專利名稱：導(dǎo)電聚苯胺與碳納米管復(fù)合的電磁屏蔽復(fù)合膜及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于電磁屏蔽和抗靜電的復(fù)合材料及其制備方法。特別涉及一種導(dǎo)電聚苯胺與碳納米管復(fù)合的電磁屏蔽復(fù)合膜及其制備方法。
背景技術(shù)：
金屬、導(dǎo)電塑料(包括涂層)、石墨碳材料和導(dǎo)電高聚物是目前所采用的四大類電磁屏蔽和抗靜電材料。金屬網(wǎng)或塊材，如Cu，Al等本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所公知的材料是傳統(tǒng)的電磁屏蔽材料，它具有高的電磁屏蔽系數(shù)(SE)和機(jī)械性能好等優(yōu)點(diǎn)。但是，它比重大、易腐蝕、加工性能差(特殊形狀)并且消耗自然資源。石墨材料是由耐高溫的聚合物經(jīng)過(guò)高溫?zé)崃呀?800～1200℃)石墨化而制成的導(dǎo)電材料。它具有高的電導(dǎo)率、良好的空氣穩(wěn)定性和比重小的特點(diǎn)。但這種材料的制備需高溫、無(wú)氧操作、材料力學(xué)性能差等缺點(diǎn)，它只能作為導(dǎo)電塑料的導(dǎo)電填料來(lái)用。導(dǎo)電塑料是由絕緣的有機(jī)和高分子材料與各種導(dǎo)電性物質(zhì)(Cu，石墨，碳粉等)均勻復(fù)合或形成表面導(dǎo)電膜(金屬化)等方式制得的一種導(dǎo)電高分子復(fù)合材料。它具有成型簡(jiǎn)便、重量輕、成本低、材料的電學(xué)和機(jī)械性能可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。但是，它也存在均勻性差，提高電導(dǎo)率受限和難兼容電學(xué)和力學(xué)性能的局限性。
導(dǎo)電高聚物是70年代末期發(fā)展起來(lái)的新型材料。它具有如下優(yōu)異特性(1)電導(dǎo)率可在絕緣體—半導(dǎo)體—金屬態(tài)寬廣范圍內(nèi)變化(10-7～105S/cm)，這是目前任何材料無(wú)法比擬的；(2)結(jié)構(gòu)和物理化學(xué)性能是可控的；(3)通過(guò)結(jié)構(gòu)修飾(取代、接枝、共聚)、共混(濕法和干法)或現(xiàn)場(chǎng)摻雜聚合等方法可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電高聚物的多功能化；(4)可溶性導(dǎo)電高聚物可制備大面積和柔曲的涂層或薄膜和導(dǎo)電纖維或復(fù)合導(dǎo)電纖維；(5)導(dǎo)電高聚物多由C、H、N、O等輕元素構(gòu)成，故比重輕(1.0～1.2g/cm3)。因此，它在能源、信息、光電子器件、隱身和電磁屏蔽等技術(shù)上有廣泛的誘人應(yīng)用前景。導(dǎo)電高聚物，尤其是可溶性導(dǎo)電高聚物的發(fā)展促進(jìn)了其在隱身和全塑吸波材料技術(shù)上的研究。但是，導(dǎo)電高聚物存在可加工性能差，力學(xué)強(qiáng)度不高的缺點(diǎn)，在實(shí)際應(yīng)用中受到限制。(Handbook of Conducting Polymers，second edition，1997)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種能提高導(dǎo)電高聚物電導(dǎo)率、力學(xué)性能和熱穩(wěn)定性的導(dǎo)電聚苯胺與碳納米管復(fù)合的電磁屏蔽復(fù)合膜。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種導(dǎo)電聚苯胺與碳納米管復(fù)合的電磁屏蔽復(fù)合膜的制備方法。
本發(fā)明是用導(dǎo)電聚苯胺與無(wú)機(jī)碳納米管進(jìn)行有效分散和共混成膜，通過(guò)對(duì)電導(dǎo)率、力學(xué)性能和熱穩(wěn)定性的評(píng)價(jià)，證實(shí)已獲得的復(fù)合膜較單純的聚苯胺薄膜在各項(xiàng)性能上都有所提高。
本發(fā)明的導(dǎo)電聚苯胺與碳納米管復(fù)合的電磁屏蔽復(fù)合膜是由碳納米管與導(dǎo)電聚苯胺組成，其中碳納米管與導(dǎo)電聚苯胺的質(zhì)量百分比為5％～50％。復(fù)合膜最佳的電導(dǎo)率為212S/cm，力學(xué)強(qiáng)度為14.53Mpa，熱穩(wěn)定性明顯提高。該復(fù)合膜在106～109Hz頻率之間，薄膜的厚度為20μm時(shí)，其電磁屏蔽效率在35～40dB范圍內(nèi)，電磁屏蔽效率隨復(fù)合膜電導(dǎo)率和厚度的增加而增加。
本發(fā)明的導(dǎo)電聚苯胺與碳納米管復(fù)合的電磁屏蔽復(fù)合膜的制備方法包括以下步驟(1)采用共混的方法將碳納米管均勻分散在4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液中，均勻混合；其中，4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺三氯甲烷萃取液的濃度為15wt％～55wt％。
(2)將步驟(1)摻雜有碳納米管的溶液與樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液均勻混合為成膜溶液，最后將成膜溶液澆注在載體基片上，通過(guò)溶劑揮發(fā)而制成聚苯胺與碳納米管的復(fù)合膜(典型的復(fù)合膜樣品如附圖1所示)；其中，樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液的濃度為45wt％～85wt％。
