本發(fā)明涉及有機發(fā)光材料
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種芳香族化合物及應(yīng)用該芳香族化合物的發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
：有機發(fā)光二極管(oleds)在大面積平板顯示和照明方面的應(yīng)用引起了工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注。作為繼有機熒光材料和有機磷光材料之后發(fā)展的第三代有機發(fā)光材料，熱激活延遲熒光(tadf)一般具有小的單線態(tài)-三線態(tài)能級差(dest)，三線態(tài)激子可以通過反系間穿越轉(zhuǎn)變成單線態(tài)激子發(fā)光。這可以充分利用電激發(fā)下形成的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子，器件的內(nèi)量子效率可以達到100％。同時，材料結(jié)構(gòu)可控，性質(zhì)穩(wěn)定，價格便宜無需貴重金屬，在oleds領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。但現(xiàn)有的tadf材料種類單一，器件的效率較低，無法滿足高效有機發(fā)光二極管的要求。tadf材料要求具有donor-π-acceptor結(jié)構(gòu)。其中donor為電子給體，如芳香胺體系或咔唑體系，氮原子與碳原子通過單鍵相連；acceptor為電子受體，如具有碳氮雙鍵的雜環(huán)體系，氮原子與至少一個碳原子通過雙鍵相連，在另一種表述中，認(rèn)為具有碳氮雙鍵的雜環(huán)芳香體系，碳氮雙鍵實際為介于單鍵和雙鍵的共軛鍵；π為橋連基團，可以為芳香共軛體系，也可以是非芳香共軛體系，也可以為單鍵，只要能使donor基團和acceptor基團進行非平面共軛的連接。氰基是經(jīng)典的吸電子基團，被廣泛應(yīng)用到tadf設(shè)計中。2012年安達千波矢在自然(nature,2012,492,234)上報道的tadf材料即采用了氰基作為吸電子基團。然而，氰基中的氮原子與碳原子通過碳氮三鍵相連，具有極強的配位能力，導(dǎo)致氰基特別容易吸附金屬離子。由于金屬離子在oled器件中能夠加速器件老化，因此降低材料的金屬離子含量是特別重要的。常規(guī)的降低金屬離子方法，如層析柱吸附、離子交換樹脂交換、升華提純等方式，在金屬離子含量較大量時作用顯著，但是當(dāng)金屬離子含量已經(jīng)比較小時，作用很不明顯。需要反復(fù)的精細(xì)操作，才有可能達到理想的要求。同時，反復(fù)的提純操作會導(dǎo)致產(chǎn)品的實際收率降低，進而增加了產(chǎn)品的成本，不利于推廣。因此，氰基雖然可以作為吸電子基團引入到tadf的材料設(shè)計中，但是由于其固有的吸附金屬離子的特性會加速器件老化，器件特別容易出現(xiàn)效率滾降現(xiàn)象，反復(fù)提純既無法保證得到高純度的產(chǎn)品，也使得效率降低，成本升高。因此，急需一種材料，既保持了氰基基團的優(yōu)良特性，又不容易吸附金屬離子。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的第一目的在于提供一種芳香族化合物。本發(fā)明的第二目的在于提供使用該芳香族化合物的發(fā)光器件。