專利名稱：系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置用樹脂組成物套組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種適合用于制作系統(tǒng)級封裝(system-in-package，以下簡稱為SIP)型半導(dǎo)體裝置的樹脂組成物。詳細(xì)而言，本發(fā)明是涉及一種樹脂組成物套組，此樹脂組成物套組由根據(jù)特定特性的觀點而選擇的底部填充劑及樹脂密封劑的組合構(gòu)成，并且可提供與基板表面的密著性以及耐高溫?zé)釠_擊性優(yōu)良的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：
隨著電氣機(jī)器的小型化、輕量化、高功能化，半導(dǎo)體的封裝方法的主流也由插針型(pin-insertion type)向表面封裝(surface mounting)轉(zhuǎn)變。近年來，廣泛使用SIP，此SIP是通過將多個半導(dǎo)體元件(硅芯片，silicon die)形成一個封裝(package)，來減少表面封裝面積。特別是也使用堆疊積層(stack lamination)型SIP，此SIP是在以倒裝芯片(flip chip)方式封裝的半導(dǎo)體元件上積層至少一個其他半導(dǎo)體裝置，且以打線接合(wire bonding)連接。
如圖1所示，倒裝芯片是在基板1的布線圖案(wiring pattern)面上介隔多個凸點(bump)2來搭載半導(dǎo)體芯片3的方式，所述基板1與半導(dǎo)體芯片3的間隙(焊料凸點(solder bump)2之間的間隙)中填充了底部填充劑4。圖2以及圖3是如下SIP，即，在利用所述倒裝芯片進(jìn)行連接的半導(dǎo)體芯片上，模片固定粘接劑層(die attach adhesivelayer)5來積層其他半導(dǎo)體芯片。
必須使此SIP在進(jìn)行回流焊(soldering reflow)時不在底部填充劑與芯片(die)或者基板的界面產(chǎn)生剝離，在基板封裝時不在封裝中產(chǎn)生龜裂(crack)。特別是隨著焊料(solder)的無鉛化，有必要以底部填充劑來彌補已降低的焊料接著性。
作為不會產(chǎn)生所述剝離以及龜裂的樹脂，提出有液狀環(huán)氧樹脂/烷基取代芳香族二胺系樹脂材料(日本專利特開平9-176287號公報、日本專利特開平9-176294號公報)。一般認(rèn)為，此材料與基板、金屬、阻焊劑(solder resist)等的接著性優(yōu)良，可提供耐回流焊性(reflow resistance)、耐溫度循環(huán)龜裂性優(yōu)良的高可靠性封裝。


發(fā)明內(nèi)容
但是，發(fā)現(xiàn)在以樹脂密封導(dǎo)體裝置整體后，這些樹脂有時也會產(chǎn)生剝離等。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種底部填充劑及樹脂密封劑，所述底部填充劑即使在裝置被樹脂密封以后，也不會在基板的界面產(chǎn)生剝離，所述樹脂密封劑與所述底部填充劑組合后，可提供高可靠性封裝。
即，本發(fā)明如下所述。
〔1〕一種套組，其是用來形成系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置的底部填充部的底部填充劑、用來形成系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置的樹脂密封部的樹脂密封劑的套組，系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置包括 基板；以倒裝芯片方式連接在基板上的第一半導(dǎo)體元件； 第一半導(dǎo)體元件與基板之間的底部填充部；配置在第一半導(dǎo)體元件上側(cè)的至少1個第二半導(dǎo)體元件；以及 覆蓋第一半導(dǎo)體元件、底部填充部以及第二半導(dǎo)體元件的樹脂密封部。
套組之特點在于滿足下述條件 1)底部填充劑硬化物的Tg大于等于100℃，并且與樹脂密封劑硬化物的Tg之差小于等于20℃； 2)底部填充劑硬化物在小于等于(Tg-30℃)的溫度下的線膨脹系數(shù)(coefficientof linear expansion)與樹脂密封劑硬化物在小于等于(Tg-30℃)的溫度下的線膨脹系數(shù)之和小于等于42ppm/℃；以及 3)樹脂密封劑硬化物在小于等于(Tg-30℃)下的線膨脹系數(shù)相對于底部填充劑硬化物在小于等于(Tg-30℃)下的線膨脹系數(shù)之比為0.3～1.0。
〔2〕一種半導(dǎo)體裝置，其是系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置，系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置包括 基板； 以倒裝芯片方式連接在基板上的第一半導(dǎo)體元件； 第一半導(dǎo)體元件與基板之間的底部填充部； 配置在第一半導(dǎo)體元件上側(cè)的至少1個第二半導(dǎo)體元件；以及 覆蓋第一半導(dǎo)體元件、底部填充部以及第二半導(dǎo)體元件的樹脂密封部。
半導(dǎo)體裝置的特點在于底部填充部以及樹脂密封部分別由〔1〕的套組的底部填充劑硬化物以及樹脂密封劑硬化物所構(gòu)成。因為底部填充劑硬化物與樹脂密封劑硬化物的Tg以及線膨脹系數(shù)為特定組合，所以套組在回流焊時等即使處于高溫中，也不會在硬化物間等產(chǎn)生剝離。



圖1是倒裝芯片型半導(dǎo)體裝置的一例的剖面圖。
圖2是系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置的一例的剖面圖。
圖3是系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置的一例的剖面圖。
[符號的說明] 1有機(jī)基板 2凸點 3半導(dǎo)體芯片 4底部填充部 5芯片粘接部 6樹脂密封部
