具有低灰分含量的基于丙烯的聚合物及方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種生產(chǎn)免清洗的基于丙烯的聚合物的方法，該聚合物可用作介電膜且具有低的總灰分含量。該基于丙烯的聚合物包含取代的亞苯基芳族二酯，并且適宜用作電子裝置的介電材料。
【專利說明】具有低灰分含量的基于丙烯的聚合物及方法
【背景技術(shù)】
[0001]本公開提供一種具有低的總灰分含量的基于丙烯的聚合物，生產(chǎn)其的方法，以及包含其的裝置。
[0002]催化劑殘留物不利地影響介電聚合物膜的性能。例如，為了除去催化劑殘留物并降低總灰分含量，通常在將常規(guī)基于丙烯的聚合物用作介電材料之前對其進行清洗。然而，清洗比較昂貴、耗時，還需要另外的處理資源。
[0003]本領(lǐng)域技術(shù)人員意識到需要具有低的總灰分含量的基于丙烯的聚合物用于介電應用。進一步期望具有低的總灰分含量且不需要清洗過程但是仍然表現(xiàn)出可接受的低催化劑殘留量以用作介電材料的基于丙烯的聚合物。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本公開提供一種方法。在一種實施方式中，提供一種生產(chǎn)基于丙烯的聚合物的方法，該方法包括:在聚合條件下，使丙烯和任選的一種或多種共聚單體與含有取代的亞苯基芳族二酯的催化劑組合物接觸。該方法包括形成總灰分含量小于40ppm或小于30ppm的免清洗的基于丙烯的聚 合物。
[0005]在一種實施方式中，該方法包括將該免清洗的基于丙烯的聚合物雙軸取向成厚度為2微米-20微米的膜。雙軸取向的膜的總灰分含量小于40ppm或小于30ppm。
[0006]本公開提供一種膜及生產(chǎn)其的方法。在一種實施方式中，膜包括免清洗的基于丙烯的聚合物。該免清洗的基于丙烯的聚合物包括取代的亞苯基芳族二酯。免清洗的基于丙烯的聚合物的總灰分含量小于40ppm或小于30ppm。
[0007]在一種實施方式中，膜的二甲苯可溶物含量為小于6.0wt%。
[0008]在一種實施方式中，膜的厚度為2微米-20微米，和根據(jù)DINIEC243-2測得的介電強度為 620KV/mm-720KV/mm。
[0009]本公開提供一種裝置及生產(chǎn)該裝置的方法。在一種實施方式中，裝置包括電部件和與電部件可操作相通的基于丙烯的聚合物。基于丙烯的聚合物包括取代的亞苯基芳族二酯。
[0010]在一種實施方式中，基于丙烯的聚合物是免清洗的基于丙烯的聚合物。在進一步的實施方式中，免清洗的基于丙烯的聚合物包含小于40ppm或小于30ppm的總灰分含量。[0011 ] 在一種實施方式中，電部件選自變壓器、電容器、開關(guān)、穩(wěn)定器(regulator)、電路斷路器、自動繼電器、流體填充的傳輸線、及其組合。
[0012]本公開的優(yōu)點是使用包含取代的亞苯基芳族二酯的催化劑生產(chǎn)具有低的總灰分含量的免清洗基于丙烯的聚合物的免清洗方法。
[0013]本公開的優(yōu)點是由具有低的總灰分含量的免清洗基于丙烯的聚合物制成的膜，其中該膜具有有利的介電性質(zhì)，特別是高介電強度。
[0014]本公開的優(yōu)點是提供具有電部件和介電膜的裝置。介電膜由包含取代的亞苯基芳族二酯的基于丙烯的聚合物構(gòu)成。介電膜由總灰分含量小于40ppm或小于30ppm的免清洗基于丙烯的聚合物構(gòu)成。
【具體實施方式】
[0015]1.方法
[0016]本公開提供一種生產(chǎn)具有低的總灰分含量的基于烯烴的共聚物的方法。術(shù)語“基于烯烴的聚合物”是包含聚合形式的大于50重量百分比的烯烴的聚合物，基于聚合物的總重量?；谙N的聚合物的非限制性實例包括基于乙烯的聚合物和基于丙烯的聚合物。
[0017]在一種實施方式中，基于烯烴的聚合物是基于丙烯的聚合物。該方法包括在聚合條件下，使丙烯和任選一種或多種共聚單體與催化劑組合物接觸。催化劑組合物包括取代的亞苯基芳族二酯。該方法進一步包括形成總灰分含量小于40ppm或小于30ppm的免清洗的基于丙烯的聚合物。