為了實現(xiàn)本發(fā)明的第一目的，所述芳香族化合物的結(jié)構(gòu)式如式i所示：其中，al表示c6～c36的芳香族基團或c6～c36的含氮芳香族基團，r11為鹵素原子、c1～c16的烷基、c6～c36的芳香族取代基或c6～c36的含氮芳香族基團，r12為c1～c12的含氟取代基，dg表示c6～c72的含氮芳香族基團，且dg與al表示不同的基團；x為0～2的整數(shù)，y為2～5的正整數(shù)，z為1～4的正整數(shù)，w為1～4的正整數(shù)，v為1～10的整數(shù)。為了實現(xiàn)本發(fā)明的第二目的，所述發(fā)光器件包括陽極、陰極及設(shè)置于所述陽極和所述陰極之間的至少一個有機層，所述有機層包括本發(fā)明所述的芳香族化合物。本發(fā)明至少具有以下有益效果：本發(fā)明的芳香族化合物以cf3基團替代常規(guī)tadf材料中的cn基團，由于兩者的空間體積類似，分子結(jié)構(gòu)變化不大。cf3具有良好的吸電子功能，能夠保持原有的donor-π-acceptor結(jié)構(gòu)，即保持了材料的tadf的性能。同時由于cf3基團中含有氟原子，具有較小的表面能，對金屬離子吸附能力較弱，使得提純步驟簡單，降低了材料的提純成本，有利于工業(yè)化生產(chǎn)。并且在提純產(chǎn)物時的升華操作時，與使用cn基團的tadf材料相比，含有三氟甲基的tadf材料具有較高的升華收率。附圖說明圖1為本發(fā)明具體實施方式中發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。10-發(fā)光器件；11-陽極；12-空穴傳輸層；13-發(fā)光層；14-電子傳輸層；15-陰極。具體實施方式下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明涉及一種芳香族化合物，其結(jié)構(gòu)式如式i所示：其中，al表示c6～c36的芳香族基團或c6～c36的含氮芳香族基團，r11為鹵素原子、c1～c16的烷基、c6～c36的芳香族基團或c6～c36的含氮芳香族基團，r12為c1～c12的含氟取代基，dg表示c6～c72的含氮芳香族基團，且dg與al表示不同的基團；x為0～2的整數(shù)，y為2～5的正整數(shù)，z為1～4的正整數(shù)，w為1～4的正整數(shù)，v為1～10的整數(shù)。本發(fā)明的芳香族化合物以cf3基團替代常規(guī)tadf材料中的cn基團，cf3具有良好的吸電子功能，能夠保持原有的donor-π-acceptor結(jié)構(gòu)，保持了材料的tadf的性能。在式i中，r12所表示的c1～c12的含氟取代基，包括氟取代的c1～c12烷基、氟取代的c6～c12芳基；氟取代碳原子上的氫原子全部被氟原子取代或部分被氟原子取代；具體的，可選擇碳原子數(shù)為1～10的氟代烷基、碳原子數(shù)為6～12的氟代芳基，進一步優(yōu)選地，選擇碳原子數(shù)為1～6的氟代鏈狀烷基、碳原子數(shù)為3～8的氟代環(huán)烷基，更進一步優(yōu)選地，選擇碳原子數(shù)為1～4的氟代鏈狀烷基、碳原子數(shù)為5～7的氟代環(huán)烷基、碳原子為6～10的氟代芳基。具體可選自三氟甲基(-cf3)、2-氟乙基、3-氟正丙基、2-氟異丙基、4-氟正丁基、3-氟仲丁基、5-氟正戊基、4-氟異戊基、1-氟乙烯基、3-氟烯丙基、6-氟-4-己烯基、鄰氟苯基、對氟苯基、間氟苯基、4-氟甲基苯基、2,6-二氟甲基苯基、2-氟-1-萘基等。r11所表示的c6～c36的芳香族取代基，包括取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的三聯(lián)苯基等；r11所表示的c6～c36的含氮芳香族基團，包括取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的喋啶基等；dg表示c6～c72的含氮芳香族基團，優(yōu)選c6～c72的含氮稠合基團。