苯基、或者取代或未取代的萘基。11.根據(jù)1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(9)表示的化合物，(9》式中，A8A1Q分別是氫原子、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的亞芳基；AHA^分別是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基；R"R"分別是氫原子，碳原子數(shù)為16的垸基，碳原子數(shù)為36的環(huán)烷基，碳原子數(shù)為16的垸氧基，碳原子數(shù)為518的芳氧基，碳原子數(shù)為718的芳垸基氧基，碳原子數(shù)為516的芳基氨基、硝基、氰基、碳原子數(shù)為16的酯基或鹵原子；A8A13中的至少一個是具有3環(huán)以上的稠合芳環(huán)的基團(tuán)。12.根據(jù)1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(10)表示的化合物，00)式中，RM和R"表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代氨基、氰基或鹵原子，鍵合于不同的芴基的R"之間、R"之間可以相同也可以不同，鍵合于相同的芴基的W和W可以相同也可以不同；R^和R"表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的雜環(huán)基，鍵合于不同的芴基的R^之間、R"之間可以相同也可以不同，鍵合于相同的芴基的R"和R37可以相同也可以不同；A盧和A^表示苯環(huán)的總數(shù)為3個以上的取代或未取代的稠合多環(huán)芳基、或者苯環(huán)和雜環(huán)的總數(shù)為3個以上的取代或未取代的以碳與芴基鍵合的稠合多環(huán)雜環(huán)基；Ar8和Ar9可以相同也可以不同；n表示110的整數(shù)。13.根據(jù)112中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述供電子體層的供電子體是堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬的氧化物、堿金屬的鹵化物、堿土金屬的氧化物、堿土金屬的鹵化物、稀土金屬的氧化物、稀土金屬的鹵化物、堿金屬的有機(jī)絡(luò)合物、堿土金屬的有機(jī)絡(luò)合物和稀土金屬的有機(jī)絡(luò)合物。14.根據(jù)113中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述接收層的受電子體是具有吸電性取代基或缺電子環(huán)的有機(jī)化合物。15.根據(jù)14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述受電子體層的受電子體是醌型衍生物、芳基硼烷衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘二甲酰亞胺衍生物或六氮雜苯并〔9，10)菲衍生物。本發(fā)明能提供效率高且電壓低的多個發(fā)光層層疊而成的有機(jī)EL元件。圖1是表示本發(fā)明的有機(jī)EL元件的第一實(shí)施方式的圖。圖2是表示圖1所示的有機(jī)EL元件的中間連接層的圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的有機(jī)EL元件在陽極與陰極之間介入至少2層有機(jī)發(fā)光層，在有機(jī)發(fā)光層之間具有至少1層中間連接層。中間連接層由受電子體層、供電子體層以及含有非金屬絡(luò)合物的芳香族環(huán)化合物(以下稱為芳香族環(huán)化合物)的電子輸送材料層按此順序從陰極側(cè)層疊而成。圖1是表示本發(fā)明的有機(jī)EL元件的一實(shí)施方式的圖。該有機(jī)EL元件是層疊3層有機(jī)發(fā)光層的例子。該有機(jī)EL元件1在支撐基板10上設(shè)置透明陽極20，在該透明陽極20上對置設(shè)有陰極50。在透明陽極20與陰極50之間，設(shè)有第1有機(jī)發(fā)光層30、第2有機(jī)發(fā)光層32、第3有機(jī)發(fā)光層34和第1中間連接層40、第2中間連接層42。這里，第1中間連接層40存在于第1有機(jī)發(fā)光層30與第2有機(jī)發(fā)光層32之間，第2中間連接層42存在于第2有機(jī)發(fā)光層32與第3有機(jī)發(fā)光層34之間。有機(jī)發(fā)光層30、32、34發(fā)出的光通過透明陽極20從支撐基板10射出。圖2是表示本發(fā)明的中間連接層40、42的圖。如圖2所示，中間連接層40、42由受電子體層60、供電子體層70和含有芳香族環(huán)化合物的電子輸送材料層80按此順序從陰極50側(cè)層疊而成。在本發(fā)明中，受電子體層60是指從相鄰的有機(jī)發(fā)光層吸引電子(接收電子)、向供電子體層輸送的層。供電子體層70是指從受電子體層接收電子并將電子注入電子輸送材料層(提供電子)的層。電子輸送材料層80是將電子注入相鄰的有機(jī)發(fā)光層的層。在該元件1的第1有機(jī)發(fā)光層30中，通過從陽極20注入空穴，從第1中間連接層40的電子輸送材料層注入電子而發(fā)光。電子從受電子體層通過供電子體層被輸送到第1中間連接層40的電子輸送材料層。對于第2有機(jī)發(fā)光層32，通過從第1中間連接層40的受電子體層注入空穴，從第2中間連接層42的電子輸送材料層注入電子而發(fā)光。電子從受電子體層通過供電子體層輸送到第1中間連接層40的電子輸送材料層80。電子從受電子體層通過供電子體層被輸送到第2中間連接層42的電子輸送材料層。對于第3有機(jī)發(fā)光層34，通過從陰極50注入電子，從第2中間連接層42的受電子體層注入空穴而發(fā)光。電子從受電子體層通過供電子體層被輸送到第2中間連接層42的電子輸送材料層80。本發(fā)明通過在中間連接層使用特定的電子輸送材料層，可降低電壓。因此，雖然層疊有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)EL元件容易高電壓化，但即使是這種層疊型的有機(jī)EL元件也能謀求降低電壓、提高效率。另外，在本實(shí)施方式中，3層有機(jī)發(fā)光層30、32、34、2層中間連接層40、42可以分別不同，也可以相同。在本實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光層3層層疊，但也可以層疊2層或4層以上。此外，在本實(shí)施方式中，中間連接層存在于各有機(jī)發(fā)光層之間，至少在2層有機(jī)發(fā)光層之間有一層圖2所示層疊結(jié)構(gòu)的中間連接層即可。因此，當(dāng)存在其他有機(jī)發(fā)光層時，不同的有機(jī)發(fā)光層可以直接相接，也可以間隔圖2所示的非層疊結(jié)構(gòu)的普通的中間連接層。在本實(shí)施方式中，透明電極是陽極，但也可以是陰極。此外，本發(fā)明的有機(jī)EL元件可以是頂部發(fā)光型(TopEmissionType)也可以是底部發(fā)光型(BottomEmissionType)。在任一類型中，光輸出側(cè)的電極均為透光性。下面，對本發(fā)明的有機(jī)EL元件的各構(gòu)成部件進(jìn)行說明。1.支撐基板支撐基板是用于支撐有機(jī)EL元件的部件，因此優(yōu)選機(jī)械強(qiáng)度和尺寸穩(wěn)定性優(yōu)異。作為這樣的基板，具體而言，可列舉玻璃板、金屬板、陶瓷板或塑料板(聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、氯乙烯樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、有機(jī)硅樹脂、氟樹脂等)等。為了避免水分滲入有機(jī)EL顯示裝置內(nèi)，由這些材料形成的基板優(yōu)選進(jìn)一步形成無機(jī)膜或涂布氟樹脂而實(shí)施防濕處理和疏水性處理。特別是為了避免水分滲入有機(jī)發(fā)光介質(zhì)，優(yōu)選減小基板的含水率和透氣系數(shù)。具體而言，分別優(yōu)選使支撐基板的含水率為0.0001重量％以下、透氣系數(shù)為lXl(T13cccm/cm2Sec.cmHg以下。