技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝用樹(shù)脂組合物，其包含以下(A)、(B)、(C)、(D)以及(E)成分，

(A)成分：氰酸酯化合物，其在1分子中具有2個(gè)以上的氰?；?；

(B)成分：由下述通式(3)所表示的酚類(lèi)化合物，

在通式(3)中，多個(gè)R⁵相互獨(dú)立地為氫原子或碳原子數(shù)1～4的烷基，多個(gè)R⁶相互獨(dú)立地為氫原子或碳原子數(shù)1～4的烷基，m為0～10整數(shù)，R⁷相互獨(dú)立地為選自以下通式所表示的二價(jià)基團(tuán)，

在上述通式中，R⁴相互獨(dú)立地為氫原子或甲基；

(C)成分：由下述通式(5)和通式(6)所表示的1種以上的環(huán)氧樹(shù)脂，

在上述通式(5)中，R⁸相互獨(dú)立地為氫原子或碳原子數(shù)1～4的烷基，p為0以上至10以下的整數(shù)，R⁹相互獨(dú)立地為選自以下通式所表示的二價(jià)基團(tuán)，

在上述通式(6)中，j相互獨(dú)立地為1～6的整數(shù)、k為0以上至10以下的整數(shù)，R¹⁰相互獨(dú)立地為選自以下通式所表示的二價(jià)基團(tuán)；

(D)成分：共聚物，其通過(guò)將含有烯基的環(huán)氧化合物和以下述通式(8)所表示的有機(jī)聚硅氧烷進(jìn)行硅氫化反應(yīng)所得到，

在通式(8)中，R¹¹相互獨(dú)立地為取代或者非取代的碳原子數(shù)1～10的一價(jià)烴基，a為0.01≤a≤1的正數(shù)、b為1≤b≤3的正數(shù)，a和b滿足1.01≤a+b＜4；以及

(E)成分：選自四取代鹽化合物的四苯基硼酸鹽、和以下述通式(9)所表示的四苯基硼酸鹽的至少1種化合物，

在通式(9)中，R¹⁵表示為氫原子、碳原子數(shù)為1～6的烷基或苯基，n¹²表示為1～3的整數(shù)，

其中，(B)成分的酚類(lèi)化合物中的酚性羥基相對(duì)于(A)成分的氰酸酯化合物中的氰?；哪柋葹?.08～0.25，且(C)成分和(D)成分的環(huán)氧樹(shù)脂中的環(huán)氧基相對(duì)于(A)成分的氰酸酯化合物中的氰?；哪柋葹?.04～0.25。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝用樹(shù)脂組合物，其中，(A)成分為由下述通式(1)所表示的化合物，

在通式(1)中，多個(gè)R¹相互獨(dú)立地為氫原子或碳原子數(shù)1～4的烷基，多個(gè)R²相互獨(dú)立地為氫原子或碳原子數(shù)1～4的烷基，n為0～10的整數(shù)，R³相互獨(dú)立地為選自下述通式所表示的二價(jià)基團(tuán)，

在上述通式中，R⁴相互獨(dú)立地為氫原子或甲基。

3.一種半導(dǎo)體裝置，其具備權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝用樹(shù)脂組合物的固化物。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其搭載著具有SiC或GaN的半導(dǎo)體元件。