專利名稱：聚合物和低聚物,它們的合成方法以及含有它們的電子設備的制作方法
聚合物和低聚物，它們的合成方法以及含有它們的電子設備本申請是以下申請的分案申請申請日2002年3月12日； 申請?zhí)?2809651.7(PCT/US02/07420);發(fā)明名稱"聚合物和低 聚物，它們的合成方法以及含有它們的電子設備，，。本申請要求2001年3月14日提交的美國臨時專利申請系列號 60/375,762，以及2001年3月13日提交的美國臨時專利申請系列號 60/275,443的優(yōu)先權益。技術領城本發(fā)明涉及聚合物和低聚物，它們的合成方法以及含有它們的 電子設備。發(fā)明背景本發(fā)明涉及用于制備電子設備的聚合物組合物。本發(fā)明的一個 目的是制備能夠用于多種電子設備的穩(wěn)定的組合物。除以上所述外，通過閱讀以下的說明書或通過實施本發(fā)明，本 發(fā)明的其它各種新性能及優(yōu)點對于本領域技術人員來說將變得顯而 易見。發(fā)明概述本發(fā)明包括含各種聚合物、低聚物和它們的組成單體單元的組 合物。本發(fā)明還包括這些組合物及由它們制得的設備的制備方法。聚合物1本發(fā)明包括一種含有以下通式結構的聚合物的組合物<formula>formula see original document page 5</formula>其中Rl取代基獨立選自氬、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； 其中鍵A和B可獨立位于吡咬基氮的鄰位、間位或對位； 其中4走C和D彼此間可為鄰位、間位或對位；和其中鍵E和F彼此間可為鄰位、間位或對位； 其中￥可為選自-(012),、 -(CH2)xO、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO-6々 部分，其中x為l至15,包括1和15的整數(shù)；并且 其中n為大于l的整數(shù)。優(yōu)選R2取代基為曱M,最優(yōu)選至少兩個R2取代基為甲氧基。 優(yōu)選R3取代基為曱氧基，最優(yōu)選至少兩個R3取代基為甲氧基。優(yōu)選乙烯基連接基A和B在吡啶基氮的鄰位上鍵合。還優(yōu)選鍵 C和D彼此間為對位，E和F彼此間為對位。還優(yōu)選x為l至6，包括1和6的整數(shù)。聚合物2本發(fā)明包括一種含有以下通式結構的聚合物的組合物:<formula>formula see original document page 6</formula>其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氬、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B可獨立位于吡咬基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵C和D彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵E和F彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵G和H彼此間可為鄰位、間位或對位；其中Y可為選自-(CH2)。 -(CH2)xO-、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO^ 部分，其中x為l至15，包括1和15的整數(shù)；其中Z可為選自-(CH2)x-、 -(CH2)xO-、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO^ 部分，其中x為l至15,包括1和15的整數(shù)；并且其中n為大于l的整數(shù)。優(yōu)選R1、 R2、 R3和R4取代基為甲氧基，最優(yōu)選R1、 R2、 R3 和R4取代基中至少兩個為甲氧基。優(yōu)選乙烯基連接基A和B在吡啶基氮的鄰位上鍵合。還優(yōu)選鍵 C和D彼此間為對位，E和F彼此間為對位。還優(yōu)選x為1至6，包括1和6的整數(shù)。低聚物1、 2、 3和4本發(fā)明包括一種含有以下通式結構的低聚物的組合物:R3乂R2 CA R1 BD R4/R5Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R4取代基獨立選自氬、烷基、烷氧基和芳基； R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； 其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位； 其中如虛線所示，鍵C可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位； 其中如虛線所示，鍵D可位于各喹9^基氳的鄰位、間位或對位。 優(yōu)選R1、 R2、 R3、 R4和R5取代基為曱氧基，最優(yōu)選R1、 R2、 R3、 R4和R5取代基中至少兩個為甲H優(yōu)選乙烯基連接基A和B彼此間以對位鍵合。低聚物5、 6、 7和8本發(fā)明還包括一種含有以下通式結構的低聚物的組合物R2CA R1 B D R3其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中如虛線所示，鍵C可位于各吡咬基氮的鄰位或對位；其中如虛線所示，鍵D可位于各吡梵基氮的鄰位或對位。優(yōu)選R1、 R2和R3取代基為曱氧基，最優(yōu)選R1、 R2和R3取代基中至少兩個為曱氧基。優(yōu)選乙晞基連接基A和B彼此間以對位鍵合。