當(dāng)從支撐基板側(cè)輸出光時，支撐基板優(yōu)選透明，即對可見光的透射率為50°/。以上，當(dāng)從其相反側(cè)輸出EL發(fā)光時，基板不一定必須具有透明性。2.陽極陽極優(yōu)選使用功函數(shù)大(例如4.0eV以上)的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物或它們的混合物。具體而言，可單獨(dú)使用氧化銦錫合金(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)銦銅、錫、氧化鋅、金、鉬、鈀等中的l種或2種以上組合使用。陽極可通過將這些電極物質(zhì)用蒸鍍法或?yàn)R射法等方法形成薄膜來制作。陽極的厚度沒有特殊限制，優(yōu)選101000nm，更優(yōu)選10200nm。當(dāng)從陽極將有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層射出的光射向外部時，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上透明、即透光率為50°/。以上。3.陰極陰極優(yōu)選使用功函數(shù)小(例如不足4.0eV)的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物或它們的混合物。具體而言，可單獨(dú)使用鎂、鋁、銦、鋰、鈉、銫、銀等中的1種或2種以上組合使用。陰極的厚度沒有特殊限制，優(yōu)選101000nm，更優(yōu)選10200nm。4.有機(jī)發(fā)光層有機(jī)發(fā)光層含有電子與空穴再結(jié)合而能EL發(fā)光的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層。所述有機(jī)發(fā)光層例如可由以下各層層疊而成。(i)有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層(ii)空穴注入層/有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層(iii)有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層/電子注入層(iv)空穴注入層/有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層/電子注入輸送層(v)空穴注入層/有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層/附著改善層其中，(iv)的結(jié)構(gòu)能得到更高的發(fā)光輝度且耐久性優(yōu)異，因此通常優(yōu)選使用。有機(jī)EL元件的發(fā)光介質(zhì)層兼具以下(1)(3)的功能。(1)注入功能；當(dāng)外加電場時能從陽極或空穴注入層注入空穴，能從陰極或電子注入層注入電子的功能(2)輸送功能；使注入的電荷(電子和空穴)在電場力的作用下移動的功能(3)發(fā)光功能；提供電子與空穴再結(jié)合的場所，引起發(fā)光的功能但是，空穴的注入容易度和電子的注入容易度可不同，且以空穴和電子的移動度表示的輸送能力亦可有大小，但優(yōu)選使任一方的電荷移動。作為形成該發(fā)光介質(zhì)層的方法，例如可采用蒸鍍法、旋轉(zhuǎn)涂布法、LB法等公知的方法。發(fā)光介質(zhì)層特別優(yōu)選為分子堆積膜。這里，分子堆積膜是指由氣相狀態(tài)的材料化合物沉積形成的薄膜或由溶液狀態(tài)或液相狀態(tài)的材料化合物固化形成的膜，通常，該分子堆積膜與用LB法形成的薄膜(分子累積膜)可用凝集結(jié)構(gòu)、高級結(jié)構(gòu)的不同或由此產(chǎn)生的功能差異來區(qū)分。另外，據(jù)日本專利特開昭57-51781號公報中公開，將樹脂等粘合劑和材料化合物在溶劑中溶解制成溶液后，用旋轉(zhuǎn)涂布法等將其制成薄膜，也能形成發(fā)光介質(zhì)層。[有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層]作為能在有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層中使用的發(fā)光材料或給電子材料，可列舉例如芳基胺化合物和/或苯乙烯基胺化合物、蒽、萘、菲、芘、四氮烯、蔻、窟、熒光黃、芘、酞菲(phthaloperylene)、萘酞菲(naphthaloperylene)、紫環(huán)酮(perinone)、酞紫環(huán)酮(phthaloperinone)、萘酞紫環(huán)酮(naphthaloperinone)、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆素、噁二唑、醛連氮、二苯并噁唑啉、二苯乙烯、吡嗪、環(huán)戊二烯、喹啉金屬絡(luò)合物、氨基喹啉金屬絡(luò)合物、苯并喹啉金屬絡(luò)合物、亞胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃、聚甲炔、部花青、咪唑螯合化8-羥基喹啉酮化合物、喹吖啶酮、紅熒烯以及熒光色素等，但不限于這些。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層優(yōu)選含有芳基胺化合物和/或苯乙烯基胺化合物。作為芳基胺化合物，可列舉下式(A)表示的化合物等，作為苯乙烯基胺化合物，可列舉下式(B)表示的化合物等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>(A)(式中，Ar3Q1是苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芪或二苯乙烯基芳基，Ar^和Ar^分別是氫原子、取代或未取代的碳原子數(shù)為620的芳香族基。p，是14的整數(shù)。更優(yōu)選Ar^和/或Ar則被苯乙烯基取代。)這里，作為碳原子數(shù)為620的芳香族基，優(yōu)選苯基、萘基、蒽基、菲基、三聯(lián)苯基等。(B)(式中，Ar，Ar，是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為540的芳基。q，是14的整數(shù)。)這里，作為環(huán)原子數(shù)為540的芳基，優(yōu)選苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、屈基、蔻基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、噁二唑基、二苯基蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、熒蒽基、苊并熒蒽基、芪等。環(huán)原子數(shù)為540的芳基可進(jìn)一步被取代基取代，作為優(yōu)選的取代基，可列舉碳原子數(shù)為16的烷基(乙基、甲基、異丙基、正丙基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)戊基、環(huán)己基等)、碳原子數(shù)為16的烷氧基(乙氧基、甲氧基、異丙氧基、正丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)戊氧基、環(huán)己氧基等)、環(huán)原子數(shù)為540的芳基、被環(huán)原子數(shù)為540的芳基取代的氨基、具有環(huán)原子數(shù)為540的芳基的酯基、具有碳原子數(shù)為16的垸基的酯基、氰基、硝基、鹵原子(氯、溴、碘等)。作為能在發(fā)光介質(zhì)層中使用的基質(zhì)材料，優(yōu)選后述電子輸送材料層中使用的式(1)(10)表示的芳香族環(huán)化合物。上述基質(zhì)材料中，優(yōu)選蒽衍生物，更優(yōu)選單蒽衍生物，特別優(yōu)選不對稱蒽。作為發(fā)光材料，可使用磷光發(fā)光性的化合物。當(dāng)采用磷光發(fā)光時，基質(zhì)材料優(yōu)選含有咔唑環(huán)的化合物。磷光發(fā)光性供電子體是能從三重態(tài)激子發(fā)光的化合物，只要從三重態(tài)激子發(fā)光即無特殊限制，優(yōu)選含有選自Ir、Ru、Pd、Pt、Os和Re中的至少l種金屬的金屬絡(luò)合物。