專利名稱：基于酞菁鈦氧新相的光電導(dǎo)體材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子照相術(shù)用感光體，確切地說(shuō)，涉及一種具有新晶形酞菁鈦的光電導(dǎo)體。該光電導(dǎo)體適合用于任何電記錄法或電子照相術(shù)，例如打印機(jī)、復(fù)印機(jī)等中使用的方法。該光電導(dǎo)體對(duì)長(zhǎng)波長(zhǎng)的光和半導(dǎo)體激光束都具有高靈敏度，而非只對(duì)可見(jiàn)光具有高靈敏度。
背景技術(shù)：
對(duì)可見(jiàn)光有光敏性的電子照相感光體已廣泛用于復(fù)印機(jī)、打印機(jī)等中。已廣泛使用最初用作電子照相感光體的材料，通常包括(位于導(dǎo)電支撐體上的)光敏層的無(wú)機(jī)感光體，該光敏層含硒、氧化鋅、硫化鎘及其它無(wú)機(jī)光電導(dǎo)物質(zhì)作為主要成分。然而，對(duì)于復(fù)印機(jī)及其它設(shè)備用電子照相感光體中所需的光敏性、熱穩(wěn)定性、水/濕穩(wěn)定性、耐用性及其它特性，這些無(wú)機(jī)感光體并不總是令人滿意。例如，硒易于加熱結(jié)晶，或被指紋污染，這容易使所需的光電導(dǎo)體特性變差。使用硫化鎘的電子照相感光體的水穩(wěn)定性和耐用性差，而使用氧化鋅的電子照相感光體在耐用性，特別是在濕度和物理應(yīng)力方面有問(wèn)題。使用硒和硫化鎘的電子照相感光體在它們的制造和操作中還有不利的限制。
為了改進(jìn)和避免無(wú)機(jī)光電導(dǎo)物質(zhì)的這些問(wèn)題，已經(jīng)將各種有機(jī)光電導(dǎo)物質(zhì)用于電子照相感光體的光敏層。例如，日本未審專利公開(kāi)50-10496中公開(kāi)了一種有機(jī)感光體，其使用含聚N-乙烯基咔唑和2，4，7-三硝基芴酮的光敏層。然而，此感光體的靈敏度和耐用性仍然不夠。因此，研究了具有2層的功能分離型電子照相感光體，其中光敏層獨(dú)立地含載體產(chǎn)生層和載體傳輸層，它們分別含產(chǎn)生載體的物質(zhì)和傳輸載體的物質(zhì)。這能夠使不同的物質(zhì)獨(dú)立地起到產(chǎn)生載體的作用和傳輸載體的作用。因此，可以選擇具有其中一種功能的各種物質(zhì)。
因此，預(yù)計(jì)可以獲得具有高靈敏度和耐用性的有機(jī)感光體。已經(jīng)提出了許多對(duì)功能分離型電子照相感光體的載體產(chǎn)生層有效的載體產(chǎn)生物質(zhì)。作為那些使用無(wú)機(jī)物的一個(gè)例子，如日本未審專利公開(kāi)公報(bào)43-16198中介紹的，可以使用無(wú)定形硒。此含無(wú)定形硒的載體產(chǎn)生層與含有機(jī)載體運(yùn)輸物質(zhì)的載體運(yùn)輸層結(jié)合在一起使用。然而，該含無(wú)定形硒的載體產(chǎn)生層具有這樣的問(wèn)題由于加熱造成的結(jié)晶導(dǎo)致如上所述的特性噁化。使用有機(jī)物質(zhì)作為載體產(chǎn)生物質(zhì)的一個(gè)例子是有機(jī)染料或顏料。例如，已知的日本未審專利公開(kāi)公報(bào)47-37543、55-22834、54-79632、56-116040等中介紹的具有含雙偶氮化合物光敏層的載體產(chǎn)生物質(zhì)。
然而，盡管這些雙偶氮化合物在短波長(zhǎng)和中波長(zhǎng)范圍內(nèi)表現(xiàn)出相對(duì)良好的靈敏度，但它們?cè)陂L(zhǎng)波長(zhǎng)范圍內(nèi)的靈敏度低。它們難以在使用半導(dǎo)體激光束源的激光打印機(jī)中使用，而且它們需要高可靠性。
現(xiàn)在廣泛用作半導(dǎo)體激光器的鎵鋁砷(Ga/Al/As)型發(fā)光元件的振蕩波長(zhǎng)大于750nm。為了獲得對(duì)這種長(zhǎng)波長(zhǎng)的光具有高靈敏度的電子照相感光體，已經(jīng)進(jìn)行了許多研究。例如，設(shè)想的這樣一種方法是向光敏材料如Se、CdS及其它在可見(jiàn)光范圍內(nèi)具有高靈敏度的材料中加入敏化劑，以使波長(zhǎng)更長(zhǎng)。然而，如上所述，Se和CdS對(duì)溫度、濕度等還沒(méi)有充分的環(huán)境耐受性。如上所述，還已知很多有機(jī)型光電導(dǎo)材料；但它們的靈敏度通常限于700納米的可見(jiàn)光區(qū)，并且只有極少數(shù)材料對(duì)更長(zhǎng)的波長(zhǎng)具有足夠的靈敏度。
在可以得到的電荷產(chǎn)生材料中，已知酞菁型化合物在長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域具有光敏性。其中，日本未審專利公開(kāi)公報(bào)61-239248中介紹了α-型酞菁鈦氧。當(dāng)暴露于CuK-α源產(chǎn)生的X-射線(波長(zhǎng)1.541埃)下時(shí)，此類型的酞菁鈦氧在布拉格2θ角為7.5、12.3、16.3、25.3和28.7度處有峰。然而，其靈敏度低，電位穩(wěn)定性在反復(fù)使用的過(guò)程中差，且在使用反轉(zhuǎn)的電子照相術(shù)制版法中易于產(chǎn)生灰霧。電氣化能力也低，并難以獲得足夠的圖像密度。
美國(guó)專利U.S.4,898,799描述了一種含酞菁鈦氧的感光體，對(duì)于CuK-α特征X-射線(波長(zhǎng)1.541埃)，該感光體至少在布拉格2θ角為9.5±0.2度、9.7±0.2度、11.7±0.2度、15.0±0.2度、23.5±0.2度、24.1±0.2度和27.3±0.2度處具有主峰。例如，酞菁鈦氧的生產(chǎn)方法是在α-氯萘溶劑中混合四氯化鈦和鄰苯二甲腈進(jìn)行的。水解產(chǎn)生的酞菁二氯鈦(TiCl2Pc)，從而得到α-型酞菁鈦氧。用2-乙氧基乙醇、二甘醇二甲醚、二噁烷、四氫呋喃、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、吡啶、嗎啉及其它溶劑，即電子供體來(lái)處理此酞菁酞氧。

發(fā)明內(nèi)容
通過(guò)處理不同形式的氧酞菁鈦氧晶體(titanyl oxyphthalocyanine)(優(yōu)選的是從γ形式開(kāi)始)提供含晶格排列的內(nèi)混物的晶相，本文中稱為S-相。該S-相是真正的新相(具有通過(guò)單晶顯示的光譜發(fā)射和吸收性能)，而不是各種相的不同顆粒的混合物(例如，β相和γ相顆粒的混合物)，具有在形成新的、連續(xù)的、不均勻晶格結(jié)構(gòu)的原子和分子的S-相中的內(nèi)部晶格分布。X-射線光譜顯示了一組衍射峰，這些光譜的衍射峰以前只獨(dú)立地存在于各種晶形的酞菁鈦氧的集合中，但現(xiàn)在可以以單晶形式提供。
本發(fā)明涉及一種含酞菁鈦氧的感光體，相對(duì)于CuK-α特征X-射線(波長(zhǎng)1.541埃)，該感光體至少在布拉格2θ角為9.5±0.2度、9.7±0.2度、11.7±0.2度、13.5±0.2度、24.1±0.2度、26.4±0.2度和27.3±0.2度處具有主峰。在15.0、15.3和16.0±0.2度處還存在接近或等于主峰的附加峰?？梢源嬖?，但不是S-型的特征標(biāo)志的其它特征可以是在21.0±0.2度有β-型峰和在23-23.5±0.2度有平臺(tái)。


了本發(fā)明的各個(gè)方面，其中以圖示的方式說(shuō)明了氧酞菁鈦(鈦氧)的性能。應(yīng)該指出的是在所有的附圖和實(shí)施例中，所有的γ-形式(gamma形式)的化學(xué)組成相同，并且結(jié)晶(crusyalline)結(jié)構(gòu)基本相同，但批號(hào)不同。在本領(lǐng)域中公認(rèn)，所示性能上的差異與批號(hào)的差異共同變化。
圖1所示為以下3個(gè)氧酞菁鈦氧(TiOPc)樣品的X射線衍射譜γ-7(市售)、β-11(市售)和一個(gè)在MEK中研磨過(guò)的樣品。
圖2所示為3個(gè)γ-型的氧酞菁鈦氧樣品的X射線衍射譜，這些樣品是使用不同的研磨方法、在不同的溶劑中、與不同的粘合劑一起研磨的。實(shí)施例-1、實(shí)施例-2和實(shí)施例-3分別為β-型、S-型和γ-型，數(shù)據(jù)列在表5中。
圖3所示為4個(gè)氧酞菁鈦氧(TiOPc)樣品的X射線衍射譜，對(duì)其中的兩個(gè)進(jìn)行了老化。
圖4所示為5個(gè)氧酞菁鈦氧樣品的X射線衍射譜其中3個(gè)在二甲苯中，以單向方式(pass mode)與PCZ粘合劑(聚碳酸酯Z)一起研磨4遍，研磨后加入不同的溶劑。
圖5所示為4個(gè)氧酞菁鈦氧樣品的X射線衍射譜2個(gè)在MEK溶劑中，與BX-5(聚乙烯醇縮丁醛)一起研磨，然后向一個(gè)樣品研磨料中加入THF。