低聚物9和10本發(fā)明還包括一種含有以下通式結構的低聚物的組合物:R3/R2 C A R1 B D R4/R5其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； 其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位。 鍵C和D可分別與環(huán)R2/R3和R4/R5的任何位置鍵合，但優(yōu)選 它們按上述方式鍵合。優(yōu)選Rl取代基為甲氧基，最優(yōu)選至少兩個Rl取代基為甲氧基。低聚物11、 12和13本發(fā)明還包括一種含有以下通式結構的低聚物的組合物<formula>formula see original document page 9</formula>其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；且 其中4建A和B可獨立位于吡啶基氮的鄰位、間位或對位。 優(yōu)選R1、 R2和R3取代基為甲氧基，最優(yōu)選R1、 R2和R3取 代基中至少兩個為甲氧基。還優(yōu)選三個R2和R3取代基為曱氧基。聚合物6、 7、 8和9本發(fā)明還包括一種含以下通式結構的聚合物的組合物:Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基: R2取代基獨立選自氯、烷基、烷氧基和芳基 R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基 其中4走A和B彼此間可為鄰位或對位；其中鍵C和D彼此間可為鄰位或對位； 其中鍵E和F彼此間可為鄰位或對位；其中Y可為選自-(CH2),、 -(CH2)xO-、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO^ 部分，其中x為l至15，包括1和15的整數(shù)；并且其中n為大于l 的整數(shù)。優(yōu)選R1、 R2和R3取代基為甲絲，最優(yōu)選R1、 R2和R3取 代基中至少兩個為甲氧基。本發(fā)明包括衍生自上述低聚物的各種嵌段共聚物組合物。低聚物l、 2、 3和4(只存在Y)的嵌段共聚物本發(fā)明還包括一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物:<formula>formula see original document page 10</formula>其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； 其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位； 其中鍵C可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位； 其中鍵D可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位； 其中Y可為與環(huán)R2和R3上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、 -(CH2)xO-、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO-，其中x為l至15,包 括1和15的整數(shù)；并且其中n為大于l的整數(shù)。這些嵌段共聚物可與衍生出它們的低聚物(如上所述)一樣，具有 幾何結構和取代基。低聚物l、 2、 3和4(Y、 R和Z)的嵌段共聚物本發(fā)明還包括一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物<formula>formula see original document page 11</formula>其中Rl取代基獨立選自氫、烷基R2取代基獨立選自氫、烷基R3取代基獨立選自氫、烷基R4取代基獨立選自氬、烷基R5取代基獨立選自氫、烷基R6取代基獨立選自氫、烷基其中鍵A和B ;f皮此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵C可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵'D可位于各壹啉基氮的鄰位、間位或對位；其中Y可為與環(huán)R6上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、 -(CH2)xO-、 -(CH2)xO-、 -0(CH2)x^-0(CH2)xO,其中x為l至15, 包括1和15的整數(shù)；其中Z可為橋接環(huán)R2或R3和R6上的任何兩點的部分，并可 選自-(CH丄-、-(CH2)xO-、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO,其中x為l至15,A R1 BD R4/R5、烷氧基和芳基; 、烷氧基和芳基; 、烷氧基和芳基; 、烷氧基和芳基; 、烷氧基和芳基; 、烷氧基和芳基;包括1和15的整數(shù)；并且 其中n為大于1的整數(shù)。這些嵌段共聚物可與衍生出它們的低聚物(如上所述)一樣，具有 幾何結構和取代基。