1.一種培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，包括：培養(yǎng)板和振動信號產(chǎn)生部件，所述振動信號產(chǎn)生部件設(shè)置于所述培養(yǎng)板上；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，所述培養(yǎng)板包括主體結(jié)構(gòu)和位于所述主體結(jié)構(gòu)至少一側(cè)的延伸部，所述多個容納結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述主體結(jié)構(gòu)上，所述振動信號產(chǎn)生部件設(shè)置于所述延伸部上；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，所述振動信號產(chǎn)生部件包括至少兩個壓電換能器，所述至少兩個壓電換能器設(shè)置于所述延伸部上，且所述至少兩個壓電換能器產(chǎn)生的振動信號的傳播方向在所述培養(yǎng)板所在的平面內(nèi)相交。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，所述振動信號產(chǎn)生部件包括兩個所述壓電換能器，在所述培養(yǎng)板所在的平面內(nèi)，兩個所述壓電換能器產(chǎn)生的振動信號的傳播方向所形成的夾角大于或等于80°、且小于或等于100°。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，所述培養(yǎng)板包括兩個所述延伸部，兩個所述延伸部位于所述主體結(jié)構(gòu)相鄰的兩側(cè)，兩個所述延伸部連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，所述培養(yǎng)板包括第一表面，所述第一容納腔和所述第二容納腔均包括底部和開口；所述第一容納腔的開口所在的平面與所述第一表面共面，所述第二容納腔的開口所在的平面和所述第一容納腔的底部共面；
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，所述第二容納腔包括第二軸線，所述第二容納腔的第二軸線和所述第一表面之間的夾角大于0°小于或等于90°。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，所述第二容納腔的第二軸線和所述第一表面之間的夾角大致為90°，所述第二容納腔的底部在所述第一表面上的正投影的面積小于所述第二容納腔的開口的邊沿在所述第一表面上的正投影圍成的區(qū)域的面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，所述第二容納腔的第二軸線和所述第一表面之間的夾角大于0°小于90°，所述第二容納腔的底部在所述第一表面上的正投影的面積小于或等于所述第二容納腔的開口的邊沿在所述第一表面上的正投影圍成的區(qū)域的面積。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，所述第一容納腔包括第一軸線，所述第一容納腔的第一軸線和所述第一表面之間的夾角與所述第二容納腔的第二軸線和所述第一表面之間的夾角大致相等；所述第一容納腔的底部外輪廓在所述第一表面上的正投影圍成的區(qū)域的面積小于或等于所述第一容納腔的開口的邊沿在所述第一表面上的正投影圍成的區(qū)域的面積。
11.根據(jù)權(quán)利要求6～9中任一項所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，所述第一容納腔和所述第二容納腔的開口的邊沿均為弧線，所述第一容納腔和所述第二容納腔的底部的外輪廓均為弧線，第一容納腔和所述第二容納腔的側(cè)壁均為弧面。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，所述第一容納腔和所述第二容納腔的開口的邊沿均為圓形，所述第一容納腔和所述第二容納腔的底部的外輪廓均為圓形；
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，沿垂直于所述第一表面的方向上，所述第一容納腔的開口到底部之間的距離范圍為250μm～1000μm，所述第二容納腔的開口到底部之間的距離范圍為200μm～300μm；
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，所述培養(yǎng)結(jié)構(gòu)還包括圍擋結(jié)構(gòu)，所述圍擋結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域位于所述主體結(jié)構(gòu)和所述延伸部之間，所述圍擋結(jié)構(gòu)圍繞所述多個容納結(jié)構(gòu)設(shè)置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，所述培養(yǎng)板的厚度為1.8mm～3.5mm，所述圍擋結(jié)構(gòu)沿所述培養(yǎng)板厚度方向上的尺寸為7mm～12mm，所述圍擋結(jié)構(gòu)沿平行于所述培養(yǎng)板所在平面方向上的尺寸為1.5mm～3.5mm。
16.一種培養(yǎng)方法，應(yīng)用于權(quán)利要求1-15中任一項所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)，其中，所述培養(yǎng)結(jié)構(gòu)包括培養(yǎng)板和振動信號產(chǎn)生部件，所述振動信號產(chǎn)生部件設(shè)置于所述培養(yǎng)板上；所述培養(yǎng)板包括多個容納結(jié)構(gòu)，所述容納結(jié)構(gòu)設(shè)置為容納培養(yǎng)液，所述容納結(jié)構(gòu)包括第一容納腔以及位于所述第一容納腔底部的至少一個第二容納腔；所述振動信號產(chǎn)生部件在所述培養(yǎng)板上的正投影與所述多個容納結(jié)構(gòu)互不交疊；所述方法包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的培養(yǎng)方法，其中，所述振動信號帶動所述多個容納結(jié)構(gòu)中的培養(yǎng)液運動包括：
18.一種培養(yǎng)芯片，其中，包括權(quán)利要求1-15中任一項所述的培養(yǎng)結(jié)構(gòu)。