圖6a和6b所示為電子照相結(jié)構(gòu)的橫截面。
圖7所示為兩組在110℃下老化1小時(shí)和不在此條件下老化的純?chǔ)?11和γ型TiOPc的X射線衍射數(shù)據(jù)。
圖8所示為5個(gè)氧酞菁鈦氧樣品的X射線衍射譜，其中3個(gè)在不同的溶劑中，以單向方式與PCZ一起研磨不同的遍數(shù)，數(shù)據(jù)列在表4中。
圖9所示為4個(gè)氧酞菁鈦氧樣品的X射線衍射譜，2個(gè)在不同的溶劑中，與PCZ一起研磨，并進(jìn)行不同的老化，數(shù)據(jù)列在表4中。
圖10所示為5個(gè)氧酞菁鈦氧樣品的X射線衍射譜3個(gè)在對(duì)二甲苯中，以單向方式與PCZ一起研磨，并老化1小時(shí)，數(shù)據(jù)列在表4中。
圖11所示為5個(gè)氧酞菁鈦氧樣品的X射線衍射譜3個(gè)在對(duì)二甲苯中，以單向方式與PCZ一起研磨8遍，并老化這些樣品中的兩個(gè)，數(shù)據(jù)列在表4中。
圖12所示為4個(gè)氧酞菁鈦氧樣品的X射線衍射譜2個(gè)在二噁烷中，以單向方式與PCZ一起研磨，數(shù)據(jù)列在表4中。
圖13所示為5個(gè)氧酞菁鈦氧樣品的X射線衍射譜3個(gè)在二噁烷中，以單向方式與PCZ一起研磨6遍，并老化(在50℃下老化20小時(shí)和在110℃下老化1小時(shí))這些樣品中的兩個(gè)，數(shù)據(jù)列在表4中。
圖14所示為5個(gè)氧酞菁鈦氧樣品的X射線衍射譜3個(gè)在四氫呋喃(THF)中，以單向方式與PCZ一起研磨，對(duì)其中一個(gè)進(jìn)行老化，數(shù)據(jù)列在表3和4中。
圖15所示為5個(gè)氧酞菁鈦氧樣品的X射線衍射譜3個(gè)在不同的溶劑中，與PCZ一起研磨不同的時(shí)間，數(shù)據(jù)列在表3中(β和γ曲線未標(biāo)記)。
圖16所示為6個(gè)氧酞菁鈦氧樣品的X射線衍射譜4個(gè)在對(duì)二甲苯中，以循環(huán)方式與PCZ一起研磨，時(shí)間各不相同，數(shù)據(jù)列在表3中。
圖17所示為6個(gè)氧酞膏鈦氧樣品的X射線衍射譜4個(gè)是在對(duì)二甲苯中，以循環(huán)方式與PCZ一起研磨，時(shí)間各不相同，這4個(gè)樣品中的一個(gè)老化2-3星期，數(shù)據(jù)列在表3中。
圖18所示為根據(jù)可以裝有本發(fā)明材料的通用成像裝置的示意圖。
圖19所示為6個(gè)TiOPc樣品的X射線衍射圖樣4個(gè)在1，4-二噁烷中，以循環(huán)方式與PCZ一起研磨，時(shí)間各不相同，數(shù)據(jù)列在表3中。
圖20所示為8個(gè)TiOPc樣品的X射線衍射圖樣7個(gè)在甲苯中，以循環(huán)方式與PCZ一起研磨，時(shí)間各不相同。
圖21所示為6個(gè)TiOPc樣品的X射線衍射圖樣4個(gè)在甲基乙基酮中，以循環(huán)方式與BX-5一起研磨，時(shí)間各不相同。
圖22所示為7個(gè)TiOPc樣品的X射線衍射圖樣5個(gè)在甲基乙基酮中，以循環(huán)方式與PCZ一起研磨，時(shí)間各不相同，數(shù)據(jù)列在表2中。
圖23所示為6個(gè)TiOPc樣品的X射線衍射圖樣4個(gè)在甲基乙基酮中，以循環(huán)方式與BX-5一起研磨，時(shí)間各不相同。
圖24所示為4個(gè)TiOPc樣品的X射線衍射圖樣2個(gè)在甲基乙基酮中，以循環(huán)方式與BX-5一起研磨，時(shí)間各不相同，數(shù)據(jù)列在表3中。
圖25所示為5個(gè)TiOPc樣品的X射線衍射圖樣4個(gè)在甲基乙基酮中，以循環(huán)方式與BX-5一起研磨，時(shí)間各不相同，數(shù)據(jù)列在表3中。
圖26所示為2個(gè)TiOPc樣品的X射線衍射圖樣1個(gè)在甲基乙基酮中，以循環(huán)方式與BX-1一起研磨8小時(shí)，數(shù)據(jù)列在表3中。
圖27所示為4個(gè)TiOPc樣品的X射線衍射圖樣2個(gè)在二噁烷中，與PCZ一起研磨，并在室溫下老化不同的時(shí)間，數(shù)據(jù)列在表3中。
圖28所示為4個(gè)TiOPc樣品的X射線衍射圖樣2個(gè)在四氫呋喃中，以循環(huán)方式與BX-5一起研磨，時(shí)間各不相同。
圖29所示為6個(gè)TiOPc樣品的X射線衍射圖樣5個(gè)樣品在乙醇中，以循環(huán)方式與BX-1(聚乙烯醇縮丁醛)一起研磨，時(shí)間各不相同。
圖30所示為了各種TiOPc形式的可見(jiàn)光譜，具體地說(shuō)是在合適的條件下，通過(guò)研磨制造的β-型、γ-型和S-型TiOPc的可見(jiàn)光譜。
圖31所示為市售4種不同形式的TiOPc的可見(jiàn)光譜無(wú)定形、β(9)、β(11)和γ-型。
具體實(shí)施例方式
當(dāng)用作功能分離型電子照相感光體時(shí)，使用本發(fā)明的氧酞菁鈦氧作為載體產(chǎn)生物質(zhì)。它與載體運(yùn)輸物質(zhì)一起構(gòu)成感光體。根據(jù)本發(fā)明的氧酞菁鈦氧不同于如上所述和現(xiàn)有技術(shù)中許多單一類型的氧酞菁鈦氧。該晶形的氧酞菁鈦氧其X-射線衍射譜具有獨(dú)特組合的主峰。對(duì)于CuK-α特征X射線(波長(zhǎng)1.541埃)，這些主峰至少在布拉格2θ角為9.5±0.2度、9.7±0.2度、11.7±0.2度、13.5±0.2度、21±0.2度、23.5±0.2度、24.1±0.2度、26.4±0.2度和27.3±0.2度處從背景噪音中清晰地突出出來(lái)。如上所述，在15.0、15.3和16.0±0.2度還存在接近或等于主峰的附加峰。根據(jù)本發(fā)明的氧酞菁鈦的晶體與文獻(xiàn)中早已指出的晶體類型明顯不同，其含不同晶格結(jié)構(gòu)的內(nèi)部、連續(xù)/不均勻的混合物。
本發(fā)明還涉及一種含酞菁鈦氧的感光體，對(duì)于CuK-α特征X射線(波長(zhǎng)1.541埃)，該酞菁鈦氧至少在布拉格2θ角為9.5±0.2度、9.7±0.2度、11.7±0.2度、13.5±0.2度、24.1±0.2度、26.4±0.2度和27.3±0.2度處具有主峰。在15.0、15.3和16.0±0.2度還存在接近或等于主峰的附加峰。還可存在、但不是S-型的特征標(biāo)志的其它特征是，在21.0±0.2度有β-型峰和在23-23.5±0.2度有平臺(tái)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的氧酞菁鈦氧(在本文中將其稱為“S-型”)有以前在單晶中沒(méi)有觀察到的特征光譜。
在下面的條件下測(cè)量上述X射線衍射譜(下同)。
X-射線管Cu電壓40.0KV電流100.0mA起始角6.00度停止角35.00度步進(jìn)角0.020度測(cè)量時(shí)間0.50秒過(guò)去已經(jīng)認(rèn)識(shí)到研磨條件、所用溶劑、所用溫度、額外的添加劑和所用研磨類型對(duì)得到的晶相或由研磨得到的晶體結(jié)構(gòu)有不可預(yù)測(cè)的影響。然而，在實(shí)際使用新的參數(shù)組合前，沒(méi)有準(zhǔn)確預(yù)言將會(huì)得到什么晶形(及伴隨它的X射線衍射圖)的基礎(chǔ)。也沒(méi)有能夠預(yù)測(cè)任何特定參數(shù)組(在沒(méi)有實(shí)際試驗(yàn)它們的情況下)是否會(huì)產(chǎn)生氧酞菁鈦氧已經(jīng)存在的眾多晶形中的任何一種特定晶形的基礎(chǔ)。美國(guó)專利US 4,898,799證實(shí)存在單個(gè)新峰或沒(méi)有上述峰是在制品中存在不同晶格結(jié)構(gòu)和不同晶形的明顯證據(jù)。即使(存在或不存在)單個(gè)主峰差是整個(gè)晶格結(jié)構(gòu)不同的真憑實(shí)據(jù)。術(shù)語(yǔ)“主峰”不是主觀術(shù)語(yǔ)，但在本領(lǐng)域中用于區(qū)分材料時(shí)，如果不是不明確，則其使用也會(huì)使得該術(shù)語(yǔ)稍微有些主觀。應(yīng)該在恒定的X射線強(qiáng)度，但在變化的角度下，從X射線衍射試驗(yàn)中產(chǎn)生的絕對(duì)和相對(duì)強(qiáng)度下考慮該術(shù)語(yǔ)。例如，當(dāng)任何峰的峰強(qiáng)度都超過(guò)200(cps)或任何峰的峰強(qiáng)度都超過(guò)250(cps)時(shí)，主峰的強(qiáng)度應(yīng)該至少為50(cps)或至少為70，或至少為100。這可以通過(guò)比較數(shù)據(jù)圖內(nèi)的各個(gè)峰看出。例如，最多勉強(qiáng)稱7.5度處的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)為主峰，而應(yīng)將11.8和24.2處的結(jié)構(gòu)稱為主峰，而在26.4、21.0、15.5和9.5處的結(jié)構(gòu)必須稱為主峰。