具體實施例方式 對所述1)～3)的各條件加以說明。條件1)是底部填充劑硬化物的Tg與樹脂密封劑硬化物的Tg的關(guān)系。Tg的測定可利用熱機(jī)械分析(thermomechanical analysis，TMA)分析、粘彈性測定(viscoelasticity test)等眾所周知的方法進(jìn)行。底部填充劑硬化物的Tg大于等于100℃，優(yōu)選大于等于120℃。如果此Tg小于100℃，則有回流焊時所述底部填充劑硬化物與元件的密著性下降而產(chǎn)生剝離的情況。Tg的上限實際上為200℃左右。并且，此Tg與樹脂密封劑硬化物的Tg之差小于等于20℃，差也可以為0℃，即兩者的Tg相同。2個Tg中無論哪-個較高均可。如果所述差大于等于20℃，則處于高熱時，會存在如下情況在底部填充部與樹脂密封部之間施加應(yīng)力，而產(chǎn)生底部填充部及樹脂密封部的剝離、底部填充部與鈍化膜(passivation film)的剝離。
所述2)以及3)是線膨脹系數(shù)的關(guān)系。線膨脹系數(shù)例如可利用TMA分析進(jìn)行測定。在小于等于(Tg-30℃)的溫度下的線膨脹系數(shù)如果小于等于(Tg-30℃)，則在任意溫度范圍內(nèi)均無有意義的差，在本發(fā)明中使用50℃～80℃。在小于等于(Tg-30℃)的溫度下，底部填充劑硬化物的線膨脹系數(shù)與樹脂密封劑硬化物的線膨脹系數(shù)之和小于等于42ppm/℃，優(yōu)選小于等于40ppm/℃。如果此和大于42ppm/℃，則存在如下情況在高熱下會施加應(yīng)力，而產(chǎn)生底部填充部與樹脂密封部的剝離、底部填充部與鈍化膜的剝離。
并且，所述兩者之比，即在小于等于(Tg-30℃)的溫度下的樹脂密封劑硬化物的線膨脹系數(shù)/在小于等于(Tg-30℃)的溫度下的底部填充劑硬化物的線膨脹系數(shù)，為0.3～1.0，優(yōu)選0.3～0.9。在此比小于所述下限值的情況下，有在與底部填充部之間產(chǎn)生龜裂或者剝離的顧慮。另一方面，在此比大于所述上限值，即樹脂密封劑硬化物的線膨脹系數(shù)大于底部填充劑硬化物的線膨脹系數(shù)的情況下，也有產(chǎn)生龜裂的顧慮。
優(yōu)選的底部填充劑含有 (A)環(huán)氧樹脂； (B)硬化劑，其量滿足[(A)環(huán)氧樹脂中環(huán)氧基的當(dāng)量/(B)硬化劑中的環(huán)氧基及反應(yīng)性基團(tuán)的當(dāng)量]為0.7～1.2；以及 (C)無機(jī)填充劑，相對于100重量份(A)，此(C)無機(jī)填充劑為50重量份～500重量份。以下，對各成分加以說明。
(A)環(huán)氧樹脂 本發(fā)明中所使用的(A)環(huán)氧樹脂優(yōu)選為雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂等雙酚(bisphenol)型環(huán)氧樹脂，苯酚酚醛清漆(phenol novolac)型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆(cresol novolac)型環(huán)氧樹脂等酚醛清漆(novolac)型環(huán)氧樹脂，萘(naphthalene)型環(huán)氧樹脂，聯(lián)苯(biphenyl)型環(huán)氧樹脂，環(huán)戊二烯(dicyclopentadiene)型環(huán)氧樹脂等，以及這些環(huán)氧樹脂的混合物。這些環(huán)氧樹脂中，優(yōu)選雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂。
也優(yōu)選使用以下述式表示的環(huán)氧樹脂。


此處，R是碳數(shù)為1～20、優(yōu)選為1～10、更優(yōu)選為1～3的一價烴基，例如可列舉甲基、乙基、丙基等烷基，乙烯基、烯丙基等烯基等。另外，n是1～4的整數(shù)，特別是1或者2。
此外，在使用所述式(5)的環(huán)氧樹脂時，推薦此環(huán)氧樹脂的含量在總環(huán)氧樹脂中為25wt％(重量百分比)～100wt％，更優(yōu)選為50wt％～100wt％，最優(yōu)選為75wt％～100wt％。如果所述環(huán)氧樹脂的含量小于25wt％，則有組成物的粘度上升、或者硬化物的耐熱性下降的顧慮。所述通式(5)的環(huán)氧樹脂之例，可列舉日本化藥公司制造的MRGE等。
(B)硬化劑 環(huán)氧樹脂的硬化劑，可列舉胺(amine)系、聚硫醇(polymercaptan)系、咪唑(imidazole)系、酸酐(anhydride)系以及雙氰胺(dicyandiamide)等。優(yōu)選使用胺硬化劑以及酸酐硬化劑。胺硬化劑優(yōu)選以下述通式(1)～(4)表示的至少1種芳香族胺化合物。


(式中，R1～R4獨立為選自碳數(shù)為1～6的一價烴基、CH3S-以及C2H5S-的基團(tuán)。) 上式中，R1～R4的一價烴基優(yōu)選碳數(shù)為1～6的基團(tuán)，特別優(yōu)選碳數(shù)為1～3的基團(tuán)，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、己基等烷基，乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、己烯基等烯基，苯基等，或者這些烴基的氫原子的一部分或者全部被氯、氟、溴等鹵原子取代的氯甲基、溴乙基、三氟丙基等被鹵素取代的一價烴基。
所述芳香族胺系硬化劑通常在常溫下為固體，如果直接調(diào)配，則樹脂粘度會上升，操作性明顯變差，因此優(yōu)選在不與環(huán)氧樹脂反應(yīng)的溫度下進(jìn)行熔融混合。即，希望以后述調(diào)配量，在70℃～150℃的溫度范圍，與環(huán)氧樹脂熔融混合1小時～2小時。如果混合溫度低于70℃，則有芳香族胺系硬化劑變得難以充分相容的顧慮，如果混合溫度高于150℃，則有與環(huán)氧樹脂反應(yīng)而粘度上升的顧慮。并且，如果混合時間小于1小時，則有芳香族胺系硬化劑并不充分相容而導(dǎo)致粘度上升的顧慮，如果混合時間大于2小時，則有與環(huán)氧樹脂反應(yīng)而粘度上升的顧慮。