低聚物5、 6、 7和8(只存在Y)的嵌段共聚物本發(fā)明還包括一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物R2CA R1 BD R3其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵C可位于各吡咬基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵D可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位；其中Y可為與環(huán)R2上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、 -0(CH2)x-和-0(CH2)xO-，其中x為l至15,包括1和15在內的整數(shù)；并且其中n為大于1的整數(shù)。這些嵌段共聚物可與衍生出它們的低聚物(如上所迷)一樣，具有 幾何結構和取代基。低聚物5、 6、 7和8(Y、 R和Z)的嵌段共聚物本發(fā)明還包括一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物<formula>formula see original document page 13</formula>其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； 其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位； 其中鍵C可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位； 其中鍵D可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位； 其中Y可為與環(huán)R4上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、-(CH2)xO-、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO,其中x為1至15,包括1和15的整數(shù)；其中Z可為橋接環(huán)R2和R4上的任何兩點的部分，并可選自-(CH2)x-、 -(CH2)xO-、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO，其中x為l至15,包 括1和15的整數(shù)；并且其中n為大于1的整數(shù)。這些嵌段共聚物可與衍生出它們的低聚物(如上所述)一樣，具有 幾何結構和取代基。低聚物9.和IO(只存在T)的嵌段共聚物本發(fā)明還包括一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物<formula>formula see original document page 14</formula>R3/R2 C A R1 B D R4/R5其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氬、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氬、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中Y可為與環(huán)R2或R3上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)x-、 -(CH2)xO-、 -O(CH2)x+-0(CH2)xO-,其中x為l至15,包 括1和15的整數(shù)；并且其中n為大于1的整數(shù)。這些嵌段共聚物可與衍生出它們的低聚物(如上所迷)一樣，具有 幾何結構和取代基。低聚物9和IO(只存在Y、 R和Z)的嵌段共聚物本發(fā)明還包括一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物<formula>formula see original document page 14</formula>R6 R3/R2 C A R1 B D R4/R5其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R6取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中Y可為與環(huán)R6上的任何點鍵合的部分，并可選自-(CH2)。 -(CH2)xO-、 -0(CH2)x^p-0(CH2)xO-，其中x為1至15,包括1和15 之內的整數(shù)；其中Z可為橋接環(huán)R2或R3和R6上的任何兩點的部分，并可 選自偶)。-(CH2)xO-、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO-，其中x為l至15， 包括1和15的整數(shù)；并且其中n為大于l的整數(shù)。這些嵌段共聚物可與衍生出它們的低聚物(如上所述)一樣，具有 幾何結構和取代基。本發(fā)明組合物可用于制備多種電子設備，如那些可按照已知的 生產(chǎn)工藝制造的電子設備。這些設備包括聚合物光發(fā)射設備，包括 單色和多色設備、可變顏色的設備、紅外發(fā)射設備；所謂的SCALE 設備，包括雙色和多色SCALE設備。其它可采用本發(fā)明組合物的設 備包括光電設備和聚合物基晶體管。這些設備的例子見述于美國專 利第6,004,681、 5,955,834、 5，858，561、 5,663,573號和幾個同時待審 的專利申請，其系列號為09/041,337、 08/902,145、 08/901,888和 60/187,278，這些專利和專利申請均通過引用結合到本文中來。本發(fā)明的組合物可為雙極性的，這樣它們可用于層壓聚合物設 備中，并可按已知的構造構成電子傳送或空穴傳送材料和/或光發(fā)射 層的部分。