專利名稱：顯像裝置和顯像方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將表面上涂布抗蝕劑，然后曝光后的基板顯像的顯像裝置和顯像處理方法。
背景技術(shù)：
在作為半導(dǎo)體制造工序之一的光致抗蝕劑工序中，在半導(dǎo)體晶片(以下稱為晶片)表面上涂布抗蝕劑，在按規(guī)定的圖形將該抗蝕劑曝光后，顯像，形成抗蝕劑圖形。一般，這種處理利用將曝光裝置與進(jìn)行抗蝕劑的涂布和顯像的涂布顯像裝置連接的系統(tǒng)進(jìn)行。
作為現(xiàn)有的顯像裝置，如圖16所示，將晶片W水平地保持在基板保持部1上，將具有細(xì)小的噴出孔的顯像液噴嘴11配置在從該晶片W的表面稍微浮起的位置上。在晶片W圍繞垂直軸轉(zhuǎn)動的同時(shí)，通過使顯像液從顯像液噴嘴11噴出，并使該顯像液噴嘴11在晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向移動，則顯像液呈螺旋狀充滿晶片W的表面上(圖16(a))。另外，在顯像液12充滿晶片W的表面上的狀態(tài)下，至經(jīng)過規(guī)定的顯像時(shí)間例如60秒，進(jìn)行靜止顯像后(圖16(b))，將沖洗液14例如純水從沖洗液噴嘴13供給晶片W的中央部(圖16(c))。這樣，對于顯像液，不溶解性的部位的抗蝕劑殘留，可得到規(guī)定的抗蝕劑圖形。
另外，還已知將顯像液供給帶有在與繞垂直軸轉(zhuǎn)動的轉(zhuǎn)動方向交叉的方向上延伸的圖形部的在表面上具有抗蝕劑的晶片W，通過在使該晶片W正轉(zhuǎn)后反轉(zhuǎn)，可靠地除去在圖形的側(cè)壁面上要除去的抗蝕劑層的方法(參見專利文獻(xiàn)1和2)。在專利文獻(xiàn)3中還說明了在顯像處理時(shí)，使晶片W正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)的方法。
特開2002-75854號公報(bào)，[專利文獻(xiàn)2]特開2003-272988號公報(bào)，發(fā)明要解決的問題然而，上述專利文獻(xiàn)1所述的顯像方法有以下的問題。即由于在使晶片W圍繞垂直軸轉(zhuǎn)動，同時(shí)供給顯像液，因此，在晶片W的表面上，在與旋轉(zhuǎn)方向相反的方向上畫出拋物線，并且形成從中央部向外側(cè)的顯像液的液體流動。當(dāng)與顯像液接觸，開始顯像圖形時(shí)，通過利用曝光復(fù)制在抗蝕劑上的圖形的形狀或布局阻礙該部分液體流動，由于這樣，顯像液向位下游部位的流動不好，圖形的線寬精度降低。由這種液體流動阻礙產(chǎn)生的線寬精度的降低很小，目前不成為問題，但近年來，圖形有向微細(xì)化進(jìn)展的傾向，隨之而來，要求抑制液體流動的阻礙，使線寬精度更高。
這里，說明容易產(chǎn)生液體流動阻礙的一個(gè)例子。在通過曝光在晶片W表面上復(fù)制多個(gè)芯片圖形的情況下，為了使晶片W相對于曝光機(jī)相對移動，依次復(fù)制圖形，在晶片W的表面上，使多個(gè)芯片的方向互相一致進(jìn)行復(fù)制。芯片的圖形根據(jù)用途有各種各樣。當(dāng)大致來看時(shí)，如圖17示意性地所示，在一個(gè)芯片的圖形內(nèi)分布著形成圖形的部位15和不形成圖形的部位16。在這種情況下，即使將顯像液供給晶片W，由于不形成圖形的部位的抗蝕劑不溶解而殘留下來，當(dāng)該殘留的抗蝕劑在顯像液流動的上游時(shí)，則向著位于流動的下游側(cè)的圖形形成部位的流動受到阻礙。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是根據(jù)這種情況提出的，其目的是要提供使在其表面上涂布抗蝕劑并曝光后的基板轉(zhuǎn)動，在供給顯像液時(shí)，控制基板上的顯像液的液流，在基板上形成表面內(nèi)均勻性高的圖形的顯像裝置和顯像方法。
本發(fā)明的顯像裝置它可對表面上涂布涂布液、曝光后的基板進(jìn)行顯像，其特征為，它具有將上述基板保持為水平的基板保持部；使該基板保持部圍繞著垂直軸正轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)。
與上述基板保持部上保持的基板表面相對地配置，具有從該基板的周邊邊緣向中央部側(cè)延伸的帶狀的噴出口的顯像液噴嘴；從基板外側(cè)向中央部移動該顯像液噴嘴的移動機(jī)構(gòu)；和控制部，利用上述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)使基板正轉(zhuǎn)，并且在一邊從上述噴出口噴出顯像液一邊使顯像液噴嘴移動而將顯像液供給基板表面后，利用旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)使該基板反轉(zhuǎn)。
在基板表面的抗蝕劑上，可以是如下的構(gòu)成，使方向一致形成芯片的圖形，另外，在芯片上并排配置密集地形成圖形的部位和稀疏地形成圖形的部位。另外，上述控制部進(jìn)行控制，使得當(dāng)使基板反轉(zhuǎn)時(shí)，從上述噴出口向基板的中央部噴出顯像液。上述控制部還進(jìn)行控制，使得當(dāng)使基板反轉(zhuǎn)時(shí)，從上述噴出口噴出顯像液，并使顯像液噴嘴從基板的外側(cè)，向中央部移動。另外，當(dāng)使基板的旋轉(zhuǎn)從正轉(zhuǎn)切換至反轉(zhuǎn)時(shí)，使基板臨時(shí)靜置一次。