作為本發(fā)明芳香族化合物的一種改進，dg表示c6～c72的含氮稠合基團，r11表示c6～c36的非稠合芳香族基團或c6～c36的含氮非稠合芳香族基團。作為本發(fā)明芳香族化合物的一種改進，al表示c6～c24的芳香族基團或c6～c24的含氮芳香族基團；優(yōu)選的，al表示c6～c12的芳香族基團或c6～c12的含氮芳香族基團；更優(yōu)選的，al表示c6～c12的芳香族基團；最優(yōu)選的，al表示苯環(huán)。作為本發(fā)明芳香族化合物的一種改進，v＝1時，r12為三氟甲基時，芳香族化合物選自以下通式所示的化合物：(1)y＝2時，芳香族化合物選自通式i-1、i-2、i-3所示的化合物：其中，m1為0～2的整數(shù)、n1為1～4的整數(shù)；(2)y＝3時，芳香族化合物選自通式i-4、i-5、i-6所示的化合物：其中，m2為0～2的整數(shù)、n2為1～3的整數(shù)；(3)y＝4時，芳香族化合物選自通式i-7、i-8、i-9所示的化合物：其中，m3為0～1的整數(shù)、n3為1～2的整數(shù)。(4)y＝5時，芳香族化合物選自通式i-10所示的化合物：作為本發(fā)明芳香族化合物的一種改進，v>1時，芳香族化合物選自以下通式所示的化合物：(1)v＝2時，芳香族化合物選自通式ii-1所示的化合物：(3)v＝3時，芳香族化合物選自通式ii-2、ii-3所示的化合物：其中，a1、a2、a3、a4、a5、a6各自獨立的表示c6～c36的芳香族基團或c6～c36的含氮芳香族基團；d21、d22、d23、d24、d31、d32、d33、d34、d35、d36、d41、d42、d43、d44、d45、d46、d47各自獨立的表示c6～c72的含氮芳香族基團；x1、x2、x3、x4、x5、x6、x7、x8各自獨立的表示0或1；y1、y2、y3、y4、y5、y6、y7、y8各自獨立的表示2～5的整數(shù)；k1、k2、k3、k4、k5、k6、k7、k8各自獨立的表示0～3的整數(shù)；w1、w2、w3、w4、w5、w6、w7、w8、w9各自獨立的表示1～3的整數(shù)。作為本發(fā)明芳香族化合物的一種改進，r12選自氟取代的c1～c6烷基、氟取代的c6～c6芳基；優(yōu)選的，三氟甲基r12為三氟甲基。作為本發(fā)明芳香族化合物的一種改進，r11為c1～c12的烷基、c6～c24的芳基或c6～c24的含氮芳基；優(yōu)選的，r11為c1～c6的烷基、c6～c12的芳基或c6～c12的含氮芳基；最優(yōu)選的，r11為甲基、苯基、聯(lián)苯基或吡啶基。作為本發(fā)明芳香族化合物的一種改進，dg表示c6～c72的含氮芳香族基團；d21、d22、d23、d24、d31、d32、d33、d34、d35、d36、d41、d42、d43、d44、d45、d46、d47各自獨立的表示c6～c72的含氮芳香族基團；其中，c6～c72的含氮芳香族基團選自以下通式所示的結(jié)構(gòu)：其中，n21、n22、n23、n24、n25、n26、n27、n28、n30、n31、n32、n33、n34、n35、n36、n37、n38、n39、n41、n42、n43、n44、n45、n46、n47、n48、n51、n52、n53、n54、n55、n56、n57、n58、n61、n62、n63、n64、n65、n66、n67、n68各自獨立的表示c原子或氮原子；x表示o原子、s原子、s＝o基團、o＝s＝o基團、p＝o基團、c(rarb)基團、n(rc)基團、si(rdre)基團，ra、rb、rc、rd、re各自獨立的表示取代或未取代的c1～c12的烷基、取代或未取代的c6～c24的芳基，取代基為鹵素原子、c1～c12的烷基、氟原子取代的c1～c12的烷基、氟原子取代的c1～c12的烷氧基；a、b、c各自獨立地