這些組合物還可用作用于上述設備的共混物的組分。優(yōu)選實施方案的詳述 按照前面對本發(fā)明所作的概述，以下舉例說明本發(fā)明的實例， 包括最佳實施方式。本文中描述的優(yōu)選的實施方案并非是窮舉或是 將本發(fā)明限定在所公開的幾種具體的變化范圍內。選擇并描述這些 實例用于解釋本發(fā)明的組合物和方法，以及這些組合物的應用，使 得本領域的技術人員可實施本發(fā)明。以下將描述用于制備聚合物1和2(分別在實施例1和2中描述)的單體的制備方法。單體合成以下為聚合物l'和聚合物2的單體合成方案: 聚合物l的單體(l)RH2C-BrH2CCH2BrR'H2CR- PPh3Br 單體(l)-CH2R-CH2R'PO(OEt)2 單體(l)(類似的合成方法可參見Macromolecule, 26， 1188-11卯，1993)聚合物1的單體(2)OCH3OHCBr /^0CH3 H3CO0CH3 H3CO"0CH3單體(2)(類似的合成方法可參見Macromolecule， 26, 1188-11卯，1993) 單體(l) +單體(2) ~>聚合物實施例1-聚合物1: 150mg該實施例顯示本發(fā)明一個實施方案的聚合物的合成方案。,OCH3 CH30、CH2PPh3Br + OHC《(2)~0(CH2)60《Q》CHOOCH3 CH30 (1) (2)往攪拌著的二醛(2)(50211^, U2mmol)和1,4-吡啶二亞甲基雙(三 苯基轔)(1,4-pyridylylenebis(triphenylphophonium)) (1) (890mg, 1.12mmol)在150ml的四氬吹喃(THF)中的溶液內滴加入10ml叔丁醇 鉀(Ko但u) (2M的THF溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液回流 2小時。除去THF并將固體產(chǎn)物溶解在氯仿中，隨后從甲醇中沉淀 出來。抽濾收集所得的沉淀物。采用索氏抽提法，以甲醇為溶劑進. 一步純化12小時，得到淺黃色固體狀的聚合物1。將所述固體產(chǎn)物 在50。C的真空烘箱中干燥2天(收率92。/。)。 NMR數(shù)據(jù)如下'H-NMR(CDC13): 1.4 (m, 4H)， 1.6 (t, 4H)， 3.7 (s， 12 H), 3.9 (t, 4 H), 6.7 (s， 4H), 7.0 (t, 1H), 7.1 (d, 4H), 7.5 (d, 2H)。實施例2-聚合物2: 360 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的聚合物的合成方案。<formula>formula see original document page 18</formula>往攪拌著的二醛(3)(1.2g, 2.28mmol)和1，4-吡啶二亞甲基雙(三 苯基憐)(l)(1.8g， 2.28mmol)在150ml的THF中的溶液內滴加入10ml KotBu (2M的THF溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液回流2 小時。除去THF并將固體產(chǎn)物溶解在氯仿中，隨后從甲醇中沉淀出 來。抽濾收集所得的沉淀物。采用索氏抽提法，以曱醇為溶劑進一 步純化12小時，得到淺黃色固體狀的聚合物2。將所述固體產(chǎn)物在 50。C的真空烘箱中干燥2天(收率卯。/。)。 NMR數(shù)據(jù)如下W-NMR (CDC13): 3.7 (d, 18H)， 5.0 (s, 4H)， 6.7 (s， 4H), 6.8， (s， 2H), 7.0 (t, 1H), 7.1 (d, 4H)， 7.5 (d, 2H).實施例3-低聚物1: 116mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的低聚物的合成方案.<formula>formula see original document page 19</formula>(8)<formula>formula see original document page 19</formula> (9)往攪拌著的4-喹啉甲醛(8)(0.94, 5.80讓01)和[2，5-二曱氧基-1,4-苯二亞曱基]-雙(氯化三苯基憐)(9)p.0g, 2.63mmol)在50ml乙醇中的 溶液內滴加入10ml EtONa (2M的乙醇溶液)(過量)?！窞榧油瓿珊?，將 所得混合液攪拌2小時。除去乙醇并將固體產(chǎn)物依次用己烷和水洗 滌。將所述產(chǎn)物溶解在乙酸乙酯中，接著經(jīng)快速柱層碎斤(Si02，己烷 乙酸乙酯-l:l)純化，得到所需的橙色固體狀的產(chǎn)物。隨后將所得固 體產(chǎn)物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到橙色晶體(產(chǎn)率55%)。 NMR 數(shù)據(jù)如下！H-NMR (CDC13): 4.0 (s, 6H), 7.2 (d, 4H)， 7.7 (m, 6H), 7,9 (d， 2H), 8.1 (d, 2H), 8.2 (d, 2H)， 8.9 (d, 2H)。實施例4-低聚物2: 60 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的低聚物的合成方案。(8) (10)往攪拌著的4-p奎啉甲醛(8)(0.3^， 2.04mmol)和1，4-苯二亞曱基-雙(氯化三苯基憐)(10)(0.8Sg， 1.21mmol)在500ml乙醇中的溶液內滴 加入10ml EtONa (2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合 液攪拌2小時。