由含有咔唑環(huán)的化合物形成的磷光發(fā)光所優(yōu)選的基質(zhì)是從其激發(fā)態(tài)向磷光發(fā)光性化合物進(jìn)行能量轉(zhuǎn)移從而具有使磷光發(fā)光性化合物發(fā)光的功能的化合物。作為基質(zhì)化合物，只要是能將激子能量向磷光發(fā)光性化合物進(jìn)行能量轉(zhuǎn)移的化合物即可，沒有特殊限制，可根據(jù)目的適當(dāng)選擇。除咔唑環(huán)外，還可具有任意的雜環(huán)等。作為上述基質(zhì)化合物的具體例子，可列舉咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基垸衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代査爾酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氮垸衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳香族二次甲基類化合物、卟啉類化合物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯基苯醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳二亞胺衍生物、亞芴基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、萘茈等雜環(huán)四羧酸酐、酞菁衍生物、8-喹啉醇衍生物的金屬絡(luò)合物或金屬化酞菁、以苯并噁唑或苯并噻唑?yàn)榕潴w的金屬絡(luò)合物所代表的各種金屬絡(luò)合物、聚硅垸類化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺類共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩等導(dǎo)電性高分子低聚物、聚噻吩衍生物、聚亞苯基衍生物、聚亞苯基乙烯衍生物、聚芴衍生物等高分子化合物等?；|(zhì)化合物可單獨(dú)使用，也可2種以上并用。作為具體例子，可列舉以下化合物。磷光發(fā)光性的供電子體是能由三重態(tài)激子發(fā)光的化合物。只要由三重態(tài)激子發(fā)光即沒有特殊限制，優(yōu)選含有選自Ir、Ru、Pd、Pt、Os禾PRe中的至少1種金屬的金屬絡(luò)合物，最好是卟啉金屬絡(luò)合物或鄰位金屬化金屬絡(luò)合物。作為卟啉金屬絡(luò)合物，優(yōu)選卟啉鉑絡(luò)合物。磷光發(fā)光性化合物可以單獨(dú)使用，也可以2種以上并用。有各種各樣形成鄰位金屬化金屬絡(luò)合物的配體，作為優(yōu)選的配體，可列舉2-苯基吡啶衍生物、7，8-苯并喹啉衍生物、2-(2-噻吩基)吡啶衍生物、2-(l-萘基)吡啶衍生物、2-苯基喹啉衍生物等。這些衍生物可根據(jù)需要具有取代基。特別是氟化物、引入了三氟甲基的物質(zhì)，是理想的藍(lán)色類供電子體。此外，還可具有作為輔助配體的乙酰丙酮化物、苦味酸等上述配體以外的配體。磷光發(fā)光性供電子體在發(fā)光介質(zhì)層中的含量沒有特殊限制，可根據(jù)目的來適當(dāng)選擇，例如為0.170質(zhì)量％，優(yōu)選130質(zhì)量％。當(dāng)磷光發(fā)光性化合物的含量不足O.l質(zhì)量％時，發(fā)光較微弱，不能發(fā)揮其添加效果，但當(dāng)超過70質(zhì)量％時，所謂的濃度消光這一現(xiàn)象顯著，元件性能有可能下降。另外，發(fā)光介質(zhì)層還可根據(jù)需要含有空穴輸送材料、電子輸送材料、聚合物粘合劑。此外，發(fā)光介質(zhì)層的膜厚優(yōu)選為550nm，更優(yōu)選為750nm，最優(yōu)選為1050nm。當(dāng)不足5nm時，很難形成發(fā)光介質(zhì)層，有可能難以調(diào)節(jié)色度，當(dāng)超過50nm時，驅(qū)動電壓有可能上升。在有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層的陰極側(cè)可進(jìn)一步層疊電子注入輸送層。電子注入*輸送層是幫助電子注入發(fā)光介質(zhì)層的層，電子移動度大。電子輸送層在數(shù)nm數(shù)um的膜厚內(nèi)適當(dāng)選擇，特別是當(dāng)膜厚較厚時，為了避免電壓上升，優(yōu)選當(dāng)施加104106V/cm的電場時電子移動度至少在10-5cm2/Vs以上。作為電子注入"輸送層中使用的材料，優(yōu)選8-羥基喹啉及其衍生物的金屬絡(luò)合物或具有含氮雜環(huán)的化合物。作為8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物的具體例子，可列舉含有8-羥基喹啉(一般為8-喹啉醇或8-羥基喹啉)螯合劑的金屬螯合8-羥基喹啉酮化合物。例如，可用以Al為中心金屬的AIq作為電子注入'輸送層。另一方面，作為噁二唑衍生物，可列舉以下通式表示的電子傳遞化合<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>Me表示甲基、Bu表示丁基。下式表示的含氮雜環(huán)衍生物(式中，A^A^是氮原子或碳原子。R^和R^是取代或未取代的碳原子數(shù)為660的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為360的雜芳基、碳原子數(shù)為120的烷基、碳原子數(shù)為120的鹵代烷基或碳原子數(shù)為120的烷氧基，n是0到5的整數(shù)，當(dāng)n是2以上的整數(shù)時，多個R^可以相同或不同。另外，相鄰的多個11331基之間可相互鍵合形成取代或未取代的碳環(huán)式脂肪環(huán)或取代或未取代的碳環(huán)式芳香環(huán)。Ar331是取代或未取代的碳原子數(shù)為660的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為360的雜芳基。Ar"'是取代或未取代的碳原子數(shù)為660的亞芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為360的亞雜芳基。Ar^是氫原子、碳原子數(shù)為120的垸基、碳原子數(shù)為120的鹵代烷基、碳原子數(shù)為120的垸氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為660的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為360的雜芳基。但是，Ar331、Ar332中的任一方為取代或未取代的碳原子數(shù)為1060的稠合環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為360的雜稠合環(huán)基。L331、L^和L^分別是單鍵、取代或未取代的碳原子數(shù)為360的雜稠合環(huán)、取代或未取代的亞芴基。)日本特愿2003-004193號中公開的下式表示的含氮雜環(huán)衍生物HAr—L341—Ar341—Ar342(式中，HAr是取代或未取代的碳原子數(shù)為340的含氮雜環(huán)，L^是單鍵、取代或未取代的碳原子數(shù)為660的亞芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為360的亞雜芳基、取代或未取代的亞芴基，Ar341是取代或未取代的碳原子數(shù)為660的2價芳香族烴基，Ar^是取代或未取代的碳原子數(shù)為660的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為360的雜芳基。)日本專利特開平09-087616中公開的下式表示的硅雜環(huán)戊二烯衍生物X351、351(式中，X354nY^分別獨(dú)立地表示碳原子數(shù)為1到6的飽和或不飽和的烴基、垸氧基、鏈烯基氧基、炔基氧基、羥基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)，或者是由X351與Y351鍵合形成的飽和或不飽和的環(huán)結(jié)構(gòu)，R"'R^分別獨(dú)立地表示氫、鹵素、取代或未取代的碳原子數(shù)為1到6的烷基、烷氧基、芳氧基、全氟烷基、全氟烷氧基、氨基、烷基羰基、芳基羰基、垸氧基羰基、芳氧基羰基、偶氮基、垸基羰基氧基、芳基羰基氧基、垸氧基羰基氧基、芳氧基羰基氧基、亞磺?