本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光材料，具體涉及一種三亞苯類化合物、中間體、有機(jī)電致發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

1、電致發(fā)光又可稱為電場(chǎng)發(fā)光，簡(jiǎn)稱el，是通過加在兩電極的電壓產(chǎn)生電場(chǎng)，固體在電場(chǎng)的作用下將電能直接轉(zhuǎn)換為光能的發(fā)光現(xiàn)象。其中，有機(jī)材料的電致發(fā)光屬于注入式的復(fù)合發(fā)光，有機(jī)電致發(fā)光材料依據(jù)在有機(jī)電致發(fā)光(oled)器件中的功能及器件結(jié)構(gòu)的不同，又可以區(qū)分為空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、發(fā)光層(eml)、電子傳輸層(etl)、電子注入層(eil)等材料。

2、當(dāng)前，有機(jī)電致發(fā)光(oled)已經(jīng)成為主流的顯示技術(shù)，相應(yīng)的，各種新型的oled材料也被開發(fā)。但是，其各種性能尚待提高，尤其在效率、壽命、電壓等方面。為了滿足人們對(duì)于oled器件的更高要求，本領(lǐng)域亟待開發(fā)更多種類、更高性能的藍(lán)光主體材料。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種三亞苯類化合物、中間體、有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明中通過對(duì)三亞苯類化合物的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，使其適用作有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層的主體材料，使有機(jī)電致發(fā)光器件具有較高的電流效率和較長(zhǎng)的壽命。

2、為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

3、第一方面，本發(fā)明提供一種三亞苯類化合物，所述三亞苯類化合物具有如下式i所示結(jié)構(gòu)：

4、

5、其中，ar1、ar2其中的一個(gè)選自-h或-d，另外一個(gè)選自c6-c40芳基或c6-c30雜芳基；

6、r1、r2各自獨(dú)立地選自-h、c6-c40芳基或c6-c30雜芳基中的任意一種；

7、m、n各自獨(dú)立地選自0-4的整數(shù)；

8、式i化合物中的氫原子各自獨(dú)立地可以被-d(氘原子)、-cn、-f、c6-c20芳基、c6-c30雜芳基、c1-c12烷基或c1-c12烷氧基中的至少一種取代。

9、本發(fā)明中通過對(duì)三亞苯類化合物的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，使其中的咔唑環(huán)和不選自氫原子或者氘原子的ar1或ar2處于鄰位取代的位置，這兩個(gè)基團(tuán)處于一個(gè)近似平行的狀態(tài)，空間結(jié)構(gòu)更規(guī)則，電荷傳輸性能更好，更加適合用作有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層的主體材料，由此得到的有機(jī)電致發(fā)光器件具有較高的電流效率和較長(zhǎng)的壽命。

10、本發(fā)明中，c6-c40可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等。

11、c6-c30可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28或c30等。

12、c6-c20可以是c6、c8、c10、c12、c16或c20等。

13、c1-c12可以是c1、c2、c4、c6、c8、c10或c12等。

14、需要說明的是，本發(fā)明中，“-d”表示氘原子，下同。

15、以下作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，但不作為對(duì)本發(fā)明提供的技術(shù)方案的限制，通過以下優(yōu)選的技術(shù)方案，可以更好的達(dá)到和實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的和有益效果。

16、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述c6-c40芳基選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、萘基苯基、蒽基、菲基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、萘并芴基、芘基、苝基、螺芴基、三亞苯基、熒蒽基、氫化苯并蒽基、茚并芴基、苯并茚并芴基、二苯并茚并芴基、萘并芴基或苯并萘并芴基中的任意一種。

17、優(yōu)選地，所述c6-c30雜芳基選自咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基中的任意一種。

18、優(yōu)選地，所述c6-c20芳基選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、三亞苯基、熒蒽基中的任意一種。

19、優(yōu)選地，所述c1-c12烷基選自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、辛基或癸基中的任意一種。

20、優(yōu)選地，所述c1-c12烷氧基選自甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基或己氧基中的任意一種。

21、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述ar1選自-h或者-d，ar2選自c6-c40芳基或c6-c30雜芳基。

22、優(yōu)選地，所述ar1選自-h或者-d，ar2選自苯基、萘基、聯(lián)苯基、咔唑基、二苯并呋喃基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、苝基(虛線表示連接位點(diǎn)，下同)或三亞苯基中的任意一種。

23、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述ar2選自-h或者-d，ar1選自c6-c40芳基或c6-c30雜芳基。

