本發(fā)明涉及半導(dǎo)體
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其是涉及一種有機(jī)化合物及其在有機(jī)電致發(fā)光器件上的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：有機(jī)電致發(fā)光(oled:organiclightemissiondiodes)器件技術(shù)既可以用來(lái)制造新型顯示產(chǎn)品，也可以用于制作新型照明產(chǎn)品，有望替代現(xiàn)有的液晶顯示和熒光燈照明，應(yīng)用前景十分廣泛。oled發(fā)光器件猶如三明治的結(jié)構(gòu)，包括電極材料膜層以及夾在不同電極膜層之間的有機(jī)功能材料，各種不同功能材料根據(jù)用途相互疊加在一起共同組成oled發(fā)光器件。oled發(fā)光器件作為電流器件，當(dāng)對(duì)其兩端電極施加電壓，并通過(guò)電場(chǎng)作用有機(jī)層功能材料膜層中的正負(fù)電荷時(shí)，正負(fù)電荷進(jìn)一步在發(fā)光層中復(fù)合，即產(chǎn)生oled電致發(fā)光。當(dāng)前，oled顯示技術(shù)已經(jīng)在智能手機(jī)，平板電腦等領(lǐng)域獲得應(yīng)用，進(jìn)一步還將向電視等大尺寸應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展，但是，和實(shí)際的產(chǎn)品應(yīng)用要求相比，oled器件的發(fā)光效率和使用壽命等性能還需要進(jìn)一步提升。目前對(duì)oled發(fā)光器件提高性能的研究包括：降低器件的驅(qū)動(dòng)電壓、提高器件的發(fā)光效率、提高器件的使用壽命等。為了實(shí)現(xiàn)oled器件的性能的不斷提升，不但需要從oled器件結(jié)構(gòu)和制作工藝的創(chuàng)新，更需要oled光電功能材料不斷研究和創(chuàng)新，創(chuàng)制出更高性能的oled功能材料。應(yīng)用于oled器件的oled光電功能材料從用途上可劃分為兩大類(lèi)，分別為電荷注入傳輸材料和發(fā)光材料。進(jìn)一步，還可將電荷注入傳輸材料分為電子注入傳輸材料、電子阻擋材料、空穴注入傳輸材料和空穴阻擋材料，還可以將發(fā)光材料分為主體發(fā)光材料和摻雜材料。為了制作高性能的oled發(fā)光器件，要求各種有機(jī)功能材料具備良好的光電性能，譬如，作為電荷傳輸材料，要求具有良好的載流子遷移率，高玻璃化轉(zhuǎn)化溫度等，作為發(fā)光層的主體材料具有良好雙極性，適當(dāng)?shù)膆omo/lumo能階等。構(gòu)成oled器件的oled光電功能材料膜層至少包括兩層以上結(jié)構(gòu)，產(chǎn)業(yè)上應(yīng)用的oled器件結(jié)構(gòu)則包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等多種膜層，也就是說(shuō)應(yīng)用于oled器件的光電功能材料至少包括空穴注入材料、空穴傳輸材料、發(fā)光材料、電子傳輸材料等，材料類(lèi)型和搭配形式具有豐富性和多樣性的特點(diǎn)。另外，對(duì)于不同結(jié)構(gòu)的oled器件搭配而言，所使用的光電功能材料具有較強(qiáng)的選擇性，相同的材料在不同結(jié)構(gòu)器件中的性能表現(xiàn)也可能完全迥異。因此，針對(duì)當(dāng)前oled器件的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用要求以及oled器件的不同功能膜層，器件的光電特性需求，必須選擇更適合、性能更高的oled功能材料或材料組合，才能實(shí)現(xiàn)器件的高效率、長(zhǎng)壽命和低電壓的綜合特性。就當(dāng)前的oled顯示照明產(chǎn)業(yè)的實(shí)際需求而言，目前oled材料的發(fā)展還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，落后于面板制造企業(yè)的要求，作為材料企業(yè)開(kāi)發(fā)更高性能的有機(jī)功能材料顯得尤為重要。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，本申請(qǐng)人提供了一種有機(jī)化合物及其在有機(jī)電致發(fā)光器件上的應(yīng)用。