電子器件密封用樹脂片以及電子器件封裝體的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電子器件密封用樹脂片以及電子器件封裝體的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 電子器件封裝體的制作中代表性地采用如下步驟：用密封樹脂密封固定在基板等 上的1個(gè)或多個(gè)電子器件，根據(jù)需要，切割密封體使其成為單個(gè)電子器件的封裝體。
[0003] 在密封樹脂中存在的水分由于進(jìn)行熱固化時(shí)的加熱而水蒸氣化。密封樹脂中存在 大量的水分時(shí)，存在由于其蒸氣壓導(dǎo)致在密封樹脂中產(chǎn)生裂紋的情況。因此，謀求低吸濕性 的密封樹脂。作為降低吸濕性的方法，例如，有配混二氧化硅的方法等。
[0004] 在專利文獻(xiàn)1中記載了，將含有樹脂、^氧化娃以及硅烷偶聯(lián)劑等的清漆涂布到 薄膜上，接著，使涂布膜干燥，從而形成樹脂片。然而，對(duì)于吸濕性未充分地進(jìn)行研究。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2006-19714號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0009] 在如專利文獻(xiàn)1那樣的樹脂片的制作方法（溶劑涂覆）中，不能使二氧化硅高填 充，因此難以降低吸濕性。
[0010] 本發(fā)明的目的在于，解決前述課題，提供低吸濕性的電子器件密封用樹脂片。
[0011] 用于解決問(wèn)題的方案
[0012] 本發(fā)明涉及一種電子器件密封用樹脂片，其包含填料，所述電子器件密封用樹脂 片在85°C、85%RH的氣氛下放置168小時(shí)之后的吸水率為0. 3重量％以下，前述填料實(shí)質(zhì) 上以一次顆粒的狀態(tài)分散。本發(fā)明的電子器件密封用樹脂片的吸水率為0.3重量％以下， 為低吸濕性。因此，能夠制造耐濕可靠性優(yōu)異的電子器件封裝體。
[0013] 前述填料優(yōu)選為用硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行了處理的填料。由此，容易使填料以一次顆粒 的狀態(tài)分散。此外，這樣的填料的疏水性高，可以使這樣的填料實(shí)質(zhì)上以一次顆粒的狀態(tài)分 散，因此能夠有效地降低樹脂片的吸濕性。
[0014] 前述電子器件密封用樹脂片中的前述填料的含量?jī)?yōu)選為70~90體積％。由此， 可以降低吸濕性。
[0015] 本發(fā)明還涉及一種電子器件封裝體的制造方法，其包括以下工序：層疊工序，以覆 蓋1個(gè)或多個(gè)電子器件的方式將前述電子器件密封用樹脂片層疊于前述電子器件上；以及 密封體形成工序，使前述電子器件密封用樹脂片固化而形成密封體。
【附圖說(shuō)明】
[0016] 圖1為示意性地示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的樹脂片的截面圖。
[0017] 圖2A為示意性地示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電子器件封裝體的制造方法的一 個(gè)工序的圖。
[0018] 圖2B為示意性地示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電子器件封裝體的制造方法的一 個(gè)工序的圖。
[0019] 圖2C為示意性地示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電子器件封裝體的制造方法的一 個(gè)工序的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020] 以下示出實(shí)施方式詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，本發(fā)明并不僅限于這些實(shí)施方式。
[0021] [電子器件密封用樹脂片]
[0022] 圖1為示意性地示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的樹脂片11的截面圖。對(duì)于樹脂片 11，代表性地以層疊于聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET)薄膜等支撐體Ila上的狀態(tài)而提供。需 要說(shuō)明的是，為了容易進(jìn)行樹脂片11的剝離，可以對(duì)支撐體Ila實(shí)施脫模處理。
[0023] 樹脂片11在85°C、85%RH的氣氛下放置168小時(shí)之后的吸水率為0.3重量％以 下，優(yōu)選為0.25重量％以下。由于為0.3重量％以下，因此為低吸濕性。因此，能夠制造耐 濕可靠性優(yōu)異的電子器件封裝體。對(duì)吸水率的下限沒(méi)有特別限定，例如，為〇. 05重量％以 上。
[0024] 在85°C、85%RH的氣氛下放置168小時(shí)之后的吸水率可以用實(shí)施例中記載的方法 來(lái)測(cè)定。
[0025] 在樹脂片11中填料實(shí)質(zhì)上以一次顆粒狀態(tài)分散。因此，可以容易地達(dá)成前述吸水 率。