24、優(yōu)選地，所述ar2選自-h或者-d，ar1選自苯基、萘基、聯(lián)苯基、咔唑基、二苯并呋喃基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、苝基(虛線表示連接位點(diǎn)，下同)或三亞苯基中的任意一種。

25、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述r1、r2各自獨(dú)立地選自-h、苯基、咔唑基、二聯(lián)苯基、芴基、萘基、三亞苯基、熒蒽基、茚并芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘并苯并呋喃基或萘并苯并噻吩基中的任意一種。

26、優(yōu)選地，所述r1、r2各自獨(dú)立地選自-h、苯基、萘基、二聯(lián)苯基、9,9-二甲基芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基中的任意一種。

27、優(yōu)選地，所述r1、r2各自獨(dú)立地選自-h、苯基、萘基、聯(lián)苯基或咔唑基中的任意一種。

28、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述m、n各自獨(dú)立地選自0或1。

29、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述式i化合物中的氫原子各自獨(dú)立地可以被-d、-cn、-f、苯基、萘基、二聯(lián)苯基、咔唑基、甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基中的至少一種取代。

30、優(yōu)選地，所述式i化合物中的氫原子各自獨(dú)立地可以被-d、-cn、-f、苯基、萘基或咔唑基中的至少一種。

31、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述三亞苯類化合物選自如下取代或未取代的化合物：

32、

33、

34、

35、

36、所述取代是指上述化合物中的氫原子各自獨(dú)立地可以被氘原子取代。

37、優(yōu)選地，所述三亞苯類化合物選自如下化合物中的任意一種：

38、

39、需要說明的是，本發(fā)明對(duì)于三亞苯類化合物的制備方法沒有任何特殊的限定，本領(lǐng)常用的制備方法均適用，舉例說明合成方法：

40、(1)中間體ma的合成

41、

42、其中，r1、r2、m、n具有與上述相同的定義；

43、x3選自-f、-cl、-br或-i中的任意一種；

44、x1、x2中的一個(gè)選自-f、-cl、-br或-i中的任意一種，另外一個(gè)選自-h或者-d；并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本領(lǐng)域公知常識(shí)，合理選擇式ma-1化合物中x1、x2、x3的種類。

45、x1選擇-h或者-d時(shí)，x2、x3可以相同，也可以不同，當(dāng)x2、x3不同時(shí)，x3反應(yīng)活性大于x2的反應(yīng)活性；

46、x2選擇-h或者-d時(shí)，x3反應(yīng)活性大于x2的反應(yīng)活性。

47、并且以上式ma-1化合物、式ma-2化合物、式ma化合物中的氫原子各自獨(dú)立地可以被-d、-cn、-f、c6-c20芳基、c6-c30雜芳基、c1-c12烷基或c1-c12烷氧基中的至少一種取代。

48、(2)化合物i的合成(以x1選擇h為例說明)

49、

50、其中，x1選自-h，x2選自-f、-cl、-br或-i中的任意一種；

51、ar2、r1、r2、m、n具有與上述相同的定義。

52、第二方面，本發(fā)明提供一種中間體，所述中間體包括具有如下式ma所示化合物：

53、

54、其中，r1、r2、m、n具有與上述相同的定義；

55、x1、x2中的一個(gè)選自-f、-cl、-br或-i中的任意一種，另外一個(gè)選自-h或者-d；并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本領(lǐng)域公知常識(shí)，合理選擇式ma化合物中x1、x2的種類。

56、式ma化合物中的氫原子各自獨(dú)立地可以被-d、-cn、-f、c6-c20芳基、c6-c30雜芳基、c1-c12烷基或c1-c12烷氧基中的至少一種取代。

57、優(yōu)選地，所述中間體包括如下化合物：

58、

59、第三方面，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括陽極、陰極以及設(shè)置于所述陽極和陰極之間的有機(jī)薄膜層；

60、所述有機(jī)薄膜層包括如第一方面所述的三亞苯類化合物。

61、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述有機(jī)薄膜層包括發(fā)光層；

62、所述發(fā)光層的主體材料包括如第一方面所述的三亞苯類化合物。

63、優(yōu)選地，所述發(fā)光層為磷光發(fā)光層。

64、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述有機(jī)電致發(fā)光器件為藍(lán)光有機(jī)電致發(fā)光器件。

65、本發(fā)明中發(fā)光層包括發(fā)光層主體材料和摻雜材料，其中摻雜材料又叫染料或者磷光發(fā)光材料。發(fā)光層主體材料可以為單一化合物，也可以是由兩種或兩種以上化合物形成的混合物。