酸酐硬化劑，可列舉甲基四氫鄰苯二甲酸酐(methyl tetrahydrophthalic anhydride)、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基雙環(huán)庚烯二甲酸酐(methyl himicanhydride)、均苯四甲酸二酐(Pyromellitic dianhydride)、順丁烯二?；瘎e羅勒烯(Allo-ocimene Maleate)、二苯甲酮四甲酸二酐(benzophenone tetracarboxylicdianhydride)、3，3′，4，4′-聯(lián)苯四雙二苯甲酮四甲酸二酐、(3，4-二羧基苯基)醚二酐((3，4-dicarboxy phenyl)ether dianhydride、雙(3，4-二羧基苯基)甲烷二酐(bis(3，4-dicarboxy phenyl)methane dianhydride、2，2-雙(3，4-二羧基苯基)丙烷二酐、3，4-二甲基-6-(2-甲基-1-丙烯基)-1，2，3，6-四氫鄰苯二甲酸酐、1-異丙基-4-甲基-二環(huán)[2.2.2]辛-5-烯-2，3-二甲酸酐的混合物。特別優(yōu)選甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、3，4-二甲基-6-(2-甲基-1-丙烯基)-1，2，3，6-四氫鄰苯二甲酸酐、1-異丙基-4-甲基-二環(huán)[2.2.2]辛-5-烯-2，3-二甲酸酐以及這些酸酐的混合物。所述硬化劑，例如市售有Rikacid MH700(新日本理化股份有限公司制造)、YH306、YH307(日本環(huán)氧樹脂公司制造)。
以相對于(A)環(huán)氧樹脂的當(dāng)量比[(A)環(huán)氧樹脂/(B)硬化劑]計，將(B)硬化劑的調(diào)配量設(shè)為大于等于0.7且小于等于1.2、優(yōu)選0.8～1.0的范圍。調(diào)配摩爾比小于所述下限值時，有如下顧慮殘存未反應(yīng)的環(huán)氧基，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(glass transitiontemperature)降低，且密著性降低。調(diào)配摩爾比大于所述上限值時，有如下顧慮硬化物變硬變脆，在回流焊時或者溫度循環(huán)時會產(chǎn)生龜裂。
(C)無機(jī)填充劑 無機(jī)填充劑(C)可使用眾所周知的各種無機(jī)填充劑。例如可列舉熔融二氧化硅、結(jié)晶二氧化硅、氧化鋁(alumina)、氮化硼(boron nitride)、氮化鋁(aluminium nitride)、氮化硅、氧化鎂(magnesia)、硅酸鎂(magnesium silicate)、鋁等。所述無機(jī)填充劑中，從使組成物的粘度降低的方面考慮，優(yōu)選細(xì)球狀(fine spherical)的熔融二氧化硅，更優(yōu)選利用溶膠凝膠法(sol-gel method)或者爆燃法(deflagration method)制造的球狀二氧化硅。
為了增強與樹脂的結(jié)合強度，無機(jī)填充劑優(yōu)選調(diào)配預(yù)先以硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯偶聯(lián)劑等偶聯(lián)劑進(jìn)行表面處理的無機(jī)填充劑。所述偶聯(lián)劑，優(yōu)選使用γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷(γ-glycidoxy propyl triethoxy silane)、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷等環(huán)氧基硅烷，N-β(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基硅烷、γ-胺基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基硅烷等胺基硅烷，γ-巰基硅烷(γ-mercaptosilane)等巰基硅烷等硅烷偶聯(lián)劑。此處對表面處理所使用的偶聯(lián)劑的調(diào)配量以及表面處理方法并無特別限制。
無機(jī)填充劑的粒徑優(yōu)選根據(jù)半導(dǎo)體裝置的間隙尺寸(gap size)、即基板與半導(dǎo)體芯片的間隙寬度來進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。間隙尺寸典型的是10μm～200μm左右，此時，從底部填充劑的粘度以及硬化物的線膨脹系數(shù)方面考慮，平均粒徑為0.1μm～5μm，優(yōu)選0.5μm～2μm。如果平均粒徑小于所述下限值，則組成物的粘度上升，變得難以浸入到間隙內(nèi)；如果平均粒徑大于所述上限值，則有填充劑阻礙浸入而產(chǎn)生未填充部分的顧慮。
并且，無機(jī)填充劑優(yōu)選具有如下粒度分布具有大于等于所述間隙尺寸1/2的粒徑的無機(jī)填充劑少于等于無機(jī)填充劑全體的0.1wt％，特別優(yōu)選0wt％～0.08wt％。優(yōu)選使用如下無機(jī)填充劑相對于間隙尺寸，平均粒徑(d50中值粒徑(median size))小于等于約1/10，最大粒徑(d9898％累積徑)小于等于1/2。此外，填充劑的粒徑及粒度分布可利用激光衍射法的粒度分布測定來獲得。另外，相對于間隙尺寸粒徑大于等于1/2的填充劑的測定方法，例如可使用粒徑檢查方法，此粒徑檢查方法是將無機(jī)填充劑與純水以1∶9(重量)的比例混合，然后進(jìn)行超聲波處理使凝集物充分粉碎，接著以孔徑尺寸為間隙尺寸的1/2的過濾器篩濾所述凝集物，秤量篩上的剩余量。
為了控制所述粒徑及其分布，發(fā)現(xiàn)最適合的是溶膠凝膠法或者爆燃法。與熔融二氧化硅相比，以這些方法制造出的球狀二氧化硅具有為細(xì)球狀且粒度分布也易于設(shè)計的優(yōu)點。此外，溶膠凝膠法以及爆燃法可以是先前眾所周知的方法。