除去乙醇并將固體產(chǎn)物依次用己烷和水洗滌。將所 述產(chǎn)物溶解在乙酸乙酯中，接著經(jīng)快速柱層析(Si02，己烷:乙酸乙酯 -l:l)純化，得到所需的黃色固體狀的產(chǎn)物。隨后將所得固體產(chǎn)物從 己烷和乙酸乙酯中重結晶得到淺黃色晶體(產(chǎn)率59%)。 NMR數(shù)據(jù)如 下!H-NMR (CDC1》:7.2 (d， 2H)， 7.4 (d， 2H), 7.7 (m， 8 H)， 7.9 (d, 2H): 8.1 (d, 2H), 8.2 (d, 2H), 8.9 (d, 2H)。實施例5-低聚物3: 30 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的低聚物的合成方案。CH30(11) (9)往攪拌著的2-喹啉甲酪(ll)(1.0g， 6.3711111101)和[2,5-二甲氧基-1,4-苯二亞甲基]-雙(氯化三苯基憐)(9)(2.2§, 2.90mmol)在UOml乙醇中 的溶液內滴加入10ml EtONa (2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后， 將所得混合液攪拌2小時。除去乙醇并將固體產(chǎn)物依次用己烷和水 洗滌。將所迷產(chǎn)物溶解在氯仿中，接著經(jīng)快速柱層析(Si02，己烷:乙 酸乙酯=1:1)純化，得到所需的橙黃色固體狀的產(chǎn)物。隨后將所得固 體產(chǎn)物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到橙黃色晶體(產(chǎn)率49%)。 NMR 數(shù)據(jù)如下！H-NMR (CDC13): 4.0 (s, 6H), 7.3 (d, 4H), 7.5 (m, 4H), 8.0 (m, 6H)，8.1 (m，4H)。實施例6-低聚物4: 100 nig該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的低聚物的合成方案。(11) (10)往攪拌著的2-喹啉曱醛(ll)(3.2g, 20.38mmol)和1,4-苯二亞甲基 -雙(氯化三革基憐)(10)(8.58, 12.14mmol)在100ml乙醇中的溶液內滴 加入30ml EtONa (2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合 液攪拌2小時。除去乙醇并將固體產(chǎn)物依次用己烷和水洗滌。將所 述產(chǎn)物溶解在氯仿中，接著經(jīng)快速柱層析(Si02，己烷:乙酸乙酯=1:1) 純化，得到所需的淺黃色固體狀的產(chǎn)物。隨后將所得固體產(chǎn)物從己 烷和乙酸乙酯中重結晶得到淺黃色晶體(產(chǎn)率48%)。 NMR數(shù)據(jù)如下 !H-NMR (CDC13): 7.1 (d, 2H), 7.3 (d, 2H), 7.4 (m, 4H), 7.7 (m, 8H), 8.0 (m, 4H)。實施例7-低聚物5: 10 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的低聚物的合成方案。<formula>formula see original document page 23</formula>往攪拌著的6-甲基J-吡啶甲醛(U)(0.16g， 1.32mmol)和[2,5-二 曱^-l,4-苯二亞曱基]-雙(氯化三苯基憐)(9)(0.5g， 0.66mmol)在50ml 乙醇中的溶液內滴加入1 Oml EtONa (2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完 成后，將所得混合液攪拌過夜。除去乙,并將固體產(chǎn)物依次用己烷 和水洗滌。將所述產(chǎn)物溶解在乙酸乙酯中，接著經(jīng)快速柱層析(Si02， 己烷:乙酸乙酯-l:l)純化，得到所需的綠色固體狀的產(chǎn)物。隨后將所 得固體產(chǎn)物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到綠色晶體(產(chǎn)率57%)。 NMR數(shù)據(jù)如下！H-NMR (CDC13): 2.5 (s, 6H), 3.8 (s, 6H), 6.9 (d, 2H), 7.1 (d， 4H)， 7.4 (t, 2H)， 7.5 (s, 2H)， 7.7 (d， 2H)。實施例8-低聚物6: 20 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的低聚物的合成方案。<formula>formula see original document page 24</formula>往攪拌著的卜甲基J-吡啶甲醛(12)(0.17g, 1.40mmol)和1,4-苯二 亞曱基-雙(氯化三苯基轔)(10)(0.5g, 0.71mmol)在50ml乙醇中的溶液 內滴加入10mlEtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得 混合液攪拌過夜。除去乙醇并將固體產(chǎn)物依次用己烷和水洗滌。將 所述產(chǎn)物溶解在氯仿中，接著經(jīng)快速柱層析(Si02,己烷:乙酸乙酯-1:1)純化，得到所需的淺黃色固體狀的產(chǎn)物。隨后將所得固體產(chǎn)物從 己烷和乙酸乙酯中重結晶得到淺黃色晶體(產(chǎn)率52%)。 