發(fā)光二極管芯片的溫度測量方法及使用的熱敏高分子材料的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管芯片的溫度測量方法，包括以下步驟：提供高分子材料，該高分子材料包括支撐體和分散于該支撐體中的熒光分子、交聯(lián)劑、負(fù)離子基團(tuán)及水分子，該熒光分子包覆于支撐體內(nèi)，該熒光分子隨外部環(huán)境溫度的變化而變化；用不同波長的光源激發(fā)高分子材料并采集高分子材料在不同溫度條件下的熒光光強(qiáng)值，得到光源波長、該高分子材料溫度及熒光光強(qiáng)值的關(guān)系數(shù)據(jù)庫；提供已固晶打線的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，將高分子材料置于待測發(fā)光二極管芯片上并通電，測量該熱高分子材料的熒光光強(qiáng)并與數(shù)據(jù)庫對比得到發(fā)光二極管芯片溫度。本發(fā)明還涉及一種熱敏高分子材料。在本發(fā)明中利用熒光分子的熒光光強(qiáng)與溫度的變化關(guān)系來測量發(fā)光二極管芯片溫度。
【專利說明】發(fā)光二極管芯片的溫度測量方法及使用的熱敏高分子材料
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管芯片的溫度測量方法及該方法中使用的熱敏高分子材料。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(light emitting diode, LED)作為一種高效的發(fā)光源,具有環(huán)保、省電、壽命長等諸多特點，已經(jīng)被廣泛的運(yùn)用于各種領(lǐng)域。
[0003]發(fā)光二極管在應(yīng)用到各領(lǐng)域中之前，需要進(jìn)行封裝，以保護(hù)發(fā)光二極管芯片，從而獲得較高的發(fā)光效率及較長的使用壽命。一般的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通常包括表面貼裝有電極的基板、設(shè)置于該基板上的反射杯、設(shè)于反射杯底部并與電極電連接的發(fā)光二極管芯片以及覆蓋該發(fā)光二極管芯片的透明封裝層。
[0004]該發(fā)光二極管芯片工作時將電能轉(zhuǎn)換為光能，同時釋放出熱量，導(dǎo)致發(fā)光二極管芯片的溫度升高，影響發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的使用壽命。因此，測量發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中發(fā)光二極管芯片的溫度對于預(yù)測發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的使用壽命至關(guān)重要。然而，一般發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中發(fā)光二極管芯片被透明封裝層覆蓋，不能對發(fā)光二極管芯片直接進(jìn)行測量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，有必要提供一種有效的發(fā)光二極管芯片的溫度測量方法。本發(fā)明還提供一種該方法中使用的熱敏高分子材料。
[0006]一種發(fā)光二極管芯片的溫度測量方法，包括以下步驟:提供熱敏高分子材料，該熱敏高分子材料包括熱敏性高分子支撐體和分散于該熱敏性高分子支撐體中的熒光分子、交
聯(lián)劑、負(fù)離子基團(tuán)及水分子，其中該熱敏性高分子支撐體的結(jié)構(gòu)為
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管芯片的溫度測量方法，包括以下步驟: 提供熱敏高分子材料，該熱敏高分子材料包括熱敏性高分子支撐體和分散于該熱敏性高分子支撐體中的熒光分子、交聯(lián)劑、負(fù)離子基團(tuán)及水分子，其中該熱敏性高分子支撐
體的結(jié)構(gòu)為
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的溫度測量方法，其特征在于:該熱敏性高分子支撐體在不同溫度下具有不同的交聯(lián)度，該熱敏性高分子支撐體的溫度升高時，該熱敏性高分子支撐體的交聯(lián)度隨之變大，該熱敏性高分子支撐體的分子間距隨之變小，該熱敏性高分子支撐體逐漸皺縮,該熱敏性高分子支撐體的溫度降低時,該熱敏性高分子支撐體的的交聯(lián)度隨之變小，該熱敏性高分子支撐體的分子間距隨之變大，該熱敏性高分子支撐體逐漸膨脹。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片的溫度測量方法，其特征在于:該熱敏性高分子支撐體的吸熱反應(yīng)和放熱反應(yīng)是可逆的。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片的溫度測量方法，其特征在于:當(dāng)該熱敏性高分子支撐體逐漸皺縮時，該突光分子與分散于該熱敏性聞分子支撐體中的水分子的作用距尚逐漸變短，該突光分子與分散于該熱敏性聞分子支撐體中的水分子的相互作用逐漸變強(qiáng)，該熒光分子的熒光光強(qiáng)隨之增強(qiáng)，當(dāng)該熱敏性高分子支撐體逐漸膨脹時，該熒光分子與水分子的作用距離逐漸變長，該熒光分子與水分子的相互作用逐漸變?nèi)?，該熒光分子的熒光光?qiáng)逐漸減弱。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的溫度測量方法，其特征在于:所述熱敏高分子材料直接覆蓋于發(fā)光二極管芯片上，然后再將透明封裝層覆蓋于該熱敏高分子材料上。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的溫度測量方法，其特征在于:該熱敏性高分子支撐體具有一定的溫度響應(yīng)范圍，當(dāng)溫度超出該溫度響應(yīng)范圍時，該熱敏性高分子支撐體的分子間距將不產(chǎn)生變化。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的溫度測量方法，其特征在于:所述熱敏性高分子支撐體中的飽和烷基R為異丙基、丙基或叔丁基中的一種，該負(fù)離子基團(tuán)為磺酸基，該突光分子結(jié)構(gòu)為
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管芯片的溫度測量方法，其特征在于:所述熱敏性高分子支撐體的溫度響應(yīng)范圍為25°C -45°C。
9.一種熱敏高分子材料，其特征在于:該熱敏高分子材料包括熱敏性高分子支撐體和分散于該熱敏性高分子支撐體中的熒光分子、交聯(lián)劑、負(fù)離子基團(tuán)及水分子，其中該熱敏性 高分子支撐體的結(jié)構(gòu)為
10.如權(quán)利要求9所述的熱敏高分子材料，其特征在于:當(dāng)外部環(huán)境溫度升高時，該熱敏性高分子支撐體隨之逐漸皺縮，該熒光分子的熒光光強(qiáng)逐漸增強(qiáng)，當(dāng)外部環(huán)境溫度降低時，該熱敏性高分子支撐體隨之逐漸膨脹，該熒光分子的熒光光強(qiáng)逐漸減弱，該負(fù)離子基團(tuán)能阻止該熒光分子與該熱敏性高分子支撐體交聯(lián)，該交聯(lián)劑促進(jìn)該熱敏性高分子支撐體的交聯(lián)。
【文檔編號】C08K5/20GK103575421SQ201210281911
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年8月9日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月9日
【發(fā)明者】謝雨倫 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司