；⒒酋；?、磺烷基(sulfanil)、甲硅垸基、氨甲酰基、芳基、雜環(huán)基、鏈烯基、炔基、硝基、甲?；?、亞硝基、甲酰氧基、異氰基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基或氰基，或是相鄰時取代或未取代的環(huán)稠合而成的結(jié)構(gòu)。)日本專利特開平09-194487中公開的下式表示的硅雜環(huán)戊二烯衍生物363c362(式中，X361和Y361分別獨(dú)立地表示碳原子數(shù)為1到6的飽和或不飽和的烴基、烷氧基、鏈烯基氧基、炔基氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)，或是由X361與￥361鍵合形成的飽和或不飽和的環(huán)結(jié)構(gòu)，R^R^分別獨(dú)立地表示氫、鹵素、取代或未取代的碳原子數(shù)為1到6的烷基、烷氧基、芳氧基、全氟烷基、全氟垸氧基、氨基、烷基羰基、芳基羰基、垸氧基羰基、芳氧基羰基、偶氮基、烷基羰基氧基、芳基羰基氧基、垸氧基羰基氧基、芳氧基羰基氧基、亞磺?；?、磺酰基、磺烷基(sulfanyl)、甲硅垸基、氨甲?；⒎蓟?、雜環(huán)基、鏈烯基、炔基、硝基、甲?；?、亞硝基、甲酰氧基、異氰基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基或氰基，或是相鄰時取代或未取代的環(huán)稠合而成的結(jié)構(gòu)(但是，當(dāng)11361和11364是苯基時，乂361和￥361不是烷基和苯基，當(dāng)R^和尺364是噻吩基時，為不同時滿足乂361和￥361是一價烴基、11362和尺363是烷基、芳基、鏈烯基或R^和R363鍵合形成環(huán)的脂肪族基的結(jié)構(gòu)，當(dāng)R361和R^是甲硅垸基時，R362、R363、X^和Y^各自獨(dú)立，不是碳原子數(shù)為1到6的一價烴基或氫原子，當(dāng)R^和11362形成苯環(huán)稠合的結(jié)構(gòu)時，X361和￥361不是烷基和苯基)。)日本專利特再第2000-040586號公報中公開的下式表示的硼烷衍生物'371v37173717372(式中，R^R"s以及Z372分別獨(dú)立地表示氫原子、飽和或不飽和的烴基、芳香族基、雜環(huán)基、取代氨基、取代氧硼基、烷氧基或芳氧基，X371、￥371和Z^分別獨(dú)立地表示飽和或不飽和的烴基、芳香族基、雜環(huán)基、取代氨基、垸氧基或芳氧基，取代基z^和z^可相互鍵合形成稠合環(huán)，n表示l3的整數(shù)，當(dāng)n是2以上時，Z^可以不同。但是，不包括n是l、X371、Y^和R^是甲基、11378是氫原子或取代氧硼基的情況以及n是3、Z^是甲基的情況。)日本專利特開平10-088121中公開的下式表示的化合物(式中，Q^和Q^分別獨(dú)立地表示下式表示的配體，1^81表示鹵原子、取代或未取代的垸基、取代或未取代的環(huán)垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、-OR391(R391是氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基。)或畫O-Ga-Q391(Q392)(Q別和Q^與Q^和Q^相同)表示的配體。),A401、、/、、M…"(式中，環(huán)A^和A^是相互鍵合的取代或未取代的芳基環(huán)或雜環(huán)結(jié)構(gòu)。)作為形成上式配體的環(huán)A^和A^的取代基的具體例子，有氯、溴、碘、氟等鹵原子、甲基、乙基、丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬脂基、三氯甲基等取代或未取代的烷基，苯基、萘基、3-甲基苯基、3-甲氧基苯基、3-氟苯基、3-三氯甲基苯基、3-三氟甲基苯基、3-硝基苯基等取代或未取代的芳基，甲氧基、正丁氧基、叔丁氧基、三氯甲氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2，2，3，3-四氟丙氧基、1，1，1，3，3，3-六氟-2-丙氧基、6-(全氟乙基)己氧基等取代或未取代的垸氧基，苯氧基、對硝基苯氧基、對叔丁基苯氧基、3-氟苯氧基、五氟苯基、3-三氟甲基苯氧基等取代或未取代的芳氧基、甲基硫基、乙基硫基、叔丁基硫基、己基硫基、辛基硫基、三氟甲基硫基等取代或未取代的烷基硫基、苯基硫基、對硝基苯基硫基、對叔丁基苯基硫基、3-氟苯基硫基、五氟苯基硫基、3-三氟甲基苯基硫基等取代或未取代的芳基硫基、氰基、硝基、氨基、甲基氨基、二乙基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二苯基氨基等一或二取代氨基、二(乙酰氧基甲基)氨基、二(乙酰氧基乙基)氨基、二(乙酰氧基丙基)氨基、二(乙酰氧基丁基)氨基等?；被?、羥基、甲硅垸氧基、?；奔柞；?、甲基氨甲酰基、二甲基氨甲?；⒁一奔柞；?、二乙基氨甲酰基、丙基氨甲?；⒍』奔柞；?、苯基氨甲?；热〈蛭慈〈陌奔柞；?、羧酸基、磺酸基、亞氨基、環(huán)戊烷基、環(huán)己基等環(huán)垸基、苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芴基、芘基等芳基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、吲哚啉基、喹啉基、吖啶基、吡咯烷基、二噁垸基、哌啶基、嗎啉啶基(morpholidinylgroup)、哌嗪基、咔唑基、呋喃基、噻吩基、噁唑基、噁二唑基、苯并噁唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、三唑基、咪唑基、苯并咪唑基等雜環(huán)基等。另外，上述取代基可相互鍵合進(jìn)一步形成6元芳環(huán)或雜環(huán)。在本發(fā)明的優(yōu)選方式中，在輸送電子的區(qū)域或在陰極與有機(jī)層的界面區(qū)域，存在含有還原性供電子體的元件。這里，還原性供電子體定義為能將電子輸送性化合物還原的物質(zhì)。因此，只要是具有一定還原性的物質(zhì)即可，有各種各樣的物質(zhì)，例如可優(yōu)選使用選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬的氧化物、堿金屬的鹵化物、堿土金屬的氧化物、堿土金屬的鹵化物、稀土金屬的氧化物或稀土金屬的鹵化物、堿金屬的有機(jī)絡(luò)合物、堿土金屬的有機(jī)絡(luò)合物、稀土金屬的有機(jī)絡(luò)合物中的至少1種物質(zhì)。更具體而言，作為優(yōu)選的還原性供電子體，可列舉選自Na(功函數(shù)2.36eV)、K(功函數(shù)2.28eV)、Rb(功函數(shù)2.16eV)以及Cs(功函數(shù)1.95eV)中的至少1種堿金屬或選自Ca(功函數(shù)2.9eV)、Sr(功函數(shù)2.02.5eV)以及Ba(功函數(shù)2.52eV)中的至少1種堿土金屬，特別優(yōu)選功函數(shù)在2.9eV以下的物質(zhì)。其中，進(jìn)一步優(yōu)選的還原性供電子體是選自K、Rb以及Cs中的至少l種堿金屬，更優(yōu)選Rb或Cs，最優(yōu)選Cs。這些堿金屬的還原能力特別強(qiáng)，通過以較少量添加到電子注入?yún)^(qū)域，可謀求有機(jī)EL元件的發(fā)光強(qiáng)度的提高和壽命延長。另外，作為功函數(shù)在2.9eV以下的還原性供電子體，優(yōu)選上述2種以上堿金屬的組合，特別優(yōu)選含有Cs的組合，例如Cs禾口Na、Cs禾口K、Cs禾口Rb或Cs禾口Na禾口K的組合。通過組合含有Cs，能有效地發(fā)揮還原能力，通過在電子注入?yún)^(qū)域中添加，可謀求有機(jī)EL元件的發(fā)光強(qiáng)度的提高和壽命延長。在本發(fā)明中，在陰極與有機(jī)層之間可進(jìn)一步設(shè)置由絕緣體或半導(dǎo)體構(gòu)成的電子注入*輸送層。此時，能有效地防止電流泄露，提高電子注入性。作為上述絕緣體，優(yōu)選使用選自堿金屬硫族化合物、堿土金屬硫族化合物、堿金屬的鹵化物以及堿土金屬的鹵化物中的至少1種金屬化合物。若電子注入*輸送層由這些堿金屬硫族化合物等構(gòu)成，則能進(jìn)一步提高電子注入性，因而優(yōu)選。具體而言，作為優(yōu)選的堿金屬硫族化合物，可列舉例如Li20、LiO、Na2S、Na2Se以及NaO，作為優(yōu)選的堿土金屬硫族化合物，可列舉例如CaO、BaO、SrO、BeO、BaS以及CaSe。