碳納米管在成膜溶液中的濃度為5wt％～50wt％。4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺與樟腦磺酸摻雜的聚苯胺之間的質(zhì)量比為3～150∶100。
所述的共混方法包括超聲波、球磨，以此來(lái)提高碳納米管在溶液中的分散性。
所述的成膜溶液是由分散有碳納米管的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺三氯甲烷萃取液和樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液按照重量百分比濃度而構(gòu)成的。
所述的載體包括玻璃片、導(dǎo)電玻璃、金屬板、塑料薄膜或織物等。
本發(fā)明的制備方法優(yōu)點(diǎn)在于其可在常溫下進(jìn)行操作，方法簡(jiǎn)便易行，成膜性好，易大面積制膜。復(fù)合膜最佳的電導(dǎo)率為212S/cm，力學(xué)強(qiáng)度為14.53Mpa，熱穩(wěn)定性明顯提高。理論計(jì)算表明，本發(fā)明方法制備的復(fù)合膜在106～109Hz頻率之間，薄膜的厚度為20μm時(shí)，其電磁屏蔽效率在35～40dB范圍內(nèi)，電磁屏蔽效率隨復(fù)合膜電導(dǎo)率和厚度的增加而進(jìn)一步增加。這些數(shù)據(jù)表明，本發(fā)明的導(dǎo)電高聚物與碳納米管復(fù)合的電磁屏蔽復(fù)合膜作為輕質(zhì)、可柔曲的有機(jī)電磁屏蔽材料有潛在的應(yīng)用前景。
采用四探針?lè)椒y(cè)量室溫下的復(fù)合膜電導(dǎo)率，例如，發(fā)現(xiàn)聚苯胺/碳納米管復(fù)合膜的電導(dǎo)率隨著碳納米管含量的增加先增加，當(dāng)碳納米管的含量達(dá)到25％時(shí)電導(dǎo)率達(dá)到最大值212S/cm，隨后電導(dǎo)率開始下降(見(jiàn)附圖2)?？偨Y(jié)附圖3中的數(shù)據(jù)可以得出表1中所示的復(fù)合膜電導(dǎo)率的相轉(zhuǎn)變溫度，可見(jiàn)，復(fù)合膜的電導(dǎo)率-溫度變化關(guān)系存在著一個(gè)從絕緣體-金屬態(tài)的相轉(zhuǎn)變溫度，即低于相轉(zhuǎn)變溫度，復(fù)合膜呈現(xiàn)半導(dǎo)體的特性(σ/T＞0)，而高于相轉(zhuǎn)變溫度則表現(xiàn)出了金屬的特性(σ/T＜0)。同時(shí)，復(fù)合膜的電導(dǎo)率的相轉(zhuǎn)變溫度隨碳納米管含量的增加而增加(如表1)。對(duì)應(yīng)于最高電導(dǎo)率的聚苯胺/碳納米管復(fù)合膜力學(xué)的性能和熱穩(wěn)定性進(jìn)行了測(cè)試，并與聚苯胺薄膜進(jìn)行了比較，其復(fù)合膜的力學(xué)性能列于表2中。從表2可以看出聚苯胺/碳納米管復(fù)合膜強(qiáng)度和模量較聚苯胺薄膜都有所增加，而伸長(zhǎng)率卻有所下降。另外從附圖4可知聚苯胺/碳納米管復(fù)合膜的分解溫度也有所升高，但是幅度不大。近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)的電磁屏蔽效能的理論計(jì)算表明，在106～109Hz頻率范圍內(nèi)，近場(chǎng)低頻時(shí)電磁屏蔽效能超過(guò)了90dB，高頻時(shí)仍能保持在40dB以上(附圖5)。遠(yuǎn)場(chǎng)的計(jì)算結(jié)果表明復(fù)合膜的電磁屏蔽效能超過(guò)了32dB(附圖6)。無(wú)論是近場(chǎng)還是遠(yuǎn)場(chǎng)，復(fù)合膜的電磁屏蔽效能隨著復(fù)合膜電導(dǎo)率的增加而增加。
本申請(qǐng)所涉及的導(dǎo)電聚合物與碳納米管復(fù)合膜，改善了材料在力學(xué)性能和可加工性方面的缺陷，同時(shí)，這種組合是將導(dǎo)電的碳納米管復(fù)合在導(dǎo)電聚合物材料中，與傳統(tǒng)的填充方式相比，即將導(dǎo)電材料如碳納米管或?qū)щ姼叻肿硬牧咸畛涞讲粚?dǎo)電的材料中，本方法所制備的復(fù)合膜在電學(xué)性能和電磁屏蔽性質(zhì)方面更加具有創(chuàng)新性和應(yīng)用價(jià)值。
圖1.本發(fā)明實(shí)施例1518cm×18cm聚苯胺/碳納米管復(fù)合膜的照片。
圖2.聚苯胺/碳納米管復(fù)合膜的室溫電導(dǎo)率和碳納米管含量的關(guān)系。
圖3.聚苯胺/碳納米管復(fù)合膜的電導(dǎo)率-溫度依賴關(guān)系，其中a，b，c，d，e，f分別為碳納米管的重量百分比。
圖4(a).聚苯胺薄膜DSC曲線。
圖4(b).實(shí)施例3的碳納米管復(fù)合膜的DSC曲線。
圖5.近場(chǎng)理論計(jì)算室溫下，碳納米管含量不同時(shí)，聚苯胺/碳納米管復(fù)合膜的電磁屏蔽系數(shù)與頻率的關(guān)系。圖(b)是圖(a)的放大圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1首先采用超聲的方法將碳納米管0.0022g均勻分散在濃度為15wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液0.9g中，然后將上述溶液與濃度為85wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液5.1g均勻混合為成膜溶液，最后將成膜溶液澆注在載玻片上，通過(guò)三氯甲烷揮發(fā)成膜。