本發(fā)明化合物具有較高的玻璃化溫度和分子熱穩(wěn)定性，合適的homo和lumo能級(jí)，較高eg，通過(guò)器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，可有效提升oled器件的光電性能以及oled器件的壽命。本發(fā)明的技術(shù)方案如下：本申請(qǐng)人提供了一種以二聯(lián)二苯并五元雜環(huán)為骨架的有機(jī)化合物，所述有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)如通式(1)所示：通式(1)中，x1和x2分別獨(dú)立地表示為氧原子、硫原子、或n-r3，其中r3表示為烷基取代或者未取代的苯基、烷基取代或者未取代的二聯(lián)苯基、或烷基取代或者未取代的萘基；r1和r2分別獨(dú)立地表示為苯基、二聯(lián)苯或萘基，r1和r2還可以分別獨(dú)立地表示為單鍵；ar1和ar2分別獨(dú)立地表示為通式(2)、通式(3)或通式(4)的結(jié)構(gòu)：優(yōu)選的，所述以二聯(lián)二苯并五元雜環(huán)為骨架的有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)如通式(5)所示：優(yōu)選的，所述以二聯(lián)二苯并五元雜環(huán)為骨架的有機(jī)化合物的具體結(jié)構(gòu)式為：中的任一項(xiàng)。所述以二聯(lián)二苯并五元雜環(huán)為骨架的有機(jī)化合物的制備過(guò)程中發(fā)生的反應(yīng)方程式為：反應(yīng)a：具體制備方法為：稱(chēng)取中間體1、中間體2和中間體3用甲苯溶解，再加入pd2(dba)3和叔丁醇鈉；在惰性氣氛下，將上述反應(yīng)物的混合溶液于反應(yīng)溫度90～110℃下反應(yīng)10～24小時(shí)，冷卻、過(guò)濾反應(yīng)溶液，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)產(chǎn)物；所述中間體1與中間體2的摩爾比為1:1.0～1.5；中間體1與中間體3的摩爾比為1:1.0～1.5；pd2(dba)3與中間體1的摩爾比為0.006～0.02:1，叔丁醇鈉與中間體1的摩爾比為2.0～3.0:1；或者反應(yīng)b：將中間體4、中間體5和中間體6溶解于甲苯和乙醇的混合溶液中，除氧后加入pd(pph3)4和k2co3，在惰性氣氛下95～110℃反應(yīng)10～24小時(shí)，反應(yīng)過(guò)程中不斷用tlc監(jiān)測(cè)反應(yīng)進(jìn)程，待原料反應(yīng)完全后，冷卻、過(guò)濾，將濾液旋蒸除去溶劑，粗產(chǎn)品過(guò)硅膠柱，得到目標(biāo)化合物；所述中間體5與中間體4的摩爾比為1.0～2.5:1，中間體6與中間體4的摩爾比為1.0～2.5:1，pd(pph3)4與中間體4的摩爾比為0.01～0.03:1，k2co3與中間體4的摩爾比為2.5～4:1。本申請(qǐng)人還提供了一種所述的以二聯(lián)二苯并五元雜環(huán)為骨架的有機(jī)化合物用于制備有機(jī)電致發(fā)光器件的應(yīng)用方法。本申請(qǐng)人還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括至少一層功能層含有所述的以二聯(lián)二苯并五元雜環(huán)為骨架的有機(jī)化合物。本申請(qǐng)人還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括電子阻擋層，所述電子阻擋層材料為所述的以二聯(lián)二苯并五元雜環(huán)為骨架的有機(jī)化合物。本申請(qǐng)人還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括發(fā)光層，所述發(fā)光層含有所述的以二聯(lián)二苯并五元雜環(huán)為骨架的有機(jī)化合物。本發(fā)明有益的技術(shù)效果在于：本發(fā)明的有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)使得電子和空穴在發(fā)光層的分布更加平衡，在恰當(dāng)?shù)膆omo能級(jí)下，提升了空穴注入和傳輸性能；在合適的lumo能級(jí)下，又起到了電子阻擋的作用，提升激子在發(fā)光層中的復(fù)合效率；作為oled發(fā)光器件的發(fā)光功能層材料使用時(shí)，本發(fā)明分子可有效提高激子利用率和高熒光輻射效率，降低高電流密度下的效率滾降，降低器件電壓，提高器件的電流效率和壽命。