本發(fā)明的另一種顯像裝置，它可對表面上涂布涂布液、曝光后的基板進(jìn)行顯像，其特征為，它具有將上述基板保持為水平的基板保持部；使該基板保持部圍繞著垂直軸轉(zhuǎn)動的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)；與上述基板保持部上保持的基板表面相對地配置，具有從該基板的周邊邊緣向中央部延伸的帶狀、而且向著基板的中央部傾斜的噴出口的顯像液噴嘴；從基板外側(cè)向中央部移動該顯像液噴嘴的移動機(jī)構(gòu)；與保持在上述基板保持部上的基板表面相對地配置，供給用于將從顯像液噴嘴供給基板表面的顯像液壓向中央部的流體的流體供給噴嘴；和跟隨著上述顯像液噴嘴而使流體供給噴嘴從基板的外側(cè)向著中央部移動的移動機(jī)構(gòu)。上述流體可以為稀釋的顯像液或氣體。
本發(fā)明的又一個(gè)顯像裝置，是一種顯像裝置，它可對表面上涂布涂布液、曝光后的基板進(jìn)行顯像，其特征為，它具有將上述基板保持為傾斜姿勢的基板保持部；使該基板保持部圍繞著垂直軸轉(zhuǎn)動的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)；與上述基板保持部上保持的基板表面相對地配置，具有從該基板的周邊邊緣向中央部側(cè)延伸的帶狀的噴出口的顯像液噴嘴；使該顯像液噴嘴從基板的外側(cè)向中央部移動的移動機(jī)構(gòu)；和控制部，其控制成，使得在利用上述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)使基板旋轉(zhuǎn)時(shí)，從上述噴出口噴出顯像液，并使顯像液噴嘴移動，將顯像液供給基板表面。該基板的傾斜角可以1-10度。
本發(fā)明的再一個(gè)顯像裝置，是一種顯像裝置，它可對表面上涂布涂布液、曝光后的基板進(jìn)行顯像，其特征為，它具有將上述基板保持為水平的基板保持部；使上述基板保持部圍繞垂直軸旋轉(zhuǎn)，同時(shí)該旋轉(zhuǎn)軸從基板的中心偏心的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)；與上述基板保持部上保持的基板表面相對地配置，具有從該基板的周邊邊緣向中央部側(cè)延伸的帶狀的噴出口的顯像液噴嘴；使顯像液噴嘴從位于連接基板的中心和旋轉(zhuǎn)軸的直線的延長線上的基板的一端向著另一端移動的移動機(jī)構(gòu)；和控制部，進(jìn)行如下控制，使在利用上述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)使基板左右振動時(shí)，從上述噴出口噴出顯像液并使顯像液噴嘴移動。將顯像液供給基板表面。
本發(fā)明的一種顯像方法，它可使表面上涂布涂布液、曝光后的基板顯像，其特征為，它包含下列工序利用基板保持部，從背面?zhèn)仁够灞３炙降墓ば?；使由該基板保持部保持的基板圍繞垂直軸正轉(zhuǎn)的工序；使與該基板表面相對地配置的顯像液噴嘴，從基板的外側(cè)向中央部移動的工序；使顯像液噴嘴移動，并且從設(shè)在該顯像液噴嘴上的、從基板周邊邊緣向中央部側(cè)延伸的帶狀的噴出口，向著基板表面噴出顯像液的工序；和在顯像液噴嘴移動至基板的中央部后，使保持在基板保持部上的基板圍繞垂直軸反轉(zhuǎn)的工序。
在基板表面的抗蝕劑上，使方向一致形成芯片的圖形，另外，在芯片上并排配置有密集地形成圖形的部分和稀疏地形成圖形的部位。另外，當(dāng)使保持在基板保持部上的基板圍繞垂直軸反轉(zhuǎn)時(shí)，從上述噴出口將顯像液噴出至基板中央部。使得當(dāng)使保持在基板保持部上的基板圍繞垂直軸反轉(zhuǎn)時(shí)，一邊從上述噴出口噴出顯像液，一邊使顯像液噴嘴從基板的外側(cè)向中央部移動。另外，當(dāng)使基板的旋轉(zhuǎn)從正轉(zhuǎn)切換至反轉(zhuǎn)時(shí)，可使基板臨時(shí)靜置。
本發(fā)明的另一種顯像方法，它可使表面上涂布涂布液、曝光后的基板顯像，其特征為，它包含下列工序利用基板保持部，從背面?zhèn)仁够灞３炙降墓ば?；使由該基板保持部保持的基板圍繞垂直軸旋轉(zhuǎn)的工序；使與該基板表面相對的顯像液噴嘴，從基板的外側(cè)向中央部移動的工序；使顯像液噴嘴移動，從設(shè)在該顯像液噴嘴上的、從基板周邊邊緣向中央部側(cè)延伸的帶狀的噴出口，向著基板表面噴出顯像液的工序；跟隨著該顯像液噴嘴，從流體供給噴嘴向著基板供給將從該顯像液噴嘴供給基板表面的顯像液壓向中央部側(cè)的流體的工序。上述流體例如是稀薄顯像液或者氣體。
本發(fā)明的又一種顯像方法，它可使表面上涂布涂布液、曝光后的基板顯像，其特征為，它包含下列工序利用基板保持部，從背面?zhèn)仁够灞３謨A斜姿勢的工序；使由該基板保持部保持的基板圍繞垂直軸旋轉(zhuǎn)的工序；使與該基板表面相對的顯像液噴嘴，從基板的外側(cè)向中央部移動的工序；從設(shè)在該顯像液噴嘴上的、從基板周邊邊緣向中央部側(cè)延伸的帶狀的噴出口，向著基板表面噴出顯像液的工序。該基板的傾角為1-10度.