其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為5wt％，電導(dǎo)率～170S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為196K。
實(shí)施例2首先采用超聲的方法將碳納米管0.0072g均勻分散在濃度為15wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液0.9g中，然后將上述溶液與濃度為85wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液5.1g均勻混合為成膜溶液，最后將成膜溶液澆注在載玻片上，通過(guò)三氯甲烷揮發(fā)成膜。
其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為15wt％，電導(dǎo)率～180S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為215K。
實(shí)施例3首先采用超聲的方法將碳納米管0.0137g均勻分散在濃度為15wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液0.9g中，然后將上述溶液與濃度為85wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液5.1g均勻混合為成膜溶液，最后將成膜溶液澆注在載玻片上，通過(guò)三氯甲烷揮發(fā)成膜。
其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為25wt％，電導(dǎo)率～210S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為219K，力學(xué)強(qiáng)度為14.53MPa，伸長(zhǎng)率為6.0243％，彈性模量為286.39MPa。(見(jiàn)表2)實(shí)施例4首先采用超聲的方法將碳納米管0.0221g均勻分散在濃度為15wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液0.9g中，然后將上述溶液與濃度為85wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液5.1g均勻混合為成膜溶液，最后將成膜溶液澆注在載玻片上，通過(guò)三氯甲烷揮發(fā)成膜。
其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為35wt％，電導(dǎo)率～150S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為245K。
實(shí)施例5首先采用超聲的方法將碳納米管0.0335g均勻分散在濃度為15wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液0.9g中，然后將上述溶液與濃度為85wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液5.1g均勻混合為成膜溶液，最后將成膜溶液澆注在載玻片上，通過(guò)三氯甲烷揮發(fā)成膜。
其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為45wt％，電導(dǎo)率～110S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為264K。
實(shí)施例6首先采用超聲的方法將碳納米管0.0031g均勻分散在濃度為25wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液1.5g中，然后將上述溶液與濃度為75wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液4.5g均勻混合為成膜溶液，最后將成膜溶液澆注在載玻片上，通過(guò)三氯甲烷揮發(fā)成膜。
其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為5wt％，電導(dǎo)率～170S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為196K。
實(shí)施例7首先采用超聲的方法將碳納米管0.0105g均勻分散在濃度為25wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液1.5g中，然后將上述溶液與濃度為75wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液4.5g均勻混合為成膜溶液，最后將成膜溶液澆注在載玻片上，通過(guò)三氯甲烷揮發(fā)成膜。
其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為15wt％，電導(dǎo)率～180S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為215K。
實(shí)施例8首先采用超聲的方法將碳納米管0.0198g均勻分散在濃度為25wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液1.5g中，然后將上述溶液與濃度為75wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液4.5g均勻混合為成膜溶液，最后將成膜溶液澆注在載玻片上，通過(guò)三氯甲烷揮發(fā)成膜。
