介電組合物、介電元件、電子部件和層疊電子部件的制作方法
【專利摘要】所解決的問題在于提供一種介電組合物,所述介電組合物具有當(dāng)施加至少8V/μm的DC偏置時(shí)為900或更大的相對(duì)高的介電常數(shù),并且還在于提供采用所述介電組合物的介電元件、電子部件和層疊電子部件。一種介電組合物,其中所述主要組分的成分符合下式(1):(BiaNabSrc)(ZndTi1?d)O3(1)[其中a、b、c和d滿足以下:0.09≤a≤0.58、0.09≤b≤0.42、0.05≤c≤0.84、0<d≤0.08并且0.95≤a+b+c≤1.05]。
【專利說明】介電組合物、介電元件、電子部件和層疊電子部件
[技術(shù)領(lǐng)域]
[0001] 本發(fā)明涉及一種介電組合物和采用介電組合物的介電元件,并且涉及電子部件和 層疊電子部件;更具體地,本發(fā)明涉及有利地用于具有相對(duì)高的額定電壓的中壓和高壓應(yīng) 用的介電組合物和介電元件。
[現(xiàn)有技術(shù)]
[0002] 近年來,隨著電子電路實(shí)現(xiàn)更高的密度,對(duì)于介電元件的小型化存在很大需求,并 且電子部件(如層疊陶瓷電容器)的小型化與增加的容量一起快速發(fā)展,同時(shí)其應(yīng)用也在擴(kuò) 展。隨著這些的發(fā)生,需要各種特性。
[0003] 例如,用于裝置(例如,ECM(發(fā)動(dòng)機(jī)電子計(jì)算機(jī)模塊)、燃料噴射裝置、電子控制節(jié) 流閥、逆變器、轉(zhuǎn)換器、HID頭燈單元、混合發(fā)動(dòng)機(jī)電池控制單元和數(shù)碼相機(jī))中的中壓和高 壓的電容器具有超過100V的額定電壓,當(dāng)施加高DC偏置時(shí),例如這些的中壓和高壓電容器 需要高介電常數(shù)和高電容。
[0004] 然而,例如,常規(guī)的介電組合物被設(shè)計(jì)成其在假定施加 ?ν/μπι量級(jí)的低DC偏置的情 況下使用。這意味著,當(dāng)施加高DC偏置時(shí),如果使用具有包含常規(guī)的介電組合物的介電層的 電子部件,那么存在介電常數(shù)和電容降低的問題。DC偏置越高,這個(gè)問題變得更加顯著,尤 其是在具有非常薄的層的層疊陶瓷電容器中,因?yàn)榻殡姵?shù)和電容趨于降低。
[0005] 為了解決上述問題,以下提到的專利文獻(xiàn)1中描述了一種含有以下主要組分的介 電組合物,其主要組分包括:堿金屬氧化物含量為〇. 〇2wt %或更少的鈦酸鋇;選自氧化銪、 氧化IL、氧化鉞、氧化鏑、氧化鈥、氧化鉺、氧化鎊和氧化鐿中的至少一種化合物;錯(cuò)酸鋇、氧 化鎂和氧化錳,所述主要組分由以下組成式表示:{BaO} mTi〇2+aR203+邱aZr03+γ MgO+gMnO (其中 R2〇3是選自 EU2〇3、Gd2〇3、Tb2〇3、Dy2〇3、H〇2〇3、Ε?〇3、Τ??2〇3和Yb2〇3 中的至少一種化合物; 并且α、β、γ和g表示摩爾比,并且在以下范圍內(nèi):0.001彡α彡0.06,0.005<β<0.06,0.001〈 丫彡0.12,0.0014彡0.12,丫+8彡0.13,并且1.000〈111彡1.035) ;并且所述介電組合物含有 作為輔助組分的相對(duì)于l〇〇mol主要組分的以Si〇2當(dāng)量的0.2mol至5 .Omol的氧化娃。
[0006] 然而,雖然例如在專利文獻(xiàn)1中描述的介電組合物在施加5VAim的DC偏置時(shí)具有相 對(duì)大的介電常數(shù),但是為了應(yīng)對(duì)與中壓和高壓電容器的小型化和更高容量伴隨的更薄的 層,期望在甚至更高的DC偏置下具有高介電常數(shù)的介電組合物。
[0007] [現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0008] [專利文獻(xiàn)]
[0009] [專利文獻(xiàn) 1]JP 33346〇7 B2
[
【發(fā)明內(nèi)容】
]
[0010][本發(fā)明要解決的問題]
[0011]鑒于上述情況,本發(fā)明的目的在于提供有利地用于具有相對(duì)高的額定電壓的中壓 和高壓應(yīng)用并且當(dāng)施加至少8ν/μπι的DC偏置時(shí)具有900或更大的相對(duì)高的介電常數(shù)的介電 組合物,并且還在于提供采用所述介電組合物的介電元件、電子部件和層疊電子部件。