選自苯環(huán)、呋喃環(huán)、吡啶環(huán)、噻吩環(huán)、吡咯環(huán)，環(huán)結(jié)構(gòu)a、環(huán)結(jié)構(gòu)b和環(huán)結(jié)構(gòu)c與相鄰的環(huán)在任意位置稠合，r、p、q各自獨立地為1至4的整數(shù)，當(dāng)r為2以上的整數(shù)時，多個環(huán)結(jié)構(gòu)a可以相同也可以不同；當(dāng)p為2以上的整數(shù)時，多個環(huán)結(jié)構(gòu)b可以相同也可以不同；當(dāng)q為2以上的整數(shù)時，多個環(huán)結(jié)構(gòu)c可以相同也可以不同；r21、r22、r23、r24、r25、r26、r27、r28、r30、r31、r32、r33、r34、r35、r36、r37、r38、r39、r41、r42、r43、r44、r45、r46、r47、r48、r51、r52、r53、r54、r55、r56、r57、r58、r61、r62、r63、r64、r65、r66、r67、r68各自獨立地選自虛原子、氫原子、鹵素原子、取代或未取代的c1～c12烷基、取代或未取代的c1～c12烷氧基、取代或未取代的c1～c12烷硫基、取代或未取代的c1～c12烷硅基、取代或未取代的c6～c24芳基、取代或未取代的c6～c24芳氧基、取代或未取代的c6～c24芳硅基、取代或未取代的c3～c24雜芳基、取代或未取代的c3～c24雜芳氧基、取代或未取代的c3～c24雜芳硅基、取代或未取代的c6～c24芳胺基，取代基為鹵素原子、c1～c12的烷基、氟原子取代的c1～c12的烷基、氟原子取代的c1～c12的烷氧基；虛原子表示該基團不存在，例如當(dāng)n21為n原子時，此時的r21不存在，即為虛原子。更優(yōu)選的，芳胺基選自以下通式中的一種：其中，r81、r82、r83、r84、r85、r86、r87、r88、r89、r91、r92、r93、r94各自獨立的表示氫原子、氟取代或未取代的c1～c4烷基、氟取代或未取代的c1～c4烷氧基、氟取代或三氟甲基取代或未取代的c6～c10芳基，z表示o原子、s原子、n(rf)基團、c(rgrh)基團、si(rirj)基團，rf、rg、rh、ri、rj所表示的取代基各自獨立的選自氟取代或未取代的c1～c4烷基、氟取代或三氟甲基取代或未取代的c6～c10芳基。作為本發(fā)明芳香族化合物的一種改進，c6～c72的含氮芳香族基團選自以下結(jié)構(gòu)所示的基團：作為本發(fā)明芳香族化合物的一種改進，芳香族化合物選自以下結(jié)構(gòu)表示的化合物：本發(fā)明還涉及一種發(fā)光器件，發(fā)光器件包括陽極、陰極及設(shè)置于陽極和陰極之間的至少一個有機層，有機層包括本發(fā)明的芳香族化合物。本發(fā)明的芳香族化合物通過以下的方法制備得到：將含氟原料、芳香胺原料和堿以一定比例加入到有機溶劑中，在氮氣保護條件下反應(yīng)1～24小時，經(jīng)重結(jié)晶或柱層析分離可得到本發(fā)明所述的化合物。有機溶劑為無鹵溶劑。有機溶劑可選自正己烷、石油醚、四氫呋喃、甲苯、乙苯、二甲苯、三甲苯、二甲基亞砜、n,n-二甲基甲酰胺、n,n-二甲基乙酰胺、乙氧基乙醇、丁氧基乙醇、乙氧基乙二醇乙醚中的一種或其組合。具體的，本發(fā)明可選擇二甲基亞砜。堿的種類可以為無機堿，也可以為有機堿?？梢詾楹瑲溲醺臒o機堿，也可以為堿性無機鹽，只要能夠?qū)崿F(xiàn)芳香氟和芳香胺偶聯(lián)即可。優(yōu)選為堿金屬或堿土金屬形成的堿。堿可選自碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銣、碳酸銫、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銣、氫氧化銫、叔丁醇鉀、叔丁醇鈉、叔丁醇銣、叔丁醇銫、氫化鉀或者氫化鈉中的任意一種及其組合。