一種低介電材料的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明有關(guān)一種低介電材料,包含:(A)40~80重量份的聚苯醚,數(shù)目平均分子量Mn=1000~4000,重量平均分子量Mw=1000~7000,及Mw/Mn=1.0~1.8;(B)5~30重量份的雙馬來酰亞胺;以及(C)5~30重量份的高分子添加劑,其中該低介電材料Dk值:3.75~4.0,Df值:0.0025~0.0045。本發(fā)明所提供的低介電材料可應(yīng)用于半固化膠片或電路基板絕緣層,且具有高Tg、低熱膨脹系數(shù)、低吸水率及優(yōu)異介電性能例如介電常數(shù)(Dk)及介電損耗(Df)的特性。
【專利說明】一種低介電材料
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明有關(guān)一種低介電材料,特別涉及一種熱固性樹脂組成物。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著無線傳輸產(chǎn)品的蓬勃發(fā)展及高頻傳輸技術(shù)的躍進,現(xiàn)有環(huán)氧樹脂及酚醛樹脂系統(tǒng)的材料已無法滿足進階的應(yīng)用,特別是高頻印刷電路板的需求。
[0003]作為低介電損耗的印刷電路板的基板材料有氟類樹脂,但是此種樹脂成本高、加工不易,應(yīng)用局限于軍事與航天用途。另外,聚苯醚(PPE)樹脂因具有良好的機械特性與優(yōu)異介電性能,例如介電常數(shù)(Dk)及介電損耗(Df),成為高頻印刷電路板的基板首選的樹脂材料。
[0004]然而,聚苯醚是一種熱塑性樹脂,將其直接用于銅箔基板中存在以下缺點:熔融粘度高,難于加工成型;耐溶劑性差,在印刷電路板制作過程的溶劑清洗的環(huán)境中易造成導(dǎo)線附著不牢或脫落;及熔點與玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)相近,難以承受印刷電路板制程中250°C以上焊錫操作。因此,PPE經(jīng)過熱固性改質(zhì)才能符合印刷電路板的使用要求。
[0005]PPE的熱固性改質(zhì)一般有以下兩種方式:在PPE分子結(jié)構(gòu)上引入可交聯(lián)的活性基團,使之成為熱固性樹脂。或者,通過共混改質(zhì)或互穿網(wǎng)狀(IPN)技術(shù),引入其它熱固性樹月旨,形成共混的熱固性復(fù)合材料。但是由于化學(xué)結(jié)構(gòu)極性上的差異,PPE與該些活性基團或熱固性樹脂常出現(xiàn)兼容性不佳、加工不易或失去PPE原來的優(yōu)異特性而有所限制。
[0006]因此,如何開發(fā)出具有優(yōu)異介電性能以及符合印刷電路板其它特性需求,諸如高Tg、低熱膨脹系數(shù)、低吸水率的特性的材料,并將其應(yīng)用于高頻印刷電路板的制造,乃是現(xiàn)階段印刷電路板材料供貨商亟欲解決的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種低介電材料,具有優(yōu)異介電性能、低熱膨脹系數(shù)以及低吸水性。
[0008]為了達成上述目的,本發(fā)明提供一種低介電材料,包含:
[0009](A) 40^80重量份的聚苯醚(PPE),數(shù)目平均分子量Mn = 10004000,重量平均分子量 Mw = 1000 ~7000,及 Mw/Mn = 1.0 ~1.8 ;
[0010](B) 5~30重量份的雙馬來酰亞胺(BMI);以及
[0011](C) 5^30重量份的高分子添加劑;
[0012]其中,該低介電材料的Dk值:3.75~4.0, Df值:0.0025~0.0045。
[0013]于本發(fā)明的低介電材料中,該聚苯醚的結(jié)構(gòu)式如下:
[0014]
【權(quán)利要求】
1.一種低介電材料,其特征在于,包含: (A)40^80重量份的聚苯醚,數(shù)目平均分子量Μη=1000-4000,重量平均分子量Mw=100(T7000,及 Mw/Mn=l.(Tl.8 ; (B)5~30重量份的雙馬來酰亞胺;以及 (C)5^30重量份的高分子添加劑; 其中,該低介電材料的Dk值:3.75~4.0,Df值:0.0025~0.0045。
2.如權(quán)利要求1所述的低介電材料,其特征在于,該聚苯醚的結(jié)構(gòu)式如下:
3.如權(quán)利要求1所述的低介電材料,其特征在于,該雙馬來酰亞胺選自下列群組中的至少一種: 苯基甲烷馬來酰亞胺
4.如權(quán)利要求1所述的低介電材料,其特征在于,該高分子添加劑選自下列群組中的至少一種: 丁二烯均聚物
5.如權(quán)利要求1所述的低介電材料,其特征在于,更包含40-80重量份的選自下列群組中的至少一種交聯(lián)劑: 三烯丙基異氰酸酯
6.如權(quán)利要求5所述的低介電材料,其特征在于,以聚苯醚、雙馬來酰亞胺、高分子添加劑和交聯(lián)劑的重量份總和計算更包含2~8phr的10小時半衰期且溫度范圍116°C ^128°C的過氧化物。
7.如權(quán)利要求6所述的低介電材料,其特征在于,該過氧化物選自下列群組中的至少一種交聯(lián)促進劑:過氧化二異丙苯、α,α ’ -雙(叔丁過氧基)二異丙苯及2,5- 二甲基-2,5-雙(叔丁基過氧基)己炔_3。
8.如權(quán)利要求5所述的低介電材料,其特征在于,以聚苯醚、雙馬來酰亞胺、高分子添加劑和交聯(lián)劑的重量份總和計算更包含8~50 phr選自下列群組中的至少一種無機填充料:熔融二氧化硅、球型二氧化硅、滑石及硅酸鋁。
9.如權(quán)利要求5所述的低介電材料,其特征在于,以聚苯醚、雙馬來酰亞胺、高分子添加劑和交聯(lián)劑的重量份總和計算更包含7~15phr的十溴二苯乙烷。
10.如權(quán)利要求5所述的低介電材料,其特征在于,以聚苯醚、雙馬來酰亞胺、高分子添加劑和交聯(lián)劑的重量份總和計算更包含12~14phr選自下列群組中的至少一種:含磷阻燃劑與磷酸酯類。
11.如權(quán)利要 求1所述的低介電材料,其特征在于,該低介電材料不含環(huán)氧樹脂。
【文檔編號】C08L71/12GK103965606SQ201310043987
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年2月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月4日
【發(fā)明者】鄞盟松, 陳禮君 申請人:聯(lián)茂電子股份有限公司