另外，作為優(yōu)選的堿金屬的鹵化物，可列舉例如LiF、NaF、KF、LiCl、KCl以及NaCl等。作為優(yōu)選的堿土金屬的鹵化物，可列舉例如CaF2、BaF2、SrF2、MgF2以及BeF2等氟化物以及氟化物以外的鹵化物。作為構(gòu)成電子注入輸送層的半導(dǎo)體，可列舉含有選自Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb以及Zn中的至少1種元素的氧化物、氮化物或氧氮化物等的1種或2種以上的組合。另外，構(gòu)成電子注入輸送層的無機(jī)化合物優(yōu)選為微結(jié)晶或非晶質(zhì)的絕緣性薄膜。若電子注入，輸送層由這些絕緣性薄膜構(gòu)成，則會形成更均勻的薄膜，因而能減少黑點(diǎn)等像素缺陷。作為這樣的無機(jī)化合物，可列舉上述堿金屬硫族化合物、堿土金屬硫族化合物、堿金屬的鹵化物以及堿土金屬的鹵化物等。5.中間連接層中間連接層是受電子層/供電子體層/電子輸送材料層的層疊體，用以將兩層發(fā)光層連接。[受電子體層]受電子體是易還原性的有機(jī)化合物。化合物的易還原性可用還原電位來測定。在本發(fā)明中，優(yōu)選以飽和甘汞(SCE)電極為參比電極時的還原電位優(yōu)選為-0.8V以上、更優(yōu)選為-0.3V以上、特別優(yōu)選大于四氰基對苯醌二甲烷(TCNQ)的還原電位(約OV)的化合物。受電子體優(yōu)選為具有吸電性的取代基或缺電子環(huán)的有機(jī)化合物。作為吸電性的取代基，可列舉例如鹵素、CN-、羰基、芳基硼基等。作為缺電子環(huán)，可列舉例如選自2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、2-咪唑基、4-咪唑基、3-吡唑基、4-吡唑基、噠嗪、嘧啶、吡嗪、噌啉、酞嗪、喹唑啉、喹喔啉、3-(1，2，4-N)-三唑基、5-(1，2，4-N)-三唑基、5-四唑基、4陽(1-0，3-N)-噁唑、5畫(1-0，3-N)-噁唑、4-(l-S，3-N)-噻唑、5-(l-S，3-N)-噻唑、2-苯并噁唑、2-苯并噻唑、4-(1，2，3-N)苯并三唑以及苯并咪唑中的化合物等，但并非限于這些。受電子體優(yōu)選醌型衍生物、芳基硼烷衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘二甲酰亞胺衍生物等酰亞胺衍生物、六氮雜苯并〔9，10)菲衍生物等。作為醌型衍生物，優(yōu)選下示化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>(式中，RiR"分別是氫、鹵素、氟垸基、氰基、垸氧基、垸基或芳基。但是，不包括RiR"在同一分子中全部為氫或氟的物質(zhì)。X是吸電子基，由下式(j)(P)的結(jié)構(gòu)中的任一種構(gòu)成。優(yōu)選(j)、(k)、(1)的結(jié)構(gòu)。gNC丫CMN,CNNC丫CFsNC丫COOR幼R幼OOC丫COOR51^、^2①GO(l)(m〉(ii)(o)(p)(式中，R"R^分別是氫、氟烷基、烷基、芳基或雜環(huán)基，R"和R"可形成環(huán)。)Y是-N-或-CH-。)作為醌型衍生物的具體例子，可列舉以下的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula>(2b)(式中，A—A^是分別具有吸電基的芳基(包括雜環(huán))。ArS是具有吸電基的亞芳基。S是l或2。)作為芳基硼垸衍生物的具體例子，可列舉以下的化合物。特別優(yōu)選芳基上具有至少1個氟取代基的化合物，可列舉三P-(五氟萘基)硼烷(PNB)等。作為酰亞胺衍生物，優(yōu)選萘四羧酸二酰亞胺化合物和均苯四甲酸二酰亞胺化合物。作為噻喃二氧化物衍生物，可列舉下式(3a)表示的化合物，作為噻噸二氧化物衍生物，可列舉下式(3b)表示的化合物。XR64XR57(3a)(3b)在式(3a)和式(3b)中，R"R^分別是氫、卣素、氟垸基、氰基、烷基或芳基。優(yōu)選氫、氰基。在式(3a)和式(3b)中，X表示吸電子基，與式(la)(li)的X相同。優(yōu)選(j)、(k)、(1)的結(jié)構(gòu)。R"R"表示的鹵素、氟垸基、垸基和芳基與WR"目同。式(3a)表示的噻喃二氧化物衍生物、式(3b)表示的噻噸二氧化物衍生物的具體例子如下。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>(式中，tBu是叔丁基。)在上式(la)(10、(3a)(3b)中，吸電基X可以是下式表示的取代基(x)或(y)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>式中，^"9和Ar"是取代或未取代的雜環(huán)、取代或未取代的芳氧基羰基或醛，優(yōu)選吡啶、吡嗪、喹喔啉。A一和Ar^可相互連接形成5元或6元的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。作為六氮雜苯并〔9，10)菲衍生物，優(yōu)選以下所列舉的結(jié)構(gòu)，特別優(yōu)選具有氰基的化合物。(式中，R^分別是氰基、芳氧基羰基、烷氧基羰基、二烷基氨甲?；⒍蓟奔柞；Ⅺu原子、硝基或羧基。)受電子體優(yōu)選具有成薄膜性。即，能通過蒸鍍形成受電子體層。"能形成薄膜"是指能在基板上用真空蒸鍍、旋轉(zhuǎn)涂布等一般的成膜方法制作平坦的薄膜。這里，平坦是指薄膜的凹凸小，優(yōu)選面粗糙度(Ra)為10nm以下，更優(yōu)選面粗糙度(Ra)為1.5nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選面粗糙度(Ra)為lnm以下。另外，面粗糙度可用原子力顯微鏡(AFM)來測定。作為具有成薄膜性的有機(jī)化合物，優(yōu)選非晶性的有機(jī)化合物，更優(yōu)選非晶性的喹啉并二甲垸(quinodimethane)衍生物，進(jìn)一步優(yōu)選非晶性且CN-基的數(shù)目為5以上的喹啉并二甲垸。例如，可列舉上述(CN)2-TCNQ。受電子體層中含有的受電子體的含量優(yōu)選為整層的1100摩爾％，更優(yōu)選為50100摩爾％。受電子體層除受電子體外還可含有空穴輸送性和透光性的物質(zhì)，但不限于此。受電子體層的膜厚優(yōu)選為1100nm。[供電子體層]在本發(fā)明的有機(jī)EL元件中，供電子體層是指含有選自供電子性金屬、供電子性金屬化合物和供電子性金屬絡(luò)合物中的至少1種作為供電子體的層。供電子性金屬是指功函數(shù)3.8eV以下的金屬，優(yōu)選堿金屬、堿土金屬和稀土金屬，更優(yōu)選Cs、Li、Na、Sr、K、Mg、Ca、Ba、Yb、Eu禾BCe。供電子性金屬化合物是指含有上述供電子性金屬的化合物，優(yōu)選含有堿金屬、堿土金屬或稀土金屬的化合物，更優(yōu)選這些金屬的鹵化物、氧化物、碳酸鹽、硼酸鹽。例如MOx(M是供電子性金屬，x是0.51.5)、MFX(x是l3)、M(C03)x(x是0.51.5)表示的化合物。供電子性金屬絡(luò)合物是指含有上述供電子性金屬的絡(luò)合物，優(yōu)選含有堿金屬、堿土金屬或稀土金屬的有機(jī)金屬絡(luò)合物。優(yōu)選下式(I)表示的有機(jī)金屬絡(luò)合物。(式中，M是供電子性金屬，Q是配體，優(yōu)選羧酸衍生物、二酮衍生物、喹啉衍生物，n是l4的整數(shù)。)作為供電子性金屬絡(luò)合物的具體例子，可列舉在日本專利特開2005-72012號公報中記載的tungstenpaddlwheel(夕乂夕、、7x乂水車)等。此外，日本專利特開平11-345687號公報中記載的中心金屬是堿金屬、堿土金屬的酞菁化合物等也可作為供電子性金屬絡(luò)合物使用。上述供電子體可以單獨(dú)使用1種，也可以2種以上組合使用。供電子體中含有的供電子體的含量優(yōu)選為整層的1100摩爾％，更優(yōu)選為50100摩爾％。供電子體層除上述給電子體外，還可含有1種或多種具有透光性的物質(zhì)。具體而言，可使用胺化合物、稠合環(huán)化合物、含氮環(huán)化合物、金屬絡(luò)合物等有機(jī)物或金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氟化物、碳酸鹽等無機(jī)物，但不限于此。供電子體層的膜厚優(yōu)選1100nm。電子輸送材料層可采用含有芳香族環(huán)化合物的化合物，優(yōu)選下述(1)(10)表示的化合物。