大于等于無機(jī)填充劑全體的80wt％、特別優(yōu)選90wt％～100wt％、尤其優(yōu)選95wt％～100wt％，優(yōu)選以溶膠凝膠法或者爆燃法制造的球狀二氧化硅。如果小于無機(jī)填充劑的80wt％，則有組成物的流動性較差的情況。
相對于100重量份(A)環(huán)氧樹脂，無機(jī)填充劑(C)的調(diào)配量優(yōu)選設(shè)為50重量份～500重量份，更優(yōu)選為100重量份～400重量份的范圍。如果所述調(diào)配量小于所述下限值，則有硬化物的膨脹系數(shù)變大的顧慮。如果所述調(diào)配量大于所述上限值，則有組成物的粘度變高，對間隙的浸入性不良的顧慮。
其他成分 為了降低硬化物的應(yīng)力，可在本發(fā)明的底部填充劑中，以不阻礙本發(fā)明目的之量調(diào)配硅酮改性環(huán)氧樹脂(silicone modified epoxy resin)、硅橡膠(silicone gum)、硅油(silicone oil)、液態(tài)的聚丁二烯橡膠(polybutadiene gum)、甲基丙烯酸甲酯-丁二烯-苯乙烯等柔性樹脂(flexibility resin)、用于提高接著性的碳官能性硅烷、碳黑(carbonblack)等顏料、染料、抗氧化劑。
硅酮改性環(huán)氧樹脂優(yōu)選硅酮環(huán)氧改性樹脂，其是由通過使含有烯基的環(huán)氧樹脂或者含有烯基的酚樹脂的烯基、與有機(jī)聚硅氧烷(organopolysiloxane)的SiH基進(jìn)行加成反應(yīng)(addition reaction)而獲得的共聚物所構(gòu)成，所述有機(jī)聚硅氧烷是以下述平均組成式(6)表示，1分子中的硅原子數(shù)為20～400，且與硅原子直接鍵結(jié)的氫原子(SiH基)個數(shù)為1～5，優(yōu)選2～4，特別優(yōu)選2個。
HaR5bSiO(4-a-b)(6) (其中，式中R5是被取代或者未被取代的一價烴基，a為0.01～0.1，b為1.8～2.2，且1.81≤a+b≤2.3) 所述式中的R5的一價烴基，優(yōu)選碳數(shù)為1～10、特別優(yōu)選1～8的烴基，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、己基、辛基、癸基等烷基，乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、己烯基等烯基，苯基、二甲苯基、甲苯基等芳基，芐基、苯乙基、苯丙基等芳烷基等，或者這些烴基的氫原子的一部分或者全部被氯、氟、溴等鹵原子取代的氯甲基、溴乙基、三氟丙基等被鹵素取代的一價烴基。
所述共聚物優(yōu)選以下述式(7)表示的結(jié)構(gòu)。

所述式(7)中，R5如上所述，R6為-CH2CH2CH2-、-OCH2-CH(OH)-CH2-O-CH2CH2CH2-或-O-CH2CH2CH2-，R7是氫原子或者碳數(shù)為1～4的烷基。n為4～199、優(yōu)選19～109的整數(shù)，p為1～10的整數(shù)，q為1～10的整數(shù)。
調(diào)配所述硅酮改性環(huán)氧樹脂時，相對于100重量份(A)環(huán)氧樹脂，優(yōu)選以有機(jī)硅氧烷部分的量含有1重量份～20重量份、特別是2重量份～15重量份之方式進(jìn)行調(diào)配，借此，可降低硬化物的應(yīng)力，并提高對基板的密著性。此處，有機(jī)硅氧烷部分的量以下述式表示。
有機(jī)硅氧烷部分的量＝(有機(jī)硅氧烷部分的分子量/硅酮改性環(huán)氧樹脂的分子量)×添加量 底部填充劑的制備 本發(fā)明的底部填充劑，例如是將所述(A)～(C)無機(jī)填充劑以及所需的任意成分，同時或者分別，根據(jù)需要一邊進(jìn)行加熱處理，一邊進(jìn)行攪拌、溶解、混合、分散。這些操作中所使用的裝置并無特別限定，可使用具備攪拌、加熱裝置的擂潰機(jī)、三輥混合機(jī)(three roll)、球磨機(jī)(ball mill)、行星式混合機(jī)(planetary mixer)等。另外，也可將這些裝置加以適當(dāng)組合。
以所述制備法獲得的底部填充劑，優(yōu)選在25℃下具有1Pa·s～500Pa·s的粘度，特別優(yōu)選具有1Pa·s～150Pa·s的粘度。此底部填充劑的成形方法、成形條件可為眾所周知，優(yōu)選最初在100℃～120℃下進(jìn)行大于等于0.5小時的熱烘箱固化(hot oven cure)，接著在150℃～175℃下進(jìn)行大于等于0.5小時的熱烘箱處理。如果100℃～120℃下的加熱小于0.5小時，則有在硬化后產(chǎn)生空隙(void)的情況。另外，如果150℃～175℃下的加熱小于0.5小時，則有無法獲得充分的硬化物特性的情況。
其次，對本發(fā)明中的樹脂密封劑加以說明。樹脂密封劑含有 (a)聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂或者三苯基環(huán)氧樹脂； (b)聯(lián)苯基芳烷基型酚樹脂或者三苯基酚樹脂，其量滿足[(a)聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂或者三苯基環(huán)氧樹脂中環(huán)氧基的當(dāng)量/(b)聯(lián)苯基芳烷基型酚樹脂或者三苯基酚樹脂中酚性羥基的當(dāng)量]為0.8～1.2；以及 (c)無機(jī)填充劑，相對于(a)聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂或者三苯基環(huán)氧樹脂與(b)聯(lián)苯基芳烷基型酚樹脂或者三苯基酚樹脂的總量100重量份，所述無機(jī)填充劑為500重量份～1,100重量份。以下對各成分加以說明。
(a)聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂或者三苯基環(huán)氧樹脂 密封劑的環(huán)氧樹脂，例如使用以下述式表示的環(huán)氧樹脂。