[0012]此外,根據(jù)本發(fā)明,被施加到介電組合物、介電元件、電子部件和層疊電子部件的 直流電場(chǎng)被稱為DC(直流)偏置。另外,介電組合物的介電常數(shù)和電容等由于所施加的DC偏 置而變化的特性被稱為DC偏置特性。
[0013][解決問題的方案]
[0014] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的,根據(jù)本發(fā)明的介電組合物具有符合下式(1)的主要組分的成 分:
[0015] (BiaNabSrc)(ZndTii-d)〇3(l)
[0016] 其特征在于,a、b、c和d滿足以下:0.09彡a彡0·58,0·09彡b彡0·42,0·05彡c彡 0.84,0〈(1彡0.08,并且0.95彡3+匕+。彡1.05。
[0017] 應(yīng)當(dāng)注意,a、b、c和d表示當(dāng)有三個(gè)氧原子時(shí)Bi、Na、Sr和Ζη的原子數(shù)。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的這種介電組合物具有上述構(gòu)成,并且因此,當(dāng)施加至少8V/ym的DC偏 置時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)900或更大的相對(duì)高的介電常數(shù)。
[0019] 優(yōu)選地a、b、c和d滿足以下:0.27彡a彡0.48,0.18<b<0.38,0.20<c<0.60,0.02 彡cK0.05,并且 0.95彡a+b+c彡 1.05。
[0020] 根據(jù)本發(fā)明的介電元件包含上述介電組合物。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的電子部件設(shè)置有包含上述介電組合物的介電層。
[0022] 根據(jù)本發(fā)明的層疊電子部件具有通過交替層疊內(nèi)部電極層和包含上述介電組合 物的介電層而形成的層疊部。
[0023][本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)]
[0024] 發(fā)明的介電元件、電子部件和層疊電子部件有利地用于具有相對(duì)高的額定電壓的 中壓和高壓電容器中。本發(fā)明使得能夠提供當(dāng)施加至少8V/ym的DC偏置時(shí)具有900或更大的 相對(duì)高的介電常數(shù)的介電組合物,并且還提供采用所述介電組合物的介電元件、電子部件 和層疊電子部件。
[0025] 對(duì)于包含上述介電組合物的介電元件、電子部件和層疊電子部件的應(yīng)用沒有具體 的限制,但它們可用于當(dāng)施加高DC偏置時(shí)需要高介電常數(shù)的電路保護(hù)緩沖電容器或平滑電 容器中。
[0026] 此外,根據(jù)本發(fā)明的介電組合物在不含鉛的情況下具有優(yōu)異特性。因此,從環(huán)境的 角度來看,本發(fā)明的介電組合物、介電元件、電子部件和層疊電子部件是優(yōu)異的。
[【附圖說明】]
[0027][圖1]是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的一個(gè)模式的陶瓷電容器的示意圖。
[0028] [圖2]是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的不同模式的層疊陶瓷電容器的截面圖;以及
[0029] [圖3]是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案的DC偏置特性圖和常規(guī)的基 于BaT i03介電組合物的DC偏置特性圖兩者的曲線圖。
[【具體實(shí)施方式】]
[0030] 以下將在某些情況下參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方案的優(yōu)選模式進(jìn)行描述。應(yīng)當(dāng)指 出,在附圖中,相同的附圖標(biāo)記用于相同的或等同的元件,重復(fù)的描述將不再給出。