具體的，本發(fā)明可選擇碳酸鉀。芳香胺原料與含氟原料的比例，當(dāng)含氟原料苯環(huán)上含有一個氟原子時，比例為1.5:1～1:1，當(dāng)含氟原料苯環(huán)上含有兩個氟原子時，比例為3:1～2:1，當(dāng)含氟原料苯環(huán)上含有三個氟原子時，比例為4.5:1～3:1，當(dāng)含氟原料苯環(huán)上含有四個氟原子時，比例為6:1～4:1。關(guān)于tadf材料的三重態(tài)和單重態(tài)能級差δest，可以經(jīng)由多種方法得到，理論上可以經(jīng)由gaussian軟件計算得到，如學(xué)術(shù)文獻(j.am.chem.soc.,2012,134,14706-14709)或(j.chem.theorycomput.,2015,11,3851-3858)描述，可采用tddft的方法，在m06-2x泛函，6-31g(d)基組下計算得到相應(yīng)的三重態(tài)和單重態(tài)能級差δest；或者經(jīng)由turbomole軟件計算得到，如學(xué)術(shù)文獻(adv.mater.,2008,20,3325-3330)描述。實驗方面，可以采用如下方法得到三重態(tài)和單重態(tài)能級差：(1)測量材料不同溫度下的瞬態(tài)熒光壽命(τp)、瞬態(tài)熒光量子效率(φp)，延遲熒光壽命(τd)、延遲熒光量子效率(φd)；(2)根據(jù)公式(e1)和(e2)計算得到κp和κd，根據(jù)公式(e3)計算得到κrisc；κpτp＝φp(e1)κdτd＝φd(e1)κrisc＝(κpκd/κisc)(φd/φp)(e3)其中，設(shè)定κisc＝1×106(s-1)(3)根據(jù)公式(e4)將ln(κrisc)與1/t作圖，通過斜率即可算得三重態(tài)和單重態(tài)能級差(δest)ln(κrisc)＝-δest/kt+a0(e4)其中，k為玻爾茲曼常數(shù)，a0為作圖對應(yīng)的截距。合成實施例1：化合物f-1的合成將1mmol原料f-1-1、6.0mmol碳酸鉀和5mmol咔唑，加入到10ml二甲基亞砜中，150℃加熱回流12小時。冷卻至室溫后，向體系中加入200ml水析出固體，抽濾并經(jīng)柱層析提純得到固體，收率25％。1h-nmr(dmso-d6):δ(p.p.m.)＝8.34(d,4h)，8.21(m,4h),7.98(d,4h),7.35(m,4h),7.29(m,4h),7.20(m,4h),7.15(m,8h)。δest＝0.11ev。合成實施例2：化合物f-2的合成將1mmol原料f-2-1、4.0mmol碳酸鉀和2.5mmol咔唑，加入到10ml二甲基亞砜中，150℃加熱回流8小時。冷卻至室溫后，向體系中加入200ml水析出固體，抽濾并經(jīng)柱層析提純得到固體，收率15％。1h-nmr(dmso-d6):δ(p.p.m.)＝8.31(m,6h),8.03(d,2h),7.84(d,2h),7.39(4h),7.30(t,2h),7.14(t,2h)。δest＝0.29ev。合成實施例3：化合物f-3的合成將1mmol原料f-3-1、2.0mmol碳酸鉀和1.1mmol原料f-3-2，加入到10ml二甲基亞砜中，150℃加熱回流4小時。冷卻至室溫后，向體系中加入200ml水析出固體，抽濾并經(jīng)柱層析提純得到固體，收率43％。1h-nmr(dmso-d6):δ(p.p.m.)＝8.53(s,2h),8.41(d,2h),8.33(m,4h),8.21(m,2h),8.01(d,2h),7.98(d,2h),7.85(m,2h),7.41(m,3h),7.36(m,6h)。