本發(fā)明化合物均以二聯(lián)二苯并五元雜環(huán)為骨架，碳碳鍵連接既提高了材料穩(wěn)定性又避免了支鏈基團(tuán)活潑位置裸露；此類(lèi)化合物是一個(gè)大π鍵共軛的剛性結(jié)構(gòu)，空間位阻大，不易轉(zhuǎn)動(dòng)，使得本發(fā)明化合物材料的立體結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定；同時(shí)，大π鍵共軛能夠分散分子上電子云，電子云密度降低，使得分子的電化學(xué)穩(wěn)定性提高，器件壽命得到提高。本發(fā)明化合物作為oled的電子阻擋層材料使用時(shí)，高t1能級(jí)能夠有效地阻擋能量從發(fā)光層向空穴傳輸層傳遞，減少了能量損失，使發(fā)光層主體材料能量充分傳遞至摻雜材料，從而提升材料應(yīng)用于器件后的發(fā)光效率。本發(fā)明的有機(jī)化合物在oled器件應(yīng)用時(shí)，通過(guò)器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，可保持高的膜層穩(wěn)定性，可有效提升oled器件的光電性能以及oled器件的壽命。本發(fā)明所述化合物在oled發(fā)光器件中具有良好的應(yīng)用效果和產(chǎn)業(yè)化前景。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明所列舉的材料應(yīng)用于oled器件的結(jié)構(gòu)示意圖；其中，1、透明基板層，2、ito陽(yáng)極層，3、空穴注入層，4、空穴傳輸層5、電子阻擋層，6、發(fā)光層，7、空穴阻擋/電子傳輸層，8、電子注入層，9、陰極反射電極層。具體實(shí)施方式實(shí)施例1：化合物3的合成250ml的三口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障?，加?.02mol的原料i，0.015molcu粉，再加入150ml無(wú)水dmf，100℃加熱24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全。自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到中間體i；在250ml的三口瓶中，通氮?dú)獗Ｗo(hù)下，加入0.008mol中間體i、0.02mol吖啶甲苯，攪拌混合，再加入0.03mol叔丁醇鈉、0.002molpd2(dba)3、0.002mol三叔丁基膦，攪拌加熱至115℃，回流反應(yīng)24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，顯示無(wú)中間體i剩余，反應(yīng)完全；自然冷卻至室溫，過(guò)濾，濾液減壓旋蒸至無(wú)餾分，過(guò)中性硅膠柱，得到化合物3，hplc純度99.1％，收率65.9％；元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c54h40n2o2)：理論值c,86.60；h,5.38；n,3.74；測(cè)試值：c,86.68；h,5.35；n,3.76。esi-ms(m/z)(m+)：理論值為748.91，實(shí)測(cè)值為748.36。實(shí)施例2：化合物7的合成250ml的三口瓶，在通入氮?dú)獾臍夥障拢尤?.02mol的原料i，0.015molcu粉，再加入150ml無(wú)水dmf，100℃加熱24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，反應(yīng)完全。自然冷卻，過(guò)濾，濾液旋蒸，過(guò)硅膠柱，得到中間體ii；在250ml的三口瓶中，通氮?dú)獗Ｗo(hù)下，加入0.008mol中間體ii、0.02mol吩惡嗪，攪拌混合，再加入0.03mol叔丁醇鈉、0.002molpd2(dba)3、0.002mol三叔丁基膦，攪拌加熱至115℃，回流反應(yīng)24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，顯示無(wú)中間體ii剩余，反應(yīng)完全；自然冷卻至室溫，過(guò)濾，濾液減壓旋蒸至無(wú)餾分，過(guò)中性硅膠柱，得到化合物7，hplc純度99.1％，收率65.9％；元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c54h40n2o2)：理論值c,86.60；h,5.38；n,3.74；測(cè)試值：c,86.68；h,5.35；n,3.76。esi-ms(m/z)(m+)：理論值為748.31，實(shí)測(cè)值為748.76。