下式(1)表示的蒽衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula>(1)(式中，Ar、Ar，分別是取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為560的芳基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為560的雜芳基。X分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為650的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基羰基、羧基、鹵原子、氰基、硝基或羥基。a和b分別是04的整數(shù)。n是l3的整數(shù)。)優(yōu)選Ar、Ar'是被苯基或萘基取代或未取代的苯基或萘基，Ar和Ar'不同。優(yōu)選a、b是O，n是1。下式(2)表示的蒽衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula>(式中，A—和A一分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為560的雜芳基。m和n分別是l4的整數(shù)。R'R"分別是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷基、取代或未取代的環(huán)垸基、取代或未取代的碳原子數(shù)為l50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為650的芳垸基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基羰基、取代或未取代的甲硅垸基、羧基、鹵原子、氰基、硝基或羥基。)下式(3)表示的蒽衍生物。XY(3)(式中，八1和A2分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為1020的稠合芳環(huán)基。A一禾PAr4分別是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳R'R"分別是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸基、取代或未取代的環(huán)垸基、取代或未取代的碳原子數(shù)為l50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)為650的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基羰基、取代或未取代的甲硅垸基、羧基、鹵原子、氰基、硝基或羥基。Ar3、Ar4、R9和R1Q分別可以是多個，相鄰的基團(tuán)之間也可形成飽和或不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。)下式(4)表示的蒽衍生物。(式中，R"R^分別表示氫原子、垸基、環(huán)烷基、取代或未取代的芳基、烷氧基、芳氧基、垸基氨基、鏈烯基、芳基氨基、取代或未取代的雜環(huán)基。a和b分別表示15的整數(shù)，當(dāng)它們是2以上時，R"之間或尺12之間可以相同也可以不同，且R"之間或R^之間可鍵合形成環(huán)，R"和R14、R"和R16、R口和R18、R"卩R2G可以相互鍵合形成環(huán)。L'表示單鍵、-O-、-S-、-N(R)-(R是垸基、取代或未取代的芳基)、亞烷基或亞芳基。)下式(5)表示的蒽衍生物。(式中，R"R"分別表示氫原子、烷基、環(huán)垸基、芳基、烷氧基、46芳氧基、烷基氨基、芳基氨基、取代或未取代的雜環(huán)基。c、d、e和f分別表示15的整數(shù)，當(dāng)它們是2以上時，R"之間、R"之間、R"之間或R"之間可以相同也可以不同，且R"之間、1122之間、!^6之間或R"之間可鍵合形成環(huán)，R"和R24、R"和R"可以相互鍵合形成環(huán)。1^表示單鍵、-O-、-S-、-N(R)-(R是烷基、取代或未取代的芳基)、亞烷基或亞芳基。)下式(6)表示的蒽衍生物。(A3)e—(X1)f—(Ar5)廣(Y1)h—(B1)，(6)(式中，^分別是取代或未取代的芘殘基。八3和B'分別是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為350的芳香族烴基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為150的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷基或亞烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的鏈烯基或亞鏈烯基。Ai"S分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為350的芳香族烴基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為150的芳香族雜環(huán)基。Y1分別是取代或未取代的芳基。f是l3的整數(shù)，e和i分別是04的整數(shù)，h是03的整數(shù)，g是15的整數(shù)。)下式(7)表示的蒽衍生物。(式中，A一和A一分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基。乙3和1/分別是取代或未取代的亞苯基、取代或未取代的亞萘基、取代或未取代的亞芴基、取代或未取代的二苯并硅雜環(huán)戊二烯基。m是02的整數(shù)，n是l4的整數(shù)，s是02的整數(shù)，t是04的整數(shù)。且1^或A一與芘的15位中的任一位鍵合，1/或A一與芘的610位中的任一位鍵合。)下式(8)表示的螺芴衍生物。(式中，A4A7分別是取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的萘基。)下式(9)表示的含稠合環(huán)化合物。(式中，ASA^分別是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的亞芳基。A"A。分別是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基。R"R"分別是氫原子、碳原子數(shù)為16的烷基、碳原子數(shù)為36的環(huán)烷基、碳原子數(shù)為16的烷氧基、碳原子數(shù)為518的芳氧基、碳原子數(shù)為718的芳垸基氧基、碳原子數(shù)為516的芳基氨基、硝基、氰基、碳原子數(shù)為16的酯基或鹵原子。A8A13中至少一個是具有3環(huán)以上的稠合芳環(huán)的基團(tuán)。)下式(10)表示的芴化合物。(式中，R"和R"表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代氨基、氰基或鹵原子。與不同的芴基鍵合的R"之間、R"之間可以相同也可以不同，與相同的芴基鍵合的R1和W可以相同也可以不同。R36和R37表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基，與不同的芴基鍵合的R36之間、R"之間可以相同也可以不同，與相同的芴基鍵合的R"和R"可以相同也可以不同。ArS和A^表示苯環(huán)的總數(shù)為3個以上的取代或未取代的稠合多環(huán)芳基、或者苯環(huán)和雜環(huán)的總數(shù)為3個以上的取代或未取代的以碳與芴基鍵合的稠合多環(huán)雜環(huán)基，Ai"S和A/可以相同也可以不同。n表示l10的整數(shù)。)電子輸送材料層的膜厚優(yōu)選為0.1100nm。另外，如上所述，本發(fā)明的中間連接層的至少一層是受電子體層/供電子體層/電子輸送材料層的層疊體，其他中間連接層可以是公知的中間連接層。作為構(gòu)成這種中間連接層的材料的例子，可列舉In、Sn、Zn、Ti、Zr、Hf、V、Mo、Cu、Ga、Sr、La、Ru等金屬的氧化物、氮化物、碘化物、硼化物等。另外，還可列舉由上述的多種金屬構(gòu)成的多元金屬化合物。作為其具體例子，例如可采用ITO、IZO、SnOx、ZnOx、TiN、ZrN、HfN、TiOx、VOx、MoOx、Cul、InN、GaN、CuA102、CuGa02、SrCu202、LaB6、RuOx的透明導(dǎo)電材料。