所附的是β、γ和S-型TiOPc的數(shù)據(jù)。我們認(rèn)為S-型TiOPc晶體與β-型或γ-型的晶體不同。S-型晶體不是單獨(dú)β晶體和單獨(dú)γ晶相的混合物。然而，S-型晶體兼具β和γ-型的特征，并且顯示兩種形式主峰的集合，而不是只顯示單個(gè)先前已識(shí)別的形式的那些主峰。因此，S-型的X-射線峰出現(xiàn)在與γ和β峰位置相似的復(fù)合位置上。然而，S-型也是一種普通的形式。它有許多種類。每種都具有獨(dú)特的β和γ特征比(在性能、光譜以及大概可能在晶格結(jié)構(gòu)方面)，這取決于轉(zhuǎn)變的程度和方向。
實(shí)施例中描述并提供的工藝說(shuō)明了為什么S-型兼有β和γ譜的特征。γ-型不是TiOPc的穩(wěn)定形式。因此，可以將其轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N形式，在所示的具體實(shí)施例中，在許多限定條件下研磨的過(guò)程中容易轉(zhuǎn)變?yōu)镾-型。相對(duì)于β-型，S-型也不是穩(wěn)定形式。如果條件合適，也可以將其轉(zhuǎn)變?yōu)棣?型。就我們看來(lái)，相變過(guò)程為γ＞S＞β。γ晶體中的原子排列為特定的(γ)樣式，而β晶體中的原子排列為另一種特定的(β)樣式。當(dāng)γ晶體開(kāi)始轉(zhuǎn)變成S-型時(shí)，部分γ樣式變?yōu)棣聵邮健＆煤挺聵邮焦泊嬗谙嗤木w中。只有當(dāng)100％的γ樣式都轉(zhuǎn)變成β樣式時(shí)，才形成β-型晶體。當(dāng)轉(zhuǎn)變率小于100％時(shí)，只能得到S-型。必須指出的是此轉(zhuǎn)變發(fā)生在晶格結(jié)構(gòu)之內(nèi)，而不是顆粒至顆粒地整體轉(zhuǎn)變。通過(guò)晶體結(jié)構(gòu)既不是β-型也不是γ-型的中間體S-型階段，由晶格至晶格地從一種形式轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N形式。
圖1所示為γ-型(來(lái)自供應(yīng)商)和β-型(來(lái)自供應(yīng)商)晶體，和S-型(來(lái)自研磨γ-型，根據(jù)實(shí)施例2)的X射線衍射。
圖2所示為在不同的溶劑和不同的粘合劑中，用不同研磨方法研磨的γ-型TiOPc的3個(gè)實(shí)施例的X射線衍射。實(shí)施例1、實(shí)施例2和實(shí)施例3在最終的CGM研磨料中的晶形分別是γ、S和β-型。
表5列出了實(shí)施例1-3的X-射線峰。其還提供每個(gè)峰的峰面積。
表6是單層OPC(有機(jī)光電導(dǎo)體)涂層的靜電數(shù)據(jù)，該涂層是用如圖1和表1(即實(shí)施例1-3)所示的TiOPc的3個(gè)CGM研磨料配制的。請(qǐng)注意考慮到能夠保持較高電荷，然后放電至較低水平的S-型，實(shí)施例2的性能毫無(wú)疑問(wèn)地要超過(guò)β-型和γ-型的性能。
圖30所示為通過(guò)研磨步驟制造的β、γ和S-型氧酞菁鈦氧的可見(jiàn)光譜。應(yīng)該指出的是與X射線衍射譜一樣，可見(jiàn)光譜也顯示出顯著的差異。與S-型和γ-型(Gamma)相比，β-型在大于850納米顯示較高的吸收。即使在修正任何可能包含的基線差異后，S-型在790-800納米處也顯示比γ-型和β-型低得多的吸收。由于這3種形式的化學(xué)細(xì)成基本相同，可見(jiàn)光譜中的差異再一次支持了在這3種形式間有不同的晶體和晶格結(jié)構(gòu)。
理想的是按如上所述方法得到的氧酞菁鈦氧在干燥條件下使用，但也可以以濕式糊膏的形式使用。對(duì)于用于攪拌和研磨的分散介質(zhì)，可以列舉通常用于分散體或乳化顏料的那些，例如玻璃珠、鋼珠、氧化鋁珠、燧石等。然而，并不總是需要分散介質(zhì)?？梢粤信e用于顏料摩擦粉碎用的助劑，例如食鹽、碳酸氫鈉、Glauher’s鹽等作為摩擦粉碎用助劑。然而，摩擦粉碎用助劑并不總是必需的。
當(dāng)攪拌、研磨或摩擦粉碎需要溶劑時(shí)，可以使用在攪拌或研磨時(shí)的溫度下被液化的溶劑。例如，現(xiàn)有技術(shù)(例如美國(guó)專利US 4,898,799)表明理想的是，選擇一種以上的溶劑，如醇型溶劑(例如甘油、乙二醇、二甘醇)或聚乙二醇型溶劑、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚及其它纖維素型溶劑、酮型溶劑、酯酮型溶劑等。在本發(fā)明的實(shí)踐中，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在甲基乙基酮中研磨(研磨時(shí)，THF生成β形，但向乙酸乙酯研磨料中的CGM中加入THF將生成S形)能形成S-型，而在特定轉(zhuǎn)變是可控制的且充分穩(wěn)定的條件下，沒(méi)有測(cè)試其它溶劑。用于晶體轉(zhuǎn)變過(guò)程的代表性設(shè)備是普通的攪拌設(shè)備如均質(zhì)混勻機(jī)、擴(kuò)散器、攪拌機(jī)、攪拌器、捏和機(jī)、Banbury混合機(jī)、球磨機(jī)，砂磨機(jī)、磨碎機(jī)、音速混合器等。晶體轉(zhuǎn)變過(guò)程的溫度范圍為30-180℃，理想的是40-130℃。與在普通晶體轉(zhuǎn)變過(guò)程中一樣，使用晶種也是有效的。
在本發(fā)明中，可以與上述氧酞菁鈦氧一起使用其它載體產(chǎn)生物質(zhì)。例如，可以與氧酞菁鈦氧一起使用的載體產(chǎn)生物質(zhì)是α-型、β-型、γ-型、x-型、τ型、τ’型和η型以及η’型鈦氧或非金屬氧酞菁。除了上述那些之外，可以提供氧酞菁顏料、偶氮顏料、蒽醌顏料、二萘嵌苯顏料、多環(huán)醌顏料、方形酸次甲基顏料、部花青顏料、花青顏料等。
在本發(fā)明的感光體中，當(dāng)采用功能分離型感光體時(shí)，可以使用以下物質(zhì)作為載體運(yùn)輸物質(zhì)噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噻唑衍生物、咪唑衍生物、咪唑啉酮衍生物、咪唑啉(imidazolizine)衍生物、二咪唑啉(bisimidazolizine)衍生物、苯乙烯基化合物、腙化合物、吡唑酮衍生物、噁唑啉酮衍生物、唑酮衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑(benzoimidazole)衍生物、喹唑啉衍生物、苯并呋喃衍生物、吖啶衍生物、吩嗪衍生物、氨芪衍生物、聚-N-乙烯基咔唑、聚-1-乙烯基pylene、聚-9-乙烯基蒽等。
在感光體中，通常對(duì)某種載體產(chǎn)生物質(zhì)有效的載體運(yùn)輸物質(zhì)并不總是對(duì)其它載體有效。對(duì)某種載體運(yùn)輸物質(zhì)有效的載體產(chǎn)生物質(zhì)也并不總是對(duì)其它載體運(yùn)輸物質(zhì)有效。為了將它們用作電子照相感光體，載體產(chǎn)生物質(zhì)和載體運(yùn)輸物質(zhì)的正確組合是必需的。不適當(dāng)?shù)慕M合將降低電子照相感光體的靈敏度，特別是由于在低電場(chǎng)中放電效率不足造成的，剩余電位增加。在最壞的情況下，例如當(dāng)將此種電子照相感光體用于復(fù)印機(jī)時(shí)，當(dāng)其反復(fù)使用時(shí)，電荷積累，調(diào)色劑粘到成像區(qū)以外的區(qū)域上，從而污染復(fù)制品的基底或損害清晰的復(fù)制像。