δest＝0.14ev。合成實施例4：化合物f-4的合成將1mmol原料f-4-1、4.0mmol碳酸鉀和2.1mmol原料咔唑，加入到10ml二甲基亞砜中，150℃加熱回流10小時。冷卻至室溫后，向體系中加入200ml水析出固體，抽濾并經(jīng)柱層析提純得到固體，收率39％。1h-nmr(dmso-d6):δ(p.p.m.)＝8.42(m,3h),8.32(d,4h),8.11(m,4h),7.65(d,2h),7.58(4h),7.45-7.30(m,5h)。δest＝0.09ev。合成實施例5：化合物f-5的合成將1mmol原料f-5-1、1.0mmol碳酸鉀和0.5mmol原料f-5-2，加入到10ml二甲基亞砜中，150℃加熱回流10小時。冷卻至室溫后，向體系中加入200ml水析出固體，抽濾并經(jīng)柱層析提純得到固體，收率35％。1h-nmr(dmso-d6):δ(p.p.m.)＝8.44(m,4h),8.39(d,2h),8.26(d,4h),8.18(d,2h),7.85(d,2h),7.74(m,2h),7.58(m,4h)。δest＝0.13ev。合成實施例6：化合物f-6的合成將1mmol原料f-6-1、2.0mmol碳酸鉀和2.5mmol原料咔唑，加入到10ml二甲基亞砜中，150℃加熱回流24小時。冷卻至室溫后，向體系中加入200ml水析出固體，抽濾并經(jīng)柱層析提純得到固體，收率28％。1h-nmr(dmso-d6):δ(p.p.m.)＝8.29(d,4h),7.85(m,4h),7.53(m,4h),7.32(m,4h)。δest＝0.16ev。合成實施例7：化合物f-7的合成將1mmol原料f-7-1、3.0mmol碳酸鉀和2.5mmol原料f-7-2，加入到10ml二甲基亞砜中，150℃加熱回流8小時。冷卻至室溫后，向體系中加入200ml水析出固體，抽濾并經(jīng)柱層析提純得到固體，收率13％。1h-nmr(dmso-d6):δ(p.p.m.)＝7.80(s,2h),7.25(m,4h),7.13(t,2h),7.01(m,4h),6.95(m,4h),6.85(t,2h),1.61(s,12h)。δest＝0.25ev。合成實施例8：化合物f-8的合成將1mmol原料f-8-1、3.0mmol碳酸鉀和2.8mmol原料f-8-2，加入到10ml二甲基亞砜中，150℃加熱回流24小時。冷卻至室溫后，向體系中加入200ml水析出固體，抽濾并經(jīng)柱層析提純得到固體，收率31％。1h-nmr(dmso-d6):δ(p.p.m.)＝8.59(d,2h),8.41(s,2h),8.22(d,2h),8.02(d,2h),7.90(d,2h),7.79(d,2h),7.72(m,4h),7.44(m,2h),7.35(m,4h)。δest＝0.18ev。對比例1：對比化合物cn1的制備將1mmol原料cn-1-1、3.0mmol碳酸鉀和2.5mmol原料f-7-2，加入到10ml二甲基亞砜中，150℃加熱回流8小時。冷卻至室溫后，向體系中加入200ml水析出固體，抽濾并經(jīng)柱層析提純得到固體。對比例2：對比化合物cn2的制備將1mmol原料cn-1-1、3.0mmol碳酸鉀和2.5mmol原料f-8-2，加入到10ml二甲基亞砜中，150℃加熱回流8小時。冷卻至室溫后，向體系中加入200ml水析出固體，抽濾并經(jīng)柱層析提純得到固體。將合成實施例7、合成實施例8、對比例1、對比例2中的經(jīng)過柱層析得到的粗品各10g做進一步的純化處理，純化的條件為：在真空度5×10-4pa，300℃。(1)記錄純化處理的時間和產(chǎn)量，具體實驗數(shù)據(jù)如表1所示：表1：(2)比較升華前后材料的金屬離子含量。