其中，特別優(yōu)選使用ITO、IZO、SnOx、ZnOx、TiOx、VOx、MoOx、RuOx等導(dǎo)電性金屬氧化物。為了提高發(fā)光元件的視角特性等，作為中間連接層，可采用含有低折射率材料和上述透明導(dǎo)電材料的膜。作為低折射率材料，可采用金屬氧化物(SiOx等)或金屬氟化物(NaF、LiF、CaF2、Na3AlF6、A1F3、MgF2、ThF4、LaF4、Nd&等)等金屬卣化物等的無機(jī)化合物、含氟樹脂等的有機(jī)化合物。[實(shí)施例]<化合物>實(shí)施例和比較例中使用的材料如下所示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage52</formula><含受電子體層所用材料的還原電位>對受電子體Acl用循環(huán)伏安法進(jìn)行測定。其結(jié)果是，以飽和甘私SCE)電極為參比電極時的還原電位是-0.07V。<評價方法〉(1)驅(qū)動電壓測定在ITO和Al之間通過電流密度為10mA/cm2的電流時的電壓(單位V)。(2)發(fā)光效率用分光放射輝度儀CS1000A(柯尼卡美能達(dá)公司制)測定電流密度為10mA/ci^時的EL譜，算出發(fā)光效率(單位:cd/A)。[實(shí)施例1]采用陽極/第1有機(jī)發(fā)光層/中間連接層/第2有機(jī)發(fā)光層/陰極的結(jié)構(gòu)，制作由如下元件結(jié)構(gòu)形成的有機(jī)EL元件。ITO(130)/Acl(40)/HT1(40)/BH:BD1(40;40:2)/BH(20)/LiF(1.0)/Acl(40)/HT1(40)/BH:BD1(40;40:2)/ET1(20)/LiF(1.0)/Al(150)在厚O.7mm的玻璃基板上，通過濺射成膜形成厚130nm的ITO。將該基板在異丙醇中超聲波洗滌5分鐘后，進(jìn)行30分鐘UV臭氧洗滌，然后將該帶ITO電極的基板安裝于真空蒸鍍裝置的基板支撐件上。另外，事先在各自的鉬制加熱板上分別安裝作為第1有機(jī)發(fā)光層的空穴注入層的材料和中間連接層的受電子體層的材料的Acl、作為第1、第2有機(jī)發(fā)光層的空穴輸送層的材料的HT1、作為第1和第2有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層的基質(zhì)材料和中間連接層的電子輸送材料層的BH、作為藍(lán)色發(fā)光材料的BD1、作為第2有機(jī)發(fā)光層的電子輸送層的ET1、作為中間連接層的供電子體層和第2有機(jī)發(fā)光層的電子注入層的LiF、作為陰極材料的Al。首先，成膜形成膜厚40nm的Acl膜起第1有機(jī)發(fā)光層的空穴注入層的作用，然后成膜形成膜厚40mn的HTl膜起空穴輸送層的作用，接著將化合物BH和化合物BD1以40:2的比例共蒸鍍形成厚40nm的膜作為第1有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)層。在該膜上成膜形成膜厚20mn的化合物BH<table>tableseeoriginaldocumentpage54</column></row><table>[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage55</column></row><table>由此證實(shí)通過使用含有含芳香族環(huán)化合物材料的電子輸送材料層的中間連接層，可實(shí)現(xiàn)高L/J效率和低電壓。工業(yè)上的可利用性本發(fā)明的有機(jī)EL元件可作為以藍(lán)色為代表的各色有機(jī)EL用材料而使用，可適用于各種顯示元件、顯示器、背光源、照明光源、標(biāo)志、廣告牌、室內(nèi)裝飾等領(lǐng)域，特別適合作為彩色顯示器的顯示元件。權(quán)利要求1.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其在陽極和陰極之間介入有至少2層有機(jī)發(fā)光層，在所述有機(jī)發(fā)光層之間具有至少1層中間連接層，所述中間連接層由受電子體層、供電子體層和含有不為金屬絡(luò)合物的芳香族環(huán)化合物的電子輸送材料層依次從陰極側(cè)層疊而成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物含有蒽環(huán)、芘環(huán)、窟環(huán)、芴環(huán)結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(1)表示的化合物，式中，Ar、Ar'分別是取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為560的芳基，或者取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為560的雜芳基；X分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的雜芳基，取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸基，取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸氧基，取代或未取代的碳原子數(shù)為650的芳垸基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基，取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基羰基、羧基、卣原子、氰基、硝基或羥基；a和b分別是04的整數(shù)；n是13的整數(shù)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(2)表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>(2)式中，A一和Ar2分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基，或者取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為560的雜芳基；m和n分別是l4的整數(shù)；WR"分別是氫原子，取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的雜芳基，取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷基，取代或未取代的環(huán)垸基，取代或未取代的碳原子數(shù)為l50的烷氧基，取代或未取代的碳原子數(shù)為650的芳烷基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基，取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基羰基，取代或未取代的甲硅烷基、羧基、鹵原子、氰基、硝基或羥基。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(3)表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>(3)式中，A'和A2分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為1020的稠合芳香族環(huán)基；A—和Ar4分別是氫原子、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基；R'R"分別是氫原子，取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的雜芳基，取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸基，取代或未取代的環(huán)烷基，取代或未取代的碳原子數(shù)為l50的烷氧基，取代或未取代的碳原子數(shù)為650的芳烷基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基，取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基，取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基羰基，取代或未取代的甲硅垸基、羧基、鹵原子、氰基、硝基或羥基；Ar3、Ar4、R9和R1。