電子轉(zhuǎn)移材料包括但不限于眾所周知的電子轉(zhuǎn)移材料，例如bromoanil、四氰乙烯、四氰喹啉二甲烷、2，4，7-三硝基-9-芴酮、2，4，5，7-四硝基-9-芴酮、2，4，5，7-四硝基噸酮、2，4，8-三硝基噻噸酮、2，6，8-三硝基-茚并-4H-茚并[1，2-b]噻吩-4-酮，和1，3，7-三硝基二苯并噻吩-5，5-二氧化物、(2，3-聯(lián)苯-1-亞茚基)丙二腈、4H-硫代吡喃-1，1-二氧化物及其衍生物如4-二氰基亞甲基-2，6-聯(lián)苯-4H-硫代吡喃-1，1-二氧化物、4-二氰基亞甲基-2，6-二-間-甲苯基-4H-硫代吡喃-1，1-二氧化物、和非對(duì)稱取代的2，6-二芳基-4H-硫代吡喃-1，1-二氧化物如4H-1，1-二氧代-2-(對(duì)-異丙基苯基)-6-苯基-4-(二氰基亞甲基)噻喃和4H-1，1-二氧代-2-(對(duì)-異丙基苯基)-6-(2-噻吩基)-4-(二氰基亞甲基)噻喃、磷雜-2，5-環(huán)己二烯的衍生物、烷氧羰基-9-亞芴基)丙二腈衍生物如(4-正-丁氧羧基-9-亞芴基)丙二腈、(4-苯乙氧基羰基-9-亞芴基)丙二腈、(4-carbitoxy-9-亞芴基)丙二腈，和二乙基(4-正-丁氧羰基-2，7-二硝基-9-亞芴基)-丙二酸酯、蒽醌二甲烷(anthraquinodimethane)衍生物如11，11，12，12-四氰基-2-烷基蒽醌二甲烷和11，11-二氰基-12，12-雙(乙氧羰基)蒽醌二甲烷、蒽酮衍生物如1-氯-10-[雙(乙氧羰基)亞甲基]蒽酮、1，8-二氯-10-[雙(乙氧羰基)亞甲基]蒽酮、1，8-二羥基-10-[雙(乙氧羰基)亞甲基)蒽酮、和1-氰基-10-雙(乙氧羰基)亞甲基)蒽酮、7-硝基-2-氮雜-9-亞芴基-丙二腈、聯(lián)苯酚醌(diphenoquinone)衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、奎寧衍生物、四氰乙烯氰乙烯、2，4，8-三硝基噻噸、二硝基苯衍生物、二硝基蒽衍生物、二硝基吖啶衍生物、硝基蒽醌衍生物、二硝基蒽醌衍生物、琥珀酸酐、馬來(lái)酸酐、二溴馬來(lái)酸酐、芘衍生物、咔唑衍生物、腙衍生物、N，N-二烷基苯胺衍生物、二苯胺衍生物、三苯胺衍生物、三苯甲烷衍生物、四氰醌二甲烷、2，4，5，7-四硝基-9-芴酮、2，4，7-三硝基-9-二氰基亞甲基芴酮(dicyanomethylenene fluorenone)、2，4，5，7-四硝基噻噸衍生物和2，4，8-三硝基噻噸衍生物。
因此，混合載體產(chǎn)生物質(zhì)和載體運(yùn)輸物質(zhì)是重要的。然而，對(duì)于選擇這種組合，沒(méi)有特定通用(絕對(duì))的規(guī)則。發(fā)現(xiàn)適合于特定載體產(chǎn)生物質(zhì)的任何載體運(yùn)輸物質(zhì)都是困難的。此外，根據(jù)本發(fā)明的電荷轉(zhuǎn)移物質(zhì)是安全的，在環(huán)境方面有利，而且它們化學(xué)穩(wěn)定。
如上所述，本發(fā)明可以提供感光體，它對(duì)長(zhǎng)波長(zhǎng)光具有高靈敏度，當(dāng)反復(fù)使用時(shí)電位穩(wěn)定性高，充電能力高，并且核心好處是適于用作反轉(zhuǎn)顯影過(guò)程。
在含該感光體的光敏層中，理想的是通過(guò)粘合劑物質(zhì)(即以顏料的形式分散在該層中)混合載體產(chǎn)生物質(zhì)和載體運(yùn)輸物質(zhì)顆粒。在這種情況下，改善了該層的印刷阻力、耐用性及其它性質(zhì)，降低了記憶現(xiàn)象，并且剩余電位變得穩(wěn)定。
可以通過(guò)提供具有所說(shuō)載體產(chǎn)生物質(zhì)的層來(lái)構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的感光體的光敏層，其中所說(shuō)的載體產(chǎn)生物質(zhì)分散在位于導(dǎo)電支撐體上的粘合劑中?；蛘呖梢酝ㄟ^(guò)混合此載體產(chǎn)生物質(zhì)和載體運(yùn)輸物質(zhì)來(lái)提供所謂的疊層型或分散型的功能分離型光敏層。
本發(fā)明層狀結(jié)構(gòu)電光敏(electrophotosensitive)部件的代表性方案實(shí)施如圖6a和6b所示。
圖6a所示為一個(gè)實(shí)施方案，其中光敏層1由單層組成，并同時(shí)含電荷產(chǎn)生材料2和電荷轉(zhuǎn)移材料(未示出)?？梢栽趯?dǎo)電的支撐體3上設(shè)置光敏層1。圖6b示出疊層結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方案，其中光敏層1含具有電荷產(chǎn)生材料2的電荷產(chǎn)生層4和具有設(shè)置在電荷產(chǎn)生層4上的電荷轉(zhuǎn)移材料(未示出)的電荷轉(zhuǎn)移層5；并且可以將電荷產(chǎn)生層4設(shè)置在導(dǎo)電支撐體3上?？梢韵喾吹卦O(shè)置電荷產(chǎn)生層4和電荷轉(zhuǎn)移層5。在制造電光敏部件的過(guò)程中，導(dǎo)電支撐體3可以是具有導(dǎo)電性的材料，包括金屬如鋁或不銹鋼；和具有導(dǎo)電層的金屬、塑料或紙。
在導(dǎo)電支撐體3和光敏層1之間，可以形成作為中間層的具有阻擋作用和粘合作用的底漆或底涂層。底涂層可以包括以下一種物質(zhì)，例如乙烯基共聚物、聚乙烯醇、聚氧化乙烯、乙基纖維素、甲基纖維素、酪蛋白、聚酰胺、膠或凝膠。可以將上述物質(zhì)溶解在合適的溶劑中，并涂覆到導(dǎo)電支撐體3上以制備底漆層。底漆層的厚度約為0.2-3.0微米。
可以通過(guò)以下步驟形成如圖6a所示的由單層組成的光敏層將含本發(fā)明中使用的氧酞菁鈦晶體的電荷產(chǎn)生材料和電荷轉(zhuǎn)移材料與含粘合劑樹(shù)脂的合適溶液混合，涂覆生成的涂層液體，然后干燥該涂層。
可以通過(guò)以下步驟形成如圖6b所示的具有疊層結(jié)構(gòu)的光敏層的電荷產(chǎn)生層將含本發(fā)明中使用的氧酞菁鈦晶體的電荷產(chǎn)生材料分散在含粘合劑樹(shù)脂的合適溶液中，涂覆生成的涂層液體，然后干燥該涂層。在上述溶液中可以不使用粘合劑樹(shù)脂。也可以通過(guò)汽相沉積形成電荷產(chǎn)生層。如上所述粘合劑樹(shù)脂的例子包括聚酯、丙烯酸樹(shù)脂、聚乙烯咔唑、苯氧基樹(shù)脂、聚碳酸酯、聚乙烯醇縮丁醛、聚苯乙烯、醋酸乙烯樹(shù)脂、聚砜、多芳基化合物或偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物。
可以通過(guò)將電荷轉(zhuǎn)移材料和粘合劑樹(shù)脂溶解在合適的溶劑中，涂覆生成的涂料液體，然后干燥該涂層來(lái)形成電荷轉(zhuǎn)移層。使用的電荷轉(zhuǎn)移材料的例子包括三芳基胺化合物、腙化合物、芪化合物、吡唑啉化合物、噁唑化合物、噻唑化合物或三芳基甲烷化合物。可以使用上述樹(shù)脂作為粘合劑樹(shù)脂。涂覆光敏層的方法可以是浸涂、噴涂、旋涂、涂邊(bead coating)、刮涂、棒涂或光束涂覆(beam coating)。
在配制光敏層的過(guò)程中，當(dāng)光敏層由單層構(gòu)成時(shí)，優(yōu)選的是光敏層中分別含1-20重量％和10-80重量％的電荷產(chǎn)生材料和電荷轉(zhuǎn)移材料，特別是分別為2-10重量％和30-70重量％。當(dāng)光敏層具有疊層結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選的是電荷產(chǎn)生層中含5-80重量％，特別是50-70重量％電荷產(chǎn)生材料，優(yōu)選的是電荷轉(zhuǎn)移層中含30-80重量％，特別是40-60重量％的電荷轉(zhuǎn)移材料。由單層構(gòu)成的光敏層的厚度優(yōu)選為5-40微米，更優(yōu)選為10-30微米。當(dāng)光敏層具有疊層結(jié)構(gòu)時(shí)，電荷產(chǎn)生層的厚度優(yōu)選為0.01-10微米，更優(yōu)選為0.05-5微米，并且電荷轉(zhuǎn)移層的厚度優(yōu)選為5-40微米，更優(yōu)選為10-30微米。為了使光敏層免受外部沖擊，可以進(jìn)一步在光敏層上設(shè)置一薄保護(hù)層。
當(dāng)使用氧酞菁鈦晶體作為電荷產(chǎn)生材料時(shí)，可以根據(jù)需要將氧酞菁鈦晶體與另一種已知的電荷產(chǎn)生材料混合。
根據(jù)本發(fā)明的電光敏部件不但可以用于激光束打印機(jī)、發(fā)光二極管(LED)打印機(jī)和陰極射線管(CRT)打印機(jī)，而且可以用于電子照相復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)及其它合適的電子照相術(shù)領(lǐng)域。
圖18示出使用本發(fā)明電光敏部件的普通轉(zhuǎn)印型電子照相裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。參考圖18，作為攜帶圖像元件的光敏鼓(即光敏部件)21以規(guī)定的線速度，沿光敏鼓21內(nèi)箭頭所示的方向圍繞軸21a旋轉(zhuǎn)。用充電器22使光敏鼓的表面均勻充電至具有規(guī)定的正電位或負(fù)電位。通過(guò)使用圖像暴光設(shè)備(未示出)使光敏鼓1暴露于光圖像L(它采用縫隙暴光或激光束掃描暴光的方式)下，從而在光敏鼓21的表面上相繼形成與暴光圖像一致的靜電潛像。通過(guò)顯影設(shè)備24顯影該靜電潛像，從而形成調(diào)色劑圖像。用轉(zhuǎn)印充電器25將該調(diào)色劑圖像相繼轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印材料P上，轉(zhuǎn)印材料P從供應(yīng)部分(未示出)以與光敏鼓21轉(zhuǎn)速同步的速度供應(yīng)到光敏鼓21和轉(zhuǎn)印充電器25之間的位置。在其上具有調(diào)色劑圖像的轉(zhuǎn)印材料P從將被輸送到定影設(shè)備28的光敏鼓21上分離下來(lái)，接著進(jìn)行定影，從而在電子照相裝置外打印出作為復(fù)制品的轉(zhuǎn)印材料P。用清潔器6除去轉(zhuǎn)印后光敏鼓1表面上殘余調(diào)色劑顆粒，以提供清潔表面，并通過(guò)預(yù)暴光設(shè)備27清除光敏鼓21表面上的剩余電荷，為下一個(gè)循環(huán)作準(zhǔn)備。作為為光敏鼓21均勻充電的充電器22，通常廣泛地使用電暈(corona)充電器。作為轉(zhuǎn)印充電器25，通常也廣泛使用這種電暈充電器。在圖18中，參考數(shù)字23表示光敏鼓的旋轉(zhuǎn)方向。