本發(fā)明的其他顯像方法，它可使在表面上涂布涂布液、曝光后的基板顯像，其特征為，它具有下列工序利用基板保持部，從背面?zhèn)葘⒒灞３炙阶藙莸墓ば颍灰詮脑摶宓闹行钠牡奈恢米鳛樾D(zhuǎn)軸，使保持在該基板保持部上的基板圍繞垂直軸左右振動的工序；使與該基板的表面相對的顯像液噴嘴，從在連接基板的中心和旋轉(zhuǎn)軸的直線的延長線上的基板一端向著另一端移動的工序；和使顯像液噴嘴移動，從設(shè)置在該顯像液噴嘴上的、從基板周邊邊緣向中央部側(cè)延伸的帶狀噴出口，向著基板表面噴出顯像液的工序。
采用本發(fā)明，通過構(gòu)成為在使基板正轉(zhuǎn)并將顯像液呈螺旋狀供給后，使該基板反轉(zhuǎn)，由于基板上的顯像液的液體流動圖形改變，與形成一個(gè)方向的流動的情況比較，顯像液可以容易地達(dá)到圖形的細(xì)小部分。結(jié)果，顯像液可達(dá)到圖形的各個(gè)角落，可以得到在顯像后，線寬具有高的表面內(nèi)均勻性的圖形。
另外，由于即使是從向著基板中央部傾斜的噴出口供給顯像液并通過接著顯像液而供給的流體將顯像液壓向中央部側(cè)的構(gòu)成、將基板保持在傾斜姿勢的構(gòu)成，在偏離基板中心部的偏心位置上使該基板左右振動的構(gòu)成，基板表面的顯像液流動的圖形也可改變，所以可以得到與上述發(fā)明相同的效果。


圖1為表示本發(fā)明的實(shí)施方式的顯像裝置的縱截面圖；圖2為表示本發(fā)明的實(shí)施方式的顯像裝置的平面圖；圖3為表示上述顯像裝置的顯像液噴嘴的立體圖；圖4為表示上述顯像裝置的顯像液噴嘴的縱截面圖；圖5為表示利用上述顯像裝置顯像的晶片W的一個(gè)例子的說明6為表示利用上述顯像裝置顯像處理晶片的工序的工序圖；圖7為表示供給晶片表面的顯像液的液體流動情況的說明圖；圖8為表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的顯像裝置的縱截面圖；圖9為表示供給晶片表面的顯像液的液體流動情況的說明圖；圖10為表示本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的顯像裝置的縱截面11為表示供給晶片表面的顯像液的液體流動情況的說明圖；圖12為表示本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施方式的顯像裝置的縱截面圖；圖13為表示供給晶片表面的顯像液的液體流動情況的說明圖；圖14為表示安裝上述顯像裝置的涂布顯像裝置的一個(gè)例子的平面圖；圖15為表示安裝上述顯像裝置的涂布顯像裝置的一個(gè)例子的立體圖；圖16為表示現(xiàn)有的顯像裝置的說明圖；圖17為表示現(xiàn)有的另一個(gè)顯像裝置的說明圖。
符號說明W晶片；2旋轉(zhuǎn)夾頭；22驅(qū)動機(jī)構(gòu)；4顯像液噴嘴；41噴出口；6沖洗液噴嘴。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)參照圖1和圖2說明本發(fā)明的實(shí)施方式的顯像裝置，圖中2為用于吸引吸附基板例如晶片W的背面?zhèn)戎醒氩慷３炙阶藙莸淖鳛榛灞３植康男D(zhuǎn)夾頭。該旋轉(zhuǎn)夾頭2通過旋轉(zhuǎn)軸21與形成旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)例如電機(jī)的驅(qū)動機(jī)構(gòu)22連接，可在保持晶片W的狀態(tài)下升降；同時(shí)構(gòu)成為可圍繞垂直軸中的一個(gè)旋轉(zhuǎn)方向例如順時(shí)針旋轉(zhuǎn)和相反的反時(shí)針旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動。即旋轉(zhuǎn)夾頭2在支撐晶片W的狀態(tài)下，可以正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)。另外，設(shè)有上方開口的杯體3以包圍由旋轉(zhuǎn)夾頭2保持的晶片W的側(cè)面。在本例子中，晶片W的中心位于旋轉(zhuǎn)夾頭2的旋轉(zhuǎn)軸(旋轉(zhuǎn)中心)上。但是，在本發(fā)明中，晶片W的中央部不是必需位于旋轉(zhuǎn)軸上，晶片W的中心于離旋轉(zhuǎn)軸半徑1～1.5mm以內(nèi)的區(qū)域也可以。另外，杯體3具有上部側(cè)作成四角形，同時(shí)下部側(cè)作成圓筒形的外杯31，和上部向內(nèi)側(cè)傾斜的筒狀內(nèi)杯32；外杯31可以利用升降部33自由升降。
另外，圓形板34設(shè)在由旋轉(zhuǎn)夾頭2保持的晶片W的下方，在該圓形板34的外側(cè)的全周上設(shè)有截面作成凹部形狀的液體容納部35。在該液體容納部35的底面上作出排放口36。在圖形板34的外側(cè)設(shè)有截面為山形的環(huán)部件37。另外，圖中省略了設(shè)有貫通圓形板34的例如三根作為基板支撐銷的升降銷。利用該升降銷與圖中沒有示出的基板輸送裝置協(xié)同作用，可以在旋轉(zhuǎn)夾頭2上交換晶片W。
在由旋轉(zhuǎn)夾頭2保持的晶片W的上方，與晶片W的表面相對，可以升降并且可以水平移動地設(shè)置著顯像液噴嘴4?，F(xiàn)利用圖3和圖4，詳細(xì)說明顯像液噴嘴4。顯像液噴嘴4作成楔形，其寬度向下方變窄，在其下端面上作出一個(gè)將帶狀的顯像液噴出用的帶狀例如隙縫狀的噴出口41。該噴出口在例如一個(gè)長度L1＝8～15mm、寬度L2＝0.1～1mm范圍內(nèi)形成。該噴出口41的長度方向從晶片W的周邊邊緣向著中央部側(cè)配置。所謂“從周邊邊緣向著中央部伸出的隙縫狀”不僅是沿著從晶片W的一端邊緣向著中央部的直線(半徑)延伸的情況，還包含與該直線成一個(gè)微小角度交叉的情況。另外，所謂“帶狀”實(shí)質(zhì)上為帶狀即可；水平截面嚴(yán)格地不形成長方形，而例如是臺階形狀，各個(gè)邊為波浪形狀的的情況也包含在帶狀中。