其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為25wt％，電導(dǎo)率～210S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為219K。
實(shí)施例9首先采用超聲的方法將碳納米管0.0041g均勻分散在濃度為35wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液2.1g中，然后將上述溶液與濃度為65wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液3.9g均勻混合為成膜溶液，最后將成膜溶液澆注在載玻片上，通過(guò)三氯甲烷揮發(fā)成膜。
其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為5wt％，電導(dǎo)率～170S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為196K。
實(shí)施例10首先采用超聲的方法將碳納米管0.0137g均勻分散在濃度為35wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液2.1g中，然后將上述溶液與濃度為65wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液3.9g均勻混合為成膜溶液，最后將成膜溶液澆注在載玻片上，通過(guò)三氯甲烷揮發(fā)成膜。
其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為15wt％，電導(dǎo)率～180S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為215K。
實(shí)施例11首先采用超聲的方法將碳納米管0.0051g均勻分散在濃度為45wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液2.7g中，然后將上述溶液與濃度為55wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液3.3g均勻混合為成膜溶液，最后將成膜溶液澆注在載玻片上，通過(guò)三氯甲烷揮發(fā)成膜。
其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為5wt％，電導(dǎo)率～170S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為196K。
實(shí)施例12首先采用超聲的方法將碳納米管0.017g均勻分散在濃度為45wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液2.7g中，然后將上述溶液與濃度為55wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液3.3g均勻混合為成膜溶液，最后將成膜溶液澆注在載玻片上，通過(guò)三氯甲烷揮發(fā)成膜。
其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為15wt％，電導(dǎo)率～180S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為215K。
實(shí)施例13首先采用超聲的方法將碳納米管0.0012g均勻分散在濃度為55wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液3.3g中，然后將上述溶液與濃度為45wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液2.7g均勻混合為成膜溶液，最后將成膜溶液澆注在載玻片上，通過(guò)三氯甲烷揮發(fā)成膜。
其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為5wt％，電導(dǎo)率～170S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為196K。
實(shí)施例14首先將碳納米管0.0198g球磨3個(gè)小時(shí)，使其均勻分散在濃度為25wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液1.5g中，然后將上述溶液與濃度為75wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液4.5g球磨20分鐘，均勻混合為成膜溶液，再在玻璃板上澆注成膜。其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為25wt％，電導(dǎo)率～210S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為219K。