當(dāng)形成雙層結(jié)構(gòu)的光敏層時(shí)，可以通過(guò)以下方法提供載體產(chǎn)生層2(a)通過(guò)涂覆將載體產(chǎn)生物質(zhì)溶解在一些適當(dāng)?shù)娜軇┲小⒒蛳蚱渲屑尤胝澈蟿┎⒒旌隙纬傻娜芤?，?b)通過(guò)涂覆由以下步驟形成的分散溶液用合適的設(shè)備，在合適的條件下和/或溶劑中(任選地在分散介質(zhì)中)將載體產(chǎn)生物質(zhì)研磨成微粒，如有必要可加入粘合劑，經(jīng)混合、分散并涂覆。
當(dāng)使用這些方法時(shí)，通過(guò)在超聲波下分散顆粒能夠獲得均勻的分散體。對(duì)于在涂覆過(guò)程中用于形成載體產(chǎn)生層的溶劑或分散介質(zhì)，可以使用，正丁胺(n-buthyl amine)、二乙胺、異丙醇胺、三乙醇胺、三乙撐二胺、N，N-二甲基甲酰胺、丙酮、甲基乙基酮、環(huán)巳酮、苯、甲苯、二甲苯、氯仿、1，2-二氯乙烷、二氯甲烷、四氫呋喃、二噁烷、甲醇、乙醇、異丙醇、乙酸乙酯、醋酸丁酯、二甲亞砜等，但不限于這些例子。
當(dāng)使用粘合劑形成載體產(chǎn)生層或載體運(yùn)輸層時(shí)，其可以為任何類型，但具有能形成高介電常數(shù)的憎水絕緣膜的高分子聚合物是特別理想的。這些聚合物包括但不限于至少以下粘合劑(a)聚碳酸酯(特別是聚碳酸酯Z樹(shù)脂)，(b)聚酯，(c)甲基丙烯酸樹(shù)脂，(d)丙烯酸樹(shù)脂，(e)聚乙烯基樹(shù)脂，例如聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇縮丁醛，(f)聚苯乙烯，(g)苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-丙烯腈三元共聚物，(h)偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物，(i)氯乙烯-醋酸乙烯共聚物，(j)氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來(lái)酸酐共聚物，(k)硅氧烷樹(shù)脂，(l)硅氧烷-醇酸樹(shù)脂，(m)酚醛樹(shù)脂，(n)苯乙烯-醇酸樹(shù)脂和(o)聚-N-乙烯基咔唑?？梢允褂?與至少兩種或更多種共聚單體組分形成的)均聚物和共聚物這兩者、接枝共聚物、嵌段共聚物等。粘合劑的比例可大幅改變，這取決于最終用途，例如粘合劑與本發(fā)明電荷產(chǎn)生材料的比例可為10-600重量％，理想的是50-400重量％，基于與電荷產(chǎn)生材料相同的重量基準(zhǔn)，載體運(yùn)輸物質(zhì)理想為10-500重量％。這樣形成的載體產(chǎn)生層的厚度理想地約為0.01-20微米，更理想地為0.05-5微米，而載體運(yùn)輸層的厚度約為2-100微米，更理想地約為3-30微米。
當(dāng)分散上述載體產(chǎn)生物質(zhì)來(lái)形成光敏層時(shí)，理想的是所說(shuō)的載體產(chǎn)生物質(zhì)的平均粒徑或主要尺寸為小于10、小于8、小于5、小于4、小于3或小于2微米，理想的是平均粒徑小于1微米或小于0.8或小于0.5微米(一個(gè)優(yōu)選的目標(biāo)是小于約0.3微米)。當(dāng)粒徑太大時(shí)，顆粒不能令人滿意地分散到該層中，并且一些顆粒會(huì)凸出出表面外，從而破壞表面的光滑性。有時(shí)，在凸出的顆粒處會(huì)引起放電，或調(diào)色劑顆粒會(huì)粘附在那里，造成調(diào)色劑涂層現(xiàn)象。
此外，當(dāng)反復(fù)使用時(shí)，為了提高靈敏度、降低剩余電位或減少疲勞，所說(shuō)的光敏層可以含一種或多種電子接受物質(zhì)。對(duì)于可以在本文中使用的電子接受物質(zhì)，可以列出琥珀酸酐、馬來(lái)酸酐、二溴琥珀酸酐、酞酸酐、四氯酞酸酐、四溴酞酸酐、3-硝基酞酸酐、4-硝基酞酸酐、均苯四酸酐、苯六羧酸酐、四氰乙烯、四氰醌二甲烷(tetracyanoquinodimethane)、鄰-二硝基苯、間-二硝基苯、1，3，5-三硝基苯、對(duì)硝基苯腈(paranitrobenzonitrile)、芳基氯、醌氯亞胺、氯苯胺(chloranile)、bulmanile二氯二氰對(duì)苯醌、蒽醌、二硝基蒽醌、9-亞芴基丙二腈(malonodinitrile)、聚硝基-9-亞芴基丙二腈(fluorenylidenemalonodinitrile)、苦味酸、鄰-硝基苯甲酸、對(duì)-硝基苯甲酸、3，5-二硝基苯甲酸、五氟苯甲酸、5-二硝基水楊酸、酞酸、苯六羧酸及其它電子親和能高的化合物。載體產(chǎn)生物質(zhì)與電子接受物質(zhì)的體積比可為100∶0.01-200，理想的是100∶0.1-100。
對(duì)于涂覆上述光敏層的支撐體，典型的支撐體包括但不限于通過(guò)將金屬板、金屬鼓或?qū)щ娋酆衔?、氧化銦或其它的?dǎo)電化合物、或由鋁、鈀、金等組成的導(dǎo)電薄層經(jīng)涂覆、蒸發(fā)或?qū)訅旱酱朔N非限制性材料的薄膜、板、鼓等任何基體上形成的那些，這種非限制性的材料可使用織物、紙、塑料薄膜、復(fù)合物、金屬、陶瓷等。對(duì)于起粘結(jié)層或阻擋層等作用的中間層，使用由高分子聚合物組成的中間層，如以上說(shuō)明的粘合劑樹(shù)脂、聚乙烯醇、乙基纖維素、羧甲基纖維素及其它有機(jī)高分子物質(zhì)或氧化鋁等。
如上所述得到本發(fā)明的感光體。它們具有作為半導(dǎo)體激光感光體所最佳的特性，因?yàn)楸景l(fā)明中使用的氧酞菁鈦氧的光敏波長(zhǎng)范圍的最大值出現(xiàn)在817nm±0.5nm，而且氧酞菁鈦氧具有非常穩(wěn)定的晶形，因此難以發(fā)生向其它晶形的轉(zhuǎn)變。這些特性對(duì)于制造和應(yīng)用于電子照相感光體是非常有益的。
在本發(fā)明的實(shí)踐中使用兩種研磨方式。也可以使用其它研磨方式。描述的兩種方式是“循環(huán)方式研磨”和“單向方式研磨”。循環(huán)方式研磨指的是粒徑減小和/或顏料分散過(guò)程，其中將著色的分散體(研磨料，通常含聚合物和顏料)置于一個(gè)容器(原始容器)中，(例如，通過(guò)泵送)使其連續(xù)通過(guò)研磨室(例如，水平砂磨機(jī)的研磨室)的有效研磨區(qū)域或經(jīng)研磨室的有效研磨處理，離開(kāi)研磨室后將處理過(guò)的研磨料輸送回原始容器。優(yōu)選的是(例如，通過(guò)軸式混合器)攪拌原始容器中的分散體以確保研磨料在整個(gè)研磨過(guò)程中均勻性良好。在循環(huán)方式研磨中，研磨料中的每種流體成分并不是都在相同的剪切環(huán)境下暴露，相同的滯留時(shí)間。然而，總的結(jié)果是為了得到更均勻的分散體。
單向方式研磨指的是粒徑減小和顏料分散過(guò)程，其中將著色的分散體(研磨料)置于第一容器中，(例如通過(guò)泵送)使其通過(guò)研磨室(例如，水平砂磨機(jī)的研磨室)的有效研磨區(qū)域，并在第二容器中收集。單向方式研磨確保研磨料中的每種流體成分都暴露于基本相同的剪切環(huán)境下，在有效研磨區(qū)域中的滯留時(shí)間也基本相同。當(dāng)基本上所有來(lái)自第一容器的研磨料都通過(guò)研磨室并被收集在第二容器中時(shí)，一遍研磨完成?？梢赃@樣實(shí)現(xiàn)隨后的研磨在前面的研磨完成后，將從第二容器中收集的研磨料轉(zhuǎn)移到第一容器中。優(yōu)選的是(例如，通過(guò)軸式混合器)攪拌第一研磨容器中的分散體；更優(yōu)選的是攪拌第一和第二容器中的分散體。
對(duì)于本發(fā)明，使用本發(fā)明的原始氧酞菁鈦氧可以得到對(duì)中波范圍有最佳光敏波長(zhǎng)范圍的感光體，特別是半導(dǎo)體激光器和LEDs。根據(jù)本發(fā)明的氧酞菁鈦氧對(duì)溶劑、加熱和機(jī)械應(yīng)力有優(yōu)異的晶體穩(wěn)定性，作為感光體靈敏度高、充電能力強(qiáng)且電位穩(wěn)定性好。