[0018]本申請使用的“聚合條件”是指在聚合反應器內(nèi)適用于促進催化劑組合物和烯烴之間的聚合反應從而形成所需聚合物的溫度和壓力參數(shù)。聚合過程可以是在一個或多于一個反應器中運行的氣相聚合過程、淤漿聚合過程或本體聚合過程。在一種實施方式中，該烯烴是丙烯和任選的乙烯。
[0019]本申請使用的“催化劑組合物”是指當在聚合條件下與烯烴接觸時形成基于烯烴的聚合物的組合物。催化劑組合物包括原催化劑(procatalyst)組合物和助催化劑。催化劑組合物可以任選包括外給電子體和/或活性限制劑。
[0020]原催化劑組合物包括鎂部分、鈦部分和內(nèi)給電子體的組合。內(nèi)給電子體包括取代的亞苯基芳族二酯。原催化劑組合物通過鹵化過程生產(chǎn)，該鹵化過程將原催化劑前體和取代的亞苯基芳族二酯給體轉(zhuǎn)化為已引入內(nèi)給電子體的鎂部分和鈦部分的組合。形成原催化劑組合物的原催化劑前體可以是鎂部分前體、混合的鎂/鈦前體、或包含苯甲酸酯的氯化鎂前體。
[0021]在一種實施方式中，鎂部分是鹵化鎂。在另一種實施方式中，鹵化鎂是氯化鎂或氯化鎂醇加合物。
[0022]在一種實施方式中，鈦部分是鹵化鈦，例如氯化鈦。在另一種實施方式中，鈦部分是四氯化鈦。
[0023]在一種實施方式中，原催化劑組合物包括氯化鎂載體，其中在該載體上沉積有氯化鈦并且其中引入了內(nèi)給電子體。
[0024]原催化劑組合物的內(nèi)給電子體包括取代的亞苯基芳族二酯。本申請使用的術(shù)語“取代的亞苯基芳族二酯”(或“SPAD”)可以是取代的1，2-亞苯基芳族二酯、取代的1，3-亞苯基芳族二酯或取代的1，4-亞苯基芳族二酯。
[0025]在一種實施方式中，取代的亞苯基芳族二酯是具有以下結(jié)構(gòu)(I)的1，2-亞苯基芳
族二酯:
[0026]
【權(quán)利要求】
1.一種方法，包括: 在聚合條件下，使丙烯和任選的一種或多種共聚單體與含有取代的亞苯基芳族二酯的催化劑組合物接觸；和 形成總灰分含量小于30ppm的免清洗的基于丙烯的聚合物。
2.權(quán)利要求1的方法，包括形成免清洗的基于丙烯的聚合物，該聚合物的性質(zhì)選自以下:具有 Oppm-1Oppm.?、0ρρηι-10ρρηι 氯、Oppm-1Oppm 鎂、Oppm-1Oppm 鈦、及其組合。
3.權(quán)利要求1的方法，包括形成二甲苯可溶物含量小于6.(^〖％的基于丙烯的聚合物。
4.權(quán)利要求1的方法，包括:使丙烯與包含取代的亞苯基芳族二酯的催化劑組合物接觸，該取代的亞苯基芳族二酯為3-甲基-5-叔丁基-1，2-亞苯基二苯甲酸酯；和形成丙烯均聚物。
5.權(quán)利要求1的方法，包括:使丙烯和乙烯與包含取代的亞苯基芳族二酯的催化劑組合物接觸，該取代的亞苯基芳族二酯為3-甲基-5-叔丁基-1，2-亞苯基二苯甲酸酯；和形成丙烯/乙烯共聚物。
6.權(quán)利要求1的方法，包括:使所述基于丙烯的聚合物雙軸取向；和形成厚度為2微米-20微米的膜。
7.權(quán)利要求1的方法，包括形成膜，該膜的厚度為2微米-20微米，和根據(jù)DINIEC243-2測定的介電強度為620KV/mm-720KV/mm。
8.權(quán)利要求1的方法，包括用所述免清洗的基于丙烯的聚合物涂布電部件。
9.權(quán)利要求1的方法，包括用所述免清洗的基于丙烯的聚合物涂布電部件，該電部件選自變壓器、電容器、開關(guān)、穩(wěn)定器、電路斷路器、自動繼電器、流體填充的傳輸線、及其組口 ο
10.權(quán)利要求1的方法，包括在電部件上形成包含所述免清洗的基于丙烯的聚合物的膜。
11.權(quán)利要求1的方法，包括在電容器上形成厚度為2微米-20微米的膜，該膜包含所述免清洗的基于丙烯的聚合物，且總灰分含量小于30ppm。
【文檔編號】C08F10/06GK103764693SQ201280042302
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2012年7月26日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月28日
【發(fā)明者】C-J.周 申請人:陶氏環(huán)球技術(shù)有限責任公司