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一種甘草次酸3位羥基和30位羧基結(jié)構(gòu)修飾方法

文檔序號(hào):8406469閱讀:319來源:國知局
一種甘草次酸3位羥基和30位羧基結(jié)構(gòu)修飾方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明設(shè)及一種甘草次酸3位哲基和30位駿基結(jié)構(gòu)修飾方法。
【背景技術(shù)】
[000引甘草次酸(Gly巧rrhetinic acid)分子式;〔3化604,分子量;470. 68384, CAS N0.471-53-4,MDLN0.MFCD00003706,EWECSN0.207-444-6,RTECSN0.W0180000,BRN NO. 2229654。beta-甘草亭酸;(3B,20B)-3-哲基-11-氧代-齊壞果-12-締-29-酸; (3 0,20 0 ) -3-哲基-11-氧代-齊壞果-12-締-29-酸;3 0 -哲基-11-氧-12-齊壞果 締-30-酸;甘草亭酸;18BETA-甘草次酸;甘巧酸。結(jié)構(gòu)式如下:
[0003]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種甘草次酸3位羥基和30位羧基結(jié)構(gòu)修飾方法,以甘草次酸為原料,該方法包含 以下步驟: (1) 乙酰甘草次酸甲酯的合成 (2) 乙酰甘草次酸乙酯的合成 (3) 硬酯酰甘草次酸甲酯的合成 (4) 18 0 -甘草次酸甲酯-二氯磷酰氮芥的合成。
2. 如權(quán)利要求1所述的一種甘草次酸3位羥基和30位羧基結(jié)構(gòu)修飾方法,其特征 在于,步驟⑴中酯化反應(yīng)催化劑為:濃硫酸、HMCM-49分子篩、MgO、Zr(S04)2 ? 4H20、 Ce(SO4)2 ? 4H20、AlCl3、BF3、ZnCl2、I2、氨基磺酸、Zn粉、離子液體[MORBSA] [H2SO4]、[TMBSA] [H2SO4]或DMP中之一;?;瘎椋阂阴B?、乙酸酐和冰醋酸中之一;縛酸齊IJ為:三乙胺、吡 啶、嗎啉或二甲基甲酰胺中之一;所用溶劑為:吡啶、醚類溶劑、二氯甲烷或乙酸乙酯溶中 之一。
3. 如權(quán)利要求1所述的一種甘草次酸3位羥基和30位羧基結(jié)構(gòu)修飾方法,其特征在 于,步驟(1)中反應(yīng)液變成白色衆(zhòng)狀,減壓濃縮至比重1. 15-1. 20,加入氫氧化鈉或氫氧化 鉀或氫氧化鋇中和至中性,減壓蒸餾至干,殘?jiān)寐确?、乙酸乙酯或丙酮中之一溶解,過濾, 除去生成的無機(jī)鹽,有機(jī)相依次用5%的碳酸氫鈉溶液、飽和鹽水、蒸餾水洗滌,有機(jī)相干燥 濃縮,殘?jiān)眉状既芙?,重結(jié)晶,得白色固體,抽濾,水洗,50-60°C下真空干燥。
4. 如權(quán)利要求1所述的一種甘草次酸3位羥基和30位羧基結(jié)構(gòu)修飾方法,其特征在 于,步驟(2)中酯化反應(yīng)催化劑為:1_甲基-2-吡咯烷酮硫酸氫鹽([Hnmp]HS04)、1_甲基咪 唑硫酸氫鹽([Hmim]HSO4)、[C3SO3Hmim]-H2S04、1-(3-磺酸基)-丙基-3-甲基咪唑硫酸氫鹽 ([C3SO3Hmirn]HSO4)或1-(3-磺酸基)-丙基-2-吡咯烷酮硫酸氫鹽([C3S03Hnhp]HSO4)中 之一。?;瘎椋阂阴B取⒁宜狒虮姿嶂兄?;縛酸劑為:三乙胺、吡啶、嗎啉或二甲基 甲酰胺中之一;所用溶劑為:吡啶、醚類溶劑、二氯甲烷或乙酸乙酯溶中之一。
5. 如權(quán)利要求1所述的一種甘草次酸3位羥基和30位羧基結(jié)構(gòu)修飾方法,其特征在 于,步驟(2)中反應(yīng)液加熱回流5-7h,減壓濃縮,回收溶劑,將將濃縮物加入到碎冰-稀鹽酸 中,析出白色沉淀,抽濾、洗滌、干燥。
