例9〉結(jié)構(gòu)式59表示的化合物的制備
[0巧3] 結(jié)構(gòu)式59
。巧引結(jié)構(gòu)式59A的制備
[0巧6] 除了使用結(jié)構(gòu)式33A代替2-漠嚷吩之外，使用與結(jié)構(gòu)式33C的制備方法相同的方 法獲得結(jié)構(gòu)式51A。
[0巧7] MS: [M+H]"= 320
[0巧引結(jié)構(gòu)式59B的制備
[0巧9] 除了使用結(jié)構(gòu)式59A代替結(jié)構(gòu)式IA之外，使用與結(jié)構(gòu)式33A的制備方法相同的方 法獲得結(jié)構(gòu)式59B。
[0260] MS: [M+田+二399
[0261] 結(jié)構(gòu)式59C的制備
[0262] 除了使用結(jié)構(gòu)式59B代替結(jié)構(gòu)式IC之外，使用與結(jié)構(gòu)式48E的制備方法相同的方 法獲得結(jié)構(gòu)式59C。
[026引MS: [M+田+二431
[0264] 結(jié)構(gòu)式59D的制備
[0265]將 1-氨基糞（15g，104.Smmol)和 2-漠-9, 9-二甲基巧（28. 6g，104.Smmol)溶于 200ml甲苯中，向其中加入叔下醇鋼（12.Ig, 125.Smmol)和Pd[P(t-Bu)3]2(268g，0.524mmol )，在氮氣氣氛下加熱并攬拌1小時。向反應(yīng)溶液中加入200ml蒸饋水，將有機層萃取、濃縮 并經(jīng)柱純化獲得結(jié)構(gòu)式59D(29. 5g，收率84% )。
[026引MS: [M+田+二336
[0267] 結(jié)構(gòu)式59的制備
[0268]將結(jié)構(gòu)式59C(lOg, 23. Smmo 1)和結(jié)構(gòu)式59D(7. Sg, 23. Smmo 1)溶于150ml二甲苯 中，向其中加入叔下醇鋼（2. 7g，28. Ommol)和Pd[P(t-Bu)3]2(6〇mg，0. 117mmol)，在氮氣氣 氛下加熱并攬拌1小時。反應(yīng)溶液中加入150ml蒸饋水，將有機層萃取、濃縮并經(jīng)柱純化獲 得結(jié)構(gòu)式59(12.4g，收率73%)。
[026引MS: [M+田+二730
[0270] <制備實施例10〉結(jié)構(gòu)式75表示的化合物的制備
[0271] 結(jié)構(gòu)式75
[0272]
陽27引結(jié)構(gòu)式75A的制備
[0274] 除了使用4-氣艦苯代替艦苯之外，使用與結(jié)構(gòu)式IA的制備方法相同的方法獲得 結(jié)構(gòu)式75A。
[027引MS: [M+田+二 262 陽27引結(jié)構(gòu)式75B的制備
[0277] 除了使用結(jié)構(gòu)式75A代替結(jié)構(gòu)式IA之外，使用與結(jié)構(gòu)式IB的制備方法相同的方 法獲得結(jié)構(gòu)式75B。
[027引MS: [M+田+二 420 陽27引結(jié)構(gòu)式75C的制備
[0280] 除了使用結(jié)構(gòu)式75B代替結(jié)構(gòu)式IB之外，使用與結(jié)構(gòu)式IC的制備方法相同的方 法獲得結(jié)構(gòu)式75C。
[02引]MS: [M+田+二 355陽28引結(jié)構(gòu)式75D的制備
[0283] 除了使用結(jié)構(gòu)式75C代替2-漠-9, 9-二甲基巧之外，使用與結(jié)構(gòu)式14D的制備方 法相同的方法獲得結(jié)構(gòu)式75D。
[0284]MS: [M+H]"= 320 [02財 結(jié)構(gòu)式75E的制備
[0286] 除了使用結(jié)構(gòu)式75D代替結(jié)構(gòu)式14D之外，使用與結(jié)構(gòu)式14E的制備方法相同的 方法獲得結(jié)構(gòu)式75E。
[0287]MS: [M+田+二 367 [028引結(jié)構(gòu)式75的制備