詳細(xì)地說，如圖4所示，噴出口41與在內(nèi)部形成的液體儲藏部42連通。液體儲藏部42與供給路例如顯像液管路43的一端連接，該顯像液管路43的另一端側(cè)與顯像液供給源44連接。在顯像液管路43的中間，設(shè)置調(diào)節(jié)顯像液的溫度的主溫度調(diào)節(jié)部45例如熱交換器和圖中沒有示出的送液裝置例如可以為通過改變噴出行程調(diào)節(jié)噴出流量的波紋管泵等。另外在顯像液管路43的一部分例如在離顯像液噴嘴4的上端面附近一定程度的上游側(cè)的部位上，設(shè)置溫度調(diào)節(jié)水的流路例如溫度調(diào)節(jié)水用管路46，以包圍管路43的外側(cè)。這樣，形成顯像液管路43和溫度調(diào)節(jié)水用管路46重合的二重管47。即該二重管47構(gòu)成輔助溫度調(diào)節(jié)部，通過將顯像液和溫度調(diào)節(jié)水的流路分開的管壁，在顯像液和溫度調(diào)節(jié)水之間進(jìn)行熱交換，可將顯像液調(diào)節(jié)至規(guī)定溫度。另外，從二重管47的兩端伸出的溫度調(diào)節(jié)水用管路46互相連接，形成循環(huán)路，在該循環(huán)路的中間設(shè)置溫度調(diào)節(jié)水貯留部48和調(diào)節(jié)溫度調(diào)節(jié)水的溫度的溫度調(diào)節(jié)部49例如熱交換器。即利用主溫度調(diào)節(jié)部45和作為輔助溫度調(diào)節(jié)部的二重管47，可將顯像液調(diào)節(jié)至規(guī)定的溫度例如5～60℃。另外，這里所說的“主”，“輔助”是為說明的方便。再者，不是必需具有主溫度調(diào)節(jié)部45和作為輔助的溫度調(diào)節(jié)部的二重管47兩者，具有其中任何一個(gè)也可以。
現(xiàn)回到圖2進(jìn)行說明。顯像液噴嘴4支撐在作為支撐部件的噴嘴臂5的一端上，該噴嘴臂5的另一端與具有圖中沒有表示的升降機(jī)構(gòu)的移動基體51連接。該移動基體51可在單元的外裝體底面上，沿著在X方向延伸的導(dǎo)向部件52在橫方向移動。圖中53為顯像液噴嘴4的待機(jī)部，在該噴嘴待機(jī)部53中，進(jìn)行噴嘴前端部的洗凈等。
與晶片W的表面相對，設(shè)置具有噴出沖洗液例如純水的小的噴出孔60的水平移動和自由升降的沖洗液噴嘴6。供給路例如沖洗液管路61的一端與沖洗液噴嘴6連接，該沖洗液管路61的另一端側(cè)與沖洗液的供給源62連接，在其中設(shè)置圖中沒有示出的送液裝置例如通過改變噴出行程可以調(diào)節(jié)噴出流量的波紋管泵等。另外，沖洗液噴嘴通過噴嘴臂63，與具有圖中沒有示出的升降機(jī)構(gòu)的移動基體64連接。該移動基體64可以沿著上述導(dǎo)向部件52在橫方向移動。圖中65為沖洗液噴嘴6的待機(jī)部。
圖中7為控制部，該控制部7具有控制驅(qū)動機(jī)構(gòu)22、升降部33、移動基體51、64的動作的功能。具體地說，具有控制功能，使得可利用驅(qū)動機(jī)構(gòu)22使晶片W正轉(zhuǎn)，同時(shí)，從噴出口41噴出顯像液，并使顯像液噴嘴4從基板的外側(cè)向中央部移動，在將顯像液供給該晶片W的表面后，利用驅(qū)動機(jī)構(gòu)22使該晶片W反轉(zhuǎn)。另外，控制部7具有控制主溫度調(diào)節(jié)部45和作為輔助溫度調(diào)節(jié)部的二重管47的溫度調(diào)節(jié)動作的功能，使供給晶片W表面的顯像液成為上述規(guī)定的溫度例如5-60℃。更詳細(xì)地說，在控制部7所具有的存儲部例如存儲器中存儲與抗蝕劑種類對應(yīng)在例如5-60℃范圍內(nèi)決定的顯像液的溫度設(shè)定值的信息。根據(jù)涂布在要進(jìn)行顯像處理的晶片W上的抗蝕劑的種類，決定顯像液的溫度設(shè)定值。即根據(jù)相對于顯像液的每一種抗蝕劑的溶解特性，控制顯像液的溫度。如果根據(jù)抗蝕劑的種類，可以決定顯像液的溫度設(shè)定值，則在控制部7的存儲器中，不是必需存儲這些信息，操作者通過控制部7的輸入單元輸入溫度設(shè)定值也可以。
這里舉一個(gè)與抗蝕劑的種類對應(yīng)的顯像液溫度設(shè)定值的例子。例如，在KrF光源用的抗蝕劑中，例如在作為在顯像液中溶解性低的抗蝕劑種類的情況下，將顯像液的溫度設(shè)定值設(shè)定得高例如40-60℃。另外，在近年來探討其使用可能性的ArF光源用的抗蝕劑中，例如在作為在顯像液中的溶解性高的抗蝕劑種類的情況下，將顯像液的溫度設(shè)定得低例如20-40℃。另外，如I線、G線等的光源用的抗蝕劑那樣，在低溫下促進(jìn)溶解性的抗蝕劑的情況下，將溫度設(shè)定值設(shè)定為10-20℃。通常，是KrF或是ArF用其溶解速度有區(qū)別，不是由使用KrF或使用ArF決定溫度，而是把握促進(jìn)抗蝕劑的溶解的溫度是在高溫側(cè)或低溫側(cè)，這樣可設(shè)定具體的溫度。
現(xiàn)利用圖5，說明通過曝光復(fù)制在利用上述顯像裝置顯像處理的基板如晶片W的表面上的圖形的一個(gè)例子。如圖5(a)所示，將形成器件用的芯片200的圖形，在上下方向和左右方向，以一定間隔，通過曝光復(fù)制在晶片W的表面上。現(xiàn)詳細(xì)說明芯片200的圖形。如圖5(b)示意地所示，并排設(shè)置不形成圖形而抗蝕劑稠密地殘留在該部位上的密集圖形部位201，和形成圖形而殘留在該部位上的抗蝕劑密度小的稀疏的圖形部位202。即假設(shè)芯片200不是適用在整個(gè)晶片表面，而使該晶片W圍繞垂直軸轉(zhuǎn)動時(shí)，在旋轉(zhuǎn)方向，密集圖形部位201和稀疏圖形部位202并排配置的芯片200，復(fù)制在晶片W上。另外，203為顯像處理后，確認(rèn)線寬精度用的檢查用圖形。圖5所示的芯片為在作成電路線寬的過程中的參考圖形，為了作圖的方便，夸張表示圖形的粗密，同時(shí)，用直線表示圖形，實(shí)際上是利用規(guī)定的電路圖形形成的。