式中，R1是碳數(shù)為1～4的烷基，例如可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基等，其中優(yōu)選甲基。a為0～4，b為0～3的整數(shù)，Q為0～10的數(shù)。此樹脂的硬化物的柔性優(yōu)良，彈性率低且耐沖擊性優(yōu)良。
以上式表示的樹脂，可例示以下樹脂。

(式中，p為0.5～1.5。) 三苯基環(huán)氧樹脂，例如有以下述式表示的樹脂。

此處，Gr是縮水甘油基。此樹脂從高耐熱性方面來看較為有用。
可于密封劑組成物中并用其他環(huán)氧樹脂。所并用的環(huán)氧樹脂可列舉酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、三酚烷烴型環(huán)氧樹脂、雜環(huán)型環(huán)氧樹脂、含萘環(huán)的環(huán)氧樹脂、雙酚A型環(huán)氧化合物、雙酚F型環(huán)氧化合物、芪(stilbene)型環(huán)氧化合物等，這些環(huán)氧樹脂中，可單獨使用1種，或者混合2種或2種以上使用。另外，這些環(huán)氧樹脂中，優(yōu)選熔融時粘度低的雙酚A型環(huán)氧化合物、雙酚F型環(huán)氧化合物、芪型環(huán)氧化合物等。此外，并用其他環(huán)氧樹脂時，所述雙苯基樹脂、三官能性環(huán)氧樹脂量優(yōu)選為(a)聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂或者三苯基環(huán)氧樹脂的50wt％～100wt％，更優(yōu)選為70wt％～100wt％。
(b)聯(lián)苯基芳烷基型酚樹脂或者三苯基酚樹脂 使用以下述式表示的聯(lián)苯基芳烷基型酚樹脂可提供耐熱性及耐龜裂性優(yōu)良的硬化物，因此優(yōu)選使用。

式中，R2是碳數(shù)為1～4的烷基，例如為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基或者苯基，其中優(yōu)選甲基、苯基。a為0～4，b為0～3的整數(shù)，Q為0～10的數(shù)。
以上式表示的酚樹脂，可例示以下樹脂。

(式中，m平均為0.5～1.5。) 三酚樹脂以下述式表示。

式中，R是氫原子或者碳數(shù)為1～4的烷基，例如為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基。
三酚型樹脂的耐熱性優(yōu)良，且粘度低，因此可提高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，實現(xiàn)填料(filler)的高填充化，例如可使用R為氫原子的下述樹脂。

此外，(b)聯(lián)苯基芳烷基型酚樹脂或者三苯基酚樹脂也可含有其他酚樹脂硬化劑。例如可與如下樹脂并用苯酚酚醛清漆樹脂、含萘環(huán)的酚樹脂、苯酚芳烷基型酚樹脂、聯(lián)苯型酚樹脂、脂環(huán)式酚樹脂、雜環(huán)型酚樹脂、雙酚A型酚樹脂、雙酚F型酚樹脂等。并用時，優(yōu)選設(shè)為小于等于(b)聯(lián)苯基芳烷基型酚樹脂或者三苯基酚樹脂的50wt％，更優(yōu)選為30wt％。
所述(a)聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂或者三苯基環(huán)氧樹脂及(b)聯(lián)苯基芳烷基型酚樹脂或者三苯基酚樹脂的調(diào)配比例如果是相對于(a)聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂或者三苯基環(huán)氧樹脂的環(huán)氧基1當(dāng)量，(b)聯(lián)苯基芳烷基型酚樹脂或者三苯基酚樹脂中所含的苯酚當(dāng)量小于0.8，則有成型時的硬化性變差的情況，如果大于1.2，則有硬化物的吸水量增大的情況。
(c)無機(jī)填充劑 (c)無機(jī)填充劑，可使用通常調(diào)配于樹脂組成物中的填充劑，例如可列舉球狀的熔融二氧化硅、破碎狀熔融二氧化硅、結(jié)晶性二氧化硅等二氧化硅類，氧化鋁、莫來石(mullite)、氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氧化鈦、玻璃纖維等。這些無機(jī)填充劑中，優(yōu)選二氧化硅，特別優(yōu)選球狀的熔融二氧化硅，從成形性、流動性方面考慮，更優(yōu)選其平均粒徑為5μm～30μm、且以濕篩法測定的大于75μm的粒徑少于等于0.2wt％的二氧化硅。
(c)無機(jī)填充劑的調(diào)配量優(yōu)選相對于(a)聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂或者三苯基環(huán)氧樹脂與(b)聯(lián)苯基芳烷基型酚樹脂或者三苯基酚樹脂的總量100重量份設(shè)為500重量份～1,100重量份。如果所述調(diào)配率小于500重量份，則樹脂的比例較高，線膨脹系數(shù)變大，有時半導(dǎo)體裝置會產(chǎn)生翹曲。另外，如果所述調(diào)配量大于1,100重量份，則有因粘度變高而難以成形的顧慮。
此外，為了增強樹脂與無機(jī)填充劑表面的結(jié)合強度，無機(jī)填充劑優(yōu)選調(diào)配預(yù)先以胺基硅烷、環(huán)氧基硅烷等硅烷偶聯(lián)劑等進(jìn)行表面處理的填充劑。此處，對表面處理中所使用的偶聯(lián)劑量以及表面處理方法并無特別限制。
另外，密封劑組成物可進(jìn)一步調(diào)配各種添加劑。例如可在不損害本發(fā)明目的之范圍內(nèi)添加調(diào)配熱塑性樹脂、熱塑性彈性體、有機(jī)合成橡膠、硅酮系等低應(yīng)力劑、巴西棕櫚蠟(carnauba wax)等蠟類等脫模劑(mold release agent)、碳黑等著色劑、鹵化樹脂、銻氧化物、鉬酸鹽等阻燃劑、鹵素捕集劑(halogen trapping agent)等添加劑。