[0031] 如圖1所示,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的一個(gè)模式的單層陶瓷電容器100包括盤形介 電體1和一對(duì)電極2、3。通過在介電體1的兩個(gè)表面上形成電極2、3來獲得單層陶瓷電容器 100。對(duì)于介電體1和電極2、3的形狀沒有具體的限制。另外,對(duì)于其任一尺寸沒有具體的限 制,并且應(yīng)該根據(jù)應(yīng)用來設(shè)置適當(dāng)?shù)某叽纭?br>[0032] 介電體1是由下式(1)表示的介電組合物形成的。
[0033] (BiaNabSrc)(ZndTii-d)〇3 (1)
[0034] 在式(1)中,a、b、c和d滿足以下:0.09彡a彡0·58,0·09彡b彡0·42,0·05彡c彡0.84, 0〈d 彡0 · 08,并且0 · 95彡 a+b+c彡 1 · 05。
[0035]這類介電組合物具有上述構(gòu)成,并且因此,可以實(shí)現(xiàn)當(dāng)施加 SV/μπι的DC偏置時(shí)的 900或更大的相對(duì)高的介電常數(shù)。
[0036] 此處,0.09彡a彡0.58,因?yàn)槿绻鸻小于0.09,那么介電常數(shù)降低,而如果a大于 0.58,那么耐受電壓降低。從提高介電常數(shù)的角度來看,a優(yōu)選為0.27<a<0.48。
[0037] 此外,0.09彡b彡0.42,因?yàn)槿绻鸼小于0.09,那么介電常數(shù)降低,而如果b大于 0.42,那么耐受電壓降低。從提高介電常數(shù)的角度來看,b優(yōu)選為0.18<b<0.38。
[0038] 另外,0.05彡c彡0.84,因?yàn)槿绻鹀小于0.05或大于0.84,那么介電常數(shù)降低。從提 高介電常數(shù)的角度來看,c優(yōu)選為0.20<c<0.60。
[0039] 另外,0〈d彡0.08,因?yàn)槿绻鹍為0,那么耐受電壓降低,并且如果d大于0.08,那么介 電常數(shù)降低。從提高介電常數(shù)的角度來看,d優(yōu)選為0.02<d<0.05。
[0040] 此外,如果a+b+c小于0.95或大于1.05,那么不可以獲得足夠的燒結(jié)密度,并且絕 緣電阻降低,因此當(dāng)施加高DC偏置時(shí)難以使用該介電組合物。
[0041] 根據(jù)實(shí)施方案的該模式的電介質(zhì)是鐵電組合物的組合,并且通過提供該特定組 合,可以實(shí)現(xiàn)當(dāng)施加8ν/μπι的DC偏置時(shí)的900或更大的相對(duì)高的介電常數(shù)。
[0042] 從獲得足以實(shí)際用作介電組合物的介電常數(shù)的角度來看,由式(1)表示的主要組 分的含量基于總的介電組合物優(yōu)選為至少90質(zhì)量%。另外,介電組合物可以含有選自以下 的元素的一種或多種氧化物 :]\%、]?11、(:〇、附^1和3丨,作為除了主要組分之外的輔助組分。此 外,該介電組合物可以包括諸如P和Zr的雜質(zhì)以及在生產(chǎn)過程期間可以變成混合體的不同 的晶相。
[0043] 該介電組合物的構(gòu)成可以通過X射線熒光分析或通過ICP原子發(fā)射譜進(jìn)行測(cè)定。 [0044]當(dāng)理論密度為100%時(shí),上述介電組合物的相對(duì)密度優(yōu)選為95%或更大。在這種情 況下,在本說明書中,相對(duì)密度是指密度的實(shí)際測(cè)量值相對(duì)于理論密度的比例。應(yīng)當(dāng)注意, 介電組合物的理論密度可以例如利用借助X射線衍射獲得的晶格常數(shù)和基于完美結(jié)晶獲得 的化學(xué)計(jì)量比來計(jì)算。該介電組合物的密度的實(shí)際測(cè)量值可以例如借助于阿基米德法來獲 得。該介電組合物的相對(duì)密度可以通過改變燒制溫度或燒制時(shí)間等來調(diào)整。
[0045]以下將對(duì)用于制造圖1中所示的陶瓷電容器的方法的實(shí)施例進(jìn)行描述。
[0046] 首先,制備氧化鉍(Bi2〇3)、碳酸鈉(Na2C03)、碳酸鍶(SrC0 3)、氧化鋅(ZnO)和二氧化 鈦(Ti〇2)等的粉末作為介電體1的起始材料。
[0047]然后以如下方式對(duì)上述粉末起始材料進(jìn)行稱重:使得已燒制的介電組合物(燒結(jié) 體)滿足根據(jù)實(shí)施方案的該模式的介電組合物的組成。