[0026] 需要說(shuō)明的是，在本說(shuō)明書中，填料實(shí)質(zhì)上以一次顆粒的狀態(tài)分散是指實(shí)質(zhì)上沒(méi) 有聚集物。具體而言，是指可以利用實(shí)施例中記載的方法測(cè)定、且實(shí)施例中記載的填料分散 性的評(píng)價(jià)為良好。
[0027] 作為填料沒(méi)有特別限定，優(yōu)選利用硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行了處理（前處理）的填料。由 此，容易使填料以一次顆粒的狀態(tài)分散。此外，這樣的填料的疏水性高（在填料表面的親 水基團(tuán)鍵合有硅烷偶聯(lián)劑，因此疏水性高），可以使這樣的填料實(shí)質(zhì)上以一次顆粒的狀態(tài)分 散，因此可以有效地降低樹脂片11的吸濕性。
[0028] 作為用硅烷偶聯(lián)劑處理過(guò)的填料沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為無(wú)機(jī)填料。作為無(wú)機(jī)填料， 例如，可以列舉出石英玻璃、滑石、二氧化硅（熔融二氧化硅、結(jié)晶二氧化硅等）、氧化鋁、氮 化鋁、氮化硅、氮化硼等。其中，從與硅烷偶聯(lián)劑的反應(yīng)性優(yōu)異的理由出發(fā)，優(yōu)選二氧化硅、 氧化鋁，更優(yōu)選二氧化硅。作為二氧化硅，從流動(dòng)性優(yōu)異的理由出發(fā)，優(yōu)選熔融二氧化硅，更 優(yōu)選球狀熔融二氧化硅。
[0029] 填料的平均一次粒徑優(yōu)選為I ym以上、更優(yōu)選為5 ym以上。為I ym以上時(shí)，容 易得到樹脂片的撓性、柔軟性。填料的平均一次粒徑優(yōu)選為40ym以下、更優(yōu)選為30ym以 下。為40ym以下時(shí)，容易使填料高填充率化。
[0030] 需要說(shuō)明的是，平均一次粒徑例如可以如下導(dǎo)出：使用從母集團(tuán)中任意地抽取的 試樣，使用激光衍射散射式粒度分布測(cè)定裝置來(lái)進(jìn)行測(cè)定，從而導(dǎo)出。
[0031] 硅烷偶聯(lián)劑為在分子中具有水解性基團(tuán)以及有機(jī)官能團(tuán)的化合物。
[0032]作為水解性基團(tuán)，例如，可以列舉出甲氧基、乙氧基等碳數(shù)1~6的烷氧基、乙酰氧 基、2-甲氧基乙氧基等。其中，從容易去除由水解而生成的醇等揮發(fā)成分的理由出發(fā)，優(yōu)選 甲氧基。
[0033]作為有機(jī)官能團(tuán)，可以列舉出乙烯基、環(huán)氧基、苯乙烯基、甲基丙烯酰基、丙烯酰 基、氨基、脲基、巰基、硫醚基、異氰酸酯基等。其中，從容易與環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂反應(yīng)的理 由出發(fā)，優(yōu)選環(huán)氧基。
[0034]作為硅烷偶聯(lián)劑，例如，可以列舉出乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷等 含乙烯基的硅烷偶聯(lián)劑；2-(3, 4-環(huán)氧環(huán)己基）乙基三甲氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基甲 基二甲氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅 燒、3 -環(huán)氧丙氧基丙基二乙氧基硅烷等含環(huán)氧基的硅烷偶聯(lián)劑；對(duì)苯乙烯基二甲氧基硅烷 等含苯乙烯基的硅烷偶聯(lián)劑；3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰 氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙 基三乙氧基硅烷等含甲基丙烯?；墓柰榕悸?lián)劑；3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等含 丙烯?；墓柰榕悸?lián)劑；N-2-(氨基乙基）-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙 基）-3_氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、 3-三乙氧基甲硅烷基-N-(l，3-二甲基-丁叉基）丙基胺、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基 硅烷、N-(乙烯基芐基）-2-氨基乙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷等含氨基的硅烷偶聯(lián)劑； 3-脈基丙基二乙氧基硅烷等含脈基的硅烷偶聯(lián)劑；3 -疏基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-疏基 丙基二甲氧基硅烷等含疏基的硅烷偶聯(lián)劑；雙（二乙氧基甲娃烷基丙基）四硫化物等含硫 釀基的硅烷偶聯(lián)劑；3_異氛酸酯丙基二乙氧基硅烷等含異氛酸酯基的硅烷偶聯(lián)劑等。
[0035]作為用硅烷偶聯(lián)劑對(duì)填料進(jìn)行處理的方法，沒(méi)有特別限定，可