接著，利用圖6，說明利用上述顯像裝置，對基板例如晶片W進(jìn)行顯像的工序。首先，在外杯31、內(nèi)杯32在下降位置，顯像液噴嘴4和沖洗噴嘴6分別配置在噴嘴待機(jī)部53、65的上方的狀態(tài)下，當(dāng)利用圖中沒有示出的基板輸送裝置輸入表面上涂布抗蝕劑、進(jìn)一步曝光后的晶片W時(shí)，通過該基板輸送裝置和圖中沒有示出的升降銷的協(xié)同作用，將晶片W交接到旋轉(zhuǎn)夾頭2。
其次，將外杯31設(shè)定在上升位置，同時(shí)如圖6(a)所示，配置沖洗液噴嘴6，使得顯像液噴嘴4位于從作為顯像液噴出開始位置的例如晶片W的一端的外邊緣稍微外側(cè)，而且離開晶片W的表面稍高的位置上，同時(shí)，將噴出孔60設(shè)在從例如晶片W的另一端的外邊緣稍微外側(cè)且離開晶片W的表面稍高的位置上。
然后，如圖6(b)所示，使晶片W圍繞著垂直軸以500-1200rpm的旋轉(zhuǎn)速度正轉(zhuǎn)例如順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)；同時(shí)，使顯像液從噴出口41呈帶狀噴出，并使顯像液噴嘴4在晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向即從晶片W的外側(cè)向中央部移動。這樣，顯像液可以呈螺旋狀供給晶片W的全部表面。在例如8英寸的晶片W的情況下，噴嘴的移動速度設(shè)定成使噴出口41在1-2秒內(nèi)到達(dá)晶片W的中央部上方例如晶片W的中心。另一方面，與顯像液噴嘴4的移動開始時(shí)間一致，在晶片W的旋轉(zhuǎn)半徑方向上，與顯像液噴嘴4對向，同步地移動沖洗液噴嘴6，將沖洗液噴嘴6設(shè)定在顯像液噴嘴4的附近(待機(jī)位置)。即當(dāng)以晶片W的中央部上方作為沖洗液噴出位置時(shí)，沖洗液噴嘴6在其稍稍之前停止。
如圖6(c)所示，當(dāng)顯像液噴嘴4移動至晶片W的中央部例如中心上方時(shí)，暫時(shí)在該位置停止顯像液的噴出，則將晶片W的旋轉(zhuǎn)從正轉(zhuǎn)切換為反轉(zhuǎn)，以例如500-1200rpm的旋轉(zhuǎn)速度反轉(zhuǎn)例如反時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。詳細(xì)地說，由于作為電機(jī)的驅(qū)動機(jī)構(gòu)22的正轉(zhuǎn)動作完全停止后，供給反轉(zhuǎn)用的電流進(jìn)行反轉(zhuǎn)，嚴(yán)格來說，從正轉(zhuǎn)至反轉(zhuǎn)產(chǎn)生一定的靜置時(shí)間。與反轉(zhuǎn)開始的時(shí)間一致，使顯像液開始從顯像液噴嘴4噴出，將顯像液供給旋轉(zhuǎn)的晶片W的中央部。
這時(shí)，由于晶片W旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力的作用，顯像液沿著晶片W的表面向外側(cè)擴(kuò)展，結(jié)果，在晶片W的表面上形成薄膜狀的液膜。這樣，抗蝕劑的溶解性的部位溶解在顯像液中，然后，留下形成圖形的不溶解性的部位。嚴(yán)格來說，在供給顯像液時(shí)，相鄰的顯像液之間有微小間隙，即使相鄰的帶狀顯像液的一部分重疊，由于晶片W旋轉(zhuǎn)，顯像液連接，因此，這種情況也包含在技術(shù)范圍內(nèi)。
顯像液噴嘴4在中央部進(jìn)行例如規(guī)定的時(shí)間噴出后，停止噴出動作，快速后退。其次，如圖6(d)所示，沖洗液噴嘴6配置在晶片W的中央部的上方，與該顯像液噴嘴4調(diào)換，從該沖洗液噴嘴6在例如規(guī)定的時(shí)間快速地噴出沖洗液，將沖洗液供給晶片W的表面。另外，沖洗液至少應(yīng)在顯像液干燥前供給，在停止顯像液噴出之前或停止顯像液的噴出后2秒以內(nèi)，供給沖洗液。
供給晶片W表面的沖洗液，利用轉(zhuǎn)動的晶片W的離心力的作用，沿著表面向外側(cè)擴(kuò)展，洗去晶片W表面的含有抗蝕劑溶解成分的顯像液，這樣，將晶片W表面洗凈。接著，如圖6(e)所示，當(dāng)停止沖洗液噴出的沖洗液噴嘴6后退時(shí)，使晶片W以2000rpm的旋轉(zhuǎn)速度高速旋轉(zhuǎn)，甩掉表面的沖洗液，進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥。然后，外杯31下降，利用圖中沒有示出的基板輸送裝置，將晶片W噴出，結(jié)束顯像處理。
采用上述實(shí)施方式，當(dāng)使晶片W正轉(zhuǎn)時(shí)，同時(shí)呈螺旋狀供給顯像液后，由于通過使晶片W反轉(zhuǎn)，晶片上的顯像液的液體流動圖形改變，與形成一個(gè)方向的流動的情況比較，顯像液容易徹底到達(dá)圖形的細(xì)部。更詳細(xì)地，如圖7所示，正轉(zhuǎn)時(shí)，形成從密集圖形部位201向稀疏圖形部位202的流動，反轉(zhuǎn)時(shí)，形成從粗圖形部位202向密集圖形部位201的液體流動。這樣，即使正轉(zhuǎn)時(shí)流動受到密集圖形部位201的阻礙，反轉(zhuǎn)時(shí)，顯像液也可達(dá)到稀疏的圖形部位202。結(jié)果，可得到可使顯像液達(dá)到圖形的各個(gè)角落，顯像后，線寬在表面內(nèi)的均勻性高的圖形。