66、所述發(fā)光層包括磷光發(fā)光層，所述磷光發(fā)光層包括綠色磷光發(fā)光層、紅色磷光發(fā)光層、黃色磷光發(fā)光層、藍(lán)色磷光發(fā)光層。

67、磷光發(fā)光層中主體材料的體積百分含量為60％～99.9％(例如可以是60％、65％、70％、75％、80％、85％、90％、95％、98％或99.9％等)，優(yōu)選為70％～99.5％，進(jìn)一步優(yōu)選為85％～95％。

68、本發(fā)明中，發(fā)光層的摻雜材料可選用磷光發(fā)光材料，所述磷光發(fā)光材料又稱三重態(tài)發(fā)光材料，指物質(zhì)從三重激發(fā)態(tài)發(fā)出的光。本發(fā)明中歸于磷光材料的具體選擇不做特殊限定，本領(lǐng)域常用的發(fā)光層的摻雜材料均適用，示例性地包括但不限于：具有如式pd所示結(jié)構(gòu)的化合物：

69、

70、其中，m選自ir、pt、pd、os、ti、zr、hf、eu、tb、tm、cu或au中的任意一種；

71、y1-y4各自獨(dú)立地選自碳或氮；

72、y1和y2之間可以通過單鍵或雙鍵連接，y3和y4之間可以通過單鍵或雙鍵連接；

73、cy1和cy2各自獨(dú)立地選自苯基、萘基、芴基、螺芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻吩基、苯并咪唑唑基、苯并唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、n雜咔唑基、n雜二苯并呋喃基中的任意一種，其中cy1和cy2可任選地經(jīng)由單鍵或有機(jī)連接基團(tuán)彼此連接；

74、m的任意兩個(gè)配體之間、兩個(gè)以上配體之間可以通過單鍵、雙鍵連接，或者可以通過o、s橋接，或者可以通過任意化學(xué)基團(tuán)或者化學(xué)結(jié)構(gòu)連接以形成符合化學(xué)原理的結(jié)構(gòu)形式；

75、r91和r92各自獨(dú)立地選自-h、-d、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)、羧酸鹽基團(tuán)、磺酸基團(tuán)、磺酸鹽基團(tuán)、磷酸基團(tuán)、磷酸鹽基團(tuán)、-sf5、取代或未取代c1-c60(例如可以是c1、c5、c10、c15、c20、c25、c30、c35、c40、c45、c50、c55或c60等)烷基、取代或未取代c2-c60(例如可以是c2、c5、c10、c15、c20、c25、c30、c35、c40、c45、c50、c55或c60等)烯基、取代或未取代c2-c60(例如可以是c2、c5、c10、c15、c20、c25、c30、c35、c40、c45、c50、c55或c60等)炔基、取代或未取代c1-c60(例如可以是c1、c5、c10、c15、c20、c25、c30、c35、c40、c45、c50、c55或c60等)烷氧基、取代或未取代c2-c10(例如可以是c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9或c10)雜環(huán)烷基、取代或未取代c6-c60(例如可以是c6、c12、c15、c18、c24、c30、c32、c36、c40、c42、c54或c60等)芳基、取代或未取代c6-c60(例如可以是c6、c12、c15、c18、c24、c30、c32、c36、c40、c42、c54或c60等)芳氧基、取代或未取代c6-c60(例如可以是c6、c12、c15、c18、c24、c30、c32、c36、c40、c42、c54或c60等)芳硫基、取代或未取代單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代或未取代單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)中的任意一種。

76、a1和a2各自獨(dú)立地為選自1-5的整數(shù)，例如可以是1、2、3、4或5；

77、b選自0-4的整數(shù)，例如可以是0、1、2、3或4；

78、a選自1、2或3；

79、l1為單價(jià)有機(jī)配體、二價(jià)有機(jī)配體或三價(jià)有機(jī)配體。

80、優(yōu)選地，所述式pd化合物選自如下化合物中的任意一種：

81、

82、

83、

84、

85、

86、

87、本發(fā)明中，所述有機(jī)薄膜層包括空穴層，所述空穴層包括空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層。

88、所述空穴注入層材料包括p型摻雜劑。p型摻雜劑是指和空穴注入層材料共存于oled器件中，能夠氧化空穴注入層材料，從而作為電子受體，可以促進(jìn)空穴注入層的空穴向陽極移動(dòng)。本發(fā)明中，p型摻雜劑的lumo的絕對(duì)值和空穴層材料的homo的絕對(duì)值的差大于-0.2v，優(yōu)選為大于-0.1ev，進(jìn)一步優(yōu)選為大于0ev，進(jìn)一步優(yōu)選為大于0.1ev，進(jìn)一步優(yōu)選為大于0.2ev。