NMR數(shù)據(jù)如 下'H-NMR (CDC13): 2.5 (s, 6H)， 6.7 (d, 4H), 7.1 (d, 4H), 7.4 (t, 2H), 7.5 (d, 2H), 7. 7 (d, 2H)。實施例9-低聚物7: 40 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的低聚物的合成方案。<formula>formula see original document page 25</formula>(13) (10)往攪拌著的4-吡啶曱醛(l"(0.38g, 3.55mmol)和1,4-苯二亞甲基 -雙(氯化三苯基憐)(lO)(l,Og, 1.43mmol)在50ml乙醇中的溶液內滴加 入10ml EtONa (2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液 攪拌3小時。除去乙醇并將固體產(chǎn)物依次用己烷和水洗滌。將所述 產(chǎn)物溶解在氯仿中，接著經(jīng)快速柱層析(Si02，己烷:乙酸乙酯=1:1) 純化，得到所需的淺黃色固體狀的產(chǎn)物。隨后將所得固體產(chǎn)物從己 烷和乙酸乙酯中重結晶得到淺黃色晶體(產(chǎn)率43%)。 NMR數(shù)據(jù)如下 'H-NMR (CDC13): 7.0 (d， 4H), 7.3 (d, 4H), 7.5 (d, 4H), 8.4 (d， 4H)。實施例10-低聚物8: 30 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的低聚物的合成方案。<formula>formula see original document page 26</formula>(13) (9)往攪拌著的4-吡啶甲醛(13)(0.38g， 3.55mmol)和[2,5-二甲氧基-1，4-苯二亞曱基]-雙(氯化三苯基憐)(9)(1.0g， 1.32mmol)在50ml乙醇 中的溶液內滴加入10ml EtONa (2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后: 將所得混合液攪拌3小時。除去乙醇并將固體產(chǎn)物依次用己烷和水 洗滌。將所述產(chǎn)物溶解在氯仿中，接著經(jīng)快速柱層析(Si02,己烷:乙 酸乙西旨-l:l)純化，得到所需的橙色固體狀的產(chǎn)物。i^將所得固體 產(chǎn)物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到橙色晶體(產(chǎn)率46%)。 NMR數(shù) 椐如下'H誦NMR (CDC13): 3.8 (s， 6H), 7.0 (d, 4H), 7.3 (d, 4H), 7.5 (s, 2H), 8.5 (d, 4H)。實施例11-低聚物9: 320 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的低聚物的合成方案。<formula>formula see original document page 27</formula> (9)往攪拌著的2-萘甲醛(14)(0.2化，0.15腿01)和[2,5-二甲氧基-1,4-苯二亞甲基]-雙(氯化三苯基轔)(9)(0.Sg, 0.071mmol)在S0ml乙醇中 的溶液內滴加入10ml EtONa (2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后， 將所得混合液攪拌3小時。除去乙醇并將固體產(chǎn)物依次用己烷和水 洗滌。將所述產(chǎn)物溶解在氯仿中，接著經(jīng)快速柱層析(Si02，己烷:乙 酸乙酯-l:l)純化，得到所需的綠色固體狀的產(chǎn)物。隨后將所得固體 產(chǎn)物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到綠色晶體(產(chǎn)率59%)。 NMR數(shù) 據(jù)如下'H-NMR (CDC13): 3.8 (s, 6H), 6.7 (s, 2H), 7.1 (d, 4H), 7.3 (m, 4H), 7.6 (m, 8H)。實施例12-低聚物10: 400 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的低聚物的合成方案。(14) (10)往攪拌著的2-萘甲醛(14)(0.24g, 0.15腿01)和[2,5-二甲氧基-1，4-苯二亞甲基]-雙(氯化三苯基轔)(9)(0.5g, 0.071mmol)在50ml乙醇中 的溶液內滴加入1 Oml EtONa (2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后， 將所得混合液攪拌3小時。除去乙醇并將固體產(chǎn)物依次用己烷和水 洗滌。將所述產(chǎn)物溶解在氯仿中，接著經(jīng)快速柱層析(Si02,己烷:氯 仿-l:l)純化，得到所需的淺黃色固體狀的產(chǎn)物(產(chǎn)率50%)。 NMR數(shù) 據(jù)如下^國NMR (CDC13): 3.8 (s， 6H), 6.7 (s, 2H), 7.1 (d, 4H), 7.3 (m, 8H), 7.6 (m， 8H)。實施例13-聚合物6該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的聚合物的合成方案。<formula>formula see original document page 29</formula>