[0289]將結(jié)構(gòu)式 75E(15g, 40.Qmmol)和結(jié)構(gòu)式ID(26. 2g, 86.Ommol)溶于 300ml二甲苯 中，向其中加入叔下醇鋼巧.4g，98. 2mmol)和Pd[P(t-Bu)3]2(209mg，0. 409mmol)，在氮氣氣 氛下加熱并攬拌1小時。向反應(yīng)溶液中加入200ml蒸饋水，將有機層萃取、濃縮并經(jīng)柱純化 獲得結(jié)構(gòu)式75 (29. 8g，收率81 % )。
[0290]MS: [M+田+二 903
[0291] <實施例1〉
[0292] 將涂布厚度為1000A的ITO(氧化銅錫）薄膜的玻璃基底（7059玻璃）浸在其中 溶有洗涂劑的蒸饋水中用超聲波洗涂基底。本文使用的洗涂劑是購自FisherCo.的產(chǎn)品， 蒸饋水是已用購自MilliporeCo.的過濾器過濾過兩次的蒸饋水。將ITO洗涂30分鐘，然 后通過使用蒸饋水用超聲波重復(fù)洗涂兩次持續(xù)10分鐘。用蒸饋水洗涂完成之后，隨后用超 聲波通過使用溶劑如異丙醇、丙酬和甲醇進行洗涂，并將生成的產(chǎn)品干燥。
[0293] 在如此制得的ITO透明電極上，通過熱壁真空沉積將下列結(jié)構(gòu)式的六氯基六氮 雜苯并菲化exanitrilehexaazatri地en}dene)涂布至500A的厚度從而形成空穴注入 層。在真空狀態(tài)下在其上沉積作為傳輸空穴的物質(zhì)的在上述制備實施例中合成的結(jié)構(gòu)式 1 ( 40化違）后，基質(zhì)Hl和滲雜劑Dl化合物在真空狀態(tài)下沉積300A的厚度作為發(fā)光層。 此后，在真空下加熱沉積El化合物（300義:）作為電子注入層和傳輸層。在所述電子傳輸 層上，依次沉積厚度為12A的氣化裡化i巧和厚度為2000A的侶W形成陰極，而制備有 機發(fā)光元件。
[0294] 使用NPB作為所述空穴傳輸層的對比實施例。
[0295] 在所述過程中，有機物質(zhì)的沉積速度維持在1A/形，'，氣化裡的沉積速度維持在 0.2A/秋，侶的沉積速度維持在3-7A/移、.
[0296]
[0297] <實施例2〉
[029引除了使用結(jié)構(gòu)式14代替實施例1中作為空穴傳輸層的制備實施例中合成的結(jié)構(gòu) 式1之外，實施相同的試驗。
[0299] <實施例3〉
[0300] 除了使用結(jié)構(gòu)式18代替實施例1中作為空穴傳輸層的制備實施例中合成的結(jié)構(gòu) 式1之外，實施相同的試驗。
[0301] <實施例4〉
[0302] 除了使用結(jié)構(gòu)式21代替實施例1中作為空穴傳輸層的制備實施例中合成的結(jié)構(gòu) 式1之外，實施相同的試驗。
[0303] <實施例5〉
[0304] 除了使用結(jié)構(gòu)式27代替實施例1中作為空穴傳輸層的制備實施例中合成的結(jié)構(gòu) 式1之外，實施相同的試驗。
[0305] <實施例6〉
[0306] 除了使用結(jié)構(gòu)式33代替實施例1中作為空穴傳輸層的制備實施例中合成的結(jié)構(gòu) 式1之外，實施相同的試驗。
[0307] <實施例7〉
[030引除了使用結(jié)構(gòu)式48代替實施例1中作為空穴傳輸層的制備實施例中合成的結(jié)構(gòu) 式1之外，實施相同的試驗。
[0309] <實施例8〉
[0310] 除了使用結(jié)構(gòu)式56代替實施例1中作為空穴傳輸層的制備實施例中合成的結(jié)構(gòu) 式1之外，實施相同的試驗。
[0311] <實施例9〉
[0312] 除了使用結(jié)構(gòu)式59代替實施例1中作為空穴傳輸層的制備實施例中合成的結(jié)構(gòu) 式I之外，實施相同的試驗。
[0313] < 實施例 10〉
[0314]除了使用結(jié)構(gòu)式75代替實施例1中作為空穴傳輸層的制備實施例中合成的結(jié)構(gòu) 式1之外，實施相同的試驗。 陽引引 < 對比實施例1〉
[0316]除了使用NPB代替實施例1中作為空穴傳輸層的制備實施例中合成的結(jié)構(gòu)式1之 夕F，實施相同的試驗。
[0317] 像W上實施例，通過使用化合物作為空穴傳輸層制備的有機發(fā)光元件的實驗結(jié)果 描述于表1中。 防31引[表U