金屬離子含量的測試方法：采用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀進行測試。具體實驗數(shù)據(jù)如表2所示：表2：單位(ppm)編號namgalkcafef‐7升華前78.57.55.05.213.212.5f‐7升華后0.830.29<0.010.571.311.43cn1升華前147.575.115.255.618.616.4cn1升華后35.412.610.316.89.23.8cn1二次升華后10.61.982.41.781.51.44經(jīng)上述實驗比較可知，本發(fā)明的化合物不僅易于提純，在較短的提純時間內(nèi)，收率顯著提升。并且，本發(fā)明的化合物的表面能小，對金屬離子吸附能力較弱，在升華提純前，其金屬元素含量就比含有cn基團的tadf材料相比顯著減低，經(jīng)過一次提純后，其金屬元素含量顯著減低，低于含有cn基團的tadf材料進行兩次升華后金屬元素含量。因此，本發(fā)明的tadf材料簡化了提純步驟，提高了收率，降低了材料的提純成本，有利于工業(yè)化生產(chǎn)。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光器件，包括陽極、陰極及設(shè)置于陽極和陰極之間的至少一個有機層，有機層包括本發(fā)明的芳香族化合物。請參閱圖1，為本發(fā)明提供的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。發(fā)光器件10包括依次沉積形成的陽極11、空穴傳輸層12、發(fā)光層13、電子傳輸層14和陰極15。其中空穴傳輸層12、發(fā)光層13、電子傳輸層14均為有機層，陽極11與陰極15與電連接。發(fā)光層13可以只有本發(fā)明提供的芳香族化合物，使發(fā)光器件10為非摻雜器件。發(fā)光層13可以還有其他材料，使發(fā)光器件10為摻雜器件。當(dāng)采用摻雜器件時，本發(fā)明提供的芳香族化合物在發(fā)光層13中的比例不受限制。一般的，當(dāng)本發(fā)明提供的芳香族化合物占主要比例時，是將其作為主體材料使用；當(dāng)本發(fā)明提供的芳香族化合物占次要比例時，是將其作為客體摻雜材料使用。作為主體材料的要求，在于能夠?qū)⒛芰總鬟f給客體摻雜材料。當(dāng)采用摻雜器件時，摻雜比例是不受限制的，一般的范圍為1～45％，優(yōu)選的為2～20％，更優(yōu)選的為3～10％。當(dāng)采用摻雜器件時，主體材料和客體材料的數(shù)目是不受限制的，主體材料可以只有一個，也可以有多個，客體摻雜材料可以有一個，也可以有多個。發(fā)光層13可以為一層，也可以為多層。當(dāng)采用多個發(fā)光層時，其中一個或多個發(fā)光層可以不發(fā)射可見光?？昭▊鬏攲?2可以采用本發(fā)明提供的芳香族化合物，也可以選擇其他芳香胺類有機物作為空穴傳輸層，只要能夠?qū)⒁氲目昭▊鬟f到所述發(fā)光層13即可。空穴傳輸層12可以為一層，也可以為多層。當(dāng)空穴傳輸層與陽極相連時，空穴傳輸層也提供了空穴注入的功能。當(dāng)空穴傳輸層的lumo(最低空軌道)能級較低時，也提供了電子阻擋的功能。電子傳輸層14可以采用本發(fā)明提供的芳香族化合物，也可以選擇其他化合物作為電子傳輸層，對電子傳輸層的化合物結(jié)構(gòu)沒有具體的要求，只要能夠?qū)⒁氲碾娮觽鬟f到發(fā)光層即可。作為電子傳輸層14的化合物結(jié)構(gòu)，可以選擇含氮的雜環(huán)化合物，也可以選擇碳?xì)湓亟M成的螺環(huán)芳香化合物，也可以選擇金屬配合物。電子傳輸層14可以為一層，也可以為多層。當(dāng)電子傳輸層與陰極相連時，電子傳輸層也提供了電子注入的功能。當(dāng)電子傳輸層的homo(最高占有軌道)能級較高時，也提供了空穴阻擋的功能。