本發(fā)明涉及有機(jī)光電材料
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種吩嗪衍生物及其制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：1963年，美國(guó)紐約大學(xué)的Pope等首次觀察到了蒽的電致發(fā)光，此后，有機(jī)電致發(fā)光這一新技術(shù)逐漸進(jìn)入了科學(xué)家的視野。由于最初制作的器件驅(qū)動(dòng)電壓普遍較高，有機(jī)電致發(fā)光曾一度被認(rèn)為沒有實(shí)用價(jià)值。直到1987年，美國(guó)柯達(dá)公司的Tang等利用8-羥基喹啉鋁與具有空穴傳輸性能的芳香族二胺，采用超薄薄膜技術(shù)制備了在10V電壓下亮度為1000cd/m2的綠光有機(jī)電致發(fā)光器件(organiclight-emittingdevices,OLEDs)，取得了突破性進(jìn)展，使得OLED的研究在世界范圍內(nèi)得到了迅速?gòu)V泛的開展。此后人們研制出了各種性能優(yōu)良的OLED材料，并通過(guò)對(duì)器件結(jié)構(gòu)的不同設(shè)計(jì)，和對(duì)器件壽命、效率等性能的優(yōu)化，加快了OLED的商業(yè)化進(jìn)程。經(jīng)過(guò)近30年的發(fā)展，OLED在顯示和照明領(lǐng)域得到了應(yīng)用，但迄今為止，OLED器件仍未得到普及化應(yīng)用，器件的壽命、成本、效率等都是OLED發(fā)展中的瓶頸，而光取出效率是影響器件效率的最關(guān)鍵因素之一。雖然OLED器件的內(nèi)量子效率已經(jīng)接近100％，但外量子效率卻僅有大約20％左右，大部分的光由于基板模式損失、表面等離子損失與波導(dǎo)效應(yīng)等因素被限制在發(fā)光器件內(nèi)部，導(dǎo)致了大量能量損失。為了提高器件的光取出效率，使用光取出層(CappingLayer，CPL)是目前行之有效的辦法。光取出層可以降低金屬電極的表面等離子體效應(yīng)，達(dá)到調(diào)節(jié)出光方向和出光效率的作用。但是，多制備一層CPL材料不但需要增加材料的成本預(yù)算，還需要增加一個(gè)單獨(dú)的蒸鍍腔室，這提高了OLED器件的制備成本。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種吩嗪衍生物及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明所述吩嗪衍生物不僅是一類光取出材料，而且具有空穴傳輸功能，可同時(shí)作為空穴傳輸層和光取出層，提高了器件的發(fā)光效率，并且大大節(jié)省了器件的制備成本。本發(fā)明提供了一種吩嗪衍生物，其特征在于，結(jié)構(gòu)式(I)如下所示：其中，X為取代或未取代的C6-C60的芳胺基或取代或未取代的C6-C60的稠雜環(huán)。優(yōu)選的,所述X為取代或未取代的C6-C40的芳胺基或取代或未取代的C6-C40的稠雜環(huán)。優(yōu)選的，所述X為取代或未取代的C12-C36的芳胺基或取代或未取代的C12-C36的稠雜環(huán)。更進(jìn)一步優(yōu)選的，所述吩嗪衍生物為TM1-TM26所示結(jié)構(gòu)中的任意一種：本發(fā)明還提供一種吩嗪衍生物的制備方法，包括：將式(A)所示的中間體和式(B)所示的化合物在氮?dú)獗Ｗo(hù)下經(jīng)過(guò)偶聯(lián)反應(yīng)得到式(Ⅰ)吩嗪衍生物：其中，X為取代或未取代的C6-C60的芳胺基或取代或未取代的C6-C60的稠雜環(huán)。本發(fā)明還提供了上述吩嗪衍生物在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。優(yōu)選的，所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括陽(yáng)極、陰極、有機(jī)物層和光取出層，有機(jī)物層包含空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一層；所述光取出層中含有所述的吩嗪衍生物。優(yōu)選的，所述光取出層和空穴傳輸層同時(shí)含有所述的吩嗪衍生物。本發(fā)明還提供一種顯示裝置，含有所述有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明提供了一種吩嗪衍生物，該吩嗪衍生物具有式(Ⅰ)所示結(jié)構(gòu)，是帶隙較寬的有機(jī)材料，在可見光波段內(nèi)沒有明顯吸收，可同時(shí)作為空穴傳輸材料和光取出材料應(yīng)用于OLED器件中，將該吩嗪衍生物作為光取出層材料可以改善半透射電極的透過(guò)率，提高OLED器件的外量子效率，可見光范圍內(nèi)透過(guò)率達(dá)80％以上；將所述吩嗪衍生物同時(shí)作為空穴傳輸層和光取出層應(yīng)用于OLED器件中，不僅提高了器件的發(fā)光效率，還能有效節(jié)約成本。具體實(shí)施方式下面結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的闡述，但本發(fā)明并不限于以下實(shí)施方式。本發(fā)明首先提供一種吩嗪衍生物，結(jié)構(gòu)式為：其中，X為取代或未取代的C6-C60的芳胺基或取代或未取代的C6-C60的稠雜環(huán)。優(yōu)選的，X為取代或未取代的C6-C40的芳胺基或取代或未取代的C6-C40的稠雜環(huán)；可選的，X的結(jié)構(gòu)如下所示：更優(yōu)選的，X為取代或未取代的C12-C36的芳胺基或取代或未取代的C12-C36的稠雜環(huán)。最優(yōu)選的，X的結(jié)構(gòu)如下：具體的，所述吩嗪衍生物優(yōu)選選自如下TM1-TM26所示結(jié)構(gòu)中的任意一種：本發(fā)明還提供了所述吩嗪衍生物的制備方法，包括：將式(A)所示的化合物和式(B)所示的化合物在氮?dú)獗Ｗo(hù)下經(jīng)過(guò)偶聯(lián)反應(yīng)得到式(Ⅰ)所示的吩嗪衍生物：其中，X為取代或未取代的C6-C60的芳胺基或取代或未取代的C6-C60的稠雜環(huán)。按照本發(fā)明，式(A)所示的中間體按照如下所示方法制備得到：式A-1所示的3,4-二溴苯胺在催化劑的作用下，反應(yīng)得到式(A)所示的中間體。本發(fā)明對(duì)上述方法的反應(yīng)條件沒有特別的限制，采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的反應(yīng)條件即可。按照本發(fā)明，將式(A)所示的中間體與式(B)所示的化合物在氮?dú)獗Ｗo(hù)下經(jīng)過(guò)偶聯(lián)反應(yīng)得到式(Ⅰ)所示的吩嗪衍生物，本發(fā)明對(duì)所述偶聯(lián)反應(yīng)沒有特殊的限制，采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的偶聯(lián)反應(yīng)即可，該制備方法簡(jiǎn)單，原料易得。本發(fā)明進(jìn)一步提供了所述的吩嗪衍生物在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。所述的有機(jī)電致發(fā)光器件包括陽(yáng)極、陰極、有機(jī)物層和光取出層，有機(jī)物層包含空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一層；優(yōu)選所述光取出層中含有所述的吩嗪衍生物，更優(yōu)選所述光取出層和空穴傳輸層同時(shí)含有所述的吩嗪衍生物。