接著，參照圖8和圖9，說明本明的另一個(gè)實(shí)施方式的顯像裝置。本實(shí)施方式的顯像裝置除了顯像液噴嘴4的噴出口41向晶片W的中央部傾斜，同時(shí)，具有使從顯像液噴嘴4供給基板例如晶片W的表面的顯像液D壓向中央部的流體供給裝置，和在顯像液噴出時(shí)不使晶片W正轉(zhuǎn)反轉(zhuǎn)外，與圖1所述的顯像裝置結(jié)構(gòu)相同。相同的結(jié)構(gòu)采用相同的符號表示，省略詳細(xì)說明。更詳細(xì)地說，顯像液噴嘴4的噴出口41相對于例如縱軸線向中央部側(cè)傾斜規(guī)定的傾斜角θ1例如5度～45度。另外，在顯像液噴嘴4的行進(jìn)方向的后方側(cè)設(shè)有流體供給噴嘴8，它具有向內(nèi)側(cè)下方傾斜的噴出口80，傾斜地將流體供給到已經(jīng)供給有顯像液D的晶片W的表面，將顯像液D壓向中央部側(cè)。該流體供給噴嘴8利用支撐部件81支撐與顯像液噴嘴4成為一體。這樣，構(gòu)成為流體供給噴嘴8可跟著顯像液噴嘴4從晶片W的外側(cè)向中央部滑動移動。另外，在流體供給噴嘴8通過供給路82例如管路與流體供給源83相接，并在其中間設(shè)置圖中沒有示出的流量調(diào)整部。
在這種結(jié)構(gòu)中，在上述情況下，從噴出口41噴出顯像液D，使顯像液噴嘴4掃描，并且，從噴出口80噴出流體例如稀薄的顯像液或氮?dú)獾确腔钚詺怏w，并使流體供給噴嘴跟隨著顯像液噴嘴4進(jìn)行掃描(參見圖9)。在這種情況下，當(dāng)向著內(nèi)側(cè)下方傾斜地供給顯像液D時(shí)，將流體吹向顯像液D，與將顯像液壓向中央部相輔相成，如果設(shè)定轉(zhuǎn)速為500～1500rpm，則與離心力的作用相反，瞬時(shí)形成從外向內(nèi)側(cè)的液體流動；然后，由于離心力的作用，形成從內(nèi)向外的液體流動。結(jié)果，當(dāng)在晶片W的表面的某個(gè)部位看時(shí)，由于形成從外向內(nèi)和從內(nèi)向外的互相相對的液體流動，利用該液體流動，可促進(jìn)溶解成分的排出，可以形成線寬精度高的圖形。但是，在本實(shí)施方式中，不是必需具有傾斜的噴出口41和流體供給噴嘴8二者。具有至少任何一個(gè)也可以。
接著，參照圖10和圖11說明本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的顯像裝置。本實(shí)施方式除了顯像裝置的旋轉(zhuǎn)夾頭2吸引吸附晶片W的背面?zhèn)戎醒氩?，使晶片W保持傾斜姿勢和不使晶片W正轉(zhuǎn)反轉(zhuǎn)以外，與圖1所示的顯像裝置結(jié)構(gòu)相同。相同的結(jié)構(gòu)采用相同的符號表示，省略詳細(xì)的說明。旋轉(zhuǎn)夾頭2以從規(guī)定的傾斜角θ2例如1-10度范圍內(nèi)選擇的傾斜角，將晶片W保持在傾斜姿勢。詳細(xì)地說，顯像液噴嘴4，通過使上述導(dǎo)向部件52與該傾斜角θ2對應(yīng)維持傾斜，顯像液噴嘴4可以與晶片W的傾斜表面大致平行地滑動移動。環(huán)部件37的上端面也作成傾斜的。
在這種情況下，利用與上述情況相同的順序，使晶片W顯像，如圖11示意性所示，通過保持傾斜姿勢，在表面上的顯像液D中形成沿著傾斜面向下的液體流動。當(dāng)涂布顯像液D時(shí)，由于晶片W旋轉(zhuǎn)，如果設(shè)定轉(zhuǎn)速為500～1500rpm，則當(dāng)在晶片表面的某個(gè)部位看時(shí)，在位于傾斜面的上方側(cè)時(shí)，在該部位上的顯像液D中形成從外部向中央部的液體流動，而在位于傾斜面的下方側(cè)時(shí)，在該部位上的顯像液中形成從中央部向外的液體流動。在這種結(jié)構(gòu)中，可得到與上述情況相同的效果。在以上，也可以將圖1、圖8和圖10的實(shí)施中的至少二個(gè)組合。
再接著，參照圖12和圖13說明本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施方式的顯像裝置。本實(shí)施方式的顯像裝置除了旋轉(zhuǎn)夾頭2在與晶片W的中心偏心的位置上吸引吸附背面?zhèn)戎醒氩?，和將晶片W保持在水平姿勢的結(jié)構(gòu)以外，與圖1所示的顯像裝置的結(jié)構(gòu)相同。相同的結(jié)構(gòu)采用相同的符號表示，省略詳細(xì)的說明。具體地是，在上述偏心位置上保持直徑例如為300mm的晶片W的情況下，旋轉(zhuǎn)軸位于從其中心沿著半徑方向偏離1-15mm的地方。
例如，如圖13所示，當(dāng)以旋轉(zhuǎn)軸為中央部，使晶片W按照連接該旋轉(zhuǎn)軸和晶片W的中心的直線在左右旋轉(zhuǎn)規(guī)定的角度例如30-90度的方式振動時(shí)，同時(shí)從噴出口41噴出顯像液D，并且可使顯像液噴嘴4從位于連接旋轉(zhuǎn)軸和晶片W的中心的直線的延長線上的晶片W的例如靠近旋轉(zhuǎn)軸的一端至另一端滑動移動。接著，顯像液噴嘴4與通過晶片W的另一端的時(shí)間匹配，從噴出口60噴出沖洗液，并且從位于連接旋轉(zhuǎn)軸和晶片W的中心的直線的延長線上的晶片W的例如靠近旋轉(zhuǎn)軸的一端向另一端使沖洗液噴嘴6滑動移動。在這種結(jié)構(gòu)中，可得到與上述情況同樣的效果。
在本發(fā)明中，基板不是僅限于晶片W，例如LCD基板、光掩模用的刻線基板也可以。另外，上述的顯像液噴嘴4的結(jié)構(gòu)也可以在將抗蝕劑涂布在基板上用的涂布液噴嘴等中使用。
最后，參照圖14和圖15，簡單地說明組裝有上述顯像裝置的涂布和顯像裝置的一個(gè)例子的結(jié)構(gòu)。圖中B1為用于搬入搬出密閉放置例如13塊作為基板的晶片W的載體C1的載體載置部，它設(shè)有具有可放置多個(gè)載體C1的放置部90a的載體站90；設(shè)在從該載體站90看的前方壁面上的開閉部91；和用于通過開閉部91從載體C1中取出晶片W的交接裝置A1。