實(shí)施例A)新晶形TiOPc的形成和檢測(cè)上面已經(jīng)描述了對(duì)用于單層OPC的新晶形(即S-型)TiOPc的開(kāi)發(fā)和研究的細(xì)節(jié)?？梢酝ㄟ^(guò)X射線衍射(XRD)說(shuō)明對(duì)S-型的定義，該XRD顯示出所有γ主峰和在26.4的一個(gè)非γ主峰而沒(méi)有顯示出任何其它在β-型TiOPc中發(fā)現(xiàn)的非γ主峰。這證實(shí)該晶格不但含有在γ-型中發(fā)現(xiàn)的晶格中的原子/分子分布，而且存在與γ-型不一致的額外晶格結(jié)構(gòu)排列，可又不包含與β-型一致的所有額外晶格結(jié)構(gòu)(因此不是所有XRD)。
以下所附的表1和2中所列的是TiOPc粉末(即，γ和β-型TiOPc)和用不同的粘合劑、在不同的溶劑中、在不同的研磨條件和不同的處理下由γ-型TiOPc制備的電荷產(chǎn)生材料(CGM)研磨料的X射線衍射(XRD)中的峰面積的結(jié)果。
應(yīng)該指出的是表1中所列的γ-型TiOPc是從H.W.Sands Corporation(Jupiter，F(xiàn)L)定購(gòu)的，并用于所有表2中所列的CGM研磨。而表1中所列的β-9并β-11是兩種不同形式的β-型TiOPc，購(gòu)于Syntec(Wolfen，Germany，10/10.1和10/10.4)，它們具有不同的靈敏度，分別為S(780nm)＝35和93m2/J。上面還提供了額外的XRD數(shù)據(jù)和對(duì)TiOPc粉末和所用的熱處理的討論。
至少有3種不同的方式來(lái)獲得S-型TiOPc1)在所選擇的溶劑中，在規(guī)定的研磨條件下，與聚合物粘合劑一起研磨如表2中前兩組實(shí)施例所示，可以通過(guò)在具有1微米YTZ(氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯)珠的水平砂磨機(jī)(Morimura Bros.，Inc.，F(xiàn)ortLee，New Jersey)上，使用循環(huán)方式，在MEK中，以2.3∶1的重量比研磨γ-型TiOPc與聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂(例如，購(gòu)于Sekisui Chemical Co.Ltd.的BX-5)來(lái)獲得S-型TiOPc。取決于CGM研磨料中固相的百分比，在固相為13％、研磨6小時(shí)后或固相為20％、研磨1小時(shí)以上但小于6小時(shí)后的樣品中，通過(guò)XRD檢測(cè)從γ-型轉(zhuǎn)化為S-型晶體的轉(zhuǎn)化率。
儲(chǔ)存在冰箱中和/或向S-型TiOPc的CGM研磨料中加入二噁烷或THF都不會(huì)改變S-型TiOPc的晶形。加入到XRD測(cè)試用CGM研磨料中溶劑的量等于在單層OPC涂層溶液中使用的量。這些樣品的XRD結(jié)果也列在表2中。
表2中所列的其它研磨條件(即，在不同的溶劑中，通過(guò)循環(huán)方式或單向方式與不同的聚合物粘合劑一起研磨)導(dǎo)致具有γ或β-型TiOPc的CGM研磨料。
2)向γ-型TiOPc的CGM研磨料中加入不同的溶劑如表2中第三組實(shí)施例所示，還可以這樣獲得S-型TiOPc，即向在11％乙酸乙酯中，與BX-5一起研磨8小時(shí)而制備的γ-型TiOPc的CGM研磨料中加入THF。
應(yīng)該指出的是向γ-型TiOPc的其它CGM研磨料中加入THF并不總是可以將TiOPc從γ-型轉(zhuǎn)變?yōu)镾-型。如前所述，加入到XRD測(cè)試用CGM研磨料中溶劑的量等于在單層OPC涂層溶液中使用的量。
3)老化γ-型TiOPc的CGM研磨料如表2中最后3組實(shí)施例所示，還可以按以下方法獲得S-型TiOPca.在冰箱中老化γ-型TiOPc的CGM研磨料1星期(或更少，盡管沒(méi)有有效的XRD數(shù)據(jù))后，所述CGM研磨料是在二噁烷中，與聚碳酸酯-Z200(從MitsubishiEngineering Plastics Corporation定購(gòu))一起，使用循環(huán)方式研磨1小時(shí)或使用單向方式研磨6遍而制備的。
b.在室溫下老化CGM研磨料3星期(或更少，盡管沒(méi)有有效的XRD數(shù)據(jù))后，所述CGM研磨料是在22％的二甲苯中，使用單向方式，與聚碳酸酯-Z200一起研磨4遍而制備的。
應(yīng)該指出的是通過(guò)在冰箱中老化CGM研磨料獲得的S-型TiOPc是穩(wěn)定的，即使在冰箱中儲(chǔ)存一個(gè)月之后在XRD中也沒(méi)有顯示任何額外的非γ峰，所述CGM研磨料是在二噁烷中，與聚碳酸酯-Z200一起研磨6遍制備的。通過(guò)在冰箱中老化CGM研磨料獲得的S-型TiOPc，在冰箱中儲(chǔ)存3個(gè)星期后在10.6顯示出一個(gè)額外的非γ峰，所述CGM研磨料是通過(guò)與聚碳酸酯-Z200一起研磨1小時(shí)制備的。
應(yīng)該指出的是加熱γ-型TiOPc的CGM研磨料改變或不改變TiOPc的晶體結(jié)構(gòu)取決于對(duì)具體CGM研磨料的加熱時(shí)間和溫度。關(guān)于此制備過(guò)程的結(jié)果和數(shù)據(jù)列在表4中。
表1 TiOPc粉末X射線衍射中的峰面積

圖30說(shuō)明在3種不同的研磨條件下，通過(guò)研磨γ-型TiOPc獲得的CGM樣品的可見(jiàn)光吸收譜。a)將XRD譜與純?chǔ)?型TiOPc相似的研磨樣品的可見(jiàn)光譜命名為γ，b)與純?chǔ)?型相似的命名為β，c)不同于任何純TiOPc結(jié)構(gòu)的命名為S-型TiOPc。

表2 CGM研磨料的X射線衍射中的峰面積


注1)用于研磨的溶劑是甲基乙基酮(MEK)、乙酸乙酯(EA)、1，4-二噁烷(Dx)或二甲苯(Xy)。它們?nèi)抠?gòu)于Milwaukee，WI的Sigma-Aldrch Chemical Co.。
2)用于研磨的聚合物粘合劑是聚乙烯醇縮丁醛(BX-5，購(gòu)于SekisuiChemical Co.Ltd.，Japan)或聚碳酸酯-Z200(購(gòu)于MitsubishiEngineering-Plastics Corporation，White Plains，NY)。
3)在粘合劑一欄中標(biāo)明了每種CGM研磨料的顏料與粘合劑的比例。
B.通過(guò)循環(huán)方式研磨的CGM中的TiOPcγ-TiOPc是由用于通過(guò)循環(huán)方式研磨的CGM的H.W.Sands(Jupiter，F(xiàn)L)獲得的。在不同的溶劑(即，1，4-二噁烷、對(duì)二甲苯、THF、MEK和乙酸乙酯)中，以不同的TiOPc/粘合劑比將其與不同的聚合物粘合劑(即，PC-Z、BX-1或BX-5)一起研磨。在下頁(yè)的表-3中所列的是沿著掃描角為7.4、10.6、11.8、20.9、26.4和27.4處的X射線衍射的峰面積，通過(guò)循環(huán)方式制備的不同CGM研磨料的數(shù)據(jù)。
應(yīng)該指出的是如表1所列，以及如圖2所示，在γ-TiOPc中觀察到在7.4、11.8和27.4處有峰；而在圖2中，在10.6、20.9和26.4處未觀察到γ-TiOPc峰，但在圖2中觀察到β-TiOPc的峰。應(yīng)該指出的是在γ-TiOPc和β-TiOPc中都觀察到的位于27.4處的峰是重疊峰。
表3用循環(huán)方式研磨的CGM


注1)用于研磨的溶劑是甲基乙基酮(MEK)、乙酸乙酯(EA)、1，4-二噁烷(Dx)、二甲苯(Xy)或THF。它們?nèi)抠?gòu)于Milwaukee，WI的Aldrich。
2)用于研磨的聚合物粘合劑是聚乙烯醇縮丁醛(BX-1或-5，購(gòu)于SekisuiChemical Co.Ltd.，Japan)或聚碳酸酯-Z200(購(gòu)于MitsubishiEngineering-Plastics Corporation，White Plains，NY)。
3)在粘合劑一欄中標(biāo)明了每種CGM研磨料的顏料與粘合劑的比。
4)在“老化或處理”一欄中a)“-RT”或“-RF”表明研磨料是在室溫下或在冰箱中老化的。
b)“D”前面的數(shù)字表明在測(cè)試前老化CGM研磨料的天數(shù)。
5)在“峰比值”一欄中a)Nt/Gt是在(10.6+20.9+26.4)處的非γ峰與在(7.4+11.8)處的總γ峰的總峰面積的比值。
b)N26/Gt是在26.4處的非γ峰與在(7.4+11.8)處的總γ峰的峰面積的比值。
c)N26/P27是在26.4處的非γ峰與在27.4處的重疊峰的峰面積比值。
6)對(duì)于峰面積的值低于50的峰，峰強(qiáng)度可能與背景噪音有關(guān)。