往攪拌著的二醛(2)(600mg, 1.34mmol)和[2,5-二曱氧基-1,4-苯二 亞甲基]-雙(氯化三苯基憐)(9)(1.02g, 1.34mmol)在100ml氯仿/乙醇(l:3) 中的溶液內滴加入10ml EtONa (2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后， 將所得混合液回流過夜。除去溶劑，并將固體產(chǎn)物用稀鹽酸洗涂， 隨后溶解在氯仿中；接著從乙醇中沉淀出來。抽濾收集所得的沉淀 物。采用索氏抽提法，以甲醇為溶劑進一步純化24小時，得到綠色 固體狀的聚合物6。將所述固體產(chǎn)物在5(TC的真空烘箱中干燥2天(收 率88%)。 NMR數(shù)據(jù)如下！H-NMR (CDC13): 1.4 (m, 4H), 1.6 (m， 4H)， 3.7 (s, 12H), 3.9 (t, 4H)， 4,1 (s, 6H), 6.7 (s， 4H), 7,1 (d, 4H), 7.5 (d, 2H)。實施例14-聚合物7: 60 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的聚合物的合成方案,<formula>formula see original document page 30</formula>往攪拌著的二醛(l5)(1 .Og, 2.59mmol)和[2，5-二曱氧基-1 ，4-苯二 亞曱基]-雙(氯化三苯基轔)(9)(1.97g,2.59mmol)在100ml氟仿/乙醇(l:3) 中的溶液內滴加入10ml EtONa (2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后， 將所得混合液回流過夜。除去溶劑，并將固體產(chǎn)物用稀鹽酸洗滌， 隨后溶解在氯仿中，接著從乙醇中沉淀出來。抽濾收集所得的沉淀 物。采用索氏抽提法，以甲醇為溶劑進一步純化24小時，得到綠色 固體狀的聚合物7。將所述固體產(chǎn)物在50'C的真空烘箱中干燥2天(收 率90%)。 NMR數(shù)據(jù)如下'H-NMR (CDC13): 1.4 (m, 4H), 1.6 (m, 4H)， 3.7 (s, 6H), 3.9 (t， 4H), 4,1 (s, 6H), 6.7 (s， 2H)， 7.1 (d, 4H), 7.5 (m, 6H)。實施例15-聚合物8: 70 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的聚合物的合成方隸,<formula>formula see original document page 31</formula>(9) (16)往攪拌著的二醛(16)(1.0g, 3.07mmol)和[2，5-二甲氧基-l,4-苯二 亞曱基]-雙(氯化三苯基轔)(9)(2.33g，3.07mmol)在100ml氯仿/乙醇(l:3) 中的溶液內滴加入10ml EtONa (2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后， 將所得混合液回流過夜。除去溶劑，并將固體產(chǎn)物用稀鹽酸洗滌， ^溶解在氯仿中，接著從乙醇中沉淀出來。抽濾收集所得的沉淀 物。采用索氏抽提法，以甲醇為溶劑進一步純化24小時，得到綠色 固體狀的聚合物8。將所述固體產(chǎn)物在50'C的真空烘箱中干燥2天(收 率90%)。 NMR數(shù)據(jù)如下'H-NMR (CDC13): 1.4 (m, 4H), 1.6 (m， 4H), 3.7 (s, 6H)， 3.9 (t， 4H), 4,1 (s, 6H), 6.7 (s, 2H)， 7.1 (d, 4H), 7.5 (m, 8H)。實施例16-聚合物9: 110 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的聚合物的合成方案。OCH3 CH30OCH3 CH30(10) (2)往攪拌著的二醛(2)(2.0g， 4.48mmol)和1,4-苯二亞甲基-雙(氯化 三苯基憐)(10)(3.14g， 4.48mmol)在100ml氯仿/乙醇(1:3)中的溶液內 滴加入10mlEtONa(2M的乙醇溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混 合液回流過夜。除去溶劑，并將固體產(chǎn)物用稀鹽酸洗滌，隨后溶解 在氯仿中，接著從乙醇中沉淀出來。抽濾收集所得的沉淀物。采用 索氏抽提法，以曱醇為溶劑進一步純化24小時，得到幾乎為淺黃色 固體狀的聚合物9。將所述固體產(chǎn)物在50'C的真空烘箱中干燥2天(收 率88%)。 NMR數(shù)據(jù)如下'H-NMR (CDC13): 1.4 (m, 4H)， 1.6 (m, 4H), 3.7 (s， 12H), 3.9 (t, 4H), 6.7 (s， 4H), 7.1 (d， 4H), 7.5 (d, 4H)。實施例17-低聚物11: 300 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的低聚物的合成方案。(17) (18)<formula>formula see original document page 33</formula>往攪拌著的茴香醛(18)(1.2g, 10mmol)和單體(17)(1.32g， 4.0mmo1) 在50ml THF中的溶液內滴加入10ml KotBu (2M的THF溶液)(過量)。 滴加完成后，將所得混合液攪拌l小時。除去THF并將固體產(chǎn)物依 次用己烷和水洗滌。將所述產(chǎn)物溶解在氯仿中，接著經(jīng)快速柱層析 (Si02，己烷:乙酸乙酯-l:l)純化，得到所需的淺黃色固體狀的產(chǎn)物。 