[0320]本發(fā)明的化學(xué)式的化合物衍生物可作為有機發(fā)光元件和有機電子元件中的空穴 注入材料、空穴傳輸材料、電子注入和傳輸材料、或發(fā)光材料作用，并且本發(fā)明的元件在效 能、驅(qū)動電壓和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出優(yōu)異的性質(zhì)。
【主權(quán)項】
1. 以下化學(xué)式1表示的化合物： [化學(xué)式1]在所述化學(xué)式1中，1、m和η各自獨立地為0至5范圍內(nèi)的整數(shù)， 1至￥3各自獨立地為未取代的或由一個或多個選自以下的取代基團取代的C64。亞芳 基基團：鹵素基團、烷基基團、烯基基團、烷氧基基團、取代的或未取代的芳基基團、取代的 或未取代的芳烷基基團、取代的或未取代的芳烯基基團、取代的或未取代的雜環(huán)基團、腈基 團和乙炔基團， 札為未取代的或由一個或多個選自以下的取代基團取代的萘基基團：鹵素基團、烷基 基團、烯基基團、烷氧基基團、取代的或未取代的芳胺基團、取代的或未取代的芳基基團、取 代的或未取代的芳烷基基團、取代的或未取代的芳烯基基團、取代的或未取代的雜環(huán)基團、 臆基團和乙炔基團， 私選自甲基基團；乙基基團；丙基基團；和苯基基團， R3為由取代的或未取代的芳基基團取代的胺基團，R4由以下化學(xué)式2表示： [化學(xué)式2]在所述化學(xué)式2中，1?5至1?7各自獨立地選自氫；未取代的或由一個或多個選自以下的 取代基團取代的Q4。烷基基團：鹵素基團、烷基基團、烯基基團、烷氧基基團、取代的或未取 代的芳基基團、取代的或未取代的芳烷基基團、取代的或未取代的芳烯基基團、取代的或未 取代的雜環(huán)基團、腈基團和乙炔基團；和未取代的或由一個或多個選自以下的取代基團取 代的C64。芳基基團：鹵素基團、烷基基團、烯基基團、烷氧基基團、取代的或未取代的芳基基 團、取代的或未取代的芳烷基基團、取代的或未取代的芳烯基基團、取代的或未取代的雜環(huán) 基團、臆基團和乙炔基團。2. 權(quán)利要求1的化合物，其中Y1至Y3各自獨立地選自苯基基團、聯(lián)苯基基團、三聯(lián)苯 基基團、芪、萘基基團、蒽基基團、菲基團、芘基基團、茈基團、和芴基團。3. 權(quán)利要求1的化合物，其中所述化學(xué)式2的結(jié)構(gòu)是以下結(jié)構(gòu)式中的任意一個：4.權(quán)利要求1的化合物，其中所述化合物是由以下結(jié)構(gòu)式的任意一個表示的化合物：5. -種有機電子元件，其包含第一電極、第二電極和置于所述第一電極和第二電極之 間的一層或多層有機物層，其中所述有機物層的一層或多層包含權(quán)利要求1至4的任一項 的化合物。6. 權(quán)利要求5的有機電子元件，其中所述有機物層包含空穴注入層和空穴傳輸層之中 的至少一個，并且所述空穴注入層或空穴傳輸層包含化學(xué)式1表示的化合物。7. 權(quán)利要求5的有機電子元件，其中所述有機物層包含發(fā)光層，并且所述發(fā)光層包含 化學(xué)式1的化合物。8. 權(quán)利要求5的有機電子元件，其中所述有機電子元件選自有機發(fā)光元件、有機磷光 元件、有機太陽能電池、有機光電導(dǎo)體OPC和有機晶體管。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種新型化合物和使用所述化合物的有機發(fā)光元件。本發(fā)明的化合物可大幅改進有機發(fā)光元件的壽命、效能、電化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。
【IPC分類】C07D209/88, H01L51/54
【公開號】CN105294538
【申請?zhí)枴緾N201510645375
【發(fā)明人】李大雄, 洪性佶, 樸胎潤, 金淵煥, 金性昭
【申請人】株式會社Lg化學(xué)
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2009年10月8日
【公告號】CN102216269A, EP2343277A2, EP2343277A4, EP2343277B1, US8921832, US20110193074, WO2010041872A2, WO2010041872A3