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一種氯化氫合成爐防泄漏導(dǎo)流結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:9061759閱讀:391來源:國知局
一種氯化氫合成爐防泄漏導(dǎo)流結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種氯化氫合成爐,特別涉及一種氯化氫合成爐防泄漏導(dǎo)流結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]氯化氫合成爐用于將氯氣、氫氣燃燒制得氯化氫氣體。氯氣與氫氣燃燒時(shí)釋放出大量反應(yīng)熱,其火焰中心區(qū)溫度達(dá)到2500 0C以上,生成的氯化氫氣體溫度在2000 0C以上,即每合成I千克氣態(tài)氯化氫約放出605KC艦熱量,這些熱量利用起來相當(dāng)可觀。
[0003]目前市場上有兩類氯化氫合成爐,第一類是廣泛采用的全石墨制合成爐,其由石墨內(nèi)筒體及鋼制外壁構(gòu)成,由上至下依次分為頂節(jié)筒體、冷卻段筒體、爐外筒體以及爐內(nèi)筒體,冷卻段筒體與爐外筒體連接時(shí),通過法蘭連接,反應(yīng)時(shí)在反應(yīng)筒體與外壁夾層之間通冷卻水進(jìn)行余熱的吸收利用。由于冷卻段筒體與爐外筒體通過下法蘭連接,該連接處的法蘭面與石墨接觸的區(qū)域密封效果差,冷卻段的冷凝酸易沿著下法蘭的上端面與石墨接觸的間隙蔓延至下端的爐外筒體上,使得爐外筒體的鋼制殼體發(fā)生腐蝕。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種避免冷卻段筒體下法蘭固定區(qū)域冷凝酸滲漏出去的氯化氫合成爐防泄漏導(dǎo)流結(jié)構(gòu)。
[0005]為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:一種氯化氫合成爐防泄漏導(dǎo)流結(jié)構(gòu),所述合成爐分為上、中、下三段,上、中、下段均由石墨筒體及套在筒體外的鋼制殼體構(gòu)成,該上中下三段鋼制殼體通過法蘭連接,其內(nèi)部石墨筒體連接導(dǎo)通,所述上段筒體內(nèi)設(shè)置有石墨換熱塊,該石墨換熱塊延伸至上段筒體的底部;
[0006]其創(chuàng)新點(diǎn)在于:所述合成爐中段筒體的頂部與合成爐上段筒體底部由一下法蘭連接,所述石墨換熱塊下端面具有數(shù)個(gè)沿石墨換熱塊直徑方向由內(nèi)至外依次間隔設(shè)置的環(huán)形凹槽,且每相鄰兩個(gè)環(huán)形凹槽間形成一凸起的倒三角形的內(nèi)導(dǎo)流環(huán),其中最外一側(cè)的環(huán)形凹槽的外圓周與靠近下法蘭的內(nèi)圓周,且環(huán)形凹槽的外圓周與下法蘭的內(nèi)圓周之間具有一凸起的外導(dǎo)流環(huán),同時(shí)環(huán)形凹槽的上端面高于下法蘭的上端面設(shè)置,下端面與下法蘭的下端面齊平。
[0007]進(jìn)一步地,所述內(nèi)導(dǎo)流環(huán)為一底長8mm,高為4mm的倒三角形。
[0008]進(jìn)一步地,所述外導(dǎo)流環(huán)的高度為8mm。
[0009]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0010]本實(shí)用新型的防泄漏導(dǎo)流結(jié)構(gòu)為在石墨換熱塊下端面上設(shè)置導(dǎo)流環(huán),通過這些導(dǎo)流環(huán)將石墨換熱塊內(nèi)壁鹽酸引流至每個(gè)導(dǎo)流環(huán)的頂端,導(dǎo)流環(huán)為倒三角形,鹽酸會沿環(huán)形凸體的尖端滴至中段筒體內(nèi),避免鹽酸蔓延至下法蘭的下法蘭面后進(jìn)一步與下段筒體的鋼制殼體接觸而腐蝕鋼制殼體,提高了合成爐的使用壽命。
【附圖說明】
[0011]圖1為氯化氫合成爐的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖2為本實(shí)用新型氯化氫合成爐防泄漏導(dǎo)流結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]如圖1和圖2所示,本實(shí)用新型公開了一種氯化氫合成爐防泄漏導(dǎo)流結(jié)構(gòu),合成爐分為上段a、中段b、下段C,上段a、中段b、下段c均由石墨筒體及套在筒體外的鋼制殼體構(gòu)成,該上段a、中段b、下段c鋼制殼體通過法蘭連接,其內(nèi)部石墨筒體連接導(dǎo)通,上段a筒體內(nèi)設(shè)置有石墨換熱塊1,該石墨換熱塊I延伸至上段a筒體的底部;