接著將所述產(chǎn)物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到無色晶體(產(chǎn)率 45%)。 NMR數(shù)據(jù)如下！H-NMR (CDC13): 3.7 (s, 6H), 6.8 (d, 4H), 70 (d, 4H),7.1 (d,4H),7.5(m,3H)。實施例18-低聚物12: 100 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的低聚物的合成方案。(17) (19)往攪拌著的2,3-二甲氧基苯甲醛(19)(1.0g, 9.64mmol)和單體 (17)(1.38g,4.19mmol)在50ml THF中的溶液內滴加入10ml KotBu (2M 的THF溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌l小時。除去 THF并將固體產(chǎn)物依次用己烷和水洗滌。將所述產(chǎn)物溶解在氯仿中， 接著經(jīng)快速柱層析(Si02，己烷:乙酸乙酯-l:l)純化，得到所需的白 色固體狀的產(chǎn)物。接著將所述產(chǎn)物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到 無色晶體(產(chǎn)率56°/。)。 NMR數(shù)據(jù)如下:^-NMR(CDC13): 3.8 (d, 12H), 6.7 (d, 2H), 6.9 (t, 2H), 7.1 (d, 4H), 7.2 (d, 4H), 7.5 (t， 1H), 7.9 (d, 2H)。實施例19-低聚物13: 100 mg該實施例顯示本發(fā)明另一個實施方案的低聚物的合成方案。<formula>formula see original document page 35</formula>往攪拌著的2，3,4-三甲氧基苯曱醛(20)(0.17g， 0.87mmol)和單體 (17)(0.12g,0.35mmol)在50ml THF中的溶液內滴加入10mlKotBu (2M 的THF溶液)(過量)。滴加完成后，將所得混合液攪拌l小時。除去 THF并將固體產(chǎn)物依次用己烷和水洗滌。將所述產(chǎn)物溶解在氯仿中， 接著經(jīng)快速柱層析(Si02,己烷:乙酸乙酯-l:l)純化，得到所需的白 色固體狀的產(chǎn)物。接著將所述產(chǎn)物從己烷和乙酸乙酯中重結晶得到 淺黃色晶體(產(chǎn)率53。/。)。NMR數(shù)據(jù)如下'H-NMR (CDC13): 3.8 (d, 18H), 6.7 (s, 4H)， 7.0 (d， 2H), 7.2 (d, 2H), 7.5 (m, 3H)。已經(jīng)顯示并描述了本發(fā)明的一個優(yōu)選的實施方案，本領域的技 術人員會認識到多種變體和修改方案可用來實施所描述的發(fā)明，而 它們仍在本發(fā)明所要求保護的范圍內。因此，上述許多因素可改變 或用其它不同的因素來代替，而仍得到相同的結果并在本發(fā)明所要 求保護的宗旨內。因此，本發(fā)明僅受杈利要求書所要求保護的范圍 的限制。
權利要求
1.一種含有以下通式結構的低聚物的組合物其中R1取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵C可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵D可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位。
2. 權利要求l的組合物，其中至少一個R1取代基為曱氧基。
3. 權利要求l的組合物，其中至少兩個R1取代基為曱氧基。
4. 一種含有以下通式結構的低聚物的組合物<formula>formula see original document page 2</formula>其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； 其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位； 其中鍵C可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位； 其中鍵D可位于各吡啶基氮的鄰位、間位或對位。
5. 權利要求4的組合物，其中至少一個R1取代基為曱氧基。
6. 權利要求4的組合物，其中至少兩個R1取代基為曱氧基。
7. 權利要求4的組合物，其中至少一個R2取代基為曱基。
8. 權利要求4的組合物，其中至少一個R3取代基為曱基。
9. 一種含有以下通式結構的低聚物的組合物R3/R2 CA R1 B D R4/R5其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； 其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位。
10. 權利要求9的組合物，其中至少一個R1取代基為甲氧基。
11. 權利要求9的組合物，其中至少兩個R1取代基為甲氧基。
全文摘要
本發(fā)明涉及聚合物和低聚物，它們的合成方法以及含有它們的電子設備。所述聚合物和低聚物分別具有如說明書所示的聚合物1-9和低聚物1-13的結構。
文檔編號C07D213/00GK101333188SQ20081009101
公開日2008年12月31日 申請日期2002年3月12日 優(yōu)先權日2001年3月13日
發(fā)明者A·埃普斯坦, D·王 申請人:俄亥俄州大學