[0048]然后使用球磨機(jī)等對(duì)已稱重的起始材料粉末進(jìn)行濕式混合。通過對(duì)由濕式混合獲 得的混合物進(jìn)行煅燒來獲得煅燒制品。這里,煅燒通常在空氣中進(jìn)行。另外,煅燒溫度優(yōu)選 為700 °C至900 °C,并且煅燒時(shí)間優(yōu)選為1小時(shí)至10小時(shí)。
[0049] 所得的煅燒制品在球磨機(jī)等中濕磨,之后將其干燥以獲得煅燒粉末。然后將粘合 劑加入到所得的煅燒粉末中,并且進(jìn)行壓制成型以獲得成型制品。對(duì)可以使用的粘合劑沒 有具體的限制,只要它是在本技術(shù)領(lǐng)域中常規(guī)使用的粘合劑即可。可以引用的粘合劑的具 體實(shí)例包括聚乙烯醇和聚乙烯醇縮丁醛。對(duì)于添加的粘合劑的量沒有具體的限制,但是,當(dāng) 煅燒粉末被取作l〇〇wt%時(shí),優(yōu)選添加 lwt%至5wt%的量。此外,成型壓力優(yōu)選為約5 X 102MPa。對(duì)于成型制品的形狀沒有具體的限制。根據(jù)實(shí)施方案的該模式,形成為圓盤形狀, 但同樣可以形成立方體形狀或其他形狀。
[0050] 介電體1是通過對(duì)所得成型制品進(jìn)行燒制而得到。此處,燒制通常在空氣中進(jìn)行。 另外,燒制溫度優(yōu)選為900°C至1300°C,并且煅燒時(shí)間優(yōu)選為2小時(shí)至10小時(shí)。
[0051] 然后在所得介電體1的兩個(gè)表面上形成電極2、3。對(duì)于電極的材料沒有具體的限 制,并且使用48)1 1、〇1^附等。借助例如氣相沉積法、濺射法、印刷法或化學(xué)鍍法的方法 形成電極,但也可以使用其他方法,并且對(duì)于形成電極的方法沒有具體的限制。
[0052] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的一個(gè)不同的模式的層疊陶瓷電容器的截面圖。如 圖2所示,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的一個(gè)模式的層疊陶瓷電容器200包括電容器元件主體5, 所述電容器元件主體5具有介電層7和內(nèi)部電極層6A、6B交替堆疊的結(jié)構(gòu)。一對(duì)端電極11A、 11B形成在元件主體5的兩端,一對(duì)端電極11A、11B形成在元件主體5的兩端上,所述一對(duì)端 電極11六、1113分別與交替布置在元件主體5內(nèi)部的內(nèi)部電極層64、613導(dǎo)通(〇〇11(111〇1:)。對(duì)于元 件主體5的形狀沒有具體的限制,但是通常為立方體形狀。另外,對(duì)于其尺寸沒有具體的限 制,應(yīng)當(dāng)根據(jù)應(yīng)用來設(shè)定適當(dāng)?shù)某叽纭?br>[0053]介電層7包含根據(jù)本發(fā)明的介電組合物。
[0054] 介電層7的每層的厚度可以自由地設(shè)定,并且可以為例如Ιμπι至100μπι,但沒有具體 的限制。
[0055] 內(nèi)部電極層6Α、6Β被設(shè)置成例如平行的方式。內(nèi)部電極層6Α以如下方式形成:所述 內(nèi)部電極層6Α的一端在層疊體5的形成端電極11Α的端面處露出。另外,內(nèi)部電極層6Β以如 下方式形成:所述內(nèi)部電極層6Β的一端在層疊體5的形成端電極11Β的端面處露出。此外,內(nèi) 部電極層6Α和內(nèi)部電極層6Β以如下方式設(shè)置:其大部分沿堆疊的方向交疊。
[0056]例如,金屬如Au、P t或Ag可被用作內(nèi)部電極層6Α、6Β的材料,但沒有具體的限制,并 且也可以使用其他金屬。
[0057] 端電極11A,11B設(shè)置在層疊體5的與內(nèi)部電極層6A、6B的端部接觸的端面處,內(nèi)部 電極層6A、6B在所述端面處露出。因此,端電極11A、11B分別電連接至內(nèi)部電極層6A、6B。端 電極11A、11B可以包含具有Ag、Au、Cu等作為其主要組分的導(dǎo)電材料。其中,端電極11A、11B 的厚度根據(jù)應(yīng)用和層疊介電元件的尺寸適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。該厚度可以設(shè)定為1〇μπι至50μπι,但沒 有具體的限制。