實(shí)施例3：化合物9的合成化合物9的合成步驟與化合物7相似，只是把吩惡嗪換成了吖啶；元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c60h52n2)：理論值c,89.96；h,6.54；n,3.50；測(cè)試值：c,89.91；h,6.56；n,3.56。esi-ms(m/z)(m+)：理論值為801.07，實(shí)測(cè)值為801.14。實(shí)施例4：化合物14的合成在250ml的三口瓶中，通氮?dú)獗Ｗo(hù)下，加入0.008mol中間體ii、0.01mol吩惡嗪和0.01mol吖啶，攪拌混合，再加入0.03mol叔丁醇鈉、0.002molpd2(dba)3、0.002mol三叔丁基膦，攪拌加熱至115℃，回流反應(yīng)24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，顯示無(wú)中間體ii剩余，反應(yīng)完全；自然冷卻至室溫，過(guò)濾，濾液減壓旋蒸至無(wú)餾分，過(guò)中性硅膠柱，得到化合物14，hplc純度99.3％，收率64.2％；元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c57h46n2o)：理論值c,88.34；h,5.98；n,3.61；測(cè)試值：c,88.28；h,6.01；n,3.66。esi-ms(m/z)(m+)：理論值為774.99，實(shí)測(cè)值為774.54。實(shí)施例5：化合物21的合成在250ml的三口瓶中，通氮?dú)獗Ｗo(hù)下，加入0.03mol吩惡嗪、0.036mol1,4-二溴苯、150ml甲苯，攪拌混合，再加入0.09mol叔丁醇鈉、0.002molpd2(dba)3，攪拌加熱至115℃，回流反應(yīng)24小時(shí)；自然冷卻至室溫，過(guò)濾，濾液減壓旋蒸至無(wú)餾分，過(guò)中性硅膠柱，得到中間體iii；在250ml的三口瓶中，通氮?dú)獗Ｗo(hù)下，依次加入0.02mol中間體iii、0.025mol聯(lián)硼酸頻那醇酯、0.04mol碳酸鉀、0.002molpd(pph3)4、100/30ml甲苯/乙醇混合液，攪拌混合，加熱至80℃，反應(yīng)24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，顯示無(wú)中間體iii剩余，反應(yīng)完全；自然冷卻至室溫，加水后有固體析出，過(guò)濾，取濾餅用真空干燥箱烘干，然后過(guò)中性硅膠柱，得到中間體iv；在250ml的三口瓶中，通氮?dú)獗Ｗo(hù)下，加入0.01mol中間體ii，0.022mol中間體iv，150ml甲苯/50ml乙醇攪拌混合，然后加入20ml碳酸鉀水溶液(2m)，1×10-4molpd(pph3)4，加熱至105℃，回流反應(yīng)24小時(shí)，取樣點(diǎn)板，顯示無(wú)原料剩余，反應(yīng)完全；自然冷卻至室溫，過(guò)濾，濾液進(jìn)行減壓旋蒸(-0.09mpa，85℃)，過(guò)中性硅膠柱，得到化合物21，hplc純度99.3％，收率65.8％；元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c66h48n2o2)：理論值c,87.97；h,5.37；n,3.11；測(cè)試值：c,87.95；h,6.39；n,3.13。esi-ms(m/z)(m+)：理論值為901.10，實(shí)測(cè)值為901.17。實(shí)施例6：化合物23的合成化合物23的合成步驟與化合物21相似，只是把吩惡嗪換成了吖啶；元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c72h60n2)：理論值c,90.72；h,6.34；n,2.94；測(cè)試值：c,90.78；h,6.31；n,2.95。esi-ms(m/z)(m+)：理論值為953.26，實(shí)測(cè)值為953.31。實(shí)施例7：化合物26的合成化合物26的合成步驟與化合物23相似，只是把對(duì)二溴苯換成了間二溴苯；元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c72h60n2)：理論值c,90.72；h,6.34；n,2.94；測(cè)試值：c,90.78；h,6.31；n,2.95。esi-ms(m/z)(m+)：理論值為953.26，實(shí)測(cè)值為953.31。