采用的器件結(jié)構(gòu)優(yōu)選的，具體為：以ITO透明玻璃作為陽(yáng)極；NPB或所述吩嗪衍生物(TM1-TM26中的任意一種)作為空穴傳輸層；TCTA作為發(fā)光層，或作為主體同磷光材料摻雜(摻雜的質(zhì)量濃度為0.5～30.0％)作為發(fā)光層；TPBI作為電子傳輸層；以Al層作為陰極；最后將所述的吩嗪衍生物(TM1-TM26中的任意一種)蒸鍍?cè)谏鲜鲫帢O上，作為光取出層。上述器件采用了本發(fā)明所述的吩嗪衍生物(TM1-TM26中的任意一種)作為光取出層或同時(shí)作為光取出層和空穴傳輸層，較傳統(tǒng)器件發(fā)光效率得到了顯著提高：上述器件的發(fā)光效率在48cd/A～62cd/A之間，傳統(tǒng)器件的發(fā)光效率為30cd/A。所述有機(jī)電致發(fā)光器件可用于平板顯示器、照明光源、指示牌、信號(hào)燈等應(yīng)用領(lǐng)域。本發(fā)明更進(jìn)一步提供了一種顯示裝置，包括所述的有機(jī)電致發(fā)光器件。通過(guò)以下實(shí)施例更詳盡地解釋本發(fā)明，但不希望因此限制本發(fā)明。在該描述的基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能夠在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的情況下在所公開的整個(gè)范圍內(nèi)實(shí)施本發(fā)明和制備根據(jù)本發(fā)明的其他化合物。實(shí)施例1：中間體A的制備向三口燒瓶中加入125g(0.5mol)的3,4-二溴苯胺(化合物A-1)，加入3.5g(0.005mol)的雙三苯基膦二氯化鈀、276g(1mol)碳酸銀、32.2g(0.1mol)四丁基溴化銨和500ml的二甲基甲酰胺，邊攪拌邊鼓O2，同時(shí)升溫至100℃，在該條件下反應(yīng)20分鐘。將反應(yīng)體系倒入大量冰水中攪拌，然后用乙酸乙酯萃取，有機(jī)相依次用蒸餾水和飽和食鹽水洗滌，用無(wú)水硫酸鈉干燥，過(guò)濾掉固體殘?jiān)?，最后減壓蒸餾除掉溶劑，得到238g的中間體A，產(chǎn)率為96％。質(zhì)譜m/z：495.88(計(jì)算值：495.79)。理論元素含量(％)C12H4Br4N2：C,29.07；H,0.81；Br,64.47；N,5.65。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,28.93；H,0.77；Br,64.36；N,5.41。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例2：化合物TM1的合成將495mg(1mmol)的中間體A和231mg(0.2mmol)的四(三苯基膦)鈀混合物加入10ml去除空氣的甲苯中，在N2保護(hù)下，將體系加熱到60℃，攪拌5分鐘。向體系中依次加入1272mg(4.4mmol)三苯胺-4-硼酸、2.5ml去除空氣的乙醇和5ml去除空氣的2M的碳酸鈉水溶液，在80℃下攪拌24小時(shí)。將反應(yīng)體系倒入大量水中，用二氯甲烷萃取。有機(jī)層依次用飽和食鹽水和水洗滌，用無(wú)水硫酸鎂干燥，減壓蒸餾。殘留固體經(jīng)柱層析(己烷/二氯甲烷＝4:4,V/V)純化后，在己烷/氯仿混合溶液中重結(jié)晶，得到853mg(0.74mmol)的化合物TM1，產(chǎn)率為74％。質(zhì)譜m/z：1153.64(計(jì)算值：1153.42)。理論元素含量(％)C84H60N6：C,87.47；H,5.24；N,7.29。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,87.35；H,5.16；N,7.16。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例3：化合物TM2的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-咔唑-9-基苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM2。質(zhì)譜m/z：1145.57(計(jì)算值：1145.35)。理論元素含量(％)C84H52N6：C,88.09；H,4.58；N,7.34。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,87.96；H,4.41；N,7.28。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例4：化合物TM3的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[二(4-甲苯基)胺]苯基]硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM3。質(zhì)譜m/z：1265.69(計(jì)算值：1265.63)。理論元素含量(％)C92H76N6：C,87.31；H,6.05；N,6.64。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,87.26；H,5.98；N,6.54。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例5：化合物TM4的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[二(4-甲氧基苯基)胺基]苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM4。質(zhì)譜m/z：1392.74(計(jì)算值：1392.64)。理論元素含量(％)C92H76N6O8：C,79.29；H,5.50；N,6.03；O,9.18。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,79.15；H,5.36；N,5.89；O,9.04。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例6：化合物TM5的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的B-[4-(1，1’-聯(lián)苯)-4-苯胺基]苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM5。質(zhì)譜m/z：1457.94(計(jì)算值：1457.80)。理論元素含量(％)C108H76N6：C,88.98；H,5.25；N,5.76。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,88.85；H,5.13；N,5.64。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例7：化合物TM6的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(二聯(lián)苯基-4-氨基)苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM6。質(zhì)譜m/z：1762.41(計(jì)算值：1762.18)。理論元素含量(％)C132H92N6：C,89.97；H,5.26；N,4.77。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,89.92；H,5.17；N,4.66。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例8：化合物TM7的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(苯基[1，1’:4’,1”-三聯(lián)苯]-4-胺基)苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM7。質(zhì)譜m/z：1762.32(計(jì)算值：1762.18)。理論元素含量(％)C132H92N6：C,89.97；H,5.26；N,4.77。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,89.86；H,5.14；N,4.63。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例9：化合物TM8的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的B-[4-二(4’-甲基聯(lián)苯)-4-胺基]苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM8。質(zhì)譜m/z：1874.67(計(jì)算值：1874.40)。理論元素含量(％)C140H108N6：C,89.71；H,5.81；N,4.48。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,89.65；H,5.73；N,4.31。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例10：化合物TM9的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的二-(4’-丙基聯(lián)苯-4-基)胺基苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM9。質(zhì)譜m/z：2098.95(計(jì)算值：2098.82)。理論元素含量(％)C156H140N6：C,89.27；H,6.72；N,4.00。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,89.15；H,6.63；N,3.84。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例11：化合物TM10的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[1,1'-聯(lián)苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺基苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM10。質(zhì)譜m/z：1922.58(計(jì)算值：1922.44)。理論元素含量(％)C144H108N6：C,89.97；H,5.66；N,4.37。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,89.85；H,5.54；N,4.31。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例12：化合物TM11的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[二(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺基]苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM11。質(zhì)譜m/z：2082.78(計(jì)算值：2082.69)。理論元素含量(％)C156H124N6：C,89.96；H,6.00；N,4.04。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,89.84；H,5.96；N,3.98。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例13：化合物TM12的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(14,15-二氫-14,14,15,15-四甲基-7H-二茚并[1,2-c:2’,1’-g]咔唑-7-基)苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM12。質(zhì)譜m/z：2074.77(計(jì)算值：2074.63)。理論元素含量(％)C156H116N6：C,90.31；H,5.64；N,4.05。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,90.24；H,5.58；N,4.02。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例14：化合物TM13的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-([1,1’-聯(lián)苯]-4-基[1,1’：4’1”-三聯(lián)苯]-4-胺基)苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM13。質(zhì)譜m/z：2066.63(計(jì)算值：2066.57)。理論元素含量(％)C156H108N6：C,90.67；H,5.27；N,4.07。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,90.54；H,5.23；N,3.96。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例15：化合物TM14的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[二([1,1’:4’,1”-三聯(lián)苯]-4-基)胺基]苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM14。質(zhì)譜m/z：2370.98(計(jì)算值：2370.95)。理論元素含量(％)C180H124N6：C,91.18；H,5.27；N,3.54。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,91.11；H,5.16；N,3.44。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例16：化合物TM15的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-([1,1’-聯(lián)苯]-4-基[1,1’:3’,1”-三聯(lián)苯]-5’-胺基)苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM15。質(zhì)譜m/z：2066.68(計(jì)算值：2066.57)。理論元素含量(％)C156H108N6：C,90.67；H,5.27；N,4.07。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,90.53；H,5.19；N,4.01。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例17：化合物TM16的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-[二([1,1’:3’,1”-三聯(lián)苯]-5’-基)胺基]苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM16。質(zhì)譜m/z：2370.84(計(jì)算值：2370.95)。理論元素含量(％)C180H124N6：C,91.18；H,5.27；N,3.54。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,91.06；H,5.14；N,3.33。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例18：化合物TM17的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-([1,1’:3’,1”-三聯(lián)苯]-4-基[1,1’:4’,1”-三聯(lián)苯]-4-胺基)苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM17。質(zhì)譜m/z：2371.41(計(jì)算值：2370.95)。理論元素含量(％)C180H124N6：C,91.18；H,5.27；N,3.54。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,91.06；H,5.16；N,3.48。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例19：化合物TM18的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(N-(萘-1-基)-N-苯胺基)苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM18。質(zhì)譜m/z：1353.77(計(jì)算值：1353.65)。理論元素含量(％)C100H68N6：C,88.73；H,5.06；N,6.21。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,88.65；H,4.97；N,6.13。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例20：化合物TM19的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(N-(1-萘基)-N-(2-萘基)胺基)苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM19。質(zhì)譜m/z：1553.96(計(jì)算值：1553.88)。理論元素含量(％)C116H76N6：C,89.66；H,4.93；N,5.41。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,89.54；H,4.83；N,5.29。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例21：化合物TM20的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(2-萘基)苯胺基苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM20。質(zhì)譜m/z：1353.79(計(jì)算值：1353.65)。理論元素含量(％)C100H68N6：C,88.73；H,5.06；N,6.21。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,88.64；H,4.97；N,6.08。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例22：化合物TM21的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的4-(二-1-萘基苯胺基)苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM21。質(zhì)譜m/z：1553.97(計(jì)算值：1553.88)。理論元素含量(％)C116H76N6：C,89.66；H,4.93；N,5.41。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,89.48；H,4.87；N,5.36。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例23：化合物TM22的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的[(1-萘基)-(4-苯基萘-1-基)胺基]苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM22。質(zhì)譜m/z：1858.44(計(jì)算值：1858.27)。理論元素含量(％)C140H92N6：C,90.49；H,4.99；N,4.52。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,90.35；H,4.69；N,4.37。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例24：化合物TM23的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的[(菲-9-基)-(4-苯基萘-1-基)胺基]苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM23。質(zhì)譜m/z：2058.84(計(jì)算值：2058.50)。理論元素含量(％)C156H100N6：C,91.02；H,4.90；N,4.08。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,90.87；H,4.85；N,3.95。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例25：化合物TM24的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的[(萘-1-基)-(菲-9-基)胺基]苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM24。質(zhì)譜m/z：1754.33(計(jì)算值：1754.12)。理論元素含量(％)C132H84N6：C,90.38；H,4.83；N,4.79。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,90.25；H,4.74；N,4.56。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例26：化合物TM25的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的二-(菲-9-基)胺基苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM25。質(zhì)譜m/z：1954.22(計(jì)算值：1954.35)。理論元素含量(％)C148H92N6：C,90.96；H,4.74；N,4.30。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,90.88；H,4.66；N,4.14。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例27：化合物TM26的合成將實(shí)施例2中的三苯胺-4-硼酸替換為等摩爾的二(4-苯基-萘-1-基)胺基苯硼酸，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物TM26。質(zhì)譜m/z：2162.77(計(jì)算值：2162.65)。理論元素含量(％)C164H108N6：C,91.08；H,5.03；N,3.89。實(shí)測(cè)元素含量(％)：C,90.94；H,4.95；N,3.71。上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例28：發(fā)光器件1的制備選取ITO透明玻璃為陽(yáng)極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽(yáng)極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為60nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為15wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為60nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極，厚度為200nm。最后在陰極上蒸鍍TM2化合物作為光取出層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為60nm。該器件發(fā)藍(lán)光，發(fā)光效率為48cd/A。實(shí)施例29：發(fā)光器件2的制備選取ITO透明玻璃為陽(yáng)極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽(yáng)極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為60nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為15wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為60nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極，厚度為200nm。最后在陰極上蒸鍍TM10化合物作為光取出層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為60nm。該器件發(fā)藍(lán)光，發(fā)光效率為51cd/A。實(shí)施例30：發(fā)光器件3的制備選取ITO透明玻璃為陽(yáng)極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽(yáng)極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為60nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為15wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為60nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極，厚度為200nm。最后在陰極上蒸鍍TM19化合物作為光取出層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為60nm。該器件發(fā)藍(lán)光，發(fā)光效率為57cd/A。實(shí)施例31：發(fā)光器件4的制備選取ITO透明玻璃為陽(yáng)極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽(yáng)極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為60nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為15wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為60nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極，厚度為200nm。最后在陰極上蒸鍍TM25化合物作為光取出層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為60nm。該器件發(fā)藍(lán)光，發(fā)光效率為54cd/A。實(shí)施例32：發(fā)光器件5的制備選取ITO透明玻璃為陽(yáng)極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽(yáng)極基板上真空蒸鍍TM2化合物作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為60nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為15wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為60nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極，厚度為200nm。最后在陰極上蒸鍍TM2化合物作為光取出層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為60nm。該器件發(fā)藍(lán)光，發(fā)光效率為62cd/A。對(duì)比實(shí)施例：發(fā)光器件6的制備選取ITO透明玻璃為陽(yáng)極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽(yáng)極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為60nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍TCTA/FIrpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為15wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍TPBI作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為60nm。最后在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極，厚度為200nm。該器件發(fā)藍(lán)光，發(fā)光效率為30cd/A。發(fā)光器件發(fā)光效率(cd/A)148251357454562630以上結(jié)果表明，本發(fā)明的吩嗪衍生物作為光取出層材料，應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件中，發(fā)光效率高，是性能良好的有機(jī)發(fā)光材料。顯然，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于所述
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3