[0014]中段b筒體的頂部與上段a筒體底部由一下法蘭2連接,石墨換熱塊I下端面具有數(shù)個(gè)沿石墨換熱塊直徑方向由內(nèi)至外依次間隔設(shè)置的環(huán)形凹槽3,且每相鄰兩個(gè)環(huán)形凹槽3間形成一凸起的倒三角形的內(nèi)導(dǎo)流環(huán)4,其中最外一側(cè)的環(huán)形凹槽3的外圓周與靠近下法蘭I的內(nèi)圓周,且環(huán)形凹槽3的外圓周與下法蘭I的內(nèi)圓周之間具有一凸起的外導(dǎo)流環(huán)5,同時(shí)環(huán)形凹槽3的上端面高于下法蘭I的上端面設(shè)置,下端面與下法蘭I的下端面齊平。
[0015]本實(shí)施例中,為了提高環(huán)形凸體的引流效果,內(nèi)導(dǎo)流環(huán)4為一底長8mm,高為4mm的倒三角形,外導(dǎo)流環(huán)5的高度為8mm。
[0016]工作原理,本實(shí)用新型的防泄漏導(dǎo)流結(jié)構(gòu)通過導(dǎo)流環(huán)將石墨換熱塊內(nèi)壁鹽酸引流至每個(gè)導(dǎo)流環(huán)的頂端,導(dǎo)流環(huán)為倒三角形,鹽酸會沿環(huán)形凸體的尖端滴至中段筒體內(nèi),避免鹽酸蔓延至下法蘭的下法蘭面后進(jìn)一步與下段筒體的鋼制殼體接觸而腐蝕鋼制殼體,提高了合成爐的使用壽命。
[0017]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解,本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制,上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理,在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下,本實(shí)用新型還會有各種變化和改進(jìn),這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種氯化氫合成爐防泄漏導(dǎo)流結(jié)構(gòu),所述合成爐分為上、中、下三段,上、中、下段均由石墨筒體及套在筒體外的鋼制殼體構(gòu)成,該上中下三段鋼制殼體通過法蘭連接,其內(nèi)部石墨筒體連接導(dǎo)通,所述上段筒體內(nèi)設(shè)置有石墨換熱塊,該石墨換熱塊延伸至上段筒體的底部; 其特征在于:所述合成爐中段筒體的頂部與合成爐上段筒體底部由一下法蘭連接,所述石墨換熱塊下端面具有數(shù)個(gè)沿石墨換熱塊直徑方向由內(nèi)至外依次間隔設(shè)置的環(huán)形凹槽,且每相鄰兩個(gè)環(huán)形凹槽間形成一凸起的倒三角形的內(nèi)導(dǎo)流環(huán),其中最外一側(cè)的環(huán)形凹槽的外圓周與靠近下法蘭的內(nèi)圓周,且環(huán)形凹槽的外圓周與下法蘭的內(nèi)圓周之間具有一凸起的外導(dǎo)流環(huán),同時(shí)環(huán)形凹槽的上端面高于下法蘭的上端面設(shè)置,下端面與下法蘭的下端面齊平。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氯化氫合成爐防泄漏導(dǎo)流結(jié)構(gòu),其特征在于:所述內(nèi)導(dǎo)流環(huán)為一底長8mm,高為4mm的倒三角形。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氯化氫合成爐防泄漏導(dǎo)流結(jié)構(gòu),其特征在于:所述外導(dǎo)流環(huán)的高度為8mm。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種氯化氫合成爐防泄漏導(dǎo)流結(jié)構(gòu),所述下段筒體的頂部與上段筒體底部由一下法蘭連接,所述石墨換熱塊下端面具有數(shù)個(gè)沿石墨換熱塊直徑方向由內(nèi)至外依次間隔設(shè)置的環(huán)形凹槽,且每相鄰兩個(gè)環(huán)形凹槽間形成一凸起的倒三角形的內(nèi)導(dǎo)流環(huán),其中最外一側(cè)的環(huán)形凹槽的外圓周與靠近下法蘭的內(nèi)圓周,且環(huán)形凹槽的外圓周與下法蘭的內(nèi)圓周之間具有一凸起的外導(dǎo)流環(huán),同時(shí)環(huán)形凹槽的上端面高于下法蘭的上端面設(shè)置,下端面與下法蘭的下端面齊平。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:本實(shí)用新型的防泄漏導(dǎo)流結(jié)構(gòu)避免了鹽酸蔓延至下法蘭的下法蘭面后進(jìn)一步與下段筒體的鋼制殼體接觸而腐蝕鋼制殼體,提高了合成爐的使用壽命。
【IPC分類】C01B7/01
【公開號】CN204714517
【申請?zhí)枴緾N201520317087
【發(fā)明人】繆世陽, 劉仍禮, 楊華, 陸俊
【申請人】南通星球石墨設(shè)備有限公司
【公開日】2015年10月21日
【申請日】2015年5月18日
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