[0058] 以上對(duì)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的模式的單層陶瓷電容器和層疊陶瓷電容器進(jìn)行 了描述。根據(jù)本發(fā)明的介電組合物在施加高DC偏置時(shí)具有高介電常數(shù)和電容,并且因此可 以有利地用于例如具有相對(duì)高的額定電壓的中壓和高壓電容器。
[0059] 另外,本發(fā)明不限于上述實(shí)施方案的模式。例如,包含根據(jù)本發(fā)明的介電組合物的 介電層也可以被用作半導(dǎo)體器件等中的介電元件。另外,除了介電組合物之外,在本發(fā)明中 可以自由地使用已知的構(gòu)造。另外,當(dāng)生產(chǎn)陶瓷電容器時(shí),可以借助已知的方法如水熱合成 法生產(chǎn)煅燒粉末。另外,也可以制備、混合以及燒結(jié)Bi(Zn Q.5TiQ.5)03、(Bi(). 5Na().5)Ti〇dP SrTi03等作為前體。
[0060]根據(jù)實(shí)施方案的該模式的電介質(zhì)是鐵電組合物的組合,并且通過提供該特定組 合,能夠?qū)崿F(xiàn)當(dāng)施加8ν/μπι的DC偏置時(shí)的900或更大的相對(duì)高的介電常數(shù)。
[0061 ]例如,根據(jù)本發(fā)明的介電組合物也可被稱為鐵電組合物例如Bi(ZnQ.5Tio.5)0 3、 (BiQ.5Na〇.5)Ti03和SrTi0 3的組合。認(rèn)為借助于鐵電組合物的這種特定組合能夠提供當(dāng)施加 至少為8ν/μπι的DC偏置時(shí)的900或更大的相對(duì)高的介電常數(shù)。
[0062][示例性實(shí)施方案]
[0063]以下將借助示例性實(shí)施方案和比較例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。然而,本發(fā)明 不限于以下的示例性實(shí)施方案。
[0064](示例性實(shí)施方案1-16和比較例1-10)
[0065] 為了生產(chǎn)介電組合物,制備氧化鉍(Bi203)、碳酸鈉(Na 2C03)、碳酸鍶(SrC03)、氧化 鋅(ZnO)和二氧化鈦(Ti02)的粉末作為起始材料。
[0066] 然后以如下方式對(duì)上述粉末起始材料進(jìn)行稱重:使得已被燒制的介電組合物(燒 結(jié)體)滿足表1中所示的組分。此處應(yīng)當(dāng)注意,在表1中的a、b、c和d分別表示下式(1)中的a、 b、c和d的數(shù)值。
[0067] (BiaNabSrc)(ZndTii-d)〇3 (1)
[0068] 然后利用球磨機(jī)對(duì)已稱重的起始材料粉末進(jìn)行濕式混合,之后將所得的混合物在 空氣中在850°C下煅燒2小時(shí)以獲得煅燒制品。在球磨機(jī)中濕磨所得的煅燒制品以獲得煅燒 粉末。然后將lwt%聚乙烯醇加入到煅燒粉末中,取煅燒粉末為lOOwt%,在約5X 102MPa的 壓力下進(jìn)行成型,并且獲得具有直徑約17mm和厚度約1mm的平面尺寸的盤形成型制品。
[0069] 然后在空氣中在900°C至1300°C的燒制溫度和2小時(shí)至10小時(shí)的燒制時(shí)間下對(duì)所 得的成型制品進(jìn)行燒制,其條件使得相對(duì)密度為95%或更大,以獲得介電組合物樣品。當(dāng)測(cè) 量所得的介電樣品的密度時(shí),所有樣品的密度相對(duì)于理論密度為95%或更大。
[0070] 借助于X射線熒光分析對(duì)所得的介電組合物樣品的組成進(jìn)行分析。因此,可以確認(rèn) 燒結(jié)體的組成相當(dāng)于表1中的組合物。
[0071] 為了生產(chǎn)電容器樣品,在所得的介電組合物樣品的兩個(gè)表面上氣相沉積Ag電極。 [0072]對(duì)于所得的電容器樣品中的每一個(gè)對(duì)當(dāng)施加 8V/ym的DC偏置時(shí)在25°C的室溫下的 介電常數(shù)(ε)進(jìn)行測(cè)量。
[0073]將DC-電壓電源(Glassman High Voltage,WX10P90)連接至數(shù)字LCR儀(Hewlett-Packard,4284A),并且通過所述數(shù)字LCR儀在25°C的室溫下對(duì)當(dāng)施加8V/ym的DC偏置時(shí)的介 電常數(shù)進(jìn)行測(cè)量。