分別可以為多個基團(tuán)，也可以與相鄰的基團(tuán)形成飽和或不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(4)表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>式中，R"R"分別表示氫原子、垸基、環(huán)垸基、取代或未取代的芳基、烷氧基、芳氧基、垸基氨基、鏈烯基、芳基氨基、取代或未取代的雜環(huán)基;a和b分別表示15的整數(shù)，當(dāng)它們?yōu)?以上時，RH之間或R^之間可以相同也可以不同，R"之間或R"之間也可鍵合而形成環(huán)，R"和R14、R"和R16、R口和R18、R"和R^也可以相互鍵合而形成環(huán)；U表示單鍵、-O-、-S-、-N(R)-、亞烷基或亞芳基，-N(R)-中的R為垸基、或者取代或未取代的芳基。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(5)表示的化合物，(5)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>式中，R"R"分別表示氫原子、烷基、環(huán)垸基、芳基、垸氧基、芳氧基、烷基氨基、芳基氨基、取代或未取代的雜環(huán)基；c、d、e和f分別表示l5的整數(shù)，當(dāng)它們?yōu)?以上時，R"之間、R"之間、1126之間或R"之間可以相同也可以不同，R"之間、1122之間、R"之間或R"之間也可相互鍵合而形成環(huán)，R"和R24、R"和R"也可以相互鍵合而形成環(huán)；W表示單鍵、-O-、-S-、-N(R)-、亞垸基或亞芳基，-N(R)-中的R為垸基、取代或未取代的芳基。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物是下式(6)表示的化合物，(<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>(6)式中，乂1是取代或未取代的芘殘基；八3和B!分別是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為350的芳香族烴基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為150的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷基或亞烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的鏈烯基或亞鏈烯基；ArS是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為350的芳香族烴基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為150的芳香族雜環(huán)基；Y1分別是取代或未取代的芳基；f是l3的整數(shù)，e和i分別是04的整數(shù)，h是03的整數(shù)，g是l5的整數(shù)。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(7)表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>式中，A,和A,分別是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基；L3和L4分別是取代或未取代的亞苯基、取代或未取代的亞萘基、取代或未取代的亞芴基、取代或未取代的亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯；m是02的整數(shù)，n是14的整數(shù)，s是02的整數(shù)，t是04的整數(shù)，1^或A/鍵合于芘的15位中的任一位置，1/或&7鍵合于芘的610位中的任一位置。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(8)表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>式中，A"A〒分別是取代或未取代的聯(lián)苯基、或者取代或未取代的萘基。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(9)表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>分別是氫原子、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的亞芳基；A"A"分別是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基；R"R"分別是氫原子，碳原子數(shù)為16的垸基，碳原子數(shù)為36的環(huán)垸基，碳原子數(shù)為16的烷氧基，碳原子數(shù)為518的芳氧基，碳原子數(shù)為718的芳垸基氧基，碳原子數(shù)為516的芳基氨基、硝基、氰基、碳原子數(shù)為16的酯基或鹵原子；A8A13中的至少一個是具有3環(huán)以上的稠合芳環(huán)的基團(tuán)。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述電子輸送材料層的芳香族環(huán)化合物為下式(10)表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>式中，R^和R"表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代氨基、氰基或鹵原子，鍵合于不同的芴基的R"之間、R"之間可以相同也可以不同，鍵合于相同的芴基的R1和W可以相同也可以不同；R"和R"表示氫原子、取代或未取代的垸基、取代或未取代的芳垸基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的雜環(huán)基，鍵合于不同的芴基的R"之間、R"之間可以相同也可以不同，鍵合于相同的芴基的R"和R37可以相同也可以不同；AfS和A一表示苯環(huán)的總數(shù)為3個以上的取代或未取代的稠合多環(huán)芳基、或者苯環(huán)和雜環(huán)的總數(shù)為3個以上的取代或未取代的以碳與荷基鍵合的稠合多環(huán)雜環(huán)基；Ar8和Ar9可以相同也可以不同；n表示110的整數(shù)。13.根據(jù)權(quán)利要求112中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述供電子體層的供電子體是堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬的氧化物、堿金屬的鹵化物、堿土金屬的氧化物、堿土金屬的鹵化物、稀土金屬的氧化物、稀土金屬的鹵化物、堿金屬的有機(jī)絡(luò)合物、堿土金屬的有機(jī)絡(luò)合物和稀土金屬的有機(jī)絡(luò)合物。14.根據(jù)權(quán)利要求113中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述接收層的受電子體是具有吸電性取代基或缺電子環(huán)的有機(jī)化合物。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述受電子體層的受電子體是醌型衍生物、芳基硼烷衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘二甲酰亞胺衍生物或六氮雜苯并(9，10)菲衍生物。全文摘要有機(jī)EL元件(1)，其在陽極(20)和陰極(50)之間介入有至少2層有機(jī)發(fā)光層(30)、(32)、(34)，在有機(jī)發(fā)光層(30)、(32)、(34)之間具有至少1層中間連接層(40)、(42)，中間連接層(40)、(42)由受電子體層、供電子體層和含有非金屬絡(luò)合物的芳香族環(huán)化合物的電子輸送材料層按此順序從陰極(50)側(cè)層疊而成。文檔編號C09K11/06GK101444141SQ20078001706公開日2009年5月27日申請日期2007年5月9日優(yōu)先權(quán)日2006年5月11日發(fā)明者山本弘志,均熊,細(xì)川地潮申請人:出光興產(chǎn)株式會社