利用框體92中包圍周圍的處理部B2與載體載置部B1的進(jìn)深側(cè)連接，從面前，按順序?qū)⑹辜訜?冷卻系統(tǒng)的部件多段化的棚架單元U1、U2、U3；和在包含后述的涂布和顯像單元的各個(gè)處理單元之間進(jìn)行晶片W的交接的主輸送單元A2、A3交互地配置在該處理部B2上。即從載體載置部B1看時(shí)，將棚架單元U1、U2、U3和主輸送單元A2、A3配置成前后一列，同時(shí)在各個(gè)連接部位上形成圖中設(shè)有示出的晶片輸送用開口，使晶片W在處理部B2內(nèi)，可自由地從一端側(cè)的棚架單元U1移動至另一端的棚架單元U3。另外，主輸送單元A2、A3放置在由從載體載置部B1看，配置在由前后方向的棚架單元U1、U2、U3側(cè)的一面；后述的例如右側(cè)的液體處理單元U4、U5側(cè)的一面；和形成左側(cè)的一個(gè)表面的背面構(gòu)成的間隔壁93包圍的空間。另外，圖中94、95為具有在各個(gè)單元中使用的處理液的溫度調(diào)節(jié)裝置和溫濕度調(diào)節(jié)用的導(dǎo)管等的溫濕度調(diào)節(jié)單元。
如圖15所示，液體處理單元U4，U5為在形成涂布液(抗蝕劑液)和顯像液的藥液供給用空間的容納部96上，將涂布單元COT，具有本發(fā)明的顯像裝置的顯像單元DEV和反射防膜形成單元BARC等層疊成多段例如5段而構(gòu)成的。另外，上述棚架單元U1、U2、U3為將用于進(jìn)行在由液體處理單元U4、U5進(jìn)行的處理的前處理和后處理的各種單元層疊成多段例如10段而構(gòu)成的，包含加熱(烘焙)晶片W的加熱單元和冷卻晶片W的冷卻單元等。
曝光部B4通過由例如第一輸送室97和第二輸送室98構(gòu)成的接口部B3，與處理部B2的棚架單元U3的進(jìn)深側(cè)連接。在接口部B3的內(nèi)部，除了在處理部B2和曝光部B4之間進(jìn)行晶片W的交接的2個(gè)交接單元A4、A5以外，還設(shè)置棚架單元U6和緩沖載體C0。
現(xiàn)在表示該裝置的晶片的流動的一個(gè)例子。首先，當(dāng)從外部將容納晶片W的載體C1放置在載置臺90上時(shí)，與開閉部91一起，將載體C1的蓋體取下，利用交接單元A1取出晶片W。將晶片W通過構(gòu)成棚架單元U1的一段的交接單元(圖中沒有示出)，交至主交輸送單元A2，再在棚架單元U1～U3內(nèi)的一個(gè)棚架上進(jìn)行作為涂布處理的前處理的例如反射防止膜形成處理和冷卻處理；然后，利用涂布單元COT涂布抗蝕劑液。接著，在構(gòu)成棚架單元U1～U3中的一個(gè)棚架的加熱單元中，加熱(烘干處理)晶片W，在冷卻單元冷卻后，經(jīng)由棚架單元U3的交接單元，搬入接口部B3中。在該接口部B3中，將晶片W，經(jīng)由例如交接單元A4→棚架單元U6→交接裝置A5的路徑，輸送至曝光部B4，進(jìn)行曝光。曝光后，經(jīng)由相反的路徑，將晶片W送至主輸送單元A2，通過在顯像單元DEV中顯像，形成抗蝕劑掩模。然后，將晶片W返回至載置臺90上的原來的載體C1中。
權(quán)利要求
1.一種顯像裝置，可對表面上涂布涂布液、曝光后的基板進(jìn)行顯像，其特征為，具有將所述基板保持為水平的基板保持部；使該基板保持部圍繞著垂直軸正轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)；與由所述基板保持部保持的基板表面相對地配置，具有從該基板的周邊邊緣向中央部側(cè)延伸的帶狀的噴出口的顯像液噴嘴；從基板外側(cè)向中央部移動該顯像液噴嘴的移動機(jī)構(gòu)；和控制部，其進(jìn)行如下控制在利用所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)使基板正轉(zhuǎn)，并從所述噴出口噴出顯像液且使顯像液噴嘴移動而向基板表面供給顯像液后，利用旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)使該基板反轉(zhuǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的顯像裝置，其特征為，在基板表面的抗蝕劑上，使方向一致形成芯片的圖形，另外，在芯片上并排配置密集地形成圖形的部位和稀疏地形成圖形的部位。
3.如權(quán)利要求1所述的顯像裝置，其特征為，所述控制部進(jìn)一步控制成使得當(dāng)使基板反轉(zhuǎn)時(shí)，從所述噴出口，向基板的中央部噴出顯像液。
4.如權(quán)利要求1所述的顯像裝置，其特征為，所述控制部進(jìn)一步控制成使得當(dāng)使基板反轉(zhuǎn)時(shí)，從所述噴出口噴出顯像液，并且使顯像液噴嘴從基板的外側(cè)向中央部移動。
5.如權(quán)利要求1所述的顯像裝置，其特征為，當(dāng)使基板的旋轉(zhuǎn)從正轉(zhuǎn)切換至反轉(zhuǎn)時(shí)，可使基板臨時(shí)靜置。
6.一種顯像裝置，對表面上涂布涂布液、曝光后的基板進(jìn)行顯像，其特征為，具有將所述基板保持為水平的基板保持部；使該基板保持部圍繞著垂直軸轉(zhuǎn)動的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)；與由所述基板保持部保持的基板表面相對地配置，具有從該基板的周邊邊緣向中央部延伸的帶狀的、而且向著基板的中央部傾斜的噴出口的顯像液噴嘴；從基板外側(cè)向中央部移動該顯像液噴嘴的移動機(jī)構(gòu)；與由所述基板保持部保持的基板的表面相對地配置，供給用于將從顯像液噴嘴供給基板表面的顯像液壓向中央部側(cè)的流體的流體供給噴嘴；和使流體供給噴嘴跟隨著所述顯像液噴嘴從基板的外側(cè)向著中央部移動的移動機(jī)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的顯像裝置，其特征為，所述流體為稀釋的顯像液。
8.如權(quán)利要求6所述的顯像裝置，其特征為，所述流體為氣體。
9.一種顯像裝置，表面上涂布涂布液、曝光后的基板進(jìn)行顯像，其特征為，具有將所述基板保持為傾斜姿勢的基板保持部；使該基板保持部圍繞著垂直軸轉(zhuǎn)動的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)；與由所述基板保持部保持的基板表面相對地配置，具有從該基板的周邊邊緣向中央部側(cè)延伸的帶狀的噴出口的顯像液噴嘴；使該顯像液噴嘴從基板的外側(cè)向中央部移動的移動機(jī)構(gòu)；和控制部，其進(jìn)行如下控制使得在由所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)使基板旋轉(zhuǎn)并從所述噴出口噴出顯像液且使顯像液噴嘴移動，向基板表面供給顯像液。