89、p型摻雜劑以體積百分含量為1％～10％(例如可以是1％、2％、4％、6％、8％或10％等)的體積比例存在于空穴注入層中。本發(fā)明中，對(duì)于p型摻雜劑的種類不做任何特殊的限定，示例性地可以選用cn113728453a公開的d-1～d-13所示化合物或者為如下所述hi-1到hi-9所示化合物：

90、

91、本發(fā)明中，空穴層材料(包括空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層)具有如下式ht-gh4所示結(jié)構(gòu)：

92、

93、其中，l41選自單鍵、c6-c40(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等)芳基、c6-c20(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16或c20等)雜芳基；

94、ar41、ar42各自獨(dú)立地選自c6-c40(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等)芳基、c6-c20(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16或c20等)雜芳基；

95、x選自cr41r42或者nr43，其中r41、r42、r43各自獨(dú)立地選自取代或未取代的苯基(所述取代的取代基選自c1-c6(例如可以是c1、c2、c3、c4、c5或c6)烷基、c1～c6(例如可以是c1、c2、c3、c4、c5或c6)烷氧基、二苯并呋喃基)、萘基、三亞苯基、熒蒽基、9,9-二甲基芴基、聯(lián)苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基(所述取代的取代基為苯基)、取代或未取代的二苯并噻吩基(所述取代的取代基為苯基)、二苯并呋喃取代的噻吩基、c1-c6(例如可以是c1、c2、c3、c4、c5或c6)烷基中的任意一種，r41、r42可以通過單鍵連接成環(huán)。

96、式ht-gh4化合物選自如下化合物中的任意一種：

97、

98、

99、

100、

101、本發(fā)明中，空穴層材料(包括空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層)還包括具有如下式ⅰa所示結(jié)構(gòu)的化合物或者如式ib所示結(jié)構(gòu)的化合物：

102、

103、其中，l選自含有c6-c40(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等)亞芳基、亞二苯并呋喃基或亞二苯并噻吩基中的任意一種；

104、m選自0～4之間的整數(shù)(例如可以是0、1、2、3或4)，n選自0或者1；

105、ar選自亞三亞苯基、亞熒蒽基、亞二苯并呋喃基或亞二苯并噻吩基中的任意一種；

106、ar1和ar2各自獨(dú)立地選自含有c6-c40(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等)芳基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基中的任意一種；

107、ar1和ar之間、ar2和ar之間以及ar1、ar2之間各自獨(dú)立地可以通過單鍵、o、s、cr1r2、nr連接或者橋接。

108、r、r1、r2各自獨(dú)立地選自c1-c20(例如可以是c1、c2、c4、c6、c8、c10、c12、c14、c16、c18或c20等)烷基、c6-c40(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等)芳基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基中的任意一種；

109、式ⅰb化合物和式ia化合物中的h各自獨(dú)立地可以被-f、-cn、-d(氘原子)、c1～c6烷基、c1～c6烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、三亞苯基、熒蒽基、芘基、苝基、螺芴基、茚并芴基或氫化的苯并蒽基中的至少一種替代。

110、優(yōu)選地，所述ar為亞熒蒽基，m+n＞1。

111、優(yōu)選地，所述式ib化合物和式ia化合物中的h可被-f、-cn、-d、c1～c3烷基(例如可以是甲基、乙基或丙基)、c1～c3烷氧基(例如可以是甲氧基、乙氧基或丙氧基)、苯基、聯(lián)苯基、三亞苯基、熒蒽基中的至少一種替代。

112、優(yōu)選地，所述l、ar1、ar2各自獨(dú)立地選自苯基、聯(lián)苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、三亞苯基、熒蒽基、芘基、苝基、螺芴基、茚并芴基或氫化的苯并蒽基中的至少一種。