實(shí)施例8：化合物35的合成化合物35的合成步驟與化合物23相似，只是把對(duì)二溴苯換成了鄰二溴苯；元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c72h60n2)：理論值c,90.72；h,6.34；n,2.94；測(cè)試值：c,90.75；h,6.33；n,2.96。esi-ms(m/z)(m+)：理論值為953.26，實(shí)測(cè)值為953.56。實(shí)施例9：化合物45的合成化合物35的合成步驟與化合物23相似，只是把對(duì)二溴苯換成了鄰二溴苯；元素分析結(jié)構(gòu)(分子式c84h68n2)：理論值c,91.27；h,6.20；n,2.53；測(cè)試值：c,91.22；h,6.30；n,2.46。esi-ms(m/z)(m+)：理論值為1105.45，實(shí)測(cè)值為1105.36。本發(fā)明的有機(jī)化合物在發(fā)光器件中使用，可以作為電子阻擋層材料，也可以作為發(fā)光層主客體材料使用。對(duì)本發(fā)明化合物3、7、9、14、21、23、26、35和45分別進(jìn)行熱性能、homo能級(jí)的測(cè)試，檢測(cè)結(jié)果如表1所示。表1注：玻璃化溫度tg由示差掃描量熱法(dsc，德國(guó)耐馳公司dsc204f1示差掃描量熱儀)測(cè)定，升溫速率10℃/min；熱失重溫度td是在氮?dú)鈿夥罩惺е?％的溫度，在日本島津公司的tga-50h熱重分析儀上進(jìn)行測(cè)定，氮?dú)饬髁繛?0ml/min；最高占據(jù)分子軌道homo能級(jí)是由電離能量測(cè)試系統(tǒng)(ips3)測(cè)試，測(cè)試為大氣環(huán)境。由上表數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明的有機(jī)化合物具有不同的homo能級(jí)，可應(yīng)用于不同的功能層，本發(fā)明化合物具有較高的熱穩(wěn)定性，使得所制作的含有本發(fā)明有機(jī)化合物的oled器件壽命提升。以下通過(guò)器件實(shí)施例1～9和比較例1詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明合成的oled材料在器件中的應(yīng)用效果。器件實(shí)施例1：如圖1所示，一種電致發(fā)光器件，其制備步驟包括：a)清洗透明基板層1上的ito陽(yáng)極層2，分別用去離子水、丙酮、乙醇超聲清洗各15分鐘，然后在等離子體清洗器中處理2分鐘；b)在ito陽(yáng)極層2上，通過(guò)真空蒸鍍方式蒸鍍空穴注入層材料hat-cn，厚度為10nm，這層作為空穴注入層3；c)在空穴注入層3上，通過(guò)真空蒸鍍方式蒸鍍空穴傳輸材料npb，厚度為60nm，該層為空穴傳輸層4；d)在空穴傳輸層4上，通過(guò)真空蒸鍍方式蒸鍍電子阻擋層材料npb，厚度為20nm，該層為電子阻擋層5；e)在電子阻擋層5之上蒸鍍發(fā)光層6，使用本發(fā)明化合物3作為主體材料，ir(ppy)3作為摻雜材料，ir(ppy)3和化合物3的質(zhì)量比為10:90，厚度為30nm；f)在發(fā)光層6之上，通過(guò)真空蒸鍍方式蒸鍍電子傳輸材料tpbi，厚度為40nm，這層有機(jī)材料作為空穴阻擋/電子傳輸層7使用；g)在空穴阻擋/電子傳輸層7之上，真空蒸鍍電子注入層lif，厚度為1nm，該層為電子注入層8；h)在電子注入層8之上，真空蒸鍍陰極al(100nm)，該層為陰極反射電極層9；按照上述步驟完成電致發(fā)光器件的制作后，測(cè)量器件的電流效率和壽命，其結(jié)果見(jiàn)表2所示。相關(guān)材料的分子結(jié)構(gòu)式如下所示：器件實(shí)施例2本實(shí)施例與器件實(shí)施例1的不同之處在于：電致發(fā)光器件的電子阻擋層材料為本發(fā)明化合物7，電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料為cbp，摻雜材料為ir(ppy)3，ir(ppy)3和cbp的質(zhì)量比為10:90，所得電致發(fā)光器件的檢測(cè)數(shù)據(jù)見(jiàn)表2所示。器件實(shí)施例3本實(shí)施例與器件實(shí)施例1的不同之處在于：電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料變?yōu)楸景l(fā)明化合物9，摻雜材料為ir(ppy)3，ir(ppy)3和化合物9的質(zhì)量比為10:90，所得電致發(fā)光器件的檢測(cè)數(shù)據(jù)見(jiàn)表2所示。