[0074]對(duì)于每個(gè)示例性實(shí)施方案和比較例當(dāng)施加 SV/μπι的DC偏置時(shí)在25°C的室溫下的介 電常數(shù)示于表1中。另外,在表中的節(jié)線(bar line)表明,當(dāng)施加8V/ym的DC偏置時(shí)發(fā)生擊穿 并且介電常數(shù)不能測(cè)量。當(dāng)施加 SV/μπι的DC偏置時(shí)介電常數(shù)為900或更大的實(shí)施例被認(rèn)為是 令人滿意的。
[0075][表1]
[0076]
[0077] 從以上可以看出,根據(jù)示例性實(shí)施方案1-16的介電組合物(其中a、b、c和d滿足 0.09彡&彡0.58、0.09彡13彡0.42、0.05彡。彡0.84、0〈(1彡0.08、0.95彡&+匕+。彡1.05)當(dāng)施加 SV/μπι的偏置時(shí)具有900或更大的介電常數(shù),并且這些組合物是在優(yōu)選的范圍內(nèi)。
[0078]與此相反,根據(jù)比較例1-10的介電組合物(其不滿足0.09彡a彡0.58、0.09彡b彡 0.42、0.05彡。彡0.84、0〈(1彡0.08、以及0.95彡3+匕+(3彡1.05中的至少之一)當(dāng)施加8¥/^111的 偏置時(shí)具有小于900的介電常數(shù),或者不能測(cè)量介電常數(shù)。
[0079]此外,對(duì)于根據(jù)示例性實(shí)施方案3的電容器樣品所施加的DC偏置在〇ν/μπι至8V/ym 的范圍內(nèi)變化,并且對(duì)介電常數(shù)進(jìn)行了測(cè)量。測(cè)量結(jié)果與常規(guī)的基于BaTi03的電容器樣品 的介電常數(shù)的變化的圖一起示于圖3中。
[0080] 從圖3中清楚地看出,在常規(guī)的基于BaTi03的電容器樣品的情況下,隨著所施加的 DC偏置增加,介電常數(shù)急劇下降,而在具有根據(jù)本發(fā)明的介電組合物電容器樣品的情況下, 當(dāng)施加2VAim至4V/ym的DC偏置時(shí)介電常數(shù)為最大值,即使當(dāng)DC偏置增加時(shí),也保持高介電 常數(shù)。
[0081] [附圖標(biāo)記]
[0082] 1:介電體
[0083] 2、3:電極
[0084] 5:層疊體
[0085] 6A、6B:內(nèi)部電極層
[0086] 7:介電層
[0087] 11A、11B:端電極
[0088] 100:陶瓷電容器
[0089] 200:層疊陶瓷電容器
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種介電組合物,其中所述主要組分的成分符合下式(I): (BiaNabSrc) (ZndTii-d)〇3 (1) 其特征在于,a、b、c和d滿足以下:0.09彡a彡0·58、0·09彡b彡0·42、0·05彡c彡0.84、0〈d 彡0 · 08 并且 0 · 95彡 a+b+c彡 1 · 05。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的介電組合物,其中a、b、c和d滿足以下:0.27彡a彡0.48、0.18彡 b彡0.38、0.20彡。彡0.60、0.02彡(1彡0.05并且0.95彡&+匕+。彡1.05。3. -種介電元件,包含根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的介電組合物。4. 一種電子部件,設(shè)置有包含根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的介電組合物的介電層。5. -種層疊電子部件,具有通過交替地層疊內(nèi)部電極層和包含根據(jù)權(quán)利要求1或2所述 的介電組合物的介電層而形成的層疊部。
【文檔編號(hào)】H01G4/12GK105916829SQ201580005075
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2015年1月21日
【發(fā)明人】井村智也, 田內(nèi)古史, 廣瀨政和
【申請(qǐng)人】愛普科斯公司