實(shí)施例15首先將碳納米管0.0198g球磨3個(gè)小時(shí)，使其均勻分散在濃度為25wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液1.5g中，然后將上述溶液與濃度為75wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液4.5g球磨20分鐘，均勻混合為成膜溶液，再在鋁板上澆注成膜。其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為25wt％，電導(dǎo)率～210S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為219K。目前，采用該方法在鋁板上已經(jīng)制備了碳納米管分散均勻的尺寸為18cm×18cm的聚苯胺/碳納米管復(fù)合膜，見(jiàn)附圖1。
實(shí)施例16首先將碳納米管0.0198g球磨3個(gè)小時(shí)，使其均勻分散在濃度為25wt％的4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液1.5g中，然后將上述溶液與濃度為75wt％的樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液4.5g球磨20分鐘，均勻混合為成膜溶液，再在帆布上澆注成膜。其中，碳納米管質(zhì)量百分比濃度(CNT wt％)為25wt％，電導(dǎo)率～210S/cm，相轉(zhuǎn)變溫度為219K。
表1
表2
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電聚苯胺與碳納米管復(fù)合的電磁屏蔽復(fù)合膜，其特征是該復(fù)合膜是由碳納米管與導(dǎo)電聚苯胺組成，其中碳納米管與導(dǎo)電聚苯胺的質(zhì)量百分比為5％～50％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合膜，其特征是所述的復(fù)合膜的電導(dǎo)率為212S/cm，力學(xué)強(qiáng)度為14.53Mpa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合膜，其特征是所述的復(fù)合膜的厚度為20μm時(shí)，在106～109Hz頻率之間，其電磁屏蔽效率在35～40dB范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合膜，其特征是所述的電磁屏蔽效率隨復(fù)合膜電導(dǎo)率和厚度的增加而進(jìn)一步增加。
5.一種根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電聚苯胺與碳納米管復(fù)合的電磁屏蔽復(fù)合膜的制備方法，其特征是，所述的方法包括以下步驟(1)采用共混的方法將碳納米管均勻分散在4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液中，均勻混合；其中，4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺三氯甲烷萃取液的濃度為15wt％～55wt％。(2)將步驟(1)摻雜有碳納米管的溶液與樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液均勻混合為成膜溶液，將成膜溶液澆注在載體基片上，通過(guò)溶劑揮發(fā)而制成聚苯胺與碳納米管的復(fù)合膜；其中，樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液的濃度為45wt％～85wt％。碳納米管在成膜溶液中的濃度為5wt％～50wt％，4-十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺與樟腦磺酸摻雜的聚苯胺之間的質(zhì)量比為3～150∶100。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征是所述的載體包括玻璃片、導(dǎo)電玻璃、金屬板、塑料薄膜或織物。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征是所述的復(fù)合膜是由碳納米管與導(dǎo)電聚苯胺組成，其中碳納米管與導(dǎo)電聚苯胺的質(zhì)量百分比為5％～50％。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征是所述的復(fù)合膜的電導(dǎo)率為212S/cm，力學(xué)強(qiáng)度為14.53Mpa。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于電磁屏蔽和抗靜電的復(fù)合材料，特別涉及一種導(dǎo)電聚苯胺與碳納米管復(fù)合的電磁屏蔽復(fù)合膜及其制備方法。采用共混的方法將碳納米管均勻分散在4－十二烷基苯磺酸摻雜的聚苯胺的三氯甲烷萃取液中，然后與樟腦磺酸摻雜的聚苯胺間甲酚溶液均勻混合為成膜溶液，將成膜溶液澆注在載體基片上，通過(guò)溶劑揮發(fā)而制成聚苯胺與碳納米管的復(fù)合膜；所述的碳納米管在成膜溶液中的濃度為5wt％～50wt％。復(fù)合膜最佳的電導(dǎo)率為212S/cm，力學(xué)強(qiáng)度為14.53Mpa。該復(fù)合膜在10
文檔編號(hào)C08J5/18GK1789338SQ20041009892
公開日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2004年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月15日
發(fā)明者萬(wàn)梅香, 翟錦, 江雷, 肖強(qiáng)鳳, 李軍朝 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所