在材料應(yīng)用方面，tadf不僅僅能夠作為發(fā)光層的材料使用。如有學(xué)者在具有三苯胺砜類結(jié)構(gòu)的tadf材料(先進材料，adv.mater.,2012,24,3410-3414)基礎(chǔ)上，經(jīng)過分子設(shè)計修飾成咔唑砜類tadf材料(化學(xué)材料，chem.mater.,2013,25,2630-2637)，不僅可以作為發(fā)光層材料使用，也可被進一步用于磷光器件的主體材料(acsappl.mater.interfaces2014,6,8964-8970)。為了示意性的證明本發(fā)明提供的芳香族化合物作為發(fā)光器件材料的優(yōu)良特性，發(fā)光器件按照如下結(jié)構(gòu)設(shè)計：陽極/空穴傳輸層/主體材料:本發(fā)明提供的芳香族化合物/電子傳輸層/陰極，即本發(fā)明提供的芳香族化合物作為客體材料。本發(fā)明實施例發(fā)光器件10的制作工藝如下：將涂布了氧化銦錫(ito)透明導(dǎo)電層的玻璃板在商用清潔劑中超聲處理，用去離子水沖洗后，在丙酮：乙醇混合溶劑中超聲，在潔凈環(huán)境下烘烤至完全除去水分，用紫外光清洗劑曝光20分鐘；將上述清洗好的玻璃基板置于真空腔內(nèi)，抽真空至1×10-3～10-5pa，蒸鍍一層4,4’-環(huán)己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺](tapc)作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1～0.2nm/s，蒸鍍厚度為10～100nm；繼續(xù)蒸鍍一層含有本發(fā)明芳香族化合物和9,9-二(9-苯基咔唑-3-)-4,5-二氮雜芴(pcaf)的發(fā)光層，摻雜濃度為1～20wt％，蒸鍍速率0.1～0.2nm/s，厚度10～50nm；繼續(xù)蒸鍍一層雙(2-甲基-8-羥基喹啉-n1,o8)-(1,1'-聯(lián)苯-4-羥基)鋁(balq)，蒸鍍速率0.1～0.2nm/s，厚度10～50nm；繼續(xù)蒸鍍一層鎂銀電極，蒸鍍速率1～2nm/s，厚度20～200nm。通過上述制備工藝形成的發(fā)光器件10的結(jié)構(gòu)為：ito/tapc/pcaf:本發(fā)明芳香族化合物/balq/mg:ag。其中，tapc為90nm，發(fā)光層為40nm，balq為30nm，mg:ag電極為100nm。本發(fā)明所用的功能材料及主體材料為如下結(jié)構(gòu)：為了進一步說明本發(fā)明提供的芳香族化合物性能，采用摻雜濃度為5wt％制備相應(yīng)的器件。器件的表征采用計算機控制的keithleysource2400/2000、pr650電流-電壓-亮度計進行測量。實驗結(jié)果如表3所示：表3：編號芳香族化合物外量子效率(％)1f-113.3％2f-28.9％3f-310.1％4f-49.1％5f-59.2％6f-68.6％7f-79.1％8f-810.7％d1cn18.8％d2cn29.9％由表3可知，本發(fā)明的芳香族化合物的外量子效率超過了5％的理論熒光材料的外量子效率限制，具有明顯的tadf材料性能。本發(fā)明的芳香族化合物，與含有cn基團的相應(yīng)材料相比，外量子效率差別不大，說明將cn改變?yōu)閏f3基團后，仍保持良好的光學(xué)性能。本發(fā)明雖然以具體實施例公開如上，但并不是用來限定權(quán)利要求。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，都可以做出若干可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁12