技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種二苯并[c,g]咔唑化合物。另外，本發(fā)明還涉及一種使用該二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件、發(fā)光裝置、顯示裝置、照明裝置以及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

由于可以制造為薄型輕量、對輸入信號的高速響應(yīng)性、低耗電量等優(yōu)點，對于作為下一代的照明裝置或顯示裝置的使用以有機化合物為發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光元件（有機EL元件）的顯示裝置的開發(fā)正在加快地進行。

關(guān)于有機EL元件，通過將發(fā)光層夾在電極之間來施加電壓，將電子及空穴從電極注入到發(fā)光層。然后，從電極注入的電子和空穴重新結(jié)合而使包含在發(fā)光層中的發(fā)光物質(zhì)成為激發(fā)態(tài)，并且當(dāng)該激發(fā)態(tài)回到基底態(tài)時發(fā)光。由于發(fā)光物質(zhì)所發(fā)射的光的波長是該發(fā)光物質(zhì)特有的，所以通過將不同種類的有機化合物用作發(fā)光物質(zhì)，可以得到呈現(xiàn)各種波長即各種顏色的發(fā)光的發(fā)光元件。

上面已說明，發(fā)光物質(zhì)所發(fā)射的光是該物質(zhì)特有的。但是，使用壽命、功耗等的作為發(fā)光元件的重要性能不僅取決于發(fā)光物質(zhì)，而且很大程度上還取決于除發(fā)光層外的其他層、元件結(jié)構(gòu)、發(fā)光物質(zhì)與主體的性質(zhì)或相容性等。因此，為了使該領(lǐng)域成熟，一定需要多種發(fā)光元件用材料。根據(jù)上述理由，已經(jīng)提出了具有各種分子結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件用材料（例如，參照專利文獻1至專利文獻3）。

作為可用于發(fā)光元件的傳輸材料或發(fā)光層中的主體材料的材料，有一種物質(zhì)，即9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（簡稱：CzPA）。通過將CzPA用于主體材料或電子傳輸材料，可以制造在發(fā)光效率、驅(qū)動電壓、使用壽命的方面上具有非常優(yōu)良的特性的藍色熒光發(fā)光元件。

參考文獻

[專利文獻1]美國專利申請公開第2008/0122344號說明書

[專利文獻2]PCT申請公開第2010/114264號

[專利文獻3]PCT申請公開第2011/010842號。

至今為止，已開發(fā)出了許多發(fā)光元件用材料，但是開發(fā)出像上述CzPA那樣的能夠制造發(fā)光效率、驅(qū)動電壓以及使用壽命這些重要特性彼此配合得非常好的藍色熒光發(fā)光元件的材料是非常困難的。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于上述問題，本發(fā)明的一個方式的目的是提供一種如下新穎化合物，該新穎化合物可以應(yīng)用于發(fā)光元件的傳輸層、主體材料或發(fā)光材料，而可以容易實現(xiàn)高性能發(fā)光元件。

另外，本發(fā)明的一個方式的目的是提供一種使用上述新穎化合物的高發(fā)光效率的發(fā)光元件。另外，本發(fā)明的一個方式的目的是提供一種使用上述新穎化合物的低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件。另外，本發(fā)明的一個方式的目的是提供一種使用上述新穎化合物的長使用壽命的發(fā)光元件。另外，本發(fā)明的一個方式的目的是提供一種使用上述新穎化合物的發(fā)光效率、驅(qū)動電壓以及使用壽命都優(yōu)良的發(fā)光元件。

另外，本發(fā)明的一個方式的目的是提供一種具備使用上述新穎化合物的發(fā)光元件的低耗電量發(fā)光裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的目的是提供一種具備使用上述新穎化合物的發(fā)光元件的高可靠性發(fā)光裝置。

另外，本發(fā)明的一個方式的目的是提供一種具備使用上述新穎化合物的發(fā)光元件的低耗電量顯示裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的目的是提供一種具備使用上述新穎化合物的發(fā)光元件的高可靠性顯示裝置。

另外，本發(fā)明的一個方式的目的是提供一種具備使用上述新穎化合物的發(fā)光元件的低耗電量照明裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的目的是提供一種具備使用上述新穎化合物的發(fā)光元件的高可靠性照明裝置。

另外，本發(fā)明的一個方式的目的是提供一種具備使用上述新穎化合物的發(fā)光元件的低耗電量電子設(shè)備。另外，本發(fā)明的一個方式的目的是提供一種具備使用上述新穎化合物的發(fā)光元件的高可靠性電子設(shè)備。

另外，在本發(fā)明的一個方式中，只要解決上述課題中的任何一個，即可。

本發(fā)明人合成如下二苯并[c,g]咔唑化合物，在該二苯并[c,g]咔唑化合物中，二苯并[c,g]咔唑衍生物的7位的氮與至少包含蒽骨架的芳基鍵合，而得知通過使用該二苯并[c,g]咔唑化合物，可以容易提供具有非常優(yōu)良的特性的發(fā)光元件。

因此，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)是一種包含二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件，在該二苯并[c,g]咔唑化合物中，芳基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的7位，該芳基為至少包含蒽骨架的碳原子數(shù)為14至30的芳基。另外，在該芳基的碳原子數(shù)為14至30時，該二苯并[c,g]咔唑化合物成為分子量比較低的低分子化合物，由此得到適合于真空蒸鍍（可以在比較低的溫度下進行真空蒸鍍）的結(jié)構(gòu)。一般來說，在很多情況下，在分子量低時，成膜后的耐熱性低，但是由于堅固的二苯并[c,g]咔唑骨架的效果，該二苯并[c,g]咔唑化合物具有即使分子量低也能夠確保充分的耐熱性的優(yōu)點。

另外，本發(fā)明人得知使用如下二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件特別是在使用壽命的方面上優(yōu)越，在該二苯并[c,g]咔唑化合物中，蒽骨架隔著亞苯基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架。另外，本發(fā)明人還得知因為該二苯并[c,g]咔唑化合物具有優(yōu)良的載流子傳輸性，所以可以以非常低的電壓驅(qū)動使用該二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件。

因此，本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是一種包含二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件，在該二苯并[c,g]咔唑化合物中，蒽骨架隔著亞苯基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的7位。

另外，本發(fā)明人得知特別是二苯并[c,g]咔唑骨架的7位隔著亞苯基與蒽骨架的9位鍵合的二苯并[c,g]咔唑化合物，其帶隙寬且是有用的。

因此，本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是一種包含二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件，在該二苯并[c,g]咔唑化合物中，二苯并[c,g]咔唑骨架的7位隔著亞苯基與蒽骨架的9位鍵合。

另外，本發(fā)明人得知使用如下二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件的元件特性的穩(wěn)定性及可靠性優(yōu)良，在該二苯并[c,g]咔唑化合物中，與二苯并[c,g]咔唑骨架鍵合的蒽基苯基的碳原子數(shù)為20至30。另外，上述發(fā)光元件在驅(qū)動電壓的方面上優(yōu)越。這被認為是因為如下緣故：因為該二苯并[c,g]咔唑化合物如上所述那樣可以在比較低的溫度下進行真空蒸鍍，所以不容易引起蒸鍍時的熱分解等退化。另外，這還被認為是因為如下緣故：因為該二苯并[c,g]咔唑化合物具有蒽骨架隔著亞苯基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的7位的分子結(jié)構(gòu)，所以可以得到電化學(xué)穩(wěn)定性或高載流子傳輸性。

因此，本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是一種包含如下二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件，在該二苯并[c,g]咔唑化合物中，取代或未取代的蒽基苯基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的7位，該取代或未取代的蒽基苯基的碳原子數(shù)為20至30。

另外，本發(fā)明人得知使用如下二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件的元件特性的穩(wěn)定性及可靠性優(yōu)良，在該二苯并[c,g]咔唑化合物中，與二苯并[c,g]咔唑骨架鍵合的（9-蒽基）苯基的碳原子數(shù)為20至30。另外，上述發(fā)光元件在驅(qū)動電壓的方面上優(yōu)越。另外，尤其是，其帶隙寬且是有用的。因此，該二苯并[c,g]咔唑化合物除了具有上述易蒸鍍性、電化學(xué)穩(wěn)定性以及載流子傳輸性以外，還因發(fā)揮9-蒽基的骨架的效果而具有帶隙寬的特性。因此，該化合物在將該二苯并[c,g]咔唑化合物用作發(fā)光層的主體材料并將發(fā)光材料作為客體材料添加到發(fā)光層中的發(fā)光元件結(jié)構(gòu)中有效。

因此，本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是一種包含如下二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件，在該二苯并[c,g]咔唑化合物中，取代或未取代的（9-蒽基）苯基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的7位，該取代或未取代的（9-蒽基）苯基的碳原子數(shù)為20至30。

另外，本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是可以容易實現(xiàn)如上所述的具有優(yōu)良特性的發(fā)光元件的以下述通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物。

在通式（G1）中，Ar表示至少包含蒽骨架的碳原子數(shù)為14至30的芳基。另外，R¹¹至R²²分別獨立表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至12的芳基中的任何一種。

在以上述通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物中，在所述蒽骨架隔著亞苯基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架時，可以高純度地合成二苯并[c,g]咔唑化合物，并且其載流子傳輸性優(yōu)良。

因此，本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是以下述通式（G2）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物。

在通式（G2）中，R¹¹至R²²分別獨立表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至12的芳基中的任何一種，α表示取代或未取代的亞苯基，并且β表示取代或未取代的蒽基。

在以通式（G2）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物中，尤其是二苯并[c,g]咔唑骨架的7位與蒽骨架的9位鍵合的二苯并[c,g]咔唑化合物，其帶隙寬且是有用的。

因此，本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是以下述通式（G3）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物。

在通式（G3）中，R⁵表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至10的芳基中的任何一種，R¹、R²、R³、R⁴、R⁶、R⁷、R⁸以及R⁹分別獨立表示氫和碳原子數(shù)為1至4的烷基中的任何一種，R¹¹至R²²分別獨立表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至12的芳基中的任何一種，并且α表示取代或未取代的亞苯基。

使用鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的蒽基苯基的碳原子數(shù)為20至30的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件具有穩(wěn)定性及可靠性優(yōu)良的元件特性，因此從形成發(fā)光元件時的蒸鍍的觀點來看，這是優(yōu)選的結(jié)構(gòu)。

因此，本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是以下述通式（G4）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物。

在通式（G4）中，R¹¹至R²²分別獨立表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至12的芳基中的任何一種，α表示取代或未取代的亞苯基，并且β表示取代或未取代的蒽基。α和β的碳原子數(shù)的總和為20至30。

因此，本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是以下述通式（G5）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物。

在通式（G5）中，R⁵表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至10的芳基中的任何一種，R¹、R²、R³、R⁴、R⁶、R⁷、R⁸以及R⁹分別獨立表示氫和碳原子數(shù)為1至4的烷基中的任何一種，R¹¹至R²²分別獨立表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至12的芳基中的任何一種，并且α表示取代或未取代的亞苯基。R¹至R⁹和α的碳原子數(shù)的總和為6以上16以下。

另外，如果R¹、R²、R³、R⁴、R⁶、R⁷、R⁸以及R⁹都是氫，則在易合成性或原料價格的方面上有利。

因此，本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是以下述通式（G6）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物。

在通式（G6）中，α表示取代或未取代的亞苯基，R⁵表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至10的芳基中的任何一種，并且R¹¹至R²²分別獨立表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至12的芳基中的任何一種。R⁵和α的碳原子數(shù)的總和為6以上16以下。

與上述同樣，如果R¹¹至R²²都是氫，則有利。

因此，本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是以下述通式（G7）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物。

在通式（G7）中，α表示取代或未取代的亞苯基，R⁵表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至10的芳基中的任何一種。R⁵和α的碳原子數(shù)的總和為6以上16以下。

本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是以下述結(jié)構(gòu)式（100）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物。

另外，本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是以下述結(jié)構(gòu)式（127）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物。

具有任何上述結(jié)構(gòu)的二苯并[c,g]咔唑化合物是具有寬能隙的發(fā)光元件用材料，而可以適當(dāng)?shù)貞?yīng)用于藍色熒光元件等中的傳輸層、主體材料或發(fā)光物質(zhì)。另外，該二苯并[c,g]咔唑化合物具有優(yōu)良的載流子傳輸性，而可以使用該化合物提供低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件。另外，該二苯并[c,g]咔唑化合物對氧化或還原具有穩(wěn)定性，而可以使用該化合物制造退化程度小且使用壽命長的發(fā)光元件。另外，該二苯并[c,g]咔唑化合物具有這些特性的組合，而可以制造發(fā)光效率、驅(qū)動電壓以及使用壽命都優(yōu)良的高性能發(fā)光元件。

另外，通過使用使用二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件，可以得到低耗電量的發(fā)光裝置、顯示裝置、照明裝置或電子設(shè)備。另外，可以得到高可靠性的發(fā)光裝置、顯示裝置、照明裝置或電子設(shè)備。

附圖說明

圖1A和1B是發(fā)光元件的示意圖；

圖2是有機半導(dǎo)體元件的示意圖；

圖3A和3B是主動矩陣型發(fā)光裝置的示意圖；

圖4A和4B是被動矩陣型發(fā)光裝置的示意圖；

圖5A和5B是照明裝置的示意圖；

圖6A至6D是示出電子設(shè)備的圖；

圖7是示出顯示裝置的圖；

圖8是示出照明裝置的圖；

圖9是示出照明裝置的圖；

圖10是示出車載顯示裝置及照明裝置的圖；

圖11A和11B是cgDBCzPA的NMR圖；

圖12A和12B是cgDBCzPA的吸收光譜及發(fā)射光譜；

圖13A和13B是cgDBCzPA的CV圖；

圖14是示出發(fā)光元件1及對比發(fā)光元件1的亮度-電流效率特性的圖；

圖15是示出發(fā)光元件1及對比發(fā)光元件1的電壓-電流特性的圖；

圖16是示出發(fā)光元件1及對比發(fā)光元件1的亮度-功率效率特性的圖；

圖17是示出發(fā)光元件1及對比發(fā)光元件1的亮度-外部量子效率特性的圖；

圖18是發(fā)光元件1及對比發(fā)光元件1的發(fā)射光譜；

圖19是示出發(fā)光元件1及對比發(fā)光元件1的歸一化亮度-時間特性的圖；

圖20是示出發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件2的亮度-電流效率特性的圖；

圖21是示出發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件2的電壓-電流特性的圖；

圖22是示出發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件2的亮度-功率效率特性的圖；

圖23是示出發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件2的亮度-外部量子效率特性的圖；

圖24是發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件2的發(fā)射光譜；

圖25是示出發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件2的歸一化亮度-時間特性的圖；

圖26是示出發(fā)光元件3及對比發(fā)光元件3的亮度-電流效率特性的圖；

圖27是示出發(fā)光元件3及對比發(fā)光元件3的電壓-電流特性的圖；

圖28是發(fā)光元件3及對比發(fā)光元件3的發(fā)射光譜；

圖29是示出發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2的電流密度-亮度特性的圖；

圖30是示出發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2的亮度-電流效率特性的圖；

圖31是示出發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2的電壓-電流特性的圖；

圖32是示出發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2的亮度-功率效率特性的圖；

圖33是示出發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2的電壓-亮度特性的圖；

圖34是發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2的發(fā)射光譜；

圖35是示出發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2的歸一化亮度-時間特性的圖。

具體實施方式

以下，對本發(fā)明的實施方式進行說明。但是，本發(fā)明可以通過多個不同方式而實施，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在本實施方式所記載的內(nèi)容中。

實施方式1

本實施方式中的發(fā)光元件是包含如下二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件，在該二苯并[c,g]咔唑化合物中，至少包含蒽骨架的芳基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的7位。因為該二苯并[c,g]咔唑化合物具有優(yōu)良的載流子傳輸性，所以可以提供低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件。另外，因為該二苯并[c,g]咔唑化合物對反復(fù)的氧化及還原具有高耐性，所以可以提供長使用壽命的發(fā)光元件。另外，因為該二苯并[c,g]咔唑化合物的帶隙寬，所以可以提供高發(fā)光效率的發(fā)光元件。如上所述，具有本實施方式的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件可以容易成為特性彼此配合得很好的高性能發(fā)光元件。

另外，在該芳基的碳原子數(shù)為14至30時，上述二苯并[c,g]咔唑化合物成為分子量比較低的低分子化合物，由此得到適合于真空蒸鍍（可以在比較低的溫度下進行真空蒸鍍）的結(jié)構(gòu)。一般來說，在很多情況下，在分子量低時，成膜后的耐熱性低，但是由于堅固的二苯并[c,g]咔唑骨架的效果，該二苯并[c,g]咔唑化合物具有即使分子量低也能夠確保充分的耐熱性的優(yōu)點。另外，上述蒽骨架與上述二苯并[c,g]咔唑骨架也可以隔著亞苯基或亞萘基等亞芳基鍵合。

特別是使用如下二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件，在使用壽命的方面上優(yōu)越，在該二苯并[c,g]咔唑化合物中，蒽骨架隔著亞苯基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的7位。另外，因為該二苯并[c,g]咔唑化合物具有優(yōu)良的載流子傳輸性，所以可以以非常低的電壓驅(qū)動使用該二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件。

另外，換言之，上述發(fā)光元件也可以說是包含如下二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件，在該二苯并[c,g]咔唑化合物中，蒽基苯基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架。因為在合成該二苯并[c,g]咔唑化合物時可以容易高純度地合成該二苯并[c,g]咔唑化合物，所以可以抑制由雜質(zhì)導(dǎo)致的退化。另外，從元件特性的穩(wěn)定性及可靠性的觀點來看，鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的蒽基苯基的碳原子數(shù)優(yōu)選為20至30。在此情況下，該二苯并[c,g]咔唑化合物如上所述那樣可以在比較低的溫度下進行真空蒸鍍，所以不容易引起蒸鍍時的熱分解等退化。另外，該發(fā)光元件不僅在可靠性方面上而且還在驅(qū)動電壓方面上優(yōu)越。這還是因為如下緣故：因為該二苯并[c,g]咔唑化合物具有蒽骨架隔著亞苯基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的7位的分子結(jié)構(gòu)，所以可以得到電化學(xué)穩(wěn)定性或高載流子傳輸性。

特別是使用蒽骨架的9位與二苯并[c,g]咔唑骨架的7位鍵合的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件適合于呈現(xiàn)藍色熒光等高能量發(fā)光的發(fā)光元件。另外，上述蒽骨架與二苯并[c,g]咔唑骨架也可以隔著亞苯基或亞萘基等亞芳基鍵合。

另外，根據(jù)上述理由，更優(yōu)選使用包含如下二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件，在該二苯并[c,g]咔唑化合物中，蒽骨架的9位隔著亞苯基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架。也可以說包含如下二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件是更優(yōu)選的，在該二苯并[c,g]咔唑化合物中，（9-蒽基）苯基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的7位。另外，從元件特性的穩(wěn)定性及可靠性的觀點來看，鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的（9-蒽基）苯基的碳原子數(shù)優(yōu)選為20至30。因此，該二苯并[c,g]咔唑化合物除了具有上述易蒸鍍性、電化學(xué)穩(wěn)定性以及載流子傳輸性以外，還因發(fā)揮9-蒽基的骨架的效果而具有帶隙寬的特性。因此，該化合物在將該二苯并[c,g]咔唑化合物用作發(fā)光層的主體材料并將發(fā)光材料作為客體材料添加到發(fā)光層中的發(fā)光元件結(jié)構(gòu)中有效。

實施方式2

在本實施方式中，說明用來實現(xiàn)實施方式1所說明的發(fā)光元件的二苯并[c,g]咔唑化合物。

本實施方式的二苯并[c,g]咔唑化合物是至少包含蒽骨架的芳基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的7位的二苯并[c,g]咔唑化合物。該二苯并[c,g]咔唑化合物的載流子傳輸性優(yōu)良。另外，該二苯并[c,g]咔唑化合物對反復(fù)的氧化及還原具有高耐性。另外，該二苯并[c,g]咔唑化合物的帶隙寬。如上所述，通過包含本實施方式的二苯并[c,g]咔唑化合物，可以容易制造高性能發(fā)光元件。

另外，從所制造的元件的特性的穩(wěn)定性及可靠性的觀點來看，鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的芳基的碳原子數(shù)優(yōu)選為14至30。在該芳基的碳原子數(shù)為14至30時，該二苯并[c,g]咔唑化合物成為分子量比較低的低分子化合物，由此得到適合于真空蒸鍍（可以在比較低的溫度下進行真空蒸鍍）的結(jié)構(gòu)。一般來說，在很多情況下，在分子量低時，成膜后的耐熱性低，但是由于堅固的二苯并[c,g]咔唑骨架的效果，該二苯并[c,g]咔唑化合物具有即使分子量低也能夠確保充分的耐熱性的優(yōu)點。另外，在本說明書中，在規(guī)定了碳原子數(shù)的情況下，該碳原子數(shù)表示包括所規(guī)定的基團或化合物等的取代基的碳原子數(shù)在內(nèi)的所有碳原子數(shù)的總和。

可以以下述通式（G1）表示上述二苯并[c,g]咔唑化合物。

在上述通式（G1）中，Ar表示至少包含蒽骨架的取代或未取代的碳原子數(shù)為14至30的芳基。在該蒽骨架具有取代基時，作為該取代基，可以舉出碳原子數(shù)為1至4的烷基。另外，除了上述取代基以外，還可以選擇碳原子數(shù)為6至12的芳基作為鍵合于蒽骨架的10位的取代基。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，作為碳原子數(shù)為6至12的芳基，具體地說，可以舉出苯基、萘基、聯(lián)苯基等。

另外，R¹¹至R²²分別獨立表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至12的芳基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，作為碳原子數(shù)為6至12的芳基，具體地說，可以舉出苯基、萘基、聯(lián)苯基等。

另外，在本實施方式的二苯并[c,g]咔唑化合物中，在蒽骨架隔著亞苯基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架時，二苯并[c,g]咔唑化合物具有高穩(wěn)定性并能夠高純度地合成，因此是優(yōu)選的。另外，因為該二苯并[c,g]咔唑化合物具有優(yōu)良的載流子傳輸性，所以可以以非常低的電壓驅(qū)動使用該二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件。

可以以下述通式（G2）表示上述二苯并[c,g]咔唑化合物。

在通式（G2）中，R¹¹至R²²分別獨立表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至12的芳基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，作為碳原子數(shù)為6至12的芳基，具體地說，可以舉出苯基、萘基、聯(lián)苯基等。

另外，在通式（G2）中，α表示取代或未取代的亞苯基，并且β表示取代或未取代的蒽基。在α具有取代基時，作為該取代基，可以選擇碳原子數(shù)為1至4的烷基。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，在β具有取代基時，作為該取代基，可以舉出碳原子數(shù)為1至4的烷基。另外，除了上述取代基以外，還可以選擇碳原子數(shù)為6至12的芳基作為鍵合于蒽骨架的10位的取代基。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，作為碳原子數(shù)為6至12的芳基，具體地說，可以舉出苯基、萘基、聯(lián)苯基等。

另外，在上述二苯并[c,g]咔唑化合物中，尤其是二苯并[c,g]咔唑骨架的7位與蒽骨架的9位鍵合的二苯并[c,g]咔唑化合物，其帶隙寬且是有用的。這在將該二苯并[c,g]咔唑化合物用作發(fā)光層的主體材料并將發(fā)光材料作為客體材料添加到發(fā)光層中的發(fā)光元件結(jié)構(gòu)中特別有效。可以以下述通式（G3）表示上述二苯并[c,g]咔唑化合物。

在通式（G3）中，R⁵表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至10的芳基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，作為碳原子數(shù)為6至10的芳基，具體地說，可以舉出苯基、萘基等。R¹、R²、R³、R⁴、R⁶、R⁷、R⁸以及R⁹分別獨立表示氫和碳原子數(shù)為1至4的烷基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，R¹¹至R²²分別獨立表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至12的芳基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，作為碳原子數(shù)為6至12的芳基，具體地說，可以舉出苯基、萘基、聯(lián)苯基等。α表示取代或未取代的亞苯基。在α具有取代基時，作為該取代基，可以選擇碳原子數(shù)為1至4的烷基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。

另外，“以通式（G2）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物”和“以通式（G3）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物”也可以分別被說成“苯基蒽基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的二苯并[c,g]咔唑化合物”和“（9-苯基）蒽基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的二苯并[c,g]咔唑化合物”?？紤]到上述情況，從所制造的元件的諸如穩(wěn)定性及可靠性的特性的觀點來看，鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的苯基蒽基或（9-苯基）蒽基的碳原子數(shù)優(yōu)選為20至30。這被認為是因為如下緣故：因為該二苯并[c,g]咔唑化合物如上所述那樣可以在比較低的溫度下進行真空蒸鍍，所以不容易引起蒸鍍時的熱分解等退化。特別是具有（9-苯基）蒽基的二苯并[c,g]咔唑化合物的帶隙寬，而可以適當(dāng)?shù)貞?yīng)用于發(fā)光元件中的發(fā)光層的主體材料。

另外，因為該二苯并[c,g]咔唑化合物具有蒽骨架隔著亞苯基鍵合于二苯并[c,g]咔唑骨架的7位的分子結(jié)構(gòu)，所以可以得到電化學(xué)穩(wěn)定性或高載流子傳輸性。

可以以下述通式（G4）或下述通式（G5）表示上述二苯并[c,g]咔唑化合物。

在通式（G4）中，R¹¹至R²²分別獨立表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至12的芳基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，作為碳原子數(shù)為6至12的芳基，具體地說，可以舉出苯基、萘基、聯(lián)苯基等。另外，α表示取代或未取代的亞苯基。在α具有取代基時，作為該取代基，可以選擇碳原子數(shù)為1至4的烷基。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，β表示取代或未取代的蒽基。在β具有取代基時，作為該取代基，可以舉出碳原子數(shù)為1至4的烷基。另外，除了上述取代基以外，還可以選擇碳原子數(shù)為6至12的芳基作為鍵合于蒽骨架的10位的取代基。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，作為碳原子數(shù)為6至12的芳基，具體地說，可以舉出苯基、萘基、聯(lián)苯基等。α和β的碳原子數(shù)的總和為20至30。

在通式（G5）中，R⁵分別獨立表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至10的芳基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，作為碳原子數(shù)為6至10的芳基，具體地說，可以舉出苯基、萘基等。另外，R¹、R²、R³、R⁴、R⁶、R⁷、R⁸以及R⁹分別獨立表示氫和碳原子數(shù)為1至4的烷基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，R¹¹至R²²分別獨立表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至12的芳基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，作為碳原子數(shù)為6至12的芳基，具體地說，可以舉出苯基、萘基、聯(lián)苯基等。α表示取代或未取代的亞苯基。在α具有取代基時，作為該取代基，可以選擇碳原子數(shù)為1至4的烷基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。R¹至R⁹和α的碳原子數(shù)的總和為6以上16以下。

另外，如果R¹、R²、R³、R⁴、R⁶、R⁷、R⁸以及R⁹都是氫，則在易合成性或原料價格的方面上有利。

因此，本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是以下述通式（G6）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物。

在通式（G6）中，α表示取代或未取代的亞苯基。在α具有取代基時，作為該取代基，α表示碳原子數(shù)為1至4的烷基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，R⁵表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至10的芳基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，R¹¹至R²²分別獨立表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至12的芳基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。R⁵和α的碳原子數(shù)的總和為6以上16以下。

與上述同樣，如果R¹¹至R²²都是氫，則有利。

因此，本發(fā)明的其他結(jié)構(gòu)是以下述通式（G7）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物。

在通式（G7）中，α表示取代或未取代的亞苯基。在α具有取代基時，作為該取代基，可以選擇碳原子數(shù)為1至4的烷基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。另外，R⁵表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至10的芳基中的任何一種。作為碳原子數(shù)為1至4的烷基，具體地說，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及叔丁基等。R⁵和α的碳原子數(shù)的總和為6以上16以下。

在上述通式（G1）中，作為以Ar表示的芳基，例如，可以應(yīng)用以下述結(jié)構(gòu)式（Ar-1）至（Ar-51）表示的基團。另外，可以用作Ar的基團不局限于此。

在上述通式（G1）至（G6）中，作為以R¹¹至R²²表示的芳基，例如，可以應(yīng)用以下述結(jié)構(gòu)式（Rc-1）至（Rc-17）表示的基團。另外，可以用作R¹¹至R²²的基團不局限于此。

在上述通式（G2）至（G7）中，作為以α表示的亞芳基，例如，可以應(yīng)用以下述結(jié)構(gòu)式（α-1）至（α-11）表示的基團。另外，可以用作α的基團不局限于此。

在上述通式（G2）及（G4）中，作為以β表示的芳基，例如，可以應(yīng)用以下述結(jié)構(gòu)式（β-1）至（β-37）表示的基團。另外，可以用作β的基團不局限于此。

在上述通式（G3）及（G5）中，作為以R¹、R²、R³、R⁴、R⁶、R⁷、R⁸以及R⁹表示的芳基，例如，可以應(yīng)用以下述結(jié)構(gòu)式（Ra-1）至（Ra-9）表示的基團。另外，可以用作R¹、R²、R³、R⁴、R⁶、R⁷、R⁸以及R⁹的基團不局限于此。

在上述通式（G3）及（G5）至（G7）中，作為以R⁵表示的芳基，例如，可以應(yīng)用以下述結(jié)構(gòu)式（R⁵-1）至（R⁵-17）表示的基團。另外，可以用作R⁵的基團不局限于此。

作為以上述通式（G1）至（G7）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物的具體結(jié)構(gòu)，可以舉出以下述結(jié)構(gòu)式（100）至（136）表示的物質(zhì)等。另外，以上述通式（G1）至（G7）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物不局限于下述實例。

如上所述的二苯并[c,g]咔唑化合物具有優(yōu)良的載流子傳輸性，而適當(dāng)?shù)貞?yīng)用于載流子傳輸材料或主體材料。由此，還可以提供低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件。另外，本實施方式中的二苯并[c,g]咔唑化合物對氧化或還原具有高穩(wěn)定性。由此，使用該二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件可以為使用壽命長的發(fā)光元件。另外，因為本實施方式中的二苯并[c,g]咔唑化合物具有充分寬的能隙，所以在應(yīng)用于藍色熒光材料的主體材料時也可以得到高發(fā)光效率的發(fā)光元件。

實施方式3

在本實施方式中，說明以通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物的合成方法。作為二苯并[c,g]咔唑化合物的合成方法，可以應(yīng)用各種反應(yīng)。例如，通過進行下面所示的合成反應(yīng)，可以合成以通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物。另外，本發(fā)明的一個方式的二苯并[c,g]咔唑化合物的合成方法不局限于下述合成方法。

〈以通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物的合成方法〉

本發(fā)明的二苯并[c,g]咔唑化合物（G1）如下述合成圖解（A-1）那樣合成。因此，通過使蒽化合物（化合物1）和二苯并[c,g]咔唑化合物（化合物2）偶合，得到本發(fā)明的二苯并[c,g]咔唑化合物（G1）。

在合成圖解（A-1）中，Ar表示至少包含蒽骨架的取代或未取代的碳原子數(shù)為14至30的芳基。另外，R¹¹至R²²分別獨立表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基以及碳原子數(shù)為6至12的芳基中的任何一種。

在合成圖解（A-1）中進行使用鈀催化劑的哈特維希-布赫瓦爾德（Hartwig-Buchwald）反應(yīng)時，X表示鹵素或三氟甲磺酸酯基。作為鹵素，優(yōu)選使用碘、溴或氯。在該反應(yīng)中，利用使用雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)、醋酸鈀(Ⅱ)等鈀化合物與配位于該鈀化合物的三（叔丁基）膦、三(正己基)膦、三環(huán)己基膦等配體的鈀催化劑。在該反應(yīng)中，作為堿，可以使用叔丁醇鈉等有機堿、碳酸鉀或碳酸鈉等無機堿等。另外，在使用溶劑時，可以使用甲苯、二甲苯、苯、四氫呋喃等。另外，可以應(yīng)用于該反應(yīng)的試劑類不局限于上述試劑類。

另一方面，在合成圖解（A-1）中進行使用銅或銅化合物的烏爾曼（Ullmann）反應(yīng)時，X表示鹵素。作為鹵素，優(yōu)選使用碘、溴或氯。在該反應(yīng)中，作為催化劑，可以使用銅或銅化合物。作為可以使用的堿，可以舉出碳酸鉀等無機堿。作為在該反應(yīng)中可以使用的溶劑，可以舉出1,3-二甲基-3,4,5,6-四氫化-2（1H）嘧啶酮（DMPU）、甲苯、二甲苯、苯等。在烏爾曼（Ullmann）反應(yīng)中，當(dāng)反應(yīng)溫度為100℃以上時，可以以更短時間且高收獲率得到目的物，所以作為溶劑，優(yōu)選使用沸點高的DMPU、二甲苯。另外，反應(yīng)溫度更優(yōu)選為150℃以上的更高溫度，所以更優(yōu)選使用DMPU。另外，可以應(yīng)用于該反應(yīng)的試劑類不局限于上述試劑類。

可以使用上述方法合成實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物。

實施方式4

在本實施方式中，例示將實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物用于有機半導(dǎo)體元件之一的縱向晶體管（靜電感應(yīng)晶體管：SIT）的激活層的方式。

作為元件的結(jié)構(gòu)，如圖2所示，具有如下結(jié)構(gòu)：包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的薄膜狀激活層1202被夾在源電極1201及漏電極1203之間，并且柵電極1204被埋入在激活層1202中。柵電極1204電連接到用來施加?xùn)烹妷旱膯卧?，并且源電極1201及漏電極1203電連接到用來控制源電極-漏電極之間的電壓的單元。

在這種元件結(jié)構(gòu)中，當(dāng)在不對柵電極施加電壓的狀態(tài)下對源電極-漏電極之間施加電壓時，電流流動（成為ON狀態(tài)）。并且，當(dāng)在該狀態(tài)下對柵電極施加電壓時，在柵電極1204的周邊產(chǎn)生耗盡層，而電流不流動（成為OFF狀態(tài)）。通過這種機制，該元件起晶體管的作用。

雖然在縱向晶體管中，與發(fā)光元件同樣，對激活層要求兼?zhèn)涓咻d流子傳輸性和良好的膜質(zhì)的材料，但是實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物十分滿足該條件，所以是很有用。

實施方式5

在本實施方式中，將參照圖1A以下說明實施方式1所記載的發(fā)光元件的詳細結(jié)構(gòu)。

本實施方式的發(fā)光元件在一對電極之間具有多個層。在本實施方式中，發(fā)光元件由第一電極101、第二電極102、設(shè)置在第一電極101和第二電極102之間的EL層103構(gòu)成。注意，在本實施方式中，以第一電極101用作陽極且第二電極102用作陰極的方式，以下說明。因此，采用如下結(jié)構(gòu)：當(dāng)對第一電極101和第二電極102施加電壓以使第一電極101的電位高于第二電極102的電位時，得到發(fā)光。本實施方式中的發(fā)光元件是在EL層103中的任一層中使用二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件。

作為第一電極101，優(yōu)選使用具有高功函數(shù)（具體為4.0 eV以上）的金屬、合金、導(dǎo)電化合物、以及這些的混合物等。具體地，例如可以舉出氧化銦-氧化錫（ITO：銦錫氧化物）、包含硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅（IZO：銦鋅氧化物）、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦（IWZO）等。雖然通常通過濺射形成這些導(dǎo)電金屬氧化物膜，但是也可以應(yīng)用溶膠-凝膠法等來制造。例如，可以使用相對于氧化銦添加有1wt％至20wt％的氧化鋅的靶材通過濺射法形成氧化銦-氧化鋅（IZO）。另外，可以使用相對于氧化銦添加有0.5wt％至5wt％的氧化鎢和0.1wt％至1wt％的氧化鋅的靶材通過濺射法形成包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦（IWZO）。另外，可以舉出金（Au）、鉑（Pt）、鎳（Ni）、鎢（W）、鉻（Cr）、鉬（Mo）、鐵（Fe）、鈷（Co）、銅（Cu）、鈀（Pd）、石墨烯或金屬材料的氮化物（例如，氮化鈦）等。

對EL層103的疊層結(jié)構(gòu)沒有特別的限制，而適當(dāng)?shù)亟M合包含電子傳輸性高的物質(zhì)的層、包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層、包含電子注入性高的物質(zhì)的層、包含空穴注入性高的物質(zhì)的層、包含具有雙極性的物質(zhì)（電子及空穴傳輸性高的物質(zhì)）的層等來構(gòu)成，即可。例如，可以適當(dāng)?shù)亟M合空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層等來構(gòu)成EL層103。在本實施方式中，說明如下結(jié)構(gòu)：EL層103具有在第一電極101上依次層疊的空穴注入層111、空穴傳輸層112、發(fā)光層113、電子傳輸層114、電子注入層115。以下，示出構(gòu)成各層的具體材料。

空穴注入層111是包含空穴注入性高的物質(zhì)的層。并且，可以使用鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。另外，也可以使用酞菁類化合物如酞菁（簡稱：H₂Pc）、銅酞菁（簡稱：CuPc）等；芳香胺化合物如4，4’-雙[N-（4-二苯氨基苯）-N-苯基氨基]聯(lián)苯（簡稱：DPAB）、N,N'-雙｛4-[雙（3-甲基苯基）氨基]苯基｝-N,N'-二苯基-（1,1'-聯(lián)苯）-4,4'-二胺（簡稱：DNTPD）等；或者高分子化合物如聚(亞乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等來形成空穴注入層111。

另外，作為空穴注入層111，也可以使用在空穴傳輸性高的物質(zhì)中含有受體物質(zhì)的復(fù)合材料。注意，通過使用在空穴傳輸性高的物質(zhì)中含有受體物質(zhì)的復(fù)合材料，可以不顧及電極的功函數(shù)而選擇形成電極的材料。因此，作為第一電極101，除了功函數(shù)高的材料以外，還可以使用功函數(shù)低的材料。作為受體物質(zhì)，可以舉出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷（簡稱：F₄-TCNQ）、氯醌等。另外，可以舉出過渡金屬氧化物、以及屬于元素周期表中的第4族至第8族的金屬的氧化物。具體地，優(yōu)選使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸，因為其電子接受性高。特別優(yōu)選使用氧化鉬，因為其在大氣中也穩(wěn)定，吸濕性低，并且容易處理。

作為用于復(fù)合材料的空穴傳輸性高的物質(zhì)，可以使用各種化合物如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴、高分子化合物（低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等）等。作為用于復(fù)合材料的有機化合物，優(yōu)選使用空穴傳輸性高的有機化合物。具體地，優(yōu)選使用空穴遷移率為10^-6cm²/Vs以上的物質(zhì)。但是，只要是其空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，就可以使用這些以外的物質(zhì)。以下，具體地列舉可以作為復(fù)合材料中的空穴傳輸性高的物質(zhì)而使用的有機化合物。

例如，作為芳香胺化合物，可以舉出N,N’-二（p-甲苯基）-N,N’-二苯基-p-亞苯基二胺（簡稱：DTDPPA）、4,4’-雙[N-（4-二苯基氨基苯基）-N-苯基氨基]聯(lián)苯（簡稱：DPAB）、 N,N'-雙｛4-[雙（3-甲基苯基）氨基]苯基｝-N,N'-二苯基-（1,1'-聯(lián)苯）-4,4'-二胺（簡稱：DNTPD）、1,3,5-三[N-（4-二苯基氨基苯基）-N-苯基氨基]苯（簡稱：DPA3B）等。

作為可以用于復(fù)合材料的咔唑衍生物，可以具體地舉出3-[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（簡稱：PCzPCA1）、3,6-雙[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（簡稱：PCzPCA2）、3-[N-（1-萘基）-N-（9-苯基咔唑-3-基）氨基]-9-苯基咔唑（簡稱：PCzPCN1）等。

另外，作為可以用于復(fù)合材料的咔唑衍生物，還可以舉出4,4’-二（N-咔唑基）聯(lián)苯（簡稱：CBP）、1,3,5-三[4-（N-咔唑基）苯基]苯（簡稱：TCPB）、9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9 H-咔唑（簡稱：CzPA）、1,4-雙[4-（N-咔唑基）苯基]-2,3,5,6-四苯基苯等。

另外，作為可以用于復(fù)合材料的芳烴，例如可以舉出2-叔丁基-9,10-二（2-萘基）蒽（簡稱：t-BuDNA）、2-叔丁基-9,10-二（1-萘基）蒽、9,10-雙（3,5-二苯基苯基）蒽（簡稱：DPPA）、2-叔丁基-9,10-雙（4-苯基苯基）蒽（簡稱：t-BuDBA）、9,10-二（2-萘基）蒽（簡稱：DNA）、9,10-二苯基蒽（簡稱：DPAnth）、2-叔丁基蒽（簡稱：t-BuAnth）、9,10-雙（4-甲基-1-萘基）蒽（簡稱：DMNA）、2-叔丁基-9,10-雙[2-（1-萘基）苯基]蒽、9,10-雙[2-（1-萘基）苯基]蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二（1-萘基）蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二（2-萘基）蒽、9,9’-聯(lián)蒽、10,10’-二苯基-9,9’-聯(lián)蒽、10,10’-雙（2-苯基苯基）-9,9’-聯(lián)蒽、10,10’-雙[（2,3,4,5,6-五苯基）苯基]-9,9’-聯(lián)蒽、蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2,5,8,11-四（叔丁基）二萘嵌苯等。除此之外，還可以使用并五苯、暈苯等。像這樣，更優(yōu)選使用具有1×10^-6cm²/Vs以上的空穴遷移率的碳原子數(shù)為14至42的芳烴。

注意，可以用于復(fù)合材料的芳烴也可以具有乙烯基骨架。作為具有乙烯基的芳烴，例如可以舉出4,4’-雙（2,2-二苯基乙烯基）聯(lián)苯（簡稱：DPVBi）、9,10-雙[4-（2,2-二苯基乙烯基）苯基]蒽（簡稱：DPVPA）等。

另外，也可以使用聚（N-乙烯基咔唑）（簡稱：PVK）、聚（4-乙烯基三苯胺）（簡稱：PVTPA）、聚[N-（4-{N'-[4-（4-二苯基氨基）苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基）甲基丙烯酰胺]（簡稱：PTPDMA）、聚[N,N'-雙（4-丁基苯基）-N,N'-雙（苯基）聯(lián)苯胺]（簡稱：Poly-TPD）等高分子化合物。

空穴傳輸層112是包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層。作為空穴傳輸性高的物質(zhì)，可以例如使用芳香胺化合物等，諸如4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯（簡稱：NPB）、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-聯(lián)苯]-4,4'-二胺（簡稱：TPD）、4,4',4''-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺（簡稱：TDATA）、4,4',4''-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺（簡稱：MTDATA）、或4,4'-雙[N-(螺-9,9'-聯(lián)芴-2-基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯（簡稱：BSPB）等。在此所述的物質(zhì)主要是空穴遷移率為10^-6cm²/Vs以上的物質(zhì)。另外，也可以將作為上述復(fù)合材料中的高空穴傳輸性物質(zhì)舉出的有機化合物應(yīng)用于空穴傳輸層112。另外，可使用諸如聚（N-乙烯基咔唑）(簡稱：PVK)或聚（4-乙烯基三苯基胺）(簡稱：PVTPA)之類的高分子化合物。但是，只要是其空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，就可以使用這些以外的物質(zhì)。另外，包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層不限于單層，也可以為兩層以上的由上述物質(zhì)構(gòu)成的層的疊層。

另外，也可以將實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物用作構(gòu)成空穴傳輸層112的材料。

發(fā)光層113是包含發(fā)光物質(zhì)的層。發(fā)光層113可以由僅包含發(fā)光物質(zhì)的膜構(gòu)成或由在主體材料中分散有發(fā)光中心物質(zhì)的膜構(gòu)成。

對在發(fā)光層113中能夠用作上述發(fā)光物質(zhì)或發(fā)光中心物質(zhì)的材料沒有特別的限制，而這些材料所發(fā)射的光可以是熒光或磷光。作為上述發(fā)光物質(zhì)或發(fā)光中心物質(zhì)的材料，例如可以舉出如下那樣的材料。作為熒光發(fā)光物質(zhì)，可以舉出N,N’-雙[4-（9-苯基-9H-芴-9基）苯基]-N,N’-二苯基-芘-1,6-二胺（簡稱：1,6-FLPAPrn）、N,N’-雙[4-（9H-咔唑-9-基）苯基]-N,N’-二苯基二苯乙烯-4,4’-二胺（簡稱：YGA2S）、4-（9H-咔唑-9-基）-4’-（10-苯基-9-蒽基）三苯胺（簡稱：YGAPA）、4-（9H-咔唑-9-基）-4’-（9,10-二苯基-2-蒽基）三苯胺（簡稱：2YGAPPA）、N,9-二苯基-N-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑-3-胺（簡稱：PCAPA）、二萘嵌苯、2,5,8,11-四-叔-丁基二萘嵌苯（簡稱：TBP）、4-（10-苯基-9-蒽基）-4’-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）三苯胺（簡稱：PCBAPA）、N,N’’-（2-叔-丁基蒽基-9，10-二基二-4，1-苯撐基）雙[N,N’,N’-三苯基-1，4-苯二胺]（簡稱：DPABPA）、N,9-二苯基-N-[4-（9，10-二苯基-2-蒽基）苯基]-9H-咔唑-3-胺（簡稱：2PCAPPA）、N-[4-（9，10-二苯基-2-蒽基）苯基]-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺（簡稱：2DPAPPA）、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-八苯基二苯并[g,p]（chrysene）-2，7，10，15-四胺（簡稱：DBC1）、香豆素30、N-（9，10-二苯基-2-蒽基）-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺（簡稱：2PCAPA）、N-[9,10-雙（1，1’-聯(lián)苯基-2-基）-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺（簡稱：2PCABPhA）、N-（9,10-二苯基-2-蒽基）-N,N’,N’-三苯基-1，4-苯二胺（簡稱：2DPAPA）、N-[9,10-雙（1，1’-聯(lián)苯-2-基）-2-蒽基]-N,N’,N’-三苯基-1，4-苯二胺（簡稱：2DPABPhA）、9,10-雙（1，1’-聯(lián)苯-2-基）-N-[4-（9H-咔唑-9-基）苯基]-N-苯基蒽-2-胺（簡稱：2YGABPhA）、N，N,9-三苯基蒽-9-胺（簡稱：DPhAPhA）、香豆素545T、N，N’-二苯基喹吖酮（簡稱：DPQd）、紅熒烯、5,12-雙（1，1’-聯(lián)苯-4-基）-6，11-二苯基并四苯（簡稱：BPT）、2-（2-{2-[4-（二甲氨基）苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亞基）丙烷二腈（簡稱：DCM1）、2-{2-甲基-6-[2-（2，3，6，7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙烷二腈（簡稱：DCM2）、N,N,N’,N’-四（4-甲基苯基）并四苯-5，11-二胺（簡稱：p-mPhTD）、7，14-二苯基-N,N,N’,N’-四（4-甲基苯基）苊并[1，2-a]熒蒽-3,10-二胺（簡稱：p-mPhAFD）、2-{2-異丙基-6-[2-（1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙烷二腈（簡稱：DCJTI）、2-{2-叔-丁基-6-[2-（1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙烷二腈（簡稱：DCJTB）、2-（2，6-雙{2-[4-（二甲氨基）苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亞基）丙烷二腈（簡稱：BisDCM）、2-{2，6-雙[2-（8-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙烷二腈（簡稱：BisDCJTM）等。作為磷光發(fā)光材料，可以舉出吡啶甲酸雙[2-（3',5'-雙三氟甲基苯基）吡啶根-N,C^2']合銥（Ⅲ）（簡稱：Ir（CF₃ppy）₂（pic））、乙酰丙酮根雙[2-（4',6'-二氟苯基）吡啶根-N,C^2']合銥（Ⅲ）（簡稱：FIracac）、三（2-苯基吡啶根）銥（Ⅲ）（簡稱：Ir（ppy）₃）、乙酰丙酮根雙（2-苯基吡啶根）合銥（Ⅲ）（簡稱：Ir（ppy）₂（acac））、三（乙酰丙酮根）（一菲咯啉)合鋱（Ⅲ）（簡稱：Tb（acac）₃（Phen））、乙酰丙酮根雙（苯并[h] 喹啉根）合銥（Ⅲ）（簡稱：Ir（bzq）₂（acac））、乙酰丙酮根雙（2,4-二苯基-1,3-噁唑根-N,C^2'）合銥（Ⅲ）（簡稱：Ir（dpo） ₂（acac））、乙酰丙酮根雙[2-（4'-全氟烷苯基苯基）吡啶根]合銥（Ⅲ）（簡稱：Ir（p-PF-ph）₂（acac））、乙酰丙酮根雙（2-苯基苯并噻唑根-N,C^2'）合銥（Ⅲ）（簡稱：Ir（bt）₂（acac））、乙酰丙酮根雙[2-（2'-苯并[4,5-α]噻吩基）吡啶根-N,C^3']銥（Ⅲ）（簡稱：Ir（btp）₂（acac））、乙酰丙酮根雙（1-苯基異喹啉根-N,C^2'）合銥（Ⅲ）（簡稱：Ir（piq）₂（acac））、（乙酰丙酮根）雙[2，3-雙（4-氟苯基）喹喔啉根（quinoxalinato）]合銥（Ⅲ）（簡稱：Ir（Fdpq）₂ （acac））、（乙酰丙酮根）雙（2，3，5-三苯基吡嗪根）合銥（Ⅲ）（簡稱：Ir（tppr）₂ （acac））、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H，23H-卟啉合鉑（Ⅱ）（簡稱：PtOEP）、三（1，3-二苯基-1，3-丙二酮根）（一菲咯啉）合銪（Ⅲ）（簡稱：Eu（DBM）₃（Phen））、三[1-（2-噻吩甲?；?3,3,3-三氟丙酮根]（一菲咯啉）合銪（Ⅲ）（簡稱：Eu（TTA）₃（Phen））等。另外，也可以將實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物用作發(fā)光材料或發(fā)光中心材料。該二苯并[c,g]咔唑化合物是發(fā)射其光譜在紫色至藍色的范圍內(nèi)的光的發(fā)光中心物質(zhì)。

另外，雖然對可以用作上述主體材料的材料沒有特別的限制，但是例如可以舉出：三（8-羥基喹啉根）合鋁（Ⅲ）（簡稱：Alq）、三（4-甲基-8-羥基喹啉根）合鋁（Ⅲ）（簡稱：Almq₃）、雙（10-羥基苯并[h]喹啉根）合鈹（Ⅱ）（簡稱：BeBq₂）、雙（2-甲基-8-羥基喹啉根）（4-苯基苯酚根）合鋁（Ⅲ）（簡稱：BAlq）、雙（8-羥基喹啉根）合鋅（Ⅱ）（簡稱：Znq）、雙[2-（2-苯并噁唑基）苯酚根]合鋅（Ⅱ）（簡稱：ZnPBO）、雙[2-（2-苯并噻唑基）苯酚根]合鋅（Ⅱ）（簡稱：ZnBTZ）等的金屬配合物；2-（4-聯(lián)苯基）-5-（4-叔-丁基苯基）-1,3,4-噁二唑（簡稱：PBD）、1,3-雙[5-（p-叔-丁基苯基）-1,3,4-噁二唑-2-基]苯（簡稱：OXD-7）、3-（4-聯(lián)苯基）-4-苯基-5-（4-叔-丁基苯基）-1,2,4-三唑（簡稱：TAZ）、2,2',2''-（1,3,5-苯三基）三（1-苯基-1H-苯并咪唑）（簡稱：TPBI）、紅菲繞啉（簡稱：BPhen）、浴銅靈（簡稱：BCP）、9-[4-（5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基）苯基]-9H-咔唑（簡稱：CO11）等的雜環(huán)化合物；4，4’-雙[N-（1-萘基）-N-苯胺]聯(lián)苯（簡稱：NPB或α-NPD）、N,N’-雙（3-甲基苯）-N,N’-二苯基-[1，1’-聯(lián)苯]-4，4’-二胺（簡稱：TPD）、4,4’-雙[N-（螺環(huán)-9，9’-聯(lián)芴-2-基）-N-苯基胺基] 聯(lián)苯（簡稱：BSPB）等芳香胺化合物。另外，可以舉出蒽衍生物、菲衍生物、芘衍生物、（chrysene）衍生物、二苯并（dibenzo）[g,p]（chrysene）衍生物等的稠多環(huán)芳香化合物（condensed polycyclic aromatic compound）。具體地，可以例示9，10-二苯基蒽（簡稱：DPAnth）、N,N-二苯基-9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑-3-胺（簡稱：CzA1PA）、4-（10-苯基-9-蒽基）三苯胺（簡稱：DPhPA）、4-（9H-咔唑-9-基）-4’-（10-苯基-9-蒽基）三苯胺（簡稱：YGAPA）、N,9-二苯基-N-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑-3-胺（簡稱：PCAPA）、N,9-二苯基-N-{4-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺（簡稱：PCAPBA）、N,9-二苯基-N-（9,10-二苯基-2-蒽基）-9H-咔唑-3-胺（簡稱：2PCAPA）、6,12-二甲氧基-5,11-二苯、N,N,N ,N’,N’’,N’’，N’’’，N’’’-八苯基二苯并[g,p]（chrysene）-2，7，10，15-四胺（簡稱：DBC1）、9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（簡稱：CzPA）、3,6-二苯基-9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（簡稱:DPCzPA）、9,10-雙（3,5-二苯基苯基）蒽（簡稱:DPPA）、9,10-二（2-萘基）蒽（簡稱：DNA）、2-叔-丁基-9,10-二（2-萘基）蒽（簡稱：t-BuDNA）、9,9'-聯(lián)蒽（簡稱：BANT）、9,9'-（二苯乙烯-3,3'-二基）二菲（簡稱：DPNS）、9,9'-（二苯乙烯-4,4'-二基）二菲（簡稱：DPNS2）、以及3,3',3''-（苯-1,3,5-三基）三芘（簡稱：TPB3）等。另外，也可以將實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物適當(dāng)?shù)赜米髦黧w材料。優(yōu)選從這些物質(zhì)及已知物質(zhì)中選擇一種或多種具有大于上述發(fā)光中心物質(zhì)的能隙的能隙的物質(zhì)。另外，在發(fā)光中心物質(zhì)是發(fā)射磷光的物質(zhì)的情況下，可選擇具有大于該發(fā)光中心物質(zhì)的三重態(tài)激發(fā)能量（基態(tài)和三重態(tài)激發(fā)之間的能量差）的三重態(tài)激發(fā)能量的物質(zhì)作為主體材料。

另外，可以將實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物更適當(dāng)?shù)貞?yīng)用于以發(fā)射藍色熒光的物質(zhì)為發(fā)光中心物質(zhì)的發(fā)光元件。這是因為如下緣故：該二苯并[c,g]咔唑化合物的帶隙寬，從而能夠有效地激發(fā)藍色熒光物質(zhì)，使得高發(fā)光效率的藍色熒光發(fā)光元件的提供變得容易。另外，因為實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的載流子傳輸性優(yōu)越，所以可以提供低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件。

注意，發(fā)光層113也可以由兩層以上的多個層形成。例如，在將從空穴傳輸層一側(cè)依次層疊的第一發(fā)光層和第二發(fā)光層用作發(fā)光層113的情況下，可以將具有空穴傳輸性的物質(zhì)用于第一發(fā)光層的主體材料，并且將具有電子傳輸性的物質(zhì)用于第二發(fā)光層的主體材料。

在具有如上所述的結(jié)構(gòu)的發(fā)光層由多個材料構(gòu)成的情況下，可以使用利用真空蒸鍍法的共蒸鍍，或者使用應(yīng)用所述材料的溶液的噴墨法、旋涂法、浸漬涂布法等。

電子傳輸層114是包含電子傳輸性高的物質(zhì)的層。例如，電子傳輸層114是由如下具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物等構(gòu)成的層：三（8-羥基喹啉根）合鋁（簡稱：Alq）、三（4-甲基-8-羥基喹啉根）合鋁（簡稱：Almq₃）、雙（10-羥基苯并[h]喹啉根）合鈹（簡稱：BeBq₂）、雙（2-甲基-8-羥基喹啉根）（4-苯基苯酚根）合鋁（簡稱：BAlq）等。除此之外，還可以使用如下具有噁唑類、噻唑類配位體的金屬配合物等：雙[2-（2-羥基苯基）苯并噁唑根]合鋅（簡稱：Zn（BOX）₂）、雙[2-（2-羥基苯基）苯并噻唑根]合鋅（簡稱：Zn（BTZ）₂）等。再者，除了金屬配合物之外，還可以使用2-（4-聯(lián)苯基）-5-（4-叔-丁基苯基）-1,3,4-噁二唑（簡稱：PBD）、1,3-雙[5-（p-叔-丁基苯基）-1,3,4-噁二唑-2-基]苯（簡稱：OXD-7）、3-（4-聯(lián)苯基）-4-苯基-5-（4-叔-丁基苯基）-1,2,4-三唑（簡稱：TAZ）、紅菲繞啉（簡稱：BPhen）、浴銅靈（簡稱：BCP）等。另外，可以適當(dāng)?shù)厥褂脤嵤┓绞?所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物。這里所述的物質(zhì)是主要具有10^-6cm²/Vs以上的電子遷移率的物質(zhì)。注意，只要是其電子傳輸性比空穴傳輸性高的物質(zhì)，就可以使用上述以外的物質(zhì)作為電子傳輸層。

另外，電子傳輸層114也可以是由上述物質(zhì)構(gòu)成的層的兩層以上的疊層，而不局限于單層。

另外，也可以在電子傳輸層和發(fā)光層之間設(shè)置控制電子載流子傳輸?shù)膶印＿@是對上述那樣的電子傳輸性高的材料添加少量的電子捕捉性高的物質(zhì)而成的層，并且通過抑制電子載流子的傳輸以調(diào)節(jié)載流子平衡。這種結(jié)構(gòu)對由于電子穿過發(fā)光層而發(fā)生的問題（例如，元件使用壽命的降低）的抑制發(fā)揮很大的效果。

因為實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的載流子傳輸性優(yōu)越，所以通過將實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物用作電子傳輸層114的材料，可以提供低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件。另外，因為該二苯并[c,g]咔唑化合物的帶隙寬，所以即使將該二苯并[c,g]咔唑化合物用作與發(fā)光層113相鄰的電子傳輸層114的材料也少擔(dān)憂發(fā)光中心物質(zhì)的激發(fā)能量鈍化，而容易得到高發(fā)光效率的發(fā)光元件。

另外，還可以在電子傳輸層114和第二電極102之間以接觸于第二電極102的方式設(shè)置電子注入層115。作為電子注入層115，可以使用堿金屬、堿土金屬、或它們的化合物如氟化鋰（LiF）、氟化銫（CsF）、氟化鈣（CaF₂）等。例如，可以使用由具有電子傳輸性的物質(zhì)構(gòu)成并包含堿金屬、堿土金屬、鎂（Mg）或它們的化合物的層，具體地，可以使用將鎂（Mg）包含在Alq中的層等。通過使用由具有電子傳輸性的物質(zhì)構(gòu)成并包含堿金屬或堿土金屬的層作為電子注入層115，可以有效地進行從第二電極102的電子注入，因此是更優(yōu)選的。

作為形成第二電極102的物質(zhì)，可以使用具有低功函數(shù)（具體為3.8 eV以下）的金屬、合金、導(dǎo)電化合物以及這些的混合物等。作為這種陰極材料的具體實例，可以舉出屬于元素周期表中的第1族或第2族的元素即鋰（Li）或銫（Cs）等堿金屬，鎂（Mg）、鈣（Ca）或鍶（Sr）等堿土金屬，包含這些的合金（MgAg、AlLi），銪（Eu）或鐿（Yb）等稀土金屬，以及包含這些的合金等。然而，通過在第二電極102和電子傳輸層之間設(shè)置電子注入層，可以不顧及功函數(shù)的高低而將各種導(dǎo)電材料諸如Al、Ag、ITO、包含硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫等用作第二電極102。這些導(dǎo)電材料可以通過濺射法、噴墨法、旋涂法等來進行成膜。

另外，作為EL層103的形成方法，不論干式法或濕式法，都可以使用各種方法。例如，也可以使用真空蒸鍍法、噴墨法或旋涂法等。另外，也可以根據(jù)各電極或各層使用不同的成膜方法來形成。

電極既可以通過利用溶膠-凝膠法等濕式法形成，又可以通過利用金屬材料的膏劑的濕式法形成。另外，也可以通過濺射法、真空蒸鍍法等干式法形成。

在具有上述那樣的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件中，電流因在第一電極101和第二電極102之間產(chǎn)生的電位差而流動，并且空穴和電子在包含發(fā)光性高的物質(zhì)的發(fā)光層113中重新結(jié)合，以進行發(fā)光。換句話說，采用在發(fā)光層113中形成發(fā)光區(qū)域的結(jié)構(gòu)。

發(fā)光經(jīng)過第一電極101和第二電極102中的任一方或雙方被取出到外面。因此，第一電極101和第二電極102中的任一方或雙方為透光性電極。當(dāng)只有第一電極101具有透光性時，發(fā)光經(jīng)過第一電極101被取出。另外，當(dāng)只有第二電極102具有透光性時，發(fā)光經(jīng)過第二電極102被取出。當(dāng)?shù)谝浑姌O101和第二電極102都是透光性電極時，發(fā)光經(jīng)過第一電極101及第二電極102被取出。

注意，設(shè)置在第一電極101和第二電極102之間的層的結(jié)構(gòu)不局限于上述結(jié)構(gòu)。但是，優(yōu)選在遠離第一電極101及第二電極102的部分設(shè)置空穴和電子重新結(jié)合的發(fā)光區(qū)域，以便抑制由于發(fā)光區(qū)域與用于電極或載流子注入層的金屬接近而發(fā)生的猝滅。

另外，為了抑制來自在發(fā)光層中產(chǎn)生的激子的能量移動，直接接觸于發(fā)光層的空穴傳輸層或電子傳輸層、特別是接觸于離發(fā)光層113中的發(fā)光區(qū)域近一側(cè)的載流子傳輸層優(yōu)選使用如下物質(zhì)構(gòu)成：該物質(zhì)具有比構(gòu)成發(fā)光層的發(fā)光物質(zhì)或者包含在發(fā)光層中的發(fā)光中心物質(zhì)所具有的能隙大的能隙。

在將實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物用于本實施方式的發(fā)光元件中的空穴傳輸層或電子傳輸層的情況下，即使發(fā)光物質(zhì)或發(fā)光中心物質(zhì)為帶隙大的呈現(xiàn)藍色熒光的物質(zhì)或三重態(tài)激發(fā)能量（基底狀態(tài)與三重態(tài)激發(fā)狀態(tài)之間的能量差）大的呈現(xiàn)綠色磷光的物質(zhì)，也可以高效地發(fā)光，因而可以得到高發(fā)光效率發(fā)光元件。由此，可以提供更高發(fā)光效率的低耗電量發(fā)光元件。另外，可以提供能夠得到高顏色純度的發(fā)光的發(fā)光元件。另外，因為實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的載流子傳輸性優(yōu)越，所以可以提供低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件。

另外，因為實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物對反復(fù)的氧化及還原具有穩(wěn)定性，所以通過使用該二苯并[c,g]咔唑化合物可以容易得到長使用壽命的發(fā)光元件。

在本實施方式中，可以在由玻璃、塑料等構(gòu)成的襯底上制造發(fā)光元件。作為在襯底上制造發(fā)光元件的順序，既可從第一電極101一側(cè)依次層疊又可從第二電極一側(cè)依次層疊。作為發(fā)光裝置，在一個襯底上形成有一個發(fā)光元件的發(fā)光裝置和在一個襯底上形成有多個發(fā)光元件的發(fā)光裝置都可以采用。通過在一個襯底上制造多個這種發(fā)光元件，可以制造被進行了元件分割的照明裝置或被動矩陣型發(fā)光裝置。

另外，也可以在由玻璃、塑料等構(gòu)成的襯底上例如形成薄膜晶體管（TFT），并且在與TFT電連接的電極上制造發(fā)光元件。由此，可以制造由TFT控制發(fā)光元件的驅(qū)動的主動矩陣型發(fā)光裝置。

注意，對于TFT的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制。TFT可以為交錯型或反交錯型。另外，對于用于TFT的半導(dǎo)體的結(jié)晶性沒有特別的限制，而可以使用非晶半導(dǎo)體或結(jié)晶半導(dǎo)體。另外，形成在TFT襯底上的驅(qū)動用電路既可以由N型及P型TFT構(gòu)成，又可以只由N型及P型TFT中的任一方構(gòu)成。

實施方式6

在本實施方式中，參照圖1B說明具有層疊有多個發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件（以下也稱為疊層型元件）的方式。該發(fā)光元件是在第一電極和第二電極之間具有多個發(fā)光單元的發(fā)光元件。作為發(fā)光單元，可以使用與實施方式5所示的EL層103同樣的結(jié)構(gòu)。因此，可以說，實施方式5所示的發(fā)光元件是具有一個發(fā)光單元的發(fā)光元件，而且本實施方式的發(fā)光元件是具有多個發(fā)光單元的發(fā)光元件。

在圖1B中，在第一電極501和第二電極502之間層疊有第一發(fā)光單元511和第二發(fā)光單元512，并且在第一發(fā)光單元511和第二發(fā)光單元512之間設(shè)置有電荷產(chǎn)生層513。第一電極501和第二電極502分別相當(dāng)于實施方式5中的第一電極101和第二電極102，并且可以應(yīng)用與實施方式5所說明的同樣的材料。另外，第一發(fā)光單元511和第二發(fā)光單元512可以具有相同結(jié)構(gòu)或不同結(jié)構(gòu)。

電荷產(chǎn)生層513包含由有機化合物和金屬氧化物構(gòu)成的復(fù)合材料。該由有機化合物和金屬氧化物構(gòu)成的復(fù)合材料是實施方式5所示的復(fù)合材料，包含有機化合物和釩氧化物、鉬氧化物、鎢氧化物等的金屬氧化物。作為有機化合物，可以使用芳香胺化合物、二苯并[c,g]咔唑化合物、咔唑化合物、芳烴、高分子化合物（低聚物、樹狀聚合物、聚合物等）等各種化合物。注意，作為空穴傳輸性有機化合物，優(yōu)選應(yīng)用其空穴遷移率為10^-6cm²/Vs以上的有機化合物。但是，只要是其空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，就可以使用這些以外的物質(zhì)。因為由有機化合物和金屬氧化物構(gòu)成的復(fù)合體具有優(yōu)良的載流子注入性、載流子傳輸性，所以可以實現(xiàn)低電壓驅(qū)動、低電流驅(qū)動。

注意，也可以通過組合包含由有機化合物和金屬氧化物構(gòu)成的復(fù)合材料的層與由其他材料構(gòu)成的層來形成電荷產(chǎn)生層513。例如，也可以通過組合包含由有機化合物和金屬氧化物構(gòu)成的復(fù)合材料的層與包含選自具有電子給予性的物質(zhì)中的化合物和具有高電子傳輸性的化合物的層來形成電荷產(chǎn)生層513。另外，也可以通過組合包含由有機化合物和金屬氧化物構(gòu)成的復(fù)合材料的層與透明導(dǎo)電膜來形成電荷產(chǎn)生層513。

總之，夾在第一發(fā)光單元511和第二發(fā)光單元512之間的電荷產(chǎn)生層513只要是如下層即可：在將電壓施加到第一電極501和第二電極502之間時，將電子注入到一側(cè)的發(fā)光單元并且將空穴注入到另一側(cè)的發(fā)光單元。例如，電荷產(chǎn)生層513是如下層即可：在圖1B中，在以使第一電極的電位高于第二電極的電位的方式施加電壓的情況下，將電子注入到第一發(fā)光單元511并且將空穴注入到第二發(fā)光單元512。

雖然在本實施方式中說明了具有兩個發(fā)光單元的發(fā)光元件，但是可以同樣地應(yīng)用層疊三個以上的發(fā)光單元的發(fā)光元件。如根據(jù)本實施方式的發(fā)光元件，通過在一對電極之間將多個發(fā)光單元使用電荷產(chǎn)生層隔開并配置，該元件可以在保持低電流密度的同時在高亮度區(qū)域中發(fā)光。因為能夠保持低電流密度，所以實現(xiàn)長使用壽命。另外，當(dāng)應(yīng)用于照明裝置時，可以減少由于電極材料的電阻而產(chǎn)生的電壓降低，從而可以實現(xiàn)在大面積上的均勻發(fā)光。另外，可以實現(xiàn)能夠進行低電壓驅(qū)動且耗電量低的發(fā)光裝置。

另外，通過使各發(fā)光單元的發(fā)光顏色不同，可以在整個發(fā)光元件中得到所希望的顏色的發(fā)光。例如，通過在具有兩個發(fā)光單元的發(fā)光元件中使第一發(fā)光單元的發(fā)光顏色和第二發(fā)光單元的發(fā)光顏色成為補色關(guān)系，可以得到在整個發(fā)光元件中進行白色發(fā)光的發(fā)光元件。注意，補色是指當(dāng)混合時成為無彩色的顏色之間的關(guān)系。因此，當(dāng)混合從發(fā)射處于補色關(guān)系的顏色的光的物質(zhì)得到的光時，可以得到白色發(fā)光。另外，在具有三個發(fā)光單元的發(fā)光元件的情況下也是同樣，例如，在第一發(fā)光單元的發(fā)光顏色是紅色，第二發(fā)光單元的發(fā)光顏色是綠色，第三發(fā)光單元的發(fā)光顏色是藍色的情況下，可以在整個發(fā)光元件中得到白色發(fā)光。

因為本實施方式的發(fā)光元件包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物，所以可以得到發(fā)光效率良好的發(fā)光元件。另外，可以得到低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件。另外，可以得到長使用壽命的發(fā)光元件。另外，包含二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光單元可以高顏色純度地得到由來于發(fā)光中心物質(zhì)的發(fā)光，所以容易在整個發(fā)光元件中調(diào)整顏色。

本實施方式可以與其他實施方式適當(dāng)?shù)亟M合。

實施方式7

在本實施方式中，將說明使用包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）而制造的發(fā)光裝置。

在本實施方式中，對于使用包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）而制造的發(fā)光裝置，參照圖3A和3B進行說明。注意，圖3A是示出發(fā)光裝置的俯視圖，并且圖3B是沿圖3A中的A-B及C-D切斷的截面圖。該發(fā)光裝置包括用來控制發(fā)光元件的發(fā)光并由虛線表示的驅(qū)動電路部（源極線驅(qū)動電路）601、像素部602、驅(qū)動電路部（柵極線驅(qū)動電路）603。另外，附圖標(biāo)記604是密封襯底，附圖標(biāo)記625是干燥劑，附圖標(biāo)記605是密封材料，由密封材料605圍繞的內(nèi)側(cè)是空間607。

注意，附圖標(biāo)記608是用來傳送待輸入到源極線驅(qū)動電路601及柵極線驅(qū)動電路603的信號并且從作為外部輸入端子的FPC（柔性印刷電路）609接收視頻信號、時鐘信號、起始信號、復(fù)位信號等的布線。注意，雖然在此只圖示出FPC，但是該FPC還可以安裝有印刷線路板（PWB）。本說明書中的發(fā)光裝置不僅包括發(fā)光裝置主體，而且還包括安裝有FPC或PWB的發(fā)光裝置。

下面，參照圖3B說明截面結(jié)構(gòu)。雖然驅(qū)動電路部及像素部在元件襯底610上形成，但是在此示出作為驅(qū)動電路部的源極線驅(qū)動電路601和像素部602中的一個像素。

作為源極線驅(qū)動電路601，形成組合n溝道型TFT 623和p溝道型TFT 624的CMOS電路。另外，驅(qū)動電路也可以由各種CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。另外，雖然在本實施方式中示出在襯底上形成驅(qū)動電路的驅(qū)動器一體型，但是不一定需要采用該結(jié)構(gòu)。驅(qū)動電路也可以形成在外面，而不形成在襯底上。

另外，像素部602由多個像素形成，該多個像素分別包括開關(guān)TFT 611、電流控制TFT 612以及與電流控制TFT 612的漏極電連接的第一電極613。注意，以覆蓋第一電極613的端部的方式形成有絕緣物614。在此，使用正型感光丙烯酸樹脂膜形成絕緣物614。

另外，絕緣物614被形成為在其上端部或下端部具有曲率的曲面以便得到良好的覆蓋性。例如，在使用正型感光丙烯酸作為絕緣物614的材料的情況下，優(yōu)選只使絕緣物614的上端部成為具有曲率半徑（0.2μm至3 μm）的曲面。另外，作為絕緣物614，可以使用負型感光樹脂或者正型感光樹脂。

在第一電極613上形成有EL層616及第二電極617。在此，優(yōu)選使用具有高功函數(shù)的材料作為用于用作陽極的第一電極613的材料。例如，除了可以使用單層膜諸如ITO膜、包含硅的銦錫氧化物膜、包含2wt.％至20wt.％的氧化鋅的氧化銦膜、氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、Zn膜、Pt膜等以外，還可以使用由氮化鈦膜和以鋁為主要成分的膜構(gòu)成的疊層膜、以及由氮化鈦膜、以鋁為主要成分的膜、和氮化鈦膜構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)膜等。注意，當(dāng)采用疊層結(jié)構(gòu)時，第一電極613作為布線具有低電阻，可以得到良好的歐姆接觸，還可以用作陽極。

另外，EL層616通過各種方法諸如使用蒸鍍掩模的蒸鍍法、噴墨法、旋轉(zhuǎn)涂敷法等來形成。EL層616包含實施方式2所示的二苯并[c,g]咔唑化合物。另外，作為構(gòu)成EL層616的其他材料，也可以使用低分子化合物、或者高分子化合物（包含低聚物、樹枝狀聚合物）。

另外，作為用于形成在EL層616上并用作陰極的第二電極617的材料，優(yōu)選使用具有低功函數(shù)的材料（Al、Mg、Li、Ca、或這些的合金及化合物、MgAg、MgIn、AlLi等）。注意，當(dāng)使EL層616中產(chǎn)生的光透過第二電極617時，優(yōu)選使用薄金屬膜和透明導(dǎo)電膜（ITO、包含2wt.％至20wt.％的氧化鋅的氧化銦、包含硅的銦錫氧化物、氧化鋅（ZnO）等）的疊層作為第二電極617。

發(fā)光元件由第一電極613、EL層616、第二電極617形成。該發(fā)光元件是具有實施方式5的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。再者，在本實施方式的發(fā)光裝置中，由多個發(fā)光元件形成像素部可以包括具有實施方式5或6所說明的結(jié)構(gòu)的實施方式1所示的發(fā)光元件、以及具有其以外的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的這二者。

另外，通過使用密封材料605將密封襯底604貼合到元件襯底610，提供如下結(jié)構(gòu)，即發(fā)光元件618安裝在由元件襯底610、密封襯底604、以及密封材料605圍繞的空間607中。注意，空間607中填充有填料，作為該填料，除了使用惰性氣體（氮或氬等）以外，還使用密封材料605。

注意，優(yōu)選使用環(huán)氧類樹脂或玻璃粉作為密封材料605。另外，這些材料優(yōu)選是允許盡可能少的水或氧滲透的材料。另外，作為用于密封襯底604的材料，除了可以使用玻璃襯底或石英襯底以外，還可以使用由FRP（玻璃纖維增強塑料）、PVF（聚氟乙烯）、聚酯、丙烯酸樹脂等構(gòu)成的塑料襯底。

如上所述，可以得到使用包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）而制造的發(fā)光裝置。

因為本實施方式的發(fā)光裝置使用包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件），所以可以得到具有優(yōu)良特性的發(fā)光裝置。具體地，因為實施方式2所示的二苯并[c,g]咔唑化合物的能隙或三重態(tài)激發(fā)能大而且可以抑制從發(fā)光物質(zhì)的能量的移動，所以可以提供發(fā)光效率良好的發(fā)光元件，并且所以可以實現(xiàn)耗電量降低了的發(fā)光裝置。另外，因為可以得到低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件，所以可以得到低驅(qū)動電壓的發(fā)光裝置。另外，因為使用實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）為長使用壽命發(fā)光元件，所以可提供高可靠性發(fā)光裝置。

如上所述，在本實施方式中說明主動矩陣型發(fā)光裝置。然而，發(fā)光裝置還可以為被動矩陣型。圖4A和4B示出通過應(yīng)用本發(fā)明而制造的被動矩陣型發(fā)光裝置。注意，圖4A是表示發(fā)光裝置的立體圖，并且圖4B是沿圖4A中的X-Y切斷的截面圖。在圖4A和4B中，在襯底951上的電極952和電極956之間設(shè)置有EL層955。電極952的端部被絕緣層953覆蓋。在絕緣層953上設(shè)置有隔斷層954。隔斷層954的側(cè)壁具有傾斜，使得一個側(cè)壁與另一個側(cè)壁之間的間隔越接近襯底表面越窄。換句話說，沿隔斷層954的短邊方向的截面是梯形，底邊（朝向與絕緣層953的面方向同樣的方向并與絕緣層953接觸的邊）比上邊（朝向與絕緣層953的面方向同樣的方向并與絕緣層953不接觸的邊）短。如此，通過設(shè)置隔斷層954，可以防止起因于靜電等的發(fā)光元件的不良。另外，在被動矩陣型發(fā)光裝置中，通過包括以低驅(qū)動電壓工作的實施方式1所記載的包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件，可以以低耗電量進行驅(qū)動。另外，通過包括實施方式1所記載的因包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物而使發(fā)光效率得到提高的發(fā)光元件，可以以低耗電量進行驅(qū)動。另外，通過包括實施方式1所記載的包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件，可以得到高可靠性發(fā)光裝置。

實施方式8

在本實施方式中，參照圖5A和圖5B對將使用實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）用于照明裝置的實例進行說明。圖5B是照明裝置的俯視圖，圖5A是圖5B中的沿著線E-F切割的截面圖。

在本實施方式的照明裝置中，在用作支撐體的具有透光性的襯底400上形成有第一電極401。第一電極401相當(dāng)于實施方式5中的第一電極101。

在第一電極401上設(shè)置有輔助電極402。本實施方式示出從第一電極401一側(cè)取出光的實例，所以第一電極401使用具有透光性的材料形成。輔助電極402是為了補償具有透光性的材料的導(dǎo)電率的不足而設(shè)置的，所以抑制第一電極401的高電阻引起電壓下降而使發(fā)光表面的亮度變得不均勻。輔助電極402使用導(dǎo)電率至少比第一電極401高的材料形成，優(yōu)選使用鋁等導(dǎo)電率高的材料形成。另外，優(yōu)選輔助電極402中的不與第一電極401接觸的表面被絕緣層覆蓋。通過使用上述結(jié)構(gòu)，可以抑制不能取出的來自輔助電極402的上部的發(fā)光，結(jié)果可以抑制由無效電流導(dǎo)致的電力效率的下降。另外，也可以在形成輔助電極402的同時形成用來對第二電極404供應(yīng)電壓的襯墊412。

在第一電極401及輔助電極402上形成有EL層403。EL層403的結(jié)構(gòu)相當(dāng)于實施方式5中的EL層103的結(jié)構(gòu)、組合發(fā)光單元511、512和電荷產(chǎn)生層513的結(jié)構(gòu)等。注意，關(guān)于各結(jié)構(gòu)，參照各個記載。另外，優(yōu)選當(dāng)從平面看時，將EL層403形成為比第一電極401稍微大，因為這樣可以使EL層403具有抑制第一電極401與第二電極404之間的短路的作為絕緣層的功能。

以覆蓋EL層403的方式形成第二電極404。第二電極404相當(dāng)于實施方式5中的第二電極102，具有與此同樣的功能。在本實施方式中，從第一電極401一側(cè)取出發(fā)光，所以第二電極404優(yōu)選使用反射率高的材料形成。在本實施方式中，通過使第二電極404與襯墊412連接，將電壓供應(yīng)到第二電極404。

如上所述，本實施方式所示的照明裝置具有包含第一電極401、EL層403以及第二電極404（以及輔助電極402）的發(fā)光元件。由于該發(fā)光元件是發(fā)光效率高的發(fā)光元件，所以本實施方式的照明裝置可以為耗電量小的照明裝置。另外，由于該發(fā)光元件是低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件，所以可以提供耗電量小的照明裝置。另外，由于該發(fā)光元件是高可靠性發(fā)光元件，所以本實施方式中的照明裝置可以為高可靠性照明裝置。

通過使用密封材料405、406固定密封襯底407進行發(fā)光元件的密封來制造照明裝置。也可以僅使用密封材料405和406中的一方。另外，也可以在內(nèi)側(cè)的密封材料406中混合干燥劑，由此可以吸收水分而提高可靠性。

另外，通過將襯墊412、第一電極401以及輔助電極402的一部分以延伸到密封材料405、406的外部的方式設(shè)置，可以將該延伸出的部分用作外部輸入端子。另外，也可以在此外部輸入端子上設(shè)置安裝有轉(zhuǎn)換器等的IC芯片420。

由于本實施方式所記載的照明裝置包括包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件），所以可以提供耗電量小的照明裝置。另外，可以提供低驅(qū)動電壓的照明裝置。另外，可以提供高可靠性照明裝置。

實施方式9

在本實施方式中，對包括包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）的電子設(shè)備進行說明。包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）的發(fā)光效率良好，并且其耗電量被降低。結(jié)果，本實施方式所記載的電子設(shè)備可以提供具有耗電量被降低的發(fā)光部的電子設(shè)備。另外，因為包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）是低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件，所以可以提供低驅(qū)動電壓的電子設(shè)備。另外，因為包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）是長使用壽命的發(fā)光元件，所以可以提供高可靠性電子設(shè)備。

作為采用上述發(fā)光元件的電子設(shè)備，可以例如舉出電視裝置（也稱為電視機或電視接收機）、用于計算機等的顯示器、數(shù)碼相機、數(shù)碼攝像機等影像拍攝裝置、數(shù)碼相框、移動電話機（也稱為移動電話、移動電話裝置）、便攜式游戲機、便攜式信息終端、聲音再現(xiàn)裝置、彈子機等大型游戲機等。以下，示出這些電子設(shè)備的具體實例。

圖6A示出電視裝置的一個實例。在電視裝置中，框體7101中組裝有顯示部分7103。另外，在此示出利用支架7105支撐框體7101的結(jié)構(gòu)?？梢岳蔑@示部分7103顯示圖像，并且將包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）排列為矩陣狀而構(gòu)成顯示部分7103。該發(fā)光元件可以為高發(fā)光效率的發(fā)光元件。另外，該發(fā)光元件可以為低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件。另外，該發(fā)光元件可以為長使用壽命的發(fā)光元件。因此，具有由該發(fā)光元件構(gòu)成的顯示部分7103的電視裝置可以為耗電量被降低的電視裝置。另外，該電視裝置可以為低驅(qū)動電壓的電視裝置。另外，該電視裝置可以為高可靠性電視裝置。

可以通過利用框體7101所具備的操作開關(guān)或另外提供的遙控器7110進行電視裝置的操作。通過利用遙控器7110所具備的操作鍵7109，可以控制頻道及音量，由此可以控制在顯示部分7103中顯示的圖像。另外，也可以在遙控器7110中設(shè)置用來顯示從該遙控器7110輸出的信息的顯示部分7107。

另外，電視裝置采用具備接收機和調(diào)制解調(diào)器等的結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^接收機接收一般的電視廣播。再者，通過調(diào)制解調(diào)器連接到有線或無線方式的通信網(wǎng)絡(luò)，能夠進行單向（從發(fā)送者到接收者）或雙向（在發(fā)送者和接收者之間或在接收者之間等）的信息通信。

圖6B示出計算機，該計算機包括主體7201、框體7202、顯示部分7203、鍵盤7204、外部連接端口7205、定位裝置7206等。另外，該計算機通過使用將包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）排列為矩陣狀而制造。該發(fā)光元件可以為高發(fā)光效率的發(fā)光元件。另外，該發(fā)光元件可以為低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件。另外，該發(fā)光元件可以為長使用壽命的發(fā)光元件。因此，具有由該發(fā)光元件構(gòu)成的顯示部分7203的計算機可以為耗電量被降低的計算機。另外，該計算機可以為低驅(qū)動電壓的計算機。另外，該計算機可以為高可靠性計算機。

圖6C示出便攜式游戲機，該便攜式游戲機由框體7301和框體7302的兩個框體構(gòu)成，并且通過連接部分7303可以開閉地連接?？蝮w7301中組裝有將實施方式1所說明的發(fā)光元件排列為矩陣狀而制造的顯示部分7304，并且框體7302中組裝有顯示部分7305?？蝮w7301中組裝有顯示部分7304，并且框體7302中組裝有顯示部分7305。另外，圖6C所示的便攜式游戲機還具備揚聲器部分7306、記錄介質(zhì)插入部分7307、LED燈7308、輸入單元（操作鍵7309、連接端子7310、傳感器7311（包括測定如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜率、振動、氣味或紅外線）、麥克風(fēng)7312）等。當(dāng)然，便攜式游戲機的結(jié)構(gòu)不局限于上述結(jié)構(gòu)，只要在顯示部分7304和顯示部分7305中的至少一方或雙方中使用將包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）排列為矩陣狀的顯示部分即可，而可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有其他附屬設(shè)備的結(jié)構(gòu)。圖6C所示的便攜式游戲機具有如下功能：讀出儲存在記錄介質(zhì)中的程序或數(shù)據(jù)并將其顯示在顯示部分上；以及通過與其他便攜式游戲機之間進行無線通信而實現(xiàn)信息共享。另外，圖6C所示的便攜式游戲機的功能不局限于此，可以具有各種各樣的功能。由于在上述具有顯示部分7304的便攜式游戲機中，用于顯示部分7304的發(fā)光元件具有良好的發(fā)光效率，從而該便攜式游戲機可以為耗電量被降低的便攜式游戲機。另外，因為可以以低驅(qū)動電壓驅(qū)動用于顯示部分7304的發(fā)光元件，所以該便攜式游戲機可以為低驅(qū)動電壓的便攜式游戲機。另外，因為用于顯示部分7304的發(fā)光元件為長使用壽命的發(fā)光元件，所以該便攜式游戲機可以為高可靠性便攜式游戲機。

圖6D示出移動電話機的一個實例。移動電話機7400除了組裝在框體7401中的顯示部分7402以外，還具備操作按鈕7403、外部連接端口7404、揚聲器7405、麥克風(fēng)7406等。另外，移動電話機7400使用用于顯示部分7402來制造。另外，移動電話機7400包括將包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）排列為成矩陣狀而制造的顯示部分7402。該發(fā)光元件可以為高發(fā)光效率的發(fā)光元件。另外，該發(fā)光元件可以為低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件。另外，該發(fā)光元件可以為長使用壽命的發(fā)光元件。因此，具有由該發(fā)光元件構(gòu)成的顯示部分7402的移動電話機可以為耗電量被降低的移動電話機。另外，該移動電話機可以為低驅(qū)動電壓的移動電話機。另外，該移動電話機可以為長使用壽命的移動電話機。

圖6D所示的移動電話機7400也可以具有用手指等觸摸顯示部分7402來輸入信息的結(jié)構(gòu)。在此情況下，能夠用手指等觸摸顯示部分7402來進行打電話或制作電子郵件等的操作。

顯示部分7402主要有三種屏幕模式。第一是以圖像的顯示為主的顯示模式，第二是以文字等的信息的的輸入為主的輸入模式，第三是混合顯示模式和輸入模式的兩個模式的顯示輸入模式。

例如，在打電話或編寫電子郵件的情況下，可以采用將顯示部分7402主要用于輸入文字的文字輸入模式而輸入在屏幕上顯示的文字。在此情況下，優(yōu)選在顯示部分7402的屏幕的大多部分中顯示鍵盤或號碼按鈕。

另外，通過在移動電話機內(nèi)部設(shè)置具有陀螺儀和加速度傳感器等檢測傾斜的傳感器的檢測裝置，可以判斷移動電話機的方向（該移動電話機是否水平或垂直放置以用于景觀模式或肖像模式）而自動進行顯示部分7402的屏幕顯示的切換。

另外，通過觸摸顯示部分7402或?qū)蝮w7401的操作按鈕7403進行操作，來進行屏幕模式的切換?；蛘?，也可以根據(jù)顯示在顯示部分7402上的圖像的種類切換屏幕模式。例如，當(dāng)顯示在顯示部分上的圖像信號為動態(tài)圖像的數(shù)據(jù)時，將屏幕模式切換成顯示模式，而當(dāng)顯示在顯示部分上的圖像信號為文字數(shù)據(jù)時，將屏幕模式切換成輸入模式。

另外，當(dāng)在輸入模式下通過檢測出顯示部分7402的光傳感器所檢測的信號而得知在一定期間內(nèi)沒有顯示部分7402的觸摸操作輸入時，也可以進行控制以將屏幕模式從輸入模式切換成顯示模式。

也可以將顯示部分7402用作圖像傳感器。例如，通過用手掌或手指觸摸顯示部分7402，來拍攝掌紋、指紋等，能夠進行個人識別。另外，通過在顯示部分中使用發(fā)射近紅外光的背光燈或發(fā)射近紅外光的感測用光源，也能夠拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。

另外，本實施方式所示的結(jié)構(gòu)可以適當(dāng)?shù)嘏c實施方式1至8所示的結(jié)構(gòu)組合而使用。

如上所述，具備包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）的發(fā)光裝置的應(yīng)用范圍極為廣泛，而能夠?qū)⒃摪l(fā)光裝置應(yīng)用到各種領(lǐng)域的電子設(shè)備。通過使用包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件，可以得到耗電量被降低的電子設(shè)備。另外，可以得到低驅(qū)動電壓的電子設(shè)備。

圖7示出將包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）用于背光燈的液晶顯示裝置的一個實例。圖7所示的液晶顯示裝置包括框體901、液晶層902、背光燈903以及框體904，液晶層902與驅(qū)動器IC905連接。另外，在背光燈903中使用包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件），并且通過端子906將電流供應(yīng)到背光燈903。

通過將包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）用于液晶顯示裝置的背光燈，可以得到耗電量被降低的背光燈。另外，通過使用實施方式1所記載的發(fā)光元件，能夠制造面發(fā)射的照明裝置，還能夠?qū)崿F(xiàn)大面積化。由此能夠?qū)崿F(xiàn)背光燈的大面積化及液晶顯示裝置的大面積化。再者，使用包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件的背光燈可以形成為比現(xiàn)有的背光燈薄，所以還能夠?qū)崿F(xiàn)顯示裝置的薄型化。

圖8示出將包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）用于照明裝置的臺燈的實例。圖8所示的臺燈包括框體2001和光源2002，并且作為光源2002使用實施方式8所記載的發(fā)光裝置。

圖9示出將包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）用于室內(nèi)的照明裝置3001的實例。因為包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件是耗電量被降低的發(fā)光元件，所以能夠提供耗電量被降低的照明裝置。另外，因為包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件能夠?qū)崿F(xiàn)大面積化，所以能夠用于大面積的照明裝置。另外，因為包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件的厚度薄，所以能夠制造實現(xiàn)薄型化的照明裝置。

還可以將包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）安裝在汽車的擋風(fēng)玻璃或儀表盤上。圖10示出將包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件用于汽車的擋風(fēng)玻璃或儀表盤的一個方式。顯示區(qū)域5000至顯示區(qū)域5005都是使用包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件形成的。

顯示區(qū)域5000和顯示區(qū)域5001是安裝有設(shè)置在汽車的擋風(fēng)玻璃上的包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）的顯示裝置。通過使用透光性電極形成第一電極和第二電極，可以將包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）形成為能看到對面的景色的所謂的透視式顯示裝置。若采用透視式顯示，即使設(shè)置在汽車的擋風(fēng)玻璃上，也不妨礙視界。另外，在設(shè)置用來驅(qū)動的晶體管等的情況下，優(yōu)選使用具有透光性的晶體管，諸如使用有機半導(dǎo)體材料的有機晶體管或使用氧化物半導(dǎo)體的晶體管等。

顯示區(qū)域5002是設(shè)置在立柱部分的安裝有包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）的顯示裝置。通過在顯示區(qū)域5002上顯示來自設(shè)置在車廂上的成像元件的圖像，可以補充被立柱遮擋的視界。另外，同樣地，設(shè)置在儀表盤部分上的顯示區(qū)域5003通過顯示來自設(shè)置在汽車外側(cè)的成像元件的圖像，能夠補充被車廂遮擋的視界的死角，而提高安全性。通過顯示圖像以補充不看到的部分，更自然且簡單地確認安全。

顯示區(qū)域5004和顯示區(qū)域5005可以提供導(dǎo)航信息、速度表、轉(zhuǎn)速計、行車距離、加油量、排檔狀態(tài)、空調(diào)的設(shè)定以及其他各種信息。使用者可以適當(dāng)?shù)馗淖冿@示項目及布置。另外，這些信息也可以顯示在顯示區(qū)域5000至顯示區(qū)域5003上。另外，也可以將顯示區(qū)域5000至顯示區(qū)域5005用作照明裝置。

包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件(即，實施方式1所記載的發(fā)光元件）是驅(qū)動電壓小的發(fā)光元件或者是耗電量小的發(fā)光元件。由此，即使設(shè)置多個顯示區(qū)域5000至顯示區(qū)域5005那樣的大面積屏幕，也可以減少電池的負荷而舒適地使用。從而，可以將使用包含實施方式2所記載的二苯并[c,g]咔唑化合物的發(fā)光元件的發(fā)光裝置或照明裝置適用作車載用發(fā)光裝置或照明裝置。

實施例1

在本實施例中，詳細說明實施方式2所說明的以通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物之一的7-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑（簡稱：cgDBCzPA）的合成方法。

〈步驟1：5，6，8，9-四氫-7H-二苯并[c,g]咔唑的合成〉

將1.0g(20mmol)一水合肼及14mL乙醇加入100mL三口燒瓶中。在冰浴下，使用滴液漏斗將2.2mL的1.7M醋酸水溶液滴加到該溶液中。使用滴液漏斗將溶解在10mL乙醇中的10g(68mmol)β-四氫萘酮滴加到該溶液中，并在80℃的溫度下攪拌該混合物7小時，而析出固體。在攪拌后，將該混合物放在大約50mL水中，在室溫下攪拌該混合物30分鐘。在攪拌后，對該混合物進行抽濾而回收固體。對所回收的固體添加甲醇／水＝1：1，照射超聲波，并進行清洗處理。在進行清洗處理后，對該混合物進行抽濾而回收固體，而以63％的收率得到3.5g黃色粉末。以下示出步驟1的反應(yīng)圖解（a-1）。

〈步驟2：7H-二苯并[c,g]咔唑的合成〉

將6.2g氯醌(25mmol)、40mL二甲苯以及懸浮在20mL二甲苯中的3.5g(12mmol)5，6，8，9-四氫-7H-苯并[c,g]咔唑加入200mL三口燒瓶中。在氮氣氣流下，在150℃的溫度下回流該混合物4小時。在反應(yīng)之后，在將該混合物冷卻到室溫時，析出固體。通過進行抽濾去除所析出的固體，得到濾液。通過使用硅膠柱層析法（展開溶劑為甲苯：己烷＝2：1）對所得到的濾液進行純化，以得到紅色固體。通過利用甲苯／己烷使得到的固體重結(jié)晶，得到淡紅色針狀結(jié)晶。再者，利用甲苯／己烷使得到的結(jié)晶重結(jié)晶，從而以78％的收率得到2.5g的白色針狀結(jié)晶。以下示出步驟2的反應(yīng)圖解（b-1）。

〈步驟3：7-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑（簡稱：cgDBCzPA）的合成〉

將2.3g(5.6mmol)9-(4-溴苯基)-10-苯基蒽、1.5g(5.6mol)7H-二苯并[c,g]咔唑以及1.2g(12mmol)叔丁醇鈉加入100mL三口燒瓶中。利用氮氣取代燒瓶內(nèi)部的空氣，然后在該混合物中加入30mL甲苯、2.8mL三（叔丁基）膦（10wt%己烷溶液）。在對該混合物進行減壓的同時，攪拌該混合物而脫氣。在脫氣后，將0.16g(0.28mmol)的雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)加入該混合物中。在氮氣流下且在110℃的溫度下攪拌該混合物17小時，而析出固體。通過進行抽濾，回收所析出的固體。將回收的固體溶解于大約30mL加熱的甲苯中，并將該溶液通過硅藻土（日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼：531-16855）、礬土、硅酸鎂（日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼：540-00135）抽濾。濃縮所得到的濾液而得到固體，并利用甲苯／己烷使該固體重結(jié)晶，以70％的收率獲得2.3g目的物的淡黃色粉末。以下示出步驟3的反應(yīng)圖解（c-1）。

通過利用梯度升華方法對所獲得的2.3g淡黃色粉末狀固體進行升華純化。升華純化條件如下：壓力為3.6Pa；氬氣流量為6.0mL／min；以及在310℃的溫度下加熱cgDBCzPA。在進行升華純化之后，以91%的收率得到2.1g cgDBCzPA的淡黃色固體。

測定得到的物質(zhì)的¹H NMR。以下示出測定數(shù)據(jù)。

¹HNMR(CDCl₃,300MHz):δ=7.38-7.67(m,11H),7.72-7.89(m,12H),7.96(d,J=8.7Hz,2H),8.10(d,J=7.2Hz,2H),9.31(d,J₁=8.1Hz,2H)。

另外，圖11A和11B示出¹H NMR圖。根據(jù)測定結(jié)果可知，得到了以上述結(jié)構(gòu)式表示的7-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑（簡稱：cgDBCzPA）。

圖12A示出甲苯溶液中的cgDBCzPA的吸收光譜及發(fā)射光譜，而圖12B示出薄膜狀態(tài)下的cgDBCzPA的吸收光譜及發(fā)射光譜。當(dāng)測定吸收光譜時，使用紫外可見分光光度計（日本分光株式會社制造，V550型）。作為甲苯溶液中的cgDBCzPA的吸收光譜，示出如下吸收光譜，即：將cgDBCzPA的甲苯溶液加入在石英皿中測定吸收光譜，并且從該吸收光譜減去在使用石英皿時測定的甲苯的吸收光譜而得到的吸收光譜。另外，至于薄膜的吸收光譜，圖示通過如下工序而得到的吸收光譜：將cgDBCzPA蒸鍍在石英襯底上來制造樣品，并且從該樣品的吸收光譜減去石英的吸收光譜而得到的吸收光譜。當(dāng)測定發(fā)射光譜時，與測定吸收光譜時同樣，使用紫外可見分光光度計（日本分光株式會社制造，V550型）。至于甲苯溶液中的cgDBCzPA的發(fā)射光譜，將cgDBCzPA的甲苯溶液放入在石英皿中進行測定。至于薄膜的發(fā)射光譜，將cgDBCzPA蒸鍍在石英襯底上來制造樣品進行測定。根據(jù)上述測定可知，甲苯溶液中的cgDBCzPA的最大吸收波長在396nm附近、368nm附近、351nm附近、306nm附近以及252nm附近，而甲苯溶液中的cgDBCzPA的最大發(fā)射波長在417nm附近及432nm附近（激發(fā)波長為369nm），薄膜狀態(tài)下的cgDBCzPA的最大吸收波長在402nm附近、375nm附近、357nm附近、343nm附近、306nm附近、268nm附近、252nm附近以及221nm附近，而薄膜狀態(tài)下的cgDBCzPA的最大發(fā)射波長在442nm附近（激發(fā)波長為402nm）。

另外，在大氣中利用光電子分光光度計（由日本理研計器株式會社制造，AC-2）測量薄膜狀態(tài)下的cgDBCzPA的電離電位值。將所測得的電離電位值換算為負值，其結(jié)果是，cgDBCzPA的HOMO能級為-5.72eV。根據(jù)圖12A和12B的薄膜的吸收光譜的數(shù)據(jù)可知，從假定為直接躍遷的Tauc曲線算出的cgDBCzPA的吸收端為2.95eV。由此，將cgDBCzPA處于固體狀態(tài)下的光學(xué)能隙估計為2.95eV，從而根據(jù)之前得到的HOMO能級及該能隙值，可以將cgDBCzPA的LUMO能級估計為－2.77eV。如此，可以知道如下事實：cgDBCzPA在固體狀態(tài)下具有寬能隙即2.95eV。

另外，測量cgDBCzPA的氧化反應(yīng)特性和還原反應(yīng)特性。通過循環(huán)伏安法（CV）測定這些特性。在進行測定時，使用電氣化學(xué)分析儀器（BAS株式會社制造、型號：ALS模型600A或600C）。

關(guān)于用于CV測定的溶液，使用脫氫N,N-二甲基甲酰胺（簡稱：DMF）（美國西格瑪奧德里奇公司制造、99.8％、目錄號碼：22705-6）作為溶劑，并使為支持電解質(zhì)的過氯酸四-n-丁基銨（簡稱：n-Bu₄NClO₄）（日本東京化成工業(yè)株式會社制造、目錄號碼：T0836）溶解得達到100mmol／L的濃度，并且使測定對象溶解得達到2mmol／L的濃度來進行調(diào)制。而且，使用鉑電極（BAS株式會社制造的PTE鉑電極）作為工作電極；使用鉑電極（BAS株式會社制造的VC-3 Pt對電極（5 cm））作為輔助電極；并且使用Ag／Ag^＋電極（BAS株式會社制造的RE5非水性溶劑參考電極）作為參考電極。另外，在室溫下（20至25℃）進行CV測定。另外，將CV測定的掃描速度設(shè)定為0.1V／s。

對氧化反應(yīng)特性進行測定的方法為：以使工作電極相對于參考電極的電位從0.05V變化至0.83V之后從0.83V變化至0.05V的掃描為一個周期，對100個周期進行測定。在圖13A中示出測定結(jié)果。

由此可知，即使在100個周期的測定之后，也在氧化峰值沒有很大的變化，從而cgDBCzPA對氧化狀態(tài)與中性狀態(tài)之間反復(fù)的氧化還原反應(yīng)具有高耐性。

對還原反應(yīng)特性進行測定的方法為：以使工作電極相對于參考電極的電位從－1.50V變化至－2.30V之后從－2.30V變化至－1.50V的掃描為一個周期，對100個周期進行測定。在圖13B中示出測定結(jié)果。

由此可知，即使在100個周期的測定之后，也在還原峰值沒有很大的變化，從而cgDBCzPA對還原狀態(tài)與中性狀態(tài)之間反復(fù)的氧化還原反應(yīng)具有高耐性。

另外，根據(jù)CV測量的結(jié)果，算出cgDBCzPA的HOMO能級及LUMO能級。

已知所使用的參考電極的相對于真空能級的勢能為-4.94eV。cgDBCzPA的氧化反應(yīng)測定中的氧化峰電位E_pa為0.81V。另外，還原峰值電位E_pc為0.69V。從而，可求得0.75V的半波電位（E_pa與E_pc的中間電位）。這表示cgDBCzPA被0.75[V vs. Ag／Ag^＋]的電能氧化，并且該能量相當(dāng)于HOMO能級。這里，如上所述，因為在本實施例中使用的參考電極的相對于真空能級的勢能為－4.94[eV]，所以cgDBCzPA的HOMO能級為－4.94－0.75＝－5.69[eV]。cgDBCzPA的還原反應(yīng)測定中的還原峰電位E_pc為－2.25V。另外，氧化峰值電位E_pa為－2.16V。從而，可求得－2.21V的半波電位（E_pa與E_pc的中間電位）。這表示cgDBCzPA被－2.21[V vs. Ag／Ag^＋]的電能還原，并且該能量相當(dāng)于LUMO能級。這里，如上所述，因為在本實施例中使用的參考電極的相對于真空能級的勢能為-4.94[eV]，所以cgDBCzPA的LUMO能級為-4.94-(-2.21)＝-2.74[eV]。

另外，參考電極（Ag/Ag^＋電極）的相對于真空能級的勢能相當(dāng)于Ag/Ag^＋電極的費密能級，該勢能可以從使用該參考電極（Ag/Ag^＋電極）測定已知相對于真空能級的勢能的物質(zhì)而獲取的數(shù)值算出。

以下，具體地說明在本實施例中使用的參考電極（Ag/Ag^＋電極）的相對于真空能級的勢能（eV）的算出方法。已知二茂鐵在甲醇中的相對于標(biāo)準(zhǔn)氫電極的氧化還原電位為+0.610V[V vs. SHE]（參考文獻：Christian R.Goldsmith al.,J.Am.Chem.Soc.,Vol.124,No.1,

pp.83-96,2002）。另一方面，使用在本實施例中使用的參考電極求得二茂鐵在甲醇中的氧化還原電位，其結(jié)果是+0.11V[vs. Ag／Ag^＋]。因此，得知該參考電極的勢能比標(biāo)準(zhǔn)氫電極低0.50[eV]。

這里，已知標(biāo)準(zhǔn)氫電極相對于真空能級的勢能是－4.44eV（參考文獻：大西敏博,小山珠美.高分子EL材料.共立出版.p 64-67）。由此可算出，所使用的參考電極相對于真空能級的勢能為－4.44－0.50＝－4.94eV。

實施例2

在本實施例中，說明將二苯并[c,g]咔唑化合物7-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑（簡稱：cgDBCzPA，結(jié)構(gòu)式（100））用作使用發(fā)射藍色熒光的發(fā)光中心物質(zhì)的發(fā)光層的主體材料及電子傳輸層材料的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件是實施方式1所記載的發(fā)光元件。

另外，以下述結(jié)構(gòu)式（?。┲粒áぃ?、結(jié)構(gòu)式（100）表示在本實施例中使用的有機化合物的分子結(jié)構(gòu)。元件結(jié)構(gòu)與圖1A類似。

〈發(fā)光元件1的制造〉

首先，準(zhǔn)備作為第一電極101形成有110nm厚的包含硅的銦錫氧化物（ITSO）的玻璃襯底。利用聚酰亞胺膜覆蓋ITSO表面，使得該ITSO表面以2mm平方的尺寸露出，電極面積為2mm×2mm。作為用來在該襯底上形成發(fā)光元件的預(yù)處理，利用水洗滌襯底表面，并在200℃的溫度下焙燒1小時，然后進行370秒的UV臭氧處理。此后，將襯底引入到其內(nèi)部被減壓到10^-4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，并且在真空蒸鍍裝置內(nèi)的加熱室中在170℃的溫度下進行30分鐘的真空焙燒，然后冷卻襯底30分鐘左右。

接著，以使形成有ITSO膜的表面朝下方的方式將襯底固定于設(shè)置在真空蒸鍍裝置內(nèi)的支架上。

在將真空裝置內(nèi)減壓到10^-4Pa后，將上述結(jié)構(gòu)式（?。┧硎镜?-苯基-3-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑(簡稱：PCzPA)和氧化鉬（Ⅵ）以滿足PCzPA：氧化鉬＝2：1（重量比）的方式共蒸鍍，以形成空穴注入層111。將空穴注入層111厚度設(shè)定為70nm。注意，共蒸鍍是指使多個不同的物質(zhì)分別從不同的蒸發(fā)源同時蒸發(fā)的蒸鍍法。

接著，通過蒸鍍30nm厚的PCzPA，形成空穴傳輸層112。

再者，通過在空穴傳輸層112上將上述結(jié)構(gòu)式（100）所表示的7-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑（簡稱：cgDBCzPA）和上述結(jié)構(gòu)式（ⅲ）所表示的N，N'-雙（3-甲基苯基）-N，N'-雙[3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-芘-1,6-二胺（簡稱：1,6mMemFLPAPrn）以滿足cgDBCzPA：1,6mMemFLPAPrn＝1：0.03（重量比）的方式共蒸鍍，以形成25nm的發(fā)光層113。

接著，蒸鍍10nm的cgDBCzPA，然后蒸鍍15nm的上述結(jié)構(gòu)式（ⅳ）所示的紅菲繞啉（簡稱：BPhen），形成電子傳輸層114。

再者，通過在電子傳輸層114上蒸鍍1nm的氟化鋰，形成電子注入層。最后，作為用作陰極的第二電極102將鋁形成為200nm，以完成發(fā)光元件1。在上述蒸鍍過程中，蒸鍍都使用電阻加熱法。

〈對比發(fā)光元件1的制造〉

關(guān)于除了發(fā)光層113及電子傳輸層114以外的結(jié)構(gòu)，對比發(fā)光元件1與發(fā)光元件1同樣地形成。在形成空穴傳輸層112之后，將上述結(jié)構(gòu)式（ⅱ）所表示的9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（簡稱：CzPA）和上述結(jié)構(gòu)式（ⅲ）所表示的N，N'-雙（3-甲基苯基）-N，N'-雙[3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-芘-1,6-二胺（簡稱：1,6mMemFLPAPrn）以滿足CzPA：1,6mMemFLPAPrn＝1：0.05（重量比）的方式共蒸鍍，以形成25nm的發(fā)光層113。

在形成發(fā)光層113之后，通過在蒸鍍10nm的CzPA之后，還蒸鍍15nm的由上述結(jié)構(gòu)式（ⅳ）表示的紅菲繞啉（簡稱：BPhen），形成電子傳輸層114。

關(guān)于除了發(fā)光層113及電子傳輸層114以外的結(jié)構(gòu)，對比發(fā)光元件1的結(jié)構(gòu)與發(fā)光元件1類似，而省略重復(fù)記載，參照發(fā)光元件1的制造方法。

經(jīng)上述工序，完成對比發(fā)光元件1。

〈發(fā)光元件1及對比發(fā)光元件1的工作特性〉

在氮氣氛的手套箱中，以不使發(fā)光元件暴露于大氣的方式對通過上述步驟得到的發(fā)光元件1及對比發(fā)光元件1進行密封處理（將密封材料涂敷在元件的周圍，在密封時在80℃的溫度下進行1小時的熱處理），然后對這些發(fā)光元件的工作特性進行測量。另外，在室溫下（在保持于25℃的氣氛中）執(zhí)行測量。

關(guān)于發(fā)光元件1及對比發(fā)光元件1，圖14示出亮度-電流效率特性，圖15示出電壓-電流特性，圖16示出亮度-功率效率特性，并且圖17示出亮度-外部量子效率特性。在圖14中，縱軸表示電流效率（cd／A），橫軸表示亮度（cd／m²）。在圖15中，縱軸表示電流（mA），而橫軸表示電壓（V）。在圖16中，縱軸表示功率效率（lm／W），而橫軸表示亮度（cd／m²）。在圖17中，縱軸表示外部量子效率（％），而橫軸表示亮度（cd／m²）。

由圖14可知，將以通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物的cgDBCzPA用作發(fā)射藍色熒光的發(fā)光元件的發(fā)光層中的主體材料及電子傳輸層中的電子傳輸材料的發(fā)光元件1具有良好的或基本等同于使用類似于發(fā)光元件1的cgDBCzPA的CzPA的對比發(fā)光元件1的亮度-電流效率特性。這表明發(fā)光元件1是具有高發(fā)光效率的發(fā)光元件。

由圖15可知，發(fā)光元件1具有良好的或基本等同于對比發(fā)光元件1的電壓-電流特性，這表明發(fā)光元件1是低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件。這意味著以通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物具有優(yōu)良的載流子傳輸性。

由圖16可知，發(fā)光元件1具有優(yōu)越于對比發(fā)光元件1的亮度-功率效率特性，這表明發(fā)光元件1是低耗電量的發(fā)光元件。這意味著使用以通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物的cgDBCzPA的發(fā)光元件1是具有低驅(qū)動電壓、高發(fā)光效率等優(yōu)良特性的發(fā)光元件。

另外，由圖17可知，發(fā)光元件1具有良好的且基本等同于對比發(fā)光元件1的亮度-外部量子效率特性，這表明發(fā)光元件1是高發(fā)光效率的發(fā)光元件。

另外，圖18示出使0.1mA的電流流過所制造的發(fā)光元件1及對比發(fā)光元件1時的發(fā)射光譜。在圖18中，縱軸表示發(fā)光強度（任意單位），而橫軸表示波長（nm）。作為發(fā)光強度，示出以1為最大發(fā)光強度時的相對值。由圖18可知，發(fā)光元件1和對比發(fā)光元件1都發(fā)射起因于作為發(fā)光中心物質(zhì)的1,6mMemFLPAPrn的藍色光。

接著，將初期亮度設(shè)定為5000cd／m²，在固定電流密度的條件下驅(qū)動發(fā)光元件1及對比發(fā)光元件1，以測量隨驅(qū)動時間的亮度變化。圖19示出歸一化亮度-時間特性。由圖19可知，雖然使用CzPA的對比發(fā)光元件1為長使用壽命的發(fā)光元件，但是使用cgDBCzPA的發(fā)光元件1為其使用壽命比對比發(fā)光元件1更長的具有非常優(yōu)良的可靠性的元件。

另外，cgDBCzPA還具有如下優(yōu)點：與CzPA相比，蒸鍍的穩(wěn)定性高，而容易提供品質(zhì)穩(wěn)定的發(fā)光元件。

總之，通過使用cgDBCzPA，可以提供各種特性彼此配合得非常好的發(fā)光元件。

實施例3

在本實施例中，說明將二苯并[c,g]咔唑化合物7-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑（簡稱：cgDBCzPA，結(jié)構(gòu)式（100））用作使用發(fā)射藍色熒光的發(fā)光中心物質(zhì)的發(fā)光層的主體材料及電子傳輸層材料的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件是實施方式1所記載的發(fā)光元件。

另外，以下述結(jié)構(gòu)式（?。┲粒áィ?、結(jié)構(gòu)式（100）表示在本實施例中使用的有機化合物的分子結(jié)構(gòu)。元件結(jié)構(gòu)與圖1A類似。

〈發(fā)光元件2的制造〉

首先，準(zhǔn)備作為第一電極101形成有110nm厚的包含硅的銦錫氧化物（ITSO）的玻璃襯底。利用聚酰亞胺膜覆蓋ITSO表面，使得該ITSO表面以2mm平方的尺寸露出，電極面積為2mm×2mm。作為用來在該襯底上形成發(fā)光元件的預(yù)處理，利用水洗滌襯底表面，并在200℃的溫度下焙燒1小時，然后進行370秒的UV臭氧處理。此后，將襯底引入到其內(nèi)部被減壓到10^-4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，并且在真空蒸鍍裝置內(nèi)的加熱室中在170℃的溫度下進行30分鐘的真空焙燒，然后冷卻襯底30分鐘左右。

接著，以使形成有ITSO膜的表面朝下方的方式將襯底固定于設(shè)置在真空蒸鍍裝置內(nèi)的支架上。

在將真空裝置內(nèi)減壓到10^-4Pa后，將上述結(jié)構(gòu)式（?。┧硎镜?-苯基-3-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑(簡稱：PCzPA)和氧化鉬（Ⅵ）以滿足PCzPA：氧化鉬＝2：1（重量比）的方式共蒸鍍，以形成空穴注入層111。將空穴注入層111厚度設(shè)定為70nm。注意，共蒸鍍是指使多個不同的物質(zhì)分別從不同的蒸發(fā)源同時蒸發(fā)的蒸鍍法。

接著，通過蒸鍍30nm厚的上述結(jié)構(gòu)式（ⅴ）所示的3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(簡稱:PCPPn)，形成空穴傳輸層112。

再者，通過在空穴傳輸層112上將上述結(jié)構(gòu)式（100）所表示的7-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑（簡稱：cgDBCzPA）和上述結(jié)構(gòu)式（ⅲ）所表示的N，N'-雙（3-甲基苯基）-N，N'-雙[3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-芘-1,6-二胺（簡稱：1,6mMemFLPAPrn）以滿足cgDBCzPA：1,6mMemFLPAPrn＝1：0.03（重量比）的方式共蒸鍍，以形成25nm的發(fā)光層113。

接著，蒸鍍10nm的cgDBCzPA，然后蒸鍍15nm的上述結(jié)構(gòu)式（ⅳ）所示的紅菲繞啉（簡稱：BPhen），形成電子傳輸層114。

再者，通過在電子傳輸層114上蒸鍍1nm的氟化鋰，形成電子注入層。最后，作為用作陰極的第二電極102將鋁形成為200nm，以完成發(fā)光元件2。在上述蒸鍍過程中，蒸鍍都使用電阻加熱法。

〈對比發(fā)光元件2的制造〉

關(guān)于除了發(fā)光層113及電子傳輸層114以外的結(jié)構(gòu)，對比發(fā)光元件2與發(fā)光元件2同樣地形成。在形成空穴傳輸層112之后，將上述結(jié)構(gòu)式（ⅱ）所表示的9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（簡稱：CzPA）和上述結(jié)構(gòu)式（ⅲ）所表示的N，N'-雙（3-甲基苯基）-N，N'-雙[3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-芘-1,6-二胺（簡稱：1,6mMemFLPAPrn）以滿足CzPA：1,6mMemFLPAPrn＝1：0.05（重量比）的方式共蒸鍍，以形成25nm的發(fā)光層113。

在形成發(fā)光層113之后，通過在蒸鍍10nm的CzPA之后，還蒸鍍15nm的由上述結(jié)構(gòu)式（ⅳ）表示的紅菲繞啉（簡稱：BPhen），形成電子傳輸層114。

關(guān)于除了發(fā)光層113及電子傳輸層114以外的結(jié)構(gòu)，對比發(fā)光元件2的結(jié)構(gòu)與發(fā)光元件2類似，而省略重復(fù)記載，參照發(fā)光元件2的制造方法。

經(jīng)上述工序，完成對比發(fā)光元件2。

〈發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件2的工作特性〉

在氮氣氛的手套箱中，以不使發(fā)光元件暴露于大氣的方式對通過上述步驟得到的發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件2進行密封處理（將密封材料涂敷在元件的周圍，在密封時在80℃的溫度下進行1小時的熱處理），然后對這些發(fā)光元件的工作特性進行測量。另外，在室溫下（在保持于25℃的氣氛中）執(zhí)行測量。

關(guān)于發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件2，圖20示出亮度-電流效率特性，圖21示出電壓-電流特性，圖22示出亮度-功率效率特性，并且圖23示出亮度-外部量子效率特性。在圖20中，縱軸表示電流效率（cd／A），橫軸表示亮度（cd／m²）。在圖21中，縱軸表示電流（mA），而橫軸表示電壓（V）。在圖22中，縱軸表示功率效率（lm／W），而橫軸表示亮度（cd／m²）。在圖23中，縱軸表示外部量子效率（％），而橫軸表示亮度（cd／m²）。

由圖20可知，將以通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物的cgDBCzPA用作發(fā)射藍色熒光的發(fā)光元件的發(fā)光層中的主體材料及電子傳輸層中的電子傳輸材料的發(fā)光元件2具有基本等同于使用類似發(fā)光元件1的cgDBCzPA的CzPA的對比發(fā)光元件2的亮度-電流效率特性，這表明發(fā)光元件2是具有高發(fā)光效率的發(fā)光元件。

由圖21可知，發(fā)光元件2具有優(yōu)越于對比發(fā)光元件2的電壓-電流特性，這表明發(fā)光元件2是低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件。這意味著以通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物具有優(yōu)良的載流子傳輸性。

由圖22可知，發(fā)光元件2具有非常優(yōu)越于對比發(fā)光元件2的亮度-功率效率特性，這表明發(fā)光元件2是低耗電量的發(fā)光元件。這意味著使用以通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物的cgDBCzPA的發(fā)光元件2是具有低驅(qū)動電壓、高發(fā)光效率等優(yōu)良特性的發(fā)光元件。

另外，由圖23可知，發(fā)光元件2具有良好的且基本等同于對比發(fā)光元件2的亮度-外部量子效率特性，從而發(fā)光元件2是發(fā)光效率非常高的發(fā)光元件。

另外，圖24示出使0.1mA的電流流過所制造的發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件2時的發(fā)射光譜。在圖24中，縱軸表示發(fā)光強度（任意單位），而橫軸表示波長（nm）。作為發(fā)光強度，示出以1為最大發(fā)光強度時的相對值。由圖24可知，發(fā)光元件2和對比發(fā)光元件2的光譜完全重疊，它們都發(fā)射起因于作為發(fā)光中心物質(zhì)的1,6mMemFLPAPrn的藍色光。

接著，將初期亮度設(shè)定為5000cd／m²，在固定電流密度的條件下驅(qū)動發(fā)光元件2及對比發(fā)光元件2，以測量隨驅(qū)動時間的亮度變化。圖25示出歸一化亮度-時間特性。由圖25可知，雖然使用CzPA的對比發(fā)光元件2為長使用壽命的發(fā)光元件，但是使用cgDBCzPA的發(fā)光元件2為其使用壽命比對比發(fā)光元件2更長的具有非常優(yōu)良的可靠性的元件。

另外，cgDBCzPA還具有如下優(yōu)點：與CzPA相比，蒸鍍的穩(wěn)定性高，而容易提供品質(zhì)穩(wěn)定的發(fā)光元件。

總之，根據(jù)本實施例也可知，通過使用cgDBCzPA，可以提供各種特性彼此配合得非常好的發(fā)光元件。

實施例4

在本實施例中，說明將二苯并[c,g]咔唑化合物7-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑（簡稱：cgDBCzPA，結(jié)構(gòu)式（100））用作使用發(fā)射藍色熒光的發(fā)光中心物質(zhì)的發(fā)光層的主體材料及電子傳輸層材料的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件是實施方式1所記載的發(fā)光元件。

另外，以下述結(jié)構(gòu)式（ⅰ）至（ⅵ）、結(jié)構(gòu)式（100）表示在本實施例中使用的有機化合物的分子結(jié)構(gòu)。元件結(jié)構(gòu)與圖1A類似。

〈發(fā)光元件3的制造〉

首先，準(zhǔn)備作為第一電極101形成有110nm厚的包含硅的銦錫氧化物（ITSO）的玻璃襯底。利用聚酰亞胺膜覆蓋ITSO表面，使得該ITSO表面以2mm平方的尺寸露出，電極面積為2mm×2mm。作為用來在該襯底上形成發(fā)光元件的預(yù)處理，利用水洗滌襯底表面，并在200℃的溫度下焙燒1小時，然后進行370秒的UV臭氧處理。此后，將襯底引入到其內(nèi)部被減壓到10^-4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，并且在真空蒸鍍裝置內(nèi)的加熱室中在170℃的溫度下進行30分鐘的真空焙燒，然后冷卻襯底30分鐘左右。

接著，以使形成有ITSO膜的表面朝下方的方式將襯底固定于設(shè)置在真空蒸鍍裝置內(nèi)的支架上。

在將真空裝置內(nèi)減壓到10^-4Pa后，將上述結(jié)構(gòu)式（ⅰ）所表示的9-苯基-3-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑(簡稱：PCzPA)和氧化鉬（Ⅵ）以滿足PCzPA：氧化鉬＝2：1（重量比）的方式共蒸鍍，以形成空穴注入層111。將空穴注入層111厚度設(shè)定為50nm。注意，共蒸鍍是指使多個不同的物質(zhì)分別從不同的蒸發(fā)源同時蒸發(fā)的蒸鍍法。

接著，通過蒸鍍10nm厚的PCzPA，形成空穴傳輸層112。

再者，通過在空穴傳輸層112上將上述結(jié)構(gòu)式（100）所表示的7-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑（簡稱：cgDBCzPA）和上述結(jié)構(gòu)式（ⅲ）所表示的N，N'-雙（3-甲基苯基）-N，N'-雙[3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-芘-1,6-二胺（簡稱：1,6mMemFLPAPrn）以滿足cgDBCzPA：1,6mMemFLPAPrn＝1：0.05（重量比）的方式共蒸鍍，以形成30nm的發(fā)光層113。

接著，蒸鍍10nm的上述結(jié)構(gòu)式（ⅵ）所示的三（8-羥基喹啉）鋁（Ⅲ）（簡稱：Alq），然后蒸鍍15nm的上述結(jié)構(gòu)式（ⅳ）所示的紅菲繞啉（簡稱：BPhen），形成電子傳輸層114。

再者，通過在電子傳輸層114上蒸鍍1nm的氟化鋰，形成電子注入層。最后，作為用作陰極的第二電極102將鋁形成為200nm，以完成發(fā)光元件3。在上述蒸鍍過程中，蒸鍍都使用電阻加熱法。

〈對比發(fā)光元件3的制造〉

關(guān)于除了發(fā)光層113以外的結(jié)構(gòu)，對比發(fā)光元件3與發(fā)光元件3同樣地形成。在對比發(fā)光元件3中，在形成空穴傳輸層112之后，將上述結(jié)構(gòu)式（ⅱ）所表示的9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（簡稱：CzPA）和上述結(jié)構(gòu)式（ⅲ）所表示的N，N'-雙（3-甲基苯基）-N，N'-雙[3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-芘-1,6-二胺（簡稱：1,6mMemFLPAPrn）以滿足CzPA：1,6mMemFLPAPrn＝1：0.05（重量比）的方式共蒸鍍，以形成30nm的發(fā)光層113。

關(guān)于除了發(fā)光層113以外的結(jié)構(gòu)，對比發(fā)光元件3的結(jié)構(gòu)與發(fā)光元件3類似，而省略重復(fù)記載，參照發(fā)光元件3的制造方法。

經(jīng)上述工序，完成對比發(fā)光元件3。

〈發(fā)光元件3及對比發(fā)光元件3的工作特性〉

在氮氣氛的手套箱中，以不使發(fā)光元件暴露于大氣的方式對通過上述步驟得到的發(fā)光元件3及對比發(fā)光元件3進行密封處理（將密封材料涂敷在元件的周圍，在密封時在80℃的溫度下進行1小時的熱處理），然后對這些發(fā)光元件的工作特性進行測量。另外，在室溫下（在保持于25℃的氣氛中）執(zhí)行測量。

關(guān)于發(fā)光元件3及對比發(fā)光元件3，圖26示出亮度-電流效率特性，圖27示出電壓-電流特性。在圖26中，縱軸表示電流效率（cd／A），橫軸表示亮度（cd／m²）。在圖27中，縱軸表示電流（mA），而橫軸表示電壓（V）。

由圖26可知，將以通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物的cgDBCzPA用作發(fā)射藍色熒光的發(fā)光元件的發(fā)光層中的主體材料及電子傳輸層中的電子傳輸材料的發(fā)光元件3具有等同于使用CzPA的對比發(fā)光元件3的亮度-電流效率特性，這表明發(fā)光元件3是具有高發(fā)光效率的發(fā)光元件。

由圖27可知，發(fā)光元件3具有非常優(yōu)越于對比發(fā)光元件3的電壓-電流特性，這表明發(fā)光元件3是低驅(qū)動電壓的發(fā)光元件。這意味著以通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物具有優(yōu)良的載流子傳輸性。

另外，圖28示出使0.1mA的電流流過所制造的發(fā)光元件3及對比發(fā)光元件3時的發(fā)射光譜。在圖28中，縱軸表示發(fā)光強度（任意單位），而橫軸表示波長（nm）。作為發(fā)光強度，示出以1為最大發(fā)光強度時的相對值。由圖28可知，發(fā)光元件3和對比發(fā)光元件3的光譜沒有大差異，它們都發(fā)射起因于作為發(fā)光中心物質(zhì)的1,6mMemFLPAPrn的藍色光。

另外，cgDBCzPA還具有如下優(yōu)點：與CzPA相比，蒸鍍的穩(wěn)定性高，而容易提供品質(zhì)穩(wěn)定的發(fā)光元件。

總之，根據(jù)本實施例也可知，通過使用cgDBCzPA，可以提供各種特性彼此配合得非常好的發(fā)光元件。

實施例5

在本實施例中，說明將二苯并[c,g]咔唑化合物7-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑（簡稱：cgDBCzPA，結(jié)構(gòu)式（100））用作使用發(fā)射藍色熒光的發(fā)光中心物質(zhì)的發(fā)光層的主體材料及電子傳輸層材料的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件是實施方式1所記載的發(fā)光元件。

另外，以下述結(jié)構(gòu)式（?。?、（ⅲ）、（ⅳ）、（ⅵ）至（ⅷ）、結(jié)構(gòu)式（100）表示在本實施例中使用的有機化合物的分子結(jié)構(gòu)。元件結(jié)構(gòu)與圖1A類似。

〈發(fā)光元件4的制造〉

首先，準(zhǔn)備作為第一電極101形成有110nm厚的包含硅的銦錫氧化物（ITSO）的玻璃襯底。利用聚酰亞胺膜覆蓋ITSO表面，使得該ITSO表面以2mm平方的尺寸露出，電極面積為2mm×2mm。作為用來在該襯底上形成發(fā)光元件的預(yù)處理，利用水洗滌襯底表面，并在200℃的溫度下焙燒1小時，然后進行370秒的UV臭氧處理。此后，將襯底引入到其內(nèi)部被減壓到10^-4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，并且在真空蒸鍍裝置內(nèi)的加熱室中在170℃的溫度下進行30分鐘的真空焙燒，然后冷卻襯底30分鐘左右。

接著，以使形成有ITSO膜的表面朝下方的方式將襯底固定于設(shè)置在真空蒸鍍裝置內(nèi)的支架上。

在將真空裝置內(nèi)減壓到10^-4Pa后，將上述結(jié)構(gòu)式（ⅰ）所表示的9-苯基-3-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑(簡稱：PCzPA)和氧化鉬（Ⅵ）以滿足PCzPA：氧化鉬＝2：1（重量比）的方式共蒸鍍，以形成空穴注入層111。將空穴注入層111厚度設(shè)定為50nm。注意，共蒸鍍是指使多個不同的物質(zhì)分別從不同的蒸發(fā)源同時蒸發(fā)的蒸鍍法。

接著，通過蒸鍍10nm厚的PCzPA，形成空穴傳輸層112。

再者，通過在空穴傳輸層112上將上述結(jié)構(gòu)式（100）所表示的7-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑（簡稱：cgDBCzPA）和上述結(jié)構(gòu)式（ⅲ）所表示的N，N'-雙（3-甲基苯基）-N，N'-雙[3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-芘-1,6-二胺（簡稱：1,6mMemFLPAPrn）以滿足cgDBCzPA：1,6mMemFLPAPrn＝1：0.03（重量比）的方式共蒸鍍，以形成25nm的發(fā)光層113。

接著，蒸鍍10nm的上述結(jié)構(gòu)式（ⅵ）所示的三（8-羥基喹啉）鋁（Ⅲ）（簡稱：Alq），然后蒸鍍15nm的上述結(jié)構(gòu)式（ⅳ）所示的紅菲繞啉（簡稱：BPhen），形成電子傳輸層114。

再者，通過在電子傳輸層114上蒸鍍1nm的氟化鋰，形成電子注入層。最后，作為用作陰極的第二電極102將鋁形成為200nm，以完成發(fā)光元件4。在上述蒸鍍過程中，蒸鍍都使用電阻加熱法。

〈對比發(fā)光元件4-1的制造〉

關(guān)于除了發(fā)光層113以外的結(jié)構(gòu)，對比發(fā)光元件4-1與發(fā)光元件4同樣地形成。在對比發(fā)光元件4-1中，在形成空穴傳輸層112之后，將上述結(jié)構(gòu)式（ⅶ）所表示的已知的蒽衍生物和上述結(jié)構(gòu)式（ⅲ）所表示的N，N'-雙（3-甲基苯基）-N，N'-雙[3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-芘-1,6-二胺（簡稱：1,6mMemFLPAPrn）以滿足蒽衍生物：1,6mMemFLPAPrn＝1：0.03（重量比）的方式共蒸鍍，以形成25nm的發(fā)光層113。

關(guān)于除了發(fā)光層113以外的結(jié)構(gòu)，對比發(fā)光元件4-1的結(jié)構(gòu)與發(fā)光元件4類似，而省略重復(fù)記載，參照發(fā)光元件4的制造方法。

經(jīng)上述工序，完成對比發(fā)光元件4-1。

〈對比發(fā)光元件4-2的制造〉

關(guān)于除了發(fā)光層113以外的結(jié)構(gòu)，對比發(fā)光元件4-2與發(fā)光元件4同樣地形成。在對比發(fā)光元件4-2中，在形成空穴傳輸層112之后，將上述結(jié)構(gòu)式（ⅷ）所表示的已知的蒽衍生物和上述結(jié)構(gòu)式（ⅲ）所表示的N，N'-雙（3-甲基苯基）-N，N'-雙[3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-芘-1,6-二胺（簡稱：1,6mMemFLPAPrn）以滿足蒽衍生物：1,6mMemFLPAPrn＝1：0.03（重量比）的方式共蒸鍍，以形成25nm的發(fā)光層113。

關(guān)于除了發(fā)光層113以外的結(jié)構(gòu)，對比發(fā)光元件4-2的結(jié)構(gòu)與發(fā)光元件4類似，而省略重復(fù)記載，參照發(fā)光元件4的制造方法。

經(jīng)上述工序，完成對比發(fā)光元件4-2。

〈發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2的工作特性〉

在氮氣氛的手套箱中，以不使發(fā)光元件暴露于大氣的方式對通過上述步驟得到的發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2進行密封處理（將密封材料涂敷在元件的周圍，在密封時在80℃的溫度下進行1小時的熱處理），然后對這些發(fā)光元件的工作特性進行測量。另外，在室溫下（在保持于25℃的氣氛中）執(zhí)行測量。

關(guān)于發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2，圖29示出電流密度-亮度特性，圖30示出亮度-電流效率特性，圖31示出電壓-電流特性，圖32示出亮度-功率效率特性，并且圖33示出電壓-亮度特性。在圖29中，縱軸表示亮度（cd／m²），橫軸表示電流密度（mA／cm²）。在圖30中，縱軸表示電流效率（cd／A），橫軸表示亮度（cd／m²）。在圖31中，縱軸表示電流（mA），而橫軸表示電壓（V）。在圖32中，縱軸表示功率效率（lm／W），而橫軸表示亮度（cd／m²）。在圖33中，縱軸表示亮度（cd／m²），而橫軸表示電壓（V）。

由圖29可知，發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2都具有基本同等的電流密度-亮度特性。另外，由圖30可知，發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2至少在作為應(yīng)用亮度的1000cd/m²以上的亮度上具有基本同等的亮度-電流效率特性。

由圖31可知，與對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2相比，發(fā)光元件4具有非常優(yōu)越的電壓-電流特性。這意味著cgDBCzPA具有優(yōu)越的載流子傳輸性。結(jié)果，由圖32可知，發(fā)光元件4具有非常優(yōu)良的亮度-功率效率特性。另外，由圖33可知，對比發(fā)光元件4-1及對比發(fā)光元件4-2的驅(qū)動電壓高，為了得到作為應(yīng)用亮度的1000cd/m²，發(fā)光元件4只需要3.3V左右的電壓，但是對比發(fā)光元件4-1及對比發(fā)光元件4-2需要4V以上的電壓。尤其是，對比發(fā)光元件4-1的驅(qū)動電壓高。

另外，圖34示出使0.1mA的電流流過所制造的發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2時的發(fā)射光譜。在圖34中，縱軸表示發(fā)光強度（任意單位），而橫軸表示波長（nm）。作為發(fā)光強度，示出以1為最大發(fā)光強度時的相對值。由圖34可知，發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2的光譜之間沒有大差異，它們都發(fā)射起因于作為發(fā)光中心物質(zhì)的1,6mMemFLPAPrn的藍色光。

接著，將初期亮度設(shè)定為5000cd／m²，在固定電流密度的條件下驅(qū)動發(fā)光元件4、對比發(fā)光元件4-1以及對比發(fā)光元件4-2，以測量隨驅(qū)動時間的亮度變化。圖35示出歸一化亮度-時間特性。由圖35可知，使用上述結(jié)構(gòu)式（ⅷ）所表示的物質(zhì)的對比發(fā)光元件4-2的使用壽命比其他元件短。另外，雖然表面上使用上述結(jié)構(gòu)式（ⅶ）所表示的物質(zhì)代替cgDBCzPA的對比發(fā)光元件4-1具有與發(fā)光元件4相等的使用壽命，其實對比發(fā)光元件4-1不僅顯示初期亮度上升還顯示在特定時間點后的退化率升高，所以其半衰期被估計為發(fā)光元件4的二分之一左右。

由此可知，對比發(fā)光元件4-1在驅(qū)動電壓方面有缺點，對比發(fā)光元件4-2在驅(qū)動電壓和使用壽命之雙方的方面有缺點，而難以得到各種特性彼此配合得好的元件。另一方面，得知通過使用cgDBCzPA，可以制造效率、驅(qū)動電壓以及使用壽命彼此配合得非常好的高性能發(fā)光元件。尤其是在驅(qū)動電壓方面優(yōu)越，而可以提供功率效率非常優(yōu)良的發(fā)光元件。

總之，通過使用cgDBCzPA，可以提供各種特性彼此配合得非常好的發(fā)光元件。

實施例6

在本實施例中，說明實施方式2所說明的以通式（G1）表示的二苯并[c,g]咔唑化合物之一的7-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑（簡稱：cgDBCzPA）的合成方法，該合成方法與與實施例1的合成方法不同。

直到7H-二苯并[c,g]咔唑的合成為止，與實施例1中的步驟1及步驟2同樣地合成。

〈步驟3：7-（4-溴苯基）-7H-二苯并[c,g]咔唑的合成〉

將5.0g(18mmol)7H-二苯并[c,g]咔唑、13g(47mol)4-溴碘代苯以及1.9g(20mmol)叔丁醇鈉加入200mL三口燒瓶中。利用氮氣取代燒瓶內(nèi)部的空氣，然后在該混合物中加入100mL三甲苯、0.90mL三叔丁基膦（10wt.%己烷溶液）。通過在進行減壓的同時攪拌該混合物，從而將該混合物脫氣。在脫氣后，將0.51g(0.90mmol)的雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)加入上述混合物中。在氮氣流下且在170℃的溫度下攪拌該混合物17小時。在攪拌后，對所得到的混合物添加20mL的水，用甲苯萃取該混合物的水層，將萃取溶液和有機層合并，用飽和鹽水洗滌。用硫酸鎂干燥有機層，干燥后將該混合物自然過濾。通過濃縮獲得的濾液，得到固體。將該固體溶解于大約30mL的加熱的甲苯中，并將該溶液通過硅藻土（日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼：531-16855）、礬土、硅酸鎂（日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼：540-00135）抽濾。濃縮所得到的濾液而得到固體，并利用甲苯／己烷使該固體重結(jié)晶，以38％的收率獲得2.9g目的物的淡黃色針狀結(jié)晶。以下示出步驟3的合成圖解(c-2)。

〈步驟4：7-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-7H-二苯并[c,g]咔唑（簡稱：cgDBCzPA）的合成〉

將1.7g(4.0mmol)7-（4-溴苯基）-7H-二苯并[c,g]咔唑和1.2g(4.0mmol)10-苯基蒽-9-硼酸加入200mL三口燒瓶中，利用氮氣取代燒瓶內(nèi)部的空氣。在該混合物中加入15mL甲苯、5.0mL乙醇和4.0mL碳酸鈉水溶液(2.0mol/L)。通過在對該混合物進行減壓的同時，攪拌該混合物，從而將該混合物脫氣。對該混合物添加0.23g(0.20mmol)四(三苯基膦)合鈀(0)，在氮氣氣流且在90℃的溫度下攪拌10小時，而析出固體。通過進行抽濾，回收所析出的固體。將回收的固體溶解于大約50mL的加熱的甲苯中，并將該溶液通過硅藻土（日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼：531-16855）、礬土、硅酸鎂（日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼：540-00135）抽濾。通過濃縮所得到的濾液，得到固體。利用甲苯／己烷清洗該固體，以55％的收率獲得1.3g目的物的淡黃色粉末。以下示出步驟4的合成圖解（d-2）。

通過利用梯度升華方法對所獲得的1.3g淡黃色粉末狀固體進行升華純化。升華純化條件如下：壓力為3.6Pa；氬氣流量為5.0mL／min；加熱溫度為300℃。在進行升華純化之后，以86%的收率得到1.1g cgDBCzPA的淡黃色固體。

參考例1

在本參考例中，說明用于上述實施例的N，N'-雙（3-甲基苯基）-N，N'-雙[3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-芘-1,6-二胺（簡稱：1,6mMemFLPAPrn）的合成方法。

〈步驟1：3-甲基苯基-3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基胺（簡稱：mMemFLPA）的合成〉

在200mL的三口燒瓶中放入3.2g（8.1mmol）的9-（3-溴苯基）-9-苯基芴、2.3g（24.1mmol）的叔丁醇鈉，并使用氮置換燒瓶內(nèi)部的空氣。對該混合物添加40.0mL的甲苯、0.9mL（8.3mmol）的間-甲苯胺及0.2mL的三（叔丁基）膦的10％己烷溶液。將該混合物設(shè)定為60℃，添加44.5mg（0.1mmol）的雙（二亞芐基丙酮）鈀（0），將該混合物設(shè)定為80℃，并攪拌2.0小時。在攪拌之后，經(jīng)過硅酸鎂（日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼：540-00135）、硅藻土（日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼：531-16855）、礬土進行抽濾，獲得濾液。將濾液濃縮得到固體，然后通過硅膠柱層析法對該固體進行純化（展開溶劑的己烷與甲苯的比例為1：1），并使用甲苯和己烷的混合溶劑使該固體重結(jié)晶，從而以82％的收率獲得2.8g的白色固體。以下示出該步驟1的合成圖解。

〈步驟2：N,N'-雙（3-甲基苯基）-N,N'-雙[3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-芘-1,6-二胺（簡稱：1，6mMemFLPAPrn）的合成〉

在100mL的三口燒瓶中放入0.6g（1.7mmol）的1,6-二溴芘、1.4g（3.4mmol）的3-甲基苯基-3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基胺及0.5g（5.1mmol）的叔丁醇鈉，使用氮置換燒瓶中的空氣。對該混合物中添加21.0mL的甲苯及0.2mL的三（叔丁基）膦的10％己烷溶液。將該混合物溫度設(shè)定為60℃，對該混合物中添加34.9mg（0.1mmol）的雙（二亞芐基丙酮）鈀（0），將該混合物溫度升高到80℃，然后攪拌3.0小時。在攪拌之后，在該混合物中添加400mL的甲苯并進行加熱。在將該混合物保持為熱的狀態(tài)時，使該混合物通過硅酸鎂（日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼：540-00135）、硅藻土（日本和光純藥工業(yè)株式會社、目錄號碼：531-16855）和礬土進行抽濾，來獲得濾液。將所得到的濾液濃縮獲得固體，然后通過硅膠柱層析法對該固體進行純化（展開溶劑的己烷與甲苯的比例為3：2）來獲得黃色固體。使用甲苯和己烷的混合溶劑使所得到的黃色固體重結(jié)晶，從而以67％的收率獲得1.2g的黃色固體。

通過梯度升華法，對1.0g的所得到的黃色固體升華純化。在升華純化中，在壓力為2.2Pa且氬流量為5.0mL/min的條件下在317℃下加熱黃色固體。在進行升華純化之后，以93％的收率獲得1.0g的目的物的黃色固體。以下示出上述步驟2的合成圖解。

通過核磁諧振法（NMR），確認到上述化合物是目的物的N，N'-雙（3-甲基苯基）-N，N'-雙[3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-芘-1,6-二胺（簡稱：1,6mMemFLPAPrn）。

以下示出所得到的化合物的¹H NMR數(shù)據(jù)。¹H NMR（CDCl₃，300MHz）：δ=2.21（s，6H）、6.67（d，J=7.2Hz，2H）、6.74（d，J=7.2Hz，2H）、7.17-7.23（m，34H）、7.62（d，J=7.8Hz，4H）、7.74（d，J=7.8Hz，2H）、7.86（d，J=9.0Hz，2H）、8.04（d，J=8.7Hz，4H）。

參考例2

以下，示出在上述實施例中使用的3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(簡稱:PCPPn)的合成實例。

〈步驟1：4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基硼酸的合成〉

將3-（4-溴苯基）-9-苯基-9H-咔唑8.0g（20mmol）放在300mL三口燒瓶中，并用氮氣置換燒瓶中的氣氛。然后，加入100mL脫水四氫呋喃(簡稱：THF)，將溫度設(shè)定為-78℃。在上述混合液中滴加1.65mol/L的正丁基鋰己烷溶液15mL（24mmol），并攪拌2小時。對上述混合物加入硼酸三甲酯3.4mL（30mmol），在-78℃的溫度下攪拌2小時，并在室溫下攪拌18小時。反應(yīng)后，在該反應(yīng)溶液中直到使該溶液成為酸性為止加入1M稀鹽酸，并攪拌7小時。用乙酸乙酯進行萃取，用飽和鹽水洗滌所得到的有機層。在洗滌后，對有機層加入硫酸鎂，以吸附水分。過濾該懸浮液，將所得到的濾液濃縮，添加己烷并施加超聲波，然后進行重結(jié)晶，以6.4g的收獲量和88%的收獲率得到目的物的白色粉末。以下示出上述步驟1的反應(yīng)圖解。

目的物的Rf值為0（原點），而3-(4-溴苯基)-9-苯基-9H-咔唑的Rf值為0.53，這些測量值是通過硅膠薄層層析(TLC)測得的(展開溶劑為乙酸乙酯：己烷=1:10)。另外，在使用乙酸乙酯作為展開溶劑進行硅膠薄層層析(TLC)時，目的物的Rf值為0.72，而3-(4-溴苯基)-9-苯基-9H-咔唑的Rf值為0.93。

〈步驟2：3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(簡稱:PCPPn)的合成〉

將9-苯基-9H-咔唑-3-基-苯基-4-硼酸1.5g（5.0mmol）、9-溴菲3.2g（11mmol）、醋酸鈀（Ⅱ）11mg（0.1mmol）、三(鄰-甲苯基)膦30mg（0.1mmol）、甲苯30mL、乙醇3mL以及2mol/L的碳酸鉀水溶液5mL放在200mL三口燒瓶中。邊在減壓下攪拌該混合物邊進行脫氣，然后，在氮氣氛下以90℃進行6小時的加熱攪拌，以引起反應(yīng)。

反應(yīng)之后，將甲苯200mL加入到該反應(yīng)混合液中，并將該混合液的有機層通過硅酸鎂、礬土以及硅藻土過濾。用水洗滌所得到的濾液，并加入硫酸鎂，以吸附水分。過濾該懸浮液，以得到濾液。將所得到的濾液濃縮，然后采用硅膠柱層析進行純化。此時，作為硅膠柱層析的展開溶劑，使用甲苯和己烷的混合溶劑（甲苯：己烷=1:4)。在濃縮所得到的餾分，添加丙酮和甲醇并施加超聲波后，進行重結(jié)晶，以2.2g的收獲量和75%的收獲率得到目的物的PCPPn的白色粉末。以下示出步驟2的反應(yīng)圖解。

目的物的Rf值為0.33，而9-溴菲的Rf值為0.70，這些測量值是通過硅膠薄層層析(TLC)測得的(展開溶劑為乙酸乙酯：己烷=1:10)。

另外，通過核磁共振測量（NMR），測定所得到的化合物。根據(jù)測定結(jié)果，確認得到了PCPPn。以下示出測定數(shù)據(jù)。

¹HNMR(CDCl₃,300MHz):δ(ppm)=7.30-7.35(m,11H),7.43-7.78(m,16H),7.86-7.93(m,3H),8.01(dd,J＝0.9Hz,7.8Hz,1H),8.23(d,J＝7.8Hz,1H),8.47(d,J＝1.5Hz,1H),8.74(d,J＝8.1Hz,1H),8.80(d,J＝7.8Hz,1H)。

符號說明

101 第一電極

102 第二電極

103 EL層

111 空穴注入層

112 空穴傳輸層

113 發(fā)光層

114 電子傳輸層

115 電子注入層

400 襯底

401 第一電極

402 輔助電極

403 EL層

404 第二電極

405 密封材料

406 密封材料

407 密封襯底

408 空間

412 襯墊

420 IC芯片

501 第一電極

502 第二電極

511 第一發(fā)光單元

512 第二發(fā)光單元

513 電荷產(chǎn)生層

601 驅(qū)動電路部（源極線驅(qū)動電路）

602 像素部

603 驅(qū)動電路部（柵極線驅(qū)動電路）

604 密封襯底

605 密封材料

607 空間

608 布線

609 FPC（柔性印刷電路）

610 元件襯底

611 開關(guān)TFT

612 電流控制TFT

613 第一電極

614 絕緣物

616 EL層

617 第二電極

618 發(fā)光元件

623 n溝道型TFT

624 p溝道型TFT

901 框體

902 液晶層

903 背光燈

904 框體

905 驅(qū)動器IC

906 端子

951 襯底

952 電極

953 絕緣層

954 隔斷層

955 EL層

956 電極

1201 源電極

1202 激活層

1203 漏電極

1204 柵電極

2001 框體

2002 光源

3001 照明裝置

5000 顯示區(qū)域

5001 顯示區(qū)域

5002 顯示區(qū)域

5003 顯示區(qū)域

5004 顯示區(qū)域

5005 顯示區(qū)域

7101 框體

7103 顯示部

7105 支架

7107 顯示部

7109 操作鍵

7110 遙控器

7201 主體

7202 框體

7203 顯示部

7204 鍵盤

7205 外部連接端口

7206 定位裝置

7301 框體

7302 框體

7303 聯(lián)結(jié)部

7304 顯示部

7305 顯示部

7306 揚聲器部

7307 記錄媒體插入部

7308 LED燈

7309 操作鍵

7310 連接端子

7311 傳感器

7401 框體

7402 顯示部

7403 操作按鈕

7404 外部連接端口

7405 揚聲器

7406 麥克風(fēng)

7400 移動電話。

本申請基于在2011年7月22日向日本專利局提交提交的日本專利申請No.2011-161161號，將其全部內(nèi)容通過應(yīng)用并入本文。