制備密封劑組成物的方法，可按照規(guī)定的組成比來調(diào)配環(huán)氧樹脂、酚樹脂硬化劑、無機(jī)填充劑以及所需的其他添加物，以亨舍爾混合機(jī)(Henschel mixer)等將其充分均勻地混合，然后利用熱輥(hot roll)、捏合機(jī)(kneader)、擠壓機(jī)(extruder)等進(jìn)行熔融混合處理，接著使其冷卻固化，粉碎成適當(dāng)大小，來制作成形材料。另外，為了在進(jìn)行攪拌、混合以及分散時使組成物充分融合，可添加先前眾所周知的各種硅烷偶聯(lián)劑。硅烷偶聯(lián)劑可使用與所述底部填充劑相關(guān)說明的偶聯(lián)劑相同的偶聯(lián)劑。
實施例 以下，列舉實施例以及比較例，來進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明。
底部填充劑的制備 通過將表1所示的各重量份的各成分以三輥混合機(jī)均勻地混練，來獲得12種液狀環(huán)氧樹脂組成物(UF-1～UF-12)。
在表1中，各成分如下所述。
(A)環(huán)氧樹脂 環(huán)氧樹脂A1以下述式表示的三官能型環(huán)氧樹脂(Epikote 630H日本環(huán)氧樹脂股份有限公司制造)
環(huán)氧樹脂A2以下述式表示的雙酚F型環(huán)氧樹脂(RE303S-L日本化藥股份有限公司制造)
(B)硬化劑 硬化劑B13，3′-二乙基-4，4′-二胺基二苯基甲烷(Kayahard AA日本化藥公司制造) 硬化劑B23，3′，5，5′-四乙基-4，4′-二胺基二苯基甲烷(C-300S日本化藥公司制造) 硬化劑B3以下述式表示的順丁烯二酰化別羅勒烯(Allo-ocimene Maleate)(YH307日本環(huán)氧樹脂股份有限公司制造)
硬化劑B4以下述式表示的六氫鄰苯二甲酸酐混合物(Rikacid MH700新日本理化股份有限公司制造)
(C)無機(jī)填充劑 球狀二氧化硅在下述粒徑檢查方法中，過濾器1剩余量(粒徑大于等于25μm)為0.01wt％、平均粒徑為2.5μm的以爆燃法制造的球狀二氧化硅。
二氧化硅粒徑檢查方法 將二氧化硅與純水以1∶9(重量)的比例混合，然后進(jìn)行超聲波處理，將凝集物充分粉碎，以過濾器1(孔徑為25μm)或者過濾器2(孔徑為10μm)篩濾，秤量篩上所殘留的二氧化硅來測定剩余量。進(jìn)行5次測定，將其平均值作為測定值，以wt％表示。
其他添加劑 硅烷偶聯(lián)劑γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷(KBM403信越化學(xué)工業(yè)股份有限公司制造) 溶劑聚乙二醇甲基乙基乙酸酯(PGMEA沸點為146℃) 硬化催化劑2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ四國化成股份有限公司制造) 對所得的各組成物進(jìn)行以下所示的試驗。將結(jié)果表示于表1中。
(1)粘度 對各組成物，依據(jù)JIS Z-8803，于測定溫度25℃下，使用E型粘度計，測定將樣品制成套組2分鐘后的值。
(2)Tg(玻璃化轉(zhuǎn)變溫度)、CTE1(小于等于(Tg-30℃)的溫度下的線膨脹系數(shù))、CTE2(大于Tg的溫度下的膨脹系數(shù)) 以10℃/min從常溫升溫，在200℃～260℃的溫度下保持大于等于30秒且小于等于5分鐘，獲得硬化物。將此硬化物冷卻至常溫，然后切割成5mm×5mm×15mm的試驗片，利用TMA(熱機(jī)械分析裝置)，以每分鐘5℃進(jìn)行升溫，來測定Tg。
硬化物的(Tg-30℃)小于100℃時，在-30℃～0℃下測定CTE1，在150℃～180℃下測定CTE2。
硬化物的(Tg-30℃)大于等于100℃時，在50℃～80℃下測定CTE1，在200℃～230℃下測定CTE2。
(3)空隙試驗 在倒裝芯片型半導(dǎo)體裝置的間隙中，滴下各樹脂組成物使其浸入，在165℃下使其硬化30分鐘，然后以C-SAM(SONIX公司制造)確認(rèn)有無空隙，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體裝置是在30mm×30mm的FR-4基板上，以間隙尺寸達(dá)到50μm的方式設(shè)置涂布有聚酰亞胺(polyimide，PI)膜的10mm×10mm硅芯片的倒裝芯片型半導(dǎo)體裝置。
(4)接著力試驗 在上表面直徑為2mm、下表面直徑為5mm、高度為3mm的圓錐臺(truncated cone)狀聚四氟乙烯制模具中注入各樹脂組成物，然后在其上載置涂布有PI膜的硅芯片，在150℃下使其硬化3小時。硬化后，以固定速度(1mm/sec)擠壓除去聚四氟乙烯制模具后獲得的試驗片，借此來測定剪斷接著力，作為初始值。進(jìn)一步，將硬化的試驗片在壓力鍋試驗機(jī)(pressure cooker tester)(121℃/2.1atm)中保存336小時后，以相同的方法測定接著力。在任一情況下均以5個試驗片進(jìn)行測定，將其平均值記作接著力。
(5)韌性值K1c 將各樹脂組成物在150℃下硬化3小時，然后根據(jù)ASTM#D5045，對所得的硬化物測定常溫下的韌性值K1c。
表1 樹脂密封劑的制備 通過將表2所示的各成分以三輥混合機(jī)進(jìn)行均勻混練，來獲得6種密封樹脂組成物(EMC-1～EMC-6)。
在表2中，各成分如下所述。
(a)環(huán)氧樹脂 環(huán)氧樹脂a1以下述式表示的聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂(NC-3000日本化藥股份有限公司制造)
環(huán)氧樹脂a2以下述式表示的三官能型環(huán)氧樹脂(EPPN-501H日本化藥股份有限公司制造)
(b)酚樹脂 酚樹脂b1以下述式表示的三官能型酚樹脂(MEH-7500明和化成股份有限公司制造)
酚樹脂b2以下述式表示的聯(lián)苯基芳烷基型酚樹脂(MEH-7851明和化成股份有限公司制造)
(c)無機(jī)填充劑 球狀二氧化硅在下述粒徑檢查方法中，過濾器1剩余量(粒徑大于等于25μm)為0.01wt％、平均粒徑為2.5μm的以爆燃法制造的球狀二氧化硅。
二氧化硅粒徑檢查方法 將二氧化硅與純水以1∶9(重量)的比例混合，然后進(jìn)行超聲波處理，將凝集物充分粉碎，以過濾器1(孔徑為25μm)或者過濾器2(孔徑為10μm)進(jìn)行篩濾，秤量篩上所殘留的二氧化硅，來測定剩余量。進(jìn)行5次測定，將其平均值作為測定值，以wt％表示。