113、優(yōu)選地，所述式ⅰb化合物選自以下結(jié)構(gòu)：

114、

115、其中，l為亞苯基；

116、ar1、ar2、m具有如上述相同的保護(hù)范圍。

117、優(yōu)選地，所述式ⅰb化合物選自如下化合物中1-112中的任意一種：

118、

119、

120、

121、本發(fā)明提供的oled器件中，空穴層材料除包括式ht-gh4所述化合物、式ib化合物、式ia化合物外，可以同時(shí)包括本領(lǐng)域常規(guī)的空穴材料，不受特別限制。示例性地包括但不限于：三芳胺類化合物或者三亞苯類化合物。優(yōu)選含有3個(gè)以上n原子的三芳胺類化合物或者三亞苯類化合物，因?yàn)?個(gè)以上n原子的三芳胺類化合物或者三亞苯類化合物的homo較高(絕對(duì)值較小)，更適合用作空穴注入層材料。含有2個(gè)或者1個(gè)n原子的三芳胺類化合物或者三亞苯類化合物，可以用作空穴傳輸層材料。部分含有1個(gè)n原子的化合物或者三亞苯類化合物，若其具有較高的lumo，也可用作電子阻擋層材料。

122、所述三芳胺類化合物或者三亞苯類化合物作為空穴層材料，所述空穴層材料包括如下結(jié)構(gòu)：

123、

124、其中，ar601～ar609各自獨(dú)立地選自取代或者未取代的c6-c40(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等)芳基、取代或者未取代的二苯并呋喃基、取代或者未取代的二苯并噻吩基、取代或者未取代的萘并苯并呋喃基、取代或者未取代的萘并苯并噻吩基、取代或者未取代的二萘并呋喃基、取代或者未取代的二萘并噻吩基中的任意一種；

125、并且ar601～ar609中相鄰或者連接在同一個(gè)n原子上的ar601～ar609，可以通過單鍵連接或者通過o、s、cr701r702、nr703橋接；

126、r701、r702、r703選自c6-c40(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等)芳香基、c6-c20(例如可以是c6、c8、c10、c12、c16或c20等)雜芳基、c1-c6(例如可以是c1、c2、c3、c4、c5或c6)烷基，且r701、r702可以通過單鍵連接。

127、空穴阻擋層(hbl)可以限制空穴和/或激子在發(fā)光層范圍內(nèi)，以改善器件的電流效率和壽命。與最接近hbl界面的發(fā)光層材料相比，hbl材料具有較低homo(絕對(duì)值較大)和/或較高三重態(tài)能量。

128、電子傳輸層(etl)可以包括能夠傳輸電子的材料。電子傳輸層可以是固有的(未經(jīng)摻雜的)或經(jīng)摻雜的，可以使用摻雜來增強(qiáng)導(dǎo)電性。本發(fā)明中，對(duì)于etl材料不做特殊限制，可以使用任何金屬絡(luò)合物或有機(jī)化合物，只要其可以傳輸電子即可。一般電子傳輸層材料中含有以下結(jié)構(gòu)片段：吡啶結(jié)構(gòu)、嘧啶結(jié)構(gòu)、三嗪結(jié)構(gòu)、苯并咪唑結(jié)構(gòu)、苯并噁唑結(jié)構(gòu)、苯并噻唑結(jié)構(gòu)、n雜萘結(jié)構(gòu)、n雜啡結(jié)構(gòu)、n雜咔唑結(jié)構(gòu)、n雜二苯并呋喃結(jié)構(gòu)、n雜二苯并噻吩結(jié)構(gòu)中的至少一種。

129、本發(fā)明中，對(duì)于電子傳輸層材料不做任何特殊限制，示例性地包括但不限于：

130、

131、

132、本發(fā)明中，所述陰極的材料是具有低逸出功的金屬(例如堿土金屬、堿金屬、主族金屬或鑭系元素(例如ca、ba、mg、al、in、mg、yb、sm等))、由多種金屬構(gòu)成的金屬合金(由堿金屬或堿土金屬與銀構(gòu)成的合金，例如由鎂和銀構(gòu)成的合金)或多層結(jié)構(gòu)。若陰極材料為多層結(jié)構(gòu)，除了上述所提及的金屬之外，還可以使用具有相對(duì)高逸出功的其它金屬，例如ag或al，在這種情況下通常使用所述金屬的組合，例如ca/ag、mg/ag或ba/ag。

133、也可選用在金屬陰極和有機(jī)半導(dǎo)體之間引入具有高介電常數(shù)的材料的薄中間層，形成多層結(jié)構(gòu)；所述具有高介電常數(shù)的材料也可以稱作電子注入材料，可選用堿金屬或堿土金屬的氟化物、以及相應(yīng)的氧化物或碳酸鹽(例如lif、li2o、baf2、mgo、naf、csf、cs2co3等)或喹啉鋰(liq)。

134、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

135、本發(fā)明通過對(duì)三亞苯類化合物的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，使其適用作有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光層的主體材料，使有機(jī)電致發(fā)光器件具有較高的電流效率和較長(zhǎng)的壽命。