表3中結(jié)果的描述a)在新鮮研磨的CGM樣品以及在MEK中與BX-5一起研磨不到4小時(shí)或在乙酸乙酯中與BX-1或BX-5一起研磨高達(dá)8小時(shí)的樣品中觀察到純?chǔ)梅澹@表明TiOPc仍以純?chǔ)?型TiOPc晶體殘存于這些樣品中，其中所述新鮮研磨的CGM樣品是通過(guò)循環(huán)方式，在二噁烷中與PC-Z一起研磨不到1小時(shí)或在對(duì)二甲苯中與PC-Z一起研磨不到2小時(shí)得到的。
b)在新鮮研磨的CGM樣品中觀察到γ峰和非γ峰，這表明γ-TiOPc的晶體結(jié)構(gòu)已經(jīng)從純?chǔ)?型變?yōu)榉铅?型，這被認(rèn)為是新晶形和/或在單一晶格(大約γ、β和/或新晶格形式)中不同晶形的混合物的結(jié)果，但它是具有不同晶格結(jié)構(gòu)的單晶，而不是不同晶形的不同顆粒，該樣品是與PC-Z一起在THF中研磨不到2小時(shí)，或在二噁烷中研磨超過(guò)1小時(shí)，或在對(duì)二甲苯中研磨超過(guò)2小時(shí)得到的。
c)在THF中，與PC-Z一起研磨超過(guò)3小時(shí)的新鮮研磨的CGM樣品中觀察到表中所列的所有非γ峰。γ峰完全消失表明所有γ-TiOPc的晶體結(jié)構(gòu)已經(jīng)轉(zhuǎn)變?yōu)棣?TiOPc。
d)當(dāng)γ-TiOPc與BX-5一起在MEK中研磨時(shí)，研磨6小時(shí)后，新鮮研磨的樣品只在26.4顯示一個(gè)非γ峰。研磨時(shí)間從6小時(shí)增加至8小時(shí)，導(dǎo)致在26.4處的峰增強(qiáng)(如峰面積的比值所示)，而仍不存在其它非γ峰。這表明已經(jīng)形成了既不是γ-型又不是β-型晶體的新晶形，因?yàn)樵搯尉问?S-型)兼有β和γ峰。
e)向其中TiOPc仍以γ-型晶體存在的CGM研磨料(即，在乙酸乙酯中與聚乙烯醇縮丁醛BX-5一起研磨8小時(shí)的CGM)中加入THF也導(dǎo)致在26.4處出現(xiàn)一個(gè)非γ峰，這表明與以上討論的一樣，對(duì)于在MEK中與BX-5一起研磨超過(guò)6小時(shí)的TiOPc，形成了新的晶形。
f)然而，向其中TiOPc仍以γ-型晶體存在的CGM研磨料(即，在乙酸乙酯中與BX-5一起研磨8小時(shí)的CGM)中加入二噁烷或?qū)Χ妆讲划a(chǎn)生任何非γ峰，這表明γ-TiOPc的晶體結(jié)構(gòu)沒(méi)有發(fā)生變化。
g)在對(duì)二甲苯中與PC-Z(聚碳酸酯Z)一起研磨3.5小時(shí)后的CGM在室溫下老化導(dǎo)致非γ峰的生長(zhǎng)。當(dāng)在12天的測(cè)試期內(nèi)測(cè)試時(shí)，這從全部非γ峰和γ峰(即，Nt′/Gt)之間峰面積的比，由1.10增加至2.95觀察到，數(shù)據(jù)按順序從前到后顯示。
h)在室溫下，對(duì)在MEK中與BX-5一起研磨8小時(shí)后的CGM進(jìn)行老化導(dǎo)致出現(xiàn)額外的非γ峰，這表明在室溫下，在此CGM研磨料中，與在26.4處的一個(gè)非γ峰有關(guān)的新晶形是不穩(wěn)定的。
C.單向方式研磨的CGM中的TiOPc用單向方式研磨的CGM用γ-TiOPc購(gòu)于H.W.Sands。在不同的溶劑(即，1，4-二噁烷、對(duì)二甲苯、THF和MEK)中，以不同的TiOPc/粘合劑比，將其與不同的聚合物粘合劑(即，PC-Z或BX-5)一起研磨。在下面表4中，所列的是沿著掃描角為7.4、10.6、11.8、20.9、26.4和27.4處的X射線衍射的峰面積的不同CGM研磨料的數(shù)據(jù)。這些峰的詳細(xì)情況與在C部分中討論上述用循環(huán)方式研磨的CGM中的TiOPc相似。
表4用單向方式研磨的CGM


注1)用于研磨的溶劑是甲基乙基酮(MEK)、乙酸乙酯(EA)、1，4-二噁烷(Dx)、二甲苯(Xy)或THF。它們?nèi)抠?gòu)于Milwaukee，WI的Aldrich。
2)用于研磨的聚合物粘合劑是聚乙烯醇縮丁醛(BX-1或-5，購(gòu)于SekisuiChemical Co.Ltd.，Japan)或PCZ，即聚碳酸酯Z，在這些實(shí)施例中具體的是聚碳酸酯-Z200(購(gòu)于Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation，White Plains，NY)。
3)在粘合劑一欄中標(biāo)明了每種CGM研磨料的顏料與粘合劑的比。
4)在“老化或處理”一欄中a)“-RT”或“-RF”表明研磨料是在室溫下或在冰箱中老化的。
b)“D”前面的數(shù)字表明在測(cè)試前老化CGM研磨料的天數(shù)。
5)在“峰比值”一欄中a)Nt/Gt是在(10.6+20.9+26.4)處的非γ峰與在(7.4+11.8)處的總γ峰的總峰面積的比值。
b)N26/Gt是在26.4處的非γ峰與在(7.4+11.8)處的總γ峰的峰面積的比值。
c)N26/P27是在26.4處的非γ峰與在27.4處的重疊峰的峰面積的比值。
6)對(duì)于峰面積的值低于50的峰，峰強(qiáng)度可能與背景噪音有關(guān)。
表4中結(jié)果的描述a)在二噁烷或在對(duì)二甲苯中與PC-Z一起通過(guò)單向方式研磨的新鮮研磨的CGM樣品中，以及在MEK中與BX-5一起研磨的新鮮研磨的CGM樣品中，觀察到純?chǔ)梅?，這表明TiOPc以純?chǔ)?型晶體殘留在這些樣品中。
b)在THF中，與PC-Z一起研磨1遍后只顯示γ峰，但8遍后，產(chǎn)品既有γ峰也有非γ峰(注在2遍和7遍之間沒(méi)測(cè)試樣品)。這表明研磨8遍后，γ-TiOPc的晶體結(jié)構(gòu)已經(jīng)從純?chǔ)?型轉(zhuǎn)變?yōu)榉铅?型，這被認(rèn)為是新晶形和/或不同晶形(大約γ、β和/或新晶形)混合物的結(jié)果，另一方面，在每個(gè)晶體內(nèi)部有復(fù)合晶格結(jié)構(gòu)，而非具有γ和β結(jié)構(gòu)的單獨(dú)晶體。
c)在二噁烷中與PC-Z一起研磨8遍后的γ-型CGM樣品在室溫下老化一星期可導(dǎo)致其它非γ峰的出現(xiàn)。這表明γ-TiOPc的晶體結(jié)構(gòu)已經(jīng)從純?chǔ)?型轉(zhuǎn)變?yōu)榉铅?型，這可能是新晶形和/或不同晶形(大約γ、β和/或新晶形)混合物的結(jié)果，另一方面，在每個(gè)晶體內(nèi)部有復(fù)合晶格結(jié)構(gòu)，而非具有γ和β結(jié)構(gòu)的單獨(dú)晶體。
d)在二噁烷中與PC-Z一起研磨8遍后的γ-型CGM樣品在50℃下加熱20小時(shí)，導(dǎo)致其它非γ峰出現(xiàn)，且γ峰消失，這表明γ-TiOPc的晶體結(jié)構(gòu)已經(jīng)由純?chǔ)?型轉(zhuǎn)變?yōu)榧儲(chǔ)?型。
e)在二噁烷中與PC-Z一起研磨8遍后的γ-型CGM樣品在110℃下加熱1小時(shí)導(dǎo)致在26.4處出現(xiàn)一個(gè)非常小的非γ峰，這表明形成非常少量的非γ-型晶體和晶格結(jié)構(gòu)。然而，由于峰的尺寸很小，所以它也可能是一些來(lái)自背景的噪音。
f)對(duì)于在對(duì)二甲苯中與PC-Z一起研磨8遍后的γ-型CGM樣品，在50℃下加熱20小時(shí)或在110℃下加熱1小時(shí)，不產(chǎn)生任何非γ峰。在室溫下老化2星期后，研磨4遍后的相同CGM體系也無(wú)變化。這些表明在對(duì)二甲苯中，通過(guò)單向方式與PC-Z一起研磨的CGM研磨料中，γ-TiOPc的晶體結(jié)構(gòu)是非常穩(wěn)定的。
g)最后，將γ-TiOPc分散在二噁烷或?qū)Χ妆街?，接著?0℃下加熱20小時(shí)不顯示任何非γ峰，這表明在沒(méi)有任何聚合物粘合劑的溶劑中加熱γ-TiOPc不改變其晶體結(jié)構(gòu)。
D)評(píng)價(jià)具有不同晶形TiOPc的單層OPC通常，具有β-型TiOPc的涂層顯示出不良的靜電效果(放電電壓高且靜電靈敏度差)，而具有γ或S-型TiOPc的涂層顯示出良好的靜電性能(放電電壓低且靜電靈敏度好)。表5列出了CGM研磨料的X射線衍射中的峰面積，這些CGM研磨料是通過(guò)使用不同的研磨方法，在不同的溶劑中，將γ-型TiOPc與不同的粘合劑一起研磨而獲得的。在表5中還標(biāo)示出在這些CGM研磨料中的TiOPc的最終晶形。表6提供了單層OPC涂層的靜電效果，這些涂層是用這3種CGM研磨料配制的。
表5 CGM研磨料的X射線衍射的峰面積

注1)MB-實(shí)施例-1是在12％MEK中，以單向方式與BX-5以2.3∶1一起研磨8遍后的TiOPc。
2)MB-實(shí)施例-2是在13％MEK中，以循環(huán)方式與BX-5以2.3∶1一起研磨8小時(shí)后的TiOPc。