6. 如權(quán)利要求1所述的一種甘草次酸3位羥基和30位羧基結(jié)構(gòu)修飾方法,其特征在 于,步驟(3)中酯化反應(yīng)催化劑為:[emim]BF4離子液體催化、雙-(3-甲基-1-咪唑)亞 丁基雙對(duì)甲苯磺酸鹽(Im-PTSA)、雙-(3-甲基-1-咪唑)亞丁基雙硫酸氫鹽(Im-HSO4)、 雙-(1-吡啶)亞丁基雙對(duì)甲苯磺酸鹽(Py-PTSA)、雙-(1-吡啶)亞丁基雙硫酸氫鹽 (Py-HSO4)或2-吡咯烷酮硫酸氫鹽([Hnhp]HS04)中之一;縛酸劑為:三乙胺、吡啶、嗎啉 或二甲基甲酰胺中之一;所用溶劑為:吡啶做溶劑、醚類溶劑、二氯甲烷或乙酸乙酯溶中之 一;?;瘎椋河仓狒蛴蝉ニ狨B?;反應(yīng)溫度為80-KKTC,反應(yīng)時(shí)間10_16h。反應(yīng)過程 中通入氮?dú)?,加?-10% (W/W)抗氧化劑亞硫酸鈉。
7. 如權(quán)利要求1所述的一種甘草次酸3位羥基和30位羧基結(jié)構(gòu)修飾方法,其特征在 于,步驟(3)中反應(yīng)液加熱至70-80°C,攪拌反應(yīng)3-5h,減壓濃縮,加等量水?dāng)噭?,靜置分離, 棄去水層,再用水洗數(shù)至無吡啶味,沉淀干燥后得粗產(chǎn)品,用甲醇溶解,加入3-5%活性炭回 流脫色30min,濃縮得白色沉淀。
8. 如權(quán)利要求1所述的一種甘草次酸3位羥基和30位羧基結(jié)構(gòu)修飾方法,其特征 在于,步驟⑷中酯化反應(yīng)催化劑為:濃硫酸、HMCM-49分子篩、MgO、Zr(S04)2 ? 4H20和Ce(SO4)2 ? 4H20、AlCl3、BF3、ZnCl2、I2、氨基磺酸、Zn粉、離子液體[MORBSA] [H2SO4]、[TMBSA] [H2S04]或DMAP中之一;縛酸劑為:三乙胺、吡啶、嗎啉或二甲基甲酰胺中之一;所用溶劑 為:啦啶、醚類溶劑、二氯甲烷或乙酸乙酯溶中之一;酰化劑為:磷酰e-二氯乙胺。
9.如權(quán)利要求1所述的一種甘草次酸3位羥基和30位羧基結(jié)構(gòu)修飾方法,其特征在 于,步驟(5)中加溫回流4-5h,用TLC檢測(cè)反應(yīng)進(jìn)程,除去固體催化劑,濾液減壓濃縮,用正 丁醇萃取,用5%鹽酸洗滌,蒸餾水洗3次,再用無水硫酸鎂干燥,減壓濃縮得到白色固體, 所得的濾液用5%鹽酸洗滌、水洗、減壓濃縮至干,用無水Na2SO4干燥,減壓蒸除正丁醇,粗 品用甲醇、乙醇或丙酮熱溶,加入3-5%活性炭回流脫色,趁熱抽濾,冷卻析出結(jié)晶,得精品。
【專利摘要】一種甘草次酸3位羥基和30位羧基結(jié)構(gòu)修飾方法,該方法包含以下步驟:1)乙酰甘草次酸甲酯的合成;2)乙酰甘草次酸乙酯的合成;3)硬酯酰甘草次酸甲酯的合成;4)18β-甘草次酸甲酯-二氯磷酰氮芥的合成。以甘草次酸為原料,一步法合成乙酰甘草次酸甲酯、乙酰甘草次酸乙酯、硬酯酰甘草次酸甲酯、18β-甘草次酸甲酯-二氯磷酰氮芥。傳統(tǒng)的方法是先合成甘草次酸甲酯或乙酯,將其作為原料再在3-位引入需要的官能團(tuán),至少需要兩步合成,本發(fā)明采用一鍋煮法,一步合成了目標(biāo)產(chǎn)物。
【IPC分類】C07J63-00
【公開號(hào)】CN104725459
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510120814
【發(fā)明人】李玉山
【申請(qǐng)人】李玉山
【公開日】2015年6月24日
【申請(qǐng)日】2015年3月16日
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