技術(shù)特征：

1.一種三苯基磷氧衍生物，用于磷光主體及電子傳輸材料，其特征在于，所述三苯基磷氧衍生物的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

其中，所述結(jié)構(gòu)通式中的R為H或具有電子傳輸特性的取代基團。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三苯基磷氧衍生物，其特征在于，所述具有電子傳輸特性的取代基團包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三苯基磷氧衍生物，其特征在于，所述R為結(jié)構(gòu)相同的取代基團；或

所有的所述R中，至少存在兩種不同結(jié)構(gòu)的取代基團。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三苯基磷氧衍生物，其特征在于，同一苯環(huán)的所有R為結(jié)構(gòu)相同的取代基團；或同一苯環(huán)的所有R中至少存在兩種不同結(jié)構(gòu)的取代基團。

5.一種電致磷光發(fā)光器件，其特征在于，包括依次設(shè)置的基板、透明陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、激子阻隔層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極，其中所述發(fā)光層至少部分包括權(quán)利要求1-4中任一的三苯基磷氧衍生物。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致磷光發(fā)光器件，其特征在于，所述透明陽極為ITO，所述空穴注入層為MoO₃，所述空穴傳輸層為TAPC,所述激子阻隔層為TCTA，所述發(fā)光層為摻雜Ir(ppy)₃的所述三苯基磷氧衍生物，所述電子傳輸層為TmPyPB，所述電子注入層為LiF，所述陰極為Al。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電致磷光發(fā)光器件，其特征在于，所述三苯基磷氧衍生物為pNBIPO、pPBIPO、mNBIPO或mPBIPO。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電致磷光發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的厚度為8nm至12nm，所述空穴傳輸層的厚度為60nm至80nm，所述激子阻隔層的厚度為4nm至6nm，所述發(fā)光層的厚度為15nm至25nm，所述電子傳輸層的厚度為35nm至45nm，所述電子注入層的厚度為0.8nm至1.2nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電致磷光發(fā)光器件，其特征在于，

所述TAPC的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

所述TCTA的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

所述Ir(ppy)₃的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

所述TmPyPB的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電致磷光發(fā)光器件，其特征在于，所述pNBIPO的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

所述pPBIPO的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

所述mNBIPO的結(jié)構(gòu)通式如下所示：

所述mPBIPO的結(jié)構(gòu)通式如下所示：