3)MB-實(shí)施例-3是在15％THF中，以循環(huán)方式與聚碳酸酯-Z200一起研磨8小時(shí)后的TiOPc。
4)BX-5是從Sekisui Chemical Co.Ltd.，Japan購(gòu)買(mǎi)的聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂。
5)聚碳酸酯-Z200是從Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation，WhitePlains，NY購(gòu)買(mǎi)的。
表6 100次循環(huán)后單層OPC的靜電效果

注1)實(shí)施例1、2和3是分別用γ、S和β-型TiOPc的CGM配制的單層OPC。
2)3個(gè)實(shí)施例的涂層配方是TiOPc/ETM-17/MPCT-10/粘合劑為6.5/8.5/32/50。
3)TiOPc購(gòu)于H.W.Sands Corp.，Jupiter，F(xiàn)L；4)ETM-17是電子轉(zhuǎn)移材料，是在實(shí)驗(yàn)室中合成的；5)MPCT-10是電荷轉(zhuǎn)移材料，購(gòu)于Mitsubishi Paper Mills，Tokyo，Japan；6)涂層中使用的粘合劑是聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂(BX-1和BX-5)，并購(gòu)于Sekisui Chemical Co.Ltd.，Japan。
圖31所示為市售的無(wú)定形、β-9、β-11和γ-型TiOPc的可見(jiàn)光吸收譜。這些樣品是這樣制備的將顏料分散在(未研磨的)聚碳酸酯粘合劑中，并以薄膜的形式將這些樣品涂覆在清潔的聚酯薄膜上。

權(quán)利要求
1.一種電子照相術(shù)用感光體，含氧酞菁鈦氧化合物，該化合物對(duì)于波長(zhǎng)為1.541埃的CuK-α特征X射線，至少在布拉格2θ角為9.5±0.2度、11.7±0.2度、15.0±0.2度、23.5±0.2度、24.1±0.2度、26.4±0.2和27.3±0.2度處有主峰。
2.一種電子照相術(shù)用感光體，含氧酞菁鈦氧化合物，該化合物對(duì)于波長(zhǎng)為1.541埃的CuK-α特征X射線，至少在布拉格2θ角為9.5±0.2度、11.7±0.2度、13.5±0.2度、24.1±0.2度、26.4±0.2度和27.3±0.2度處有主峰。
3.一種電子照相術(shù)用感光體，含導(dǎo)電支撐體和位于其上的含酞菁鈦氧化合物的光敏層，該化合物其具有權(quán)利要求1的酞菁鈦氧的主峰。
4.一種電子照相術(shù)用感光體，含導(dǎo)電支撐體和位于其上的含酞菁鈦氧化合物的光敏層，該化合物其具有權(quán)利要求2的酞菁鈦氧的主峰。
5.一種形成S-型氧酞菁鈦氧的方法，該方法包括在粘合劑中，與粘合劑用溶劑一起研磨γ-型氧酞菁鈦氧足夠的時(shí)間，從而將氧酞菁鈦氧β-型主峰加入到γ-型氧酞菁鈦氧的晶格結(jié)構(gòu)中。
6.權(quán)利要求5的方法，其中粘合劑包括選自聚碳酸酯樹(shù)酯和聚乙烯基樹(shù)脂的聚合物。
7.權(quán)利要求6的方法，其中聚合物選自聚碳酸酯A、聚碳酸酯Z、聚乙烯醇縮丁醛和聚乙酸乙烯酯。
8.權(quán)利要求5的方法，其中溶劑包括非極性有機(jī)溶劑。
9.權(quán)利要求5的方法，其中溶劑包括極性有機(jī)溶劑。
10.權(quán)利要求5的方法，其中溶劑選自四氫呋喃、對(duì)二甲苯和二噁烷。
11.權(quán)利要求6的方法，其中溶劑選自四氫呋喃、對(duì)二甲苯、甲基乙基酮、乙酸乙酯和二噁烷。
12.權(quán)利要求7的方法，其中溶劑選自四氫呋喃、對(duì)二甲苯、甲基乙基酮、乙酸乙酯和二噁烷。
13.權(quán)利要求5的方法，其中以循環(huán)方式進(jìn)行研磨。
14.權(quán)利要求5的方法，其中以單向方式進(jìn)行研磨。
15.權(quán)利要求6的方法，其中以循環(huán)方式進(jìn)行研磨。
16.權(quán)利要求6的方法，其中以單向方式進(jìn)行研磨。
17.權(quán)利要求7的方法，其中以循環(huán)方式進(jìn)行研磨。
18.權(quán)利要求10的方法，其中以循環(huán)方式進(jìn)行研磨。
19.權(quán)利要求12的方法，其中以單向方式進(jìn)行研磨。
20.權(quán)利要求6的方法，其中對(duì)于波長(zhǎng)為1.541埃的CuK-α特征X射線，氧酞菁鈦氧的最終形式在布拉格2θ角為以下度數(shù)處具有主峰a)至少在9.5±0.2度、11.7±0.2度、15.0±0.2度、23.5±0.2度、24.1±0.2度、26.4±0.2和27.3±0.2度；和b)至少在9.5±0.2度、11.7±0.2度、13.5±0.2度、24.1±0.2度、26.4±0.2度和27.3±0.2度。
21.權(quán)利要求7的方法，其中對(duì)于波長(zhǎng)為1.541埃的CuK-α特征X射線，氧酞菁鈦氧的最終形式在布拉格2θ角為以下度數(shù)處具有主峰a)至少在9.5±0.2度、11.7±0.2度、15.0±0.2度、23.5±0.2度、24.1±0.2度、26.4±0.2和27.3±0.2度；和b)至少在9.5±0.2度、11.7±0.2度、13.5±0.2度、21±0.2度、24.1±0.2度、26.4±0.2度和27.3±0.2度。
22.權(quán)利要求5的方法，其中研磨后，在溶劑中將得到的氧酞菁鈦氧加熱到30-100℃以促進(jìn)S-型氧酞菁鈦氧的形成。
23.權(quán)利要求6的方法，其中研磨后，在溶劑中將得到的氧酞菁鈦氧加熱到30-100℃以促進(jìn)S-型氧酞菁鈦氧的形成。
24.權(quán)利要求22的方法，其中對(duì)于波長(zhǎng)為1.541埃的CuK-α特征X射線，氧酞菁鈦氧的最終形式在布拉格2θ角為以下度數(shù)處具有主峰a)至少在9.5±0.2度、11.7±0.2度、15.0±0.2度、24.1±0.2度、26.4±0.2和27.3±0.2度；和b)至少在9.5±0.2度、11.7±0.2度、13.5±0.2度、23.5±0.2度、24.1±0.2度、26.4±0.2度和27.3±0.2度。
25.權(quán)利要求23的方法，其中對(duì)于波長(zhǎng)為1.541埃的CuK-α特征X射線，氧酞菁鈦氧的最終形式在布拉格2θ角為以下度數(shù)處具有主峰a)至少在9.5±0.2度、11.7±0.2度、15.0±0.2度、24.1±0.2度、26.4±0.2和27.3±0.2度；和b)至少在9.5±0.2度、11.7±0.2度、13.5±0.2度、23.5±0.2度、24.1±0.2度、26.4±0.2度和27.3±0.2度。
26.權(quán)利要求1的感光體，包括同時(shí)含電子轉(zhuǎn)移材料和氧酞菁鈦氧化合物。
27.權(quán)利要求26的感光體，其中電子轉(zhuǎn)移材料包括(4-正丁氧基羰基-9-亞芴基)丙二腈。
28.權(quán)利要求1的感光體，包括含氧酞菁鈦氧化合物和電荷轉(zhuǎn)移材料的電荷轉(zhuǎn)移復(fù)合物。
29.權(quán)利要求28的感光體，其中電荷轉(zhuǎn)移材料包括烯胺-芪。
全文摘要
通過(guò)處理γ－型氧酞菁鈦氧來(lái)提供具有晶格排列內(nèi)混物的氧酞菁鈦氧的晶相，本文中將其稱為S－相。S－相是真正的新相，而不是各種相(例如，β－相和γ－相的組合)顆粒的混合物，其原子和分子的內(nèi)部晶格分布形成新的、非連續(xù)的、不均勻的晶格結(jié)構(gòu)。X射線光譜顯示了混合的衍射峰，具有的峰以前只明顯地存在于各種晶形氧酞菁鈦氧的集合中，但現(xiàn)在單個(gè)晶形就可以提供?？梢?jiàn)光譜顯示了顯著的吸收差異。在光電導(dǎo)體中也使用新的S－型氧酞菁鈦氧，其對(duì)于CuK－α特征X射線(波長(zhǎng)1.541埃)，至少在布拉格2θ角為9.5±0.2度、9.7±0.2度、11.7±0.2度、13.5±0.2度(任選地在21±0.2度和/或23.5±0.2度)、24.1±0.2度、26.4±0.2度和27.3±0.2處度顯示主峰。也可以在15.0、15.3和16.0±0.2度處存在接近或等于主峰的附加峰。
文檔編號(hào)C09B67/00GK1493926SQ03158638
公開(kāi)日2004年5月5日 申請(qǐng)日期2003年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月21日
發(fā)明者朱嘉毅, 茲比格紐·托卡斯基, 詹姆斯·A·貝克, 羅納德·J·莫德里, 戴維·T·阿斯克, 紐斯雷拉·朱布蘭, 卡姆·W·勞, A 貝克, J 莫德里, T 阿斯克, W 勞, 拉 朱布蘭, 紐 托卡斯基 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社