10.如權(quán)利要求9所述的顯像裝置，其特征為，基板的傾斜角為1～10度
11.一種顯像裝置，對表面上涂布涂布液、曝光后的基板進(jìn)行顯像，其特征為，具有將所述基板保持為水平的基板保持部；使該基板保持部繞著垂直軸旋轉(zhuǎn)并且其旋轉(zhuǎn)軸從基板的中心偏心的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)；與由所述基板保持部保持的基板表面相對地配置，具有從該基板的周邊邊緣向中央部側(cè)延伸的帶狀的噴出口的顯像液噴嘴；使顯像液噴嘴從位于連接基板的中心和旋轉(zhuǎn)軸的直線的延長線上的基板的一端向著另一端移動的移動機(jī)構(gòu)；和控制部，其進(jìn)行如下控制使在利用所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)使基板左右振動并從所述噴出口噴出顯像液且使顯像液噴嘴移動，向基板表面供給顯像液。
12.一種顯像方法，使表面上涂布涂布液、曝光后的基板顯像，其特征為，包含下列工序利用基板保持部從背面?zhèn)仁够灞３炙降墓ば?；使由該基板保持部保持的基板圍繞垂直軸正轉(zhuǎn)的工序；使與該基板表面相對的顯像液噴嘴，從基板的外側(cè)向中央部移動的工序；使顯像液噴嘴移動，并且從設(shè)在該顯像液噴嘴上的、從基板周邊邊緣向中央部側(cè)延伸的帶狀的噴出口，向著基板表面噴出顯像液的工序；和在顯像液噴嘴移動至基板的中央部后，使保持在基板保持部上的基板圍繞垂直軸反轉(zhuǎn)的工序。
13.如權(quán)利要求12所述的顯像方法，其特征為，在基板表面的抗蝕劑上，使方向一致形成芯片的圖形，另外，在芯片上并排配置密集地形成圖形的部位和稀疏地形成圖形的部位。
14.如權(quán)利要求12所述的顯像方法，其特征為，當(dāng)使保持在基板保持部上的基板圍繞垂直軸反轉(zhuǎn)時(shí)，從所述噴出口將顯像液噴出至基板中央部。
15.如權(quán)利要求12所述的顯像方法，其特征為，當(dāng)使保持在基板保持部上的基板圍繞垂直軸反轉(zhuǎn)時(shí)，從所述噴出口噴出顯像液并且使顯像液噴嘴從基板的外側(cè)向中央部移動。
16.如權(quán)利要求12所述的顯像方法，其特征為，當(dāng)使基板的旋轉(zhuǎn)從正轉(zhuǎn)切換至反轉(zhuǎn)時(shí)，使基板臨時(shí)靜置。
17.一種顯像方法，使表面上涂布涂布液、曝光后的基板顯像，其特征為，包含下列工序利用基板保持部從背面?zhèn)仁够灞３炙降墓ば?；使由該基板保持部保持的基板圍繞垂直軸旋轉(zhuǎn)的工序；使與該基板表面相對的顯像液噴嘴，從基板的外側(cè)向中央部移動的工序；使顯像液噴嘴移動，并且從設(shè)在該顯像液噴嘴上的、從基板周邊邊緣向中央部側(cè)延伸的帶狀的噴出口，向著基板表面噴出顯像液的工序；和跟隨著該顯像液噴嘴，從流體供給噴嘴向著基板供給用于將從該顯像液噴嘴供給基板表面的顯像液壓向中央部的流體的工序。
18.如權(quán)利要求17所述的顯像方法，其特征為，所述流體為稀薄的顯像液。
19.如權(quán)利要求17所述的顯像方法，其特征為，所述流體為氣體。
20.一種顯像方法，使在表面上涂布涂布液、曝光后的基板顯像，其特征為，包含下列工序利用基板保持部，從背面?zhèn)仁够灞３謨A斜姿勢的工序；使由該基板保持部保持的基板圍繞垂直軸旋轉(zhuǎn)的工序；使與該基板表面相對的顯像液噴嘴，從基板的外側(cè)向中央部移動的工序；和從設(shè)在該顯像液噴嘴上的、從基板周邊邊緣向中央部側(cè)延伸的帶狀的噴出口，向著基板表面噴出顯像液的工序。
21.如權(quán)利要求20所述的顯像方法，其特征為，基板傾斜角為1度～10度。
22.一種顯像方法，使在表面上涂布涂布液、曝光后的基板顯像，其特征為，具有下列工序；利用基板保持部從背面?zhèn)葘⒒灞３炙阶藙莸墓ば?。以從該基板的中心偏心的位置作為旋轉(zhuǎn)軸，使由該基板保持部保持的基板圍繞垂直軸左右振動的工序；使與該基板的表面相對的顯像液噴嘴，從位于連接基板的中心和旋轉(zhuǎn)軸的直線的延長線上的基板一端向著另一端移動的工序；和使顯像液噴嘴移動，并從設(shè)置在該顯像液噴嘴上的、從基板周邊邊緣向中央部延伸的帶狀噴出口，向著基板表面噴出顯像液的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯像裝置和顯像方法，使在表面上涂布抗蝕劑、曝光后的基板旋轉(zhuǎn)，并供給顯像液，控制顯像液的液體流動，在基板上形成面內(nèi)均勻性高的圖形。在使在作為基板保持部的旋轉(zhuǎn)夾頭(2)上保持水平的基板例如晶片(W)，圍繞垂直軸正轉(zhuǎn)，使與該基板的表面相對設(shè)置的具有從該基板的周邊邊緣向中央部測延伸的帶狀噴出口(41)的顯示液噴嘴(4)，從基板外側(cè)向著中央部移動，并將顯像液供給其表面。在將顯示液供給基板表面后，使該基板反轉(zhuǎn)。在這種情況下，由于通過從正轉(zhuǎn)變至反轉(zhuǎn)，基板上的顯像液的液體流動圖形改變，顯像液可以容易地到達(dá)基板上的圖形的細(xì)小部分。結(jié)果，可以得到顯像后面內(nèi)均勻性高的圖形。
文檔編號B05C5/00GK1737692SQ200510090339
公開日2006年2月22日 申請日期2005年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月20日
發(fā)明者山本太郎, 大河內(nèi)厚, 竹口博史, 吉原孝介 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社