其他添加劑 硬化促進(jìn)劑三苯基膦(北興化學(xué)股份有限公司制造) 硅烷偶聯(lián)劑γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷(KBM403信越化學(xué)工業(yè)股份有限公司制造) 碳黑(Denka Black電氣化學(xué)工業(yè)股份有限公司制造) 脫模劑巴西棕櫚蠟(Nikko Fine Products股份有限公司制造) 使用所得的各樹脂組成物，進(jìn)行以下所示的試驗。將其結(jié)果表示于表2中。
(1)旋流(spiral flow)值 使用符合EMMI規(guī)格的金屬模具，在175℃、6.9N/mm2、成形時間為120秒的條件下進(jìn)行測定。
(2)熔融粘度 使用高化式流變儀(Koka Flow Tester)，在10kgf的加壓條件下，使用直徑為1mm的噴嘴，在溫度175℃下測定粘度。
(3)Tg(玻璃化轉(zhuǎn)變溫度)、CTE1(低于等于(Tg-30℃)的溫度下的線膨脹系數(shù))、CTE2(高于Tg的溫度下的膨脹系數(shù)) 以10℃/min從常溫升溫，在180℃的溫度下保存24小時，獲得硬化物。將此硬化物冷卻至常溫，然后切割成5mm×5mm×15mm的試驗片，利用TMA(熱機(jī)械分析裝置)，以每分鐘5℃進(jìn)行升溫，來測定Tg。
硬化物的(Tg-30℃)低于100℃時，在-30℃～0℃下測定CTE1，在150℃～180℃下測定CTE2。
硬化物的(Tg-30℃)高于等于100℃時，在50℃～80℃下測定CTE1，在200℃～230℃下測定CTE2。
(4)凝膠化時間 在加熱至175℃的熱板上薄薄地攤開組成物，以刮刀(spatula)刮取樹脂，將樹脂從熱板面剝落的時刻作為凝膠化時間。
(5)韌性值K1c 在溫度為175℃、壓力為6.9N/mm2、成形時間為90秒的條件下使樹脂組成物成形，在180℃下硬化4小時后獲得硬化物，根據(jù)ASTM#D5045，測定此硬化物在常溫下的韌性值K1c。
(6)彎曲強度以及彈性率 在溫度為175℃、壓力為6.9N/mm2、成形時間為90秒的條件下使樹脂組成物成形，在180℃下硬化4小時后獲得硬化物，根據(jù)JIS#K6911，測定此硬化物在常溫下的彎曲彈性率、強度。
(7)比重 在溫度為175℃、壓力為6.9N/mm2、成形時間為90秒的條件下使樹脂組成物成形，在180℃下硬化4小時后獲得硬化物，根據(jù)JIS#K6911，測定此硬化物在常溫下的比重。
表2 實施例1～22、參考例1～19 使用表3所示的底部填充劑與樹脂密封劑的組合，制成SIP型半導(dǎo)體裝置，進(jìn)行以下所示的剝離試驗以及熱沖擊試驗。將結(jié)果表示于表3～表6中。
半導(dǎo)體裝置的制作 制作具有圖1所示結(jié)構(gòu)的試驗用半導(dǎo)體裝置。在厚度為0.4mm的雙順丁烯二酰亞胺三嗪樹脂(bismaleimide-triazine resin，BT樹脂)基板上，搭載封裝尺寸為32mm×32mm且厚度為1.2mm的10mm×10mm×0.3mm硅芯片，使用約100μm的間隔片(spacer)進(jìn)行設(shè)置，使樹脂浸入到所產(chǎn)生的間隙中，以120℃/0.5小時+165℃/3小時的條件使其硬化。
在175℃、6.9N/mm2、固化時間為2分鐘的轉(zhuǎn)變(transfer)條件下使樹脂密封劑成型，來密封所得的裝置，然后在175℃下進(jìn)行5小時的后固化(post cure)，利用切片機(jī)(dicer)切割(dicing)成12mm×12mm，獲得12mm×12mm×約3mm的半導(dǎo)體芯片。
(1)壓力鍋試驗 將18個以所述方法獲得的半導(dǎo)體芯片在30℃/65％RH的條件下放置192小時(JEDEC 3級的條件)后，使其通過設(shè)定為最高溫度265℃的IR回流焊爐5次，然后使用SONIX公司制造的超聲波影像診斷儀C-SAM來檢查有無剝離。接著，與上述同樣來檢查在壓力鍋中、121℃/2.1atm的環(huán)境下放置336小時后有無剝離。在表3～表6中，將未觀察到剝離的芯片以G表示，將觀察到剝離的芯片以NG表示。
(2)熱沖擊試驗 將18個以所述方法獲得的半導(dǎo)體芯片在30℃/65％RH的條件下放置192小時后，使其通過設(shè)定為最高溫度265℃的IR回流焊爐5次，然后以-65℃下30分鐘、150℃下30分鐘作為一個周期，與上述同樣檢查250、500、750、以及1000個周期后的剝離。在表3～表6中表示觀察到剝離的芯片數(shù)(％)。
表3 表4 表5 表6 參考例10～22中，底部填充劑與樹脂密封劑的Tg均具有大于20℃的差，在壓力鍋試驗中觀察到剝離。參考例1、2、4、5中，在小于等于Tg-30℃的溫度下的膨脹系數(shù)之和大于45ppm/℃，在回流焊后觀察到剝離。參考例3中，樹脂密封劑的線膨脹系數(shù)相對于底部填充劑的線膨脹系數(shù)之比小于0.3，在回流焊后觀察到剝離。
相對于這些情況，實施例1～22的裝置沒有剝離，耐熱沖擊性也優(yōu)良。
本發(fā)明的樹脂組成物套組適于制作耐熱沖擊性優(yōu)良的系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置。
權(quán)利要求
1.一種套組，其是用來形成系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置的底部填充部的底部填充劑、用來形成所述系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置的樹脂密封部的樹脂密封劑的套組，所述系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置包括
基板；
以倒裝芯片方式連接在所述基板上的第一半導(dǎo)體元件；
所述第一半導(dǎo)體元件與所述基板之間的所述底部填充部；
配置在所述第一半導(dǎo)體元件上側(cè)的至少一個第二半導(dǎo)體元件；以及