器件實(shí)施例4本實(shí)施例與器件實(shí)施例1的不同之處在于：電致發(fā)光器件的電子阻擋層材料為本發(fā)明化合物14，電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料為cbp，摻雜材料為ir(ppy)3，ir(ppy)3和cbp的質(zhì)量比為10:90，所得電致發(fā)光器件的檢測(cè)數(shù)據(jù)見(jiàn)表2所示。器件實(shí)施例5本實(shí)施例與器件實(shí)施例1的不同之處在于：電致發(fā)光器件的電子阻擋層材料為本發(fā)明化合物21，電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料為cbp，摻雜材料為ir(ppy)3，ir(ppy)3和cbp的質(zhì)量比為10:90，所得電致發(fā)光器件的檢測(cè)數(shù)據(jù)見(jiàn)表2所示。器件實(shí)施例6本實(shí)施例與器件實(shí)施例1的不同之處在于：電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料變?yōu)楸景l(fā)明化合物23，摻雜材料為ir(ppy)3，ir(ppy)3和化合物23的質(zhì)量比為10:90，所得電致發(fā)光器件的檢測(cè)數(shù)據(jù)見(jiàn)表2所示。器件實(shí)施例7本實(shí)施例與器件實(shí)施例1的不同之處在于：電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料變?yōu)楸景l(fā)明化合物26，摻雜材料為ir(ppy)3，ir(ppy)3和化合物26的質(zhì)量比為10:90，所得電致發(fā)光器件的檢測(cè)數(shù)據(jù)見(jiàn)表2所示。器件實(shí)施例8本實(shí)施例與器件實(shí)施例1的不同之處在于：電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料變?yōu)楸景l(fā)明化合物35，摻雜材料為ir(ppy)3，ir(ppy)3和化合物35的質(zhì)量比為10:90，所得電致發(fā)光器件的檢測(cè)數(shù)據(jù)見(jiàn)表2所示。器件實(shí)施例9本實(shí)施例與器件實(shí)施例1的不同之處在于：電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料變?yōu)楸景l(fā)明化合物45，摻雜材料為ir(ppy)3，ir(ppy)3和化合物45的質(zhì)量比為10:90，所得電致發(fā)光器件的檢測(cè)數(shù)據(jù)見(jiàn)表2所示。器件比較例1本實(shí)施例與器件實(shí)施例1的不同之處在于：電致發(fā)光器件的電子阻擋層材料為npb，電致發(fā)光器件的發(fā)光層主體材料變?yōu)楣衔颿bp，摻雜材料為ir(ppy)3，ir(ppy)3和cbp的質(zhì)量比為10:90，所得電致發(fā)光器件的檢測(cè)數(shù)據(jù)見(jiàn)表2所示。表2編號(hào)電流效率(cd/a)色彩lt95壽命(hr)@5000nits器件實(shí)施例139.3綠光13.2器件實(shí)施例236.4綠光12.3器件實(shí)施例342.2綠光12.6器件實(shí)施例436.5綠光11.5器件實(shí)施例544.7綠光13.8器件實(shí)施例642.4綠光13.1器件實(shí)施例745.3綠光14.2器件實(shí)施例839.7綠光13.5器件實(shí)施例940.5綠光14.1器件比較例128綠光2.5注：壽命測(cè)試系統(tǒng)為本發(fā)明所有權(quán)人與上海大學(xué)共同研究的oled器件壽命測(cè)試儀。由表2的結(jié)果可以看出本發(fā)明所述化合物可應(yīng)用于oled發(fā)光器件制作，并且與器件比較例1相比，無(wú)論是效率還是壽命均比已知oled材料獲得較大改觀，特別是器件的壽命衰減獲得較大的提升。進(jìn)一步的本發(fā)明材料制備的的oled器件在高溫下能夠保持長(zhǎng)壽命，將器件實(shí)施例1～9和器件比較例1在85℃進(jìn)行高溫驅(qū)動(dòng)壽命測(cè)試，所得結(jié)果如表3所示。表3從表3的數(shù)據(jù)可知，器件實(shí)施例1～9為本發(fā)明材料和已知材料搭配的器件結(jié)構(gòu)，和器件比較例1相比，高溫下，本發(fā)明提供的oled器件具有很好的驅(qū)動(dòng)壽命。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)12