覆蓋所述第一半導(dǎo)體元件、所述底部填充部以及所述第二半導(dǎo)體元件的所述樹脂密封部，
所述套組的特征在于滿足下述條件
1)底部填充劑硬化物的Tg大于等于100℃，并且與樹脂密封劑硬化物的Tg之差小于等于20℃；
2)所述底部填充劑硬化物在小于等于(Tg-30℃)的溫度下的線膨脹系數(shù)與所述樹脂密封劑硬化物在小于等于(Tg-30℃)的溫度下的線膨脹系數(shù)之和小于等于42ppm/℃；以及
3)所述樹脂密封劑硬化物在小于等于(Tg-30℃)下的線膨脹系數(shù)相對于所述底部填充劑硬化物在小于等于(Tg-30℃)下的線膨脹系數(shù)之比為0.3～1.0。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的套組，其特征在于
所述底部填充劑含有
(A)環(huán)氧樹脂；
(B)硬化劑，其量滿足[(A)環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基的當(dāng)量/(B)硬化劑中的環(huán)氧基與反應(yīng)性基團(tuán)的當(dāng)量]為0.7～1.2；以及
(C)無機(jī)填充劑，相對于100重量份(A)，此(C)無機(jī)填充劑為50重量份～500重量份；以及
所述樹脂密封劑含有
(a)聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂或者三苯基環(huán)氧樹脂；
(b)聯(lián)苯基芳烷基型酚樹脂或者三苯基酚樹脂，其量滿足[(a)聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂或者三苯基環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基的當(dāng)量/(b)聯(lián)苯基芳烷基型酚
樹脂或者三苯基酚樹脂中的酚性羥基的當(dāng)量]為0.8～1.2；以及
(c)無機(jī)填充劑，相對于(a)聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂或者三苯基環(huán)氧樹脂與(b)聯(lián)苯基芳烷基型酚樹脂或者三苯基酚樹脂的總量100重量份，此(c)無機(jī)填充劑為500重量份～1,100重量份。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的套組，其特征在于(B)硬化劑是胺硬化劑或者過氧化物硬化劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的套組，其特征在于(B)硬化劑是以下述式(1)、式(2)、式(3)或者式(4)表示的芳香族胺化合物中的至少1種，式中，R1～R4互相獨立為選自碳數(shù)為1～6的一價烴基、CH3S-以及C2H5S-中的基團(tuán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的套組，其特征在于所述(C)無機(jī)填充劑是以溶膠凝膠法或者爆燃法制造的平均粒徑為0.1μm～5μm的球狀二氧化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項所述的套組，其特征在于
所述(A)環(huán)氧樹脂是選自雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂以及下述3種環(huán)氧樹脂，式中，R是碳數(shù)為1～20的一價烴基，n是1～4的整數(shù)；以及
所述(a)聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂或者三苯基環(huán)氧樹脂是聯(lián)苯基芳烷基型環(huán)氧樹脂。
7.一種半導(dǎo)體裝置，其是系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置，所述系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置包括
基板；
以倒裝芯片方式連接在所述基板上的第一半導(dǎo)體元件；
所述第一半導(dǎo)體元件與所述基板之間的底部填充部；
配置在所述第一半導(dǎo)體元件上側(cè)的至少1個第二半導(dǎo)體元件；以及
覆蓋所述第一半導(dǎo)體元件、所述底部填充部以及所述第二半導(dǎo)體元件的樹脂密封部，
所述半導(dǎo)體裝置的特征在于所述底部填充部以及所述樹脂密封部分別由根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的套組的底部填充劑硬化物以及樹脂密封劑硬化物所構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用來制作耐熱沖擊性優(yōu)良的系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置的樹脂組成物。一種套組，其是用來形成系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置的底部填充部的底部填充劑、與用來形成系統(tǒng)級封裝型半導(dǎo)體裝置的樹脂密封部的樹脂密封劑的套組。所述套組的特點在于滿足下述條件1)底部填充劑硬化物的Tg大于等于100℃，并且，與樹脂密封劑硬化物的Tg之差小于等于20℃，2)底部填充劑硬化物在小于等于(Tg-30℃)的溫度下的線膨脹系數(shù)、與樹脂密封劑硬化物在小于等于(Tg-30℃)的溫度下的線膨脹系數(shù)之和小于等于42ppm/℃，以及3)樹脂密封劑硬化物在小于等于(Tg-30℃)下的線膨脹系數(shù)相對于底部填充劑硬化物在小于等于(Tg-30℃)下的線膨脹系數(shù)之比為0.3～1.0。
文檔編號C09K3/10GK101153212SQ20071015280
公開日2008年4月2日 申請日期2007年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月14日
發(fā)明者隅田和昌, 加藤馨, 下田太郎 申請人:信越化學(xué)工業(yè)株式會社