一種單層釉面窯變磚及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種建筑陶瓷釉面磚生產(chǎn)，具體涉及一種單層釉面窯變磚及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]建筑陶瓷內(nèi)墻釉面磚是由臘石、硅灰石、石英、粘土等組成坯體，素?zé)笤谄渑黧w表面施一層底釉再施一層面釉，經(jīng)絲網(wǎng)或滾筒印刷，或數(shù)字噴墨打印圖案再經(jīng)輥道窯1100-1120度燒制而成。每片磚圖案基本一致，缺乏自然質(zhì)感。而傳統(tǒng)窯變釉是在素坯上反復(fù)施上二次或多次釉水在間歇式窯爐經(jīng)1280度高溫?zé)?0-12小時后分段冷卻而成，釉色及花紋隨著產(chǎn)品碼窯的位置及窯內(nèi)的燒成溫度和氣氛不同而變化，花紋自然生成且各不相同，給人一種律動感，韻律美以及所能觸發(fā)的豐富聯(lián)想，古代就有“峽谷飛瀑兔絲縷”來形容窯變釉的神奇美妙。但傳統(tǒng)的窯變釉工藝主要用在藝術(shù)陶瓷制作上，并且全靠燒制師傅的經(jīng)驗來掌握，不知其原理，人們對窯變釉始終抱著一種神秘感，只知窯內(nèi)在燒制的過程中不同的施釉手法和燒制方式會得到不同的窯變釉產(chǎn)品，有的甚至是“絕”版，由于傳統(tǒng)的窯變釉燒制工藝紛繁復(fù)雜，不僅產(chǎn)品合格率一直很低；而且也很難予適應(yīng)工業(yè)機器現(xiàn)代化大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
[0003]二是傳統(tǒng)的窯變釉工藝施釉時分底釉和面釉，即在素坯上要反復(fù)施上二次或多次釉水才能完成施釉，現(xiàn)在市面上出現(xiàn)的窯變釉產(chǎn)品，其釉面均包含坯體、底釉或熔塊層、面釉等三層或三層以上結(jié)構(gòu)。例如:專利號為ZL201120165220.1，實用新型名稱為“窯變釉白云陶”，具體公開了包含白云陶坯體、直接施在白云陶坯體表面的底釉層和施于底釉面上的面釉層三層結(jié)構(gòu)；又如:專利號為ZL200920179036.5，實用新型名稱為“一種窯變拋釉磚”，具體公開了包含磚坯、燒結(jié)成形于磚坯上面的熔塊層及由熔塊層與釉料進行窯變反應(yīng)形成的窯變釉層三層結(jié)構(gòu)。這種三層或三層以上結(jié)構(gòu)的窯變釉產(chǎn)品，不僅施釉工藝復(fù)雜，而且常因底釉、面釉兩者厚薄不一而產(chǎn)生色差，影響建筑裝飾大面積鋪貼的整體效果。
[0004]三是傳統(tǒng)的窯變釉工藝要在間歇式窯爐經(jīng)1280度高溫?zé)?0-12小時后分段冷卻而成制作，燒制溫度高、時間長，耗能大。
[0005]四是用傳統(tǒng)的窯變釉工藝生產(chǎn)的陶瓷產(chǎn)品，由于磁化好、硬度大，造成施工時切割很困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種新型的單層釉面窯變磚產(chǎn)品及其制備方法，以解決上述【背景技術(shù)】中所存在的不足。
[0007]本發(fā)明技術(shù)方案如下:
一種單層釉面窯變磚的制備方法，包括以下步驟:
(I)坯體泥漿的制備:將葉臘石、硅灰石、石灰石、混合泥、按坯體配方稱重入球磨機內(nèi)，并按照重量比，組合物料:球:水為1: 1.5:0.7的比例，加入球和水一起進行球磨12—15小時，球磨細度控制在250目，篩余量0.6—0.8% ；
(2)釉面料的制備:將長石、氧化鋅、白云石、高嶺土、石英、熔塊、氧化物著色劑按釉面配方稱重入球磨機內(nèi)，并按照重量比，組合物料:球:水為1: 1.6:0.5的比例，加入球和水一起進行球磨16—17小時，球磨細度控制在過350目，篩余量0.7-1%，將球磨好的釉面料放入釉漿桶中，經(jīng)攪拌、過篩、除鐵，釉漿比重控制在1.6—1.65kg/L;
(3)坯體成型與素?zé)?將步驟(I)中的坯體泥漿放入泥漿池中，經(jīng)攪拌，用栗抽取過篩、除鐵、脫水、泥餅烘干、造粒、過篩、陳腐、成型、素?zé)?，坯體用窯素?zé)責(zé)苿铀俣瓤刂圃?5-35m/h，燒成溫度控制在1010-1030°C ;
(4)坯體施釉:在施釉線上將坯體先經(jīng)過噴水箱，再經(jīng)過淋釉箱進行施釉；
(5 )窯變磚燒制:施釉后的坯體經(jīng)干燥后在窯內(nèi)燒制，燒制時間控制在9小時，燒成溫度控制在1250°C以內(nèi)，并經(jīng)過二次變溫升降使其發(fā)生窯變反應(yīng)，得到單層釉面窯變磚。
[0008]步驟(I)所述的還體配方為:葉臘石25—45%wt、娃灰石10—25%wt、石灰石5—20%wt、混合泥 10_60%wt ；
步驟(I)所述的還體配方優(yōu)選為:葉臘石33—37%wt、娃灰石13一 17%wt、石灰石8—12%wt、混合泥30-50%wt。其中所述的混合泥選自余江泥、蘇州土、鎂質(zhì)泥、吉安白泥的一種或幾種；
進一步的所述的混合泥配方優(yōu)選為:余江泥8—12%wt、蘇州土12—18%wt、鎂質(zhì)泥5—10%wt、吉安白泥 5—10%wt。
[0009]步驟(2)所述的釉面配方為:長石10—30%wt、氧化鋅10—30%wt、白云石2—20%wt、高嶺土 2—20。/_1:、石英10—30。/_1:、恪塊10—40%wt、氧化物著色劑 0_5%wt。
[0010]步驟(2)所述的釉面配方優(yōu)選為:長石18—22%wt、氧化鋅18—22%wt、白云石6—10%wt、高嶺土 5—9%wt、石英18—22%wt、恪塊21—25%wt、氧化物著色劑I _2%wt。所述的氧化物著色劑選自二氧化猛、氧化銅、三氧化二鐵、氧化鈷、氧化鋰、氧化鋇、氧化鉛、氧化絡(luò)、鈷蘭中的一種或幾種。
[0011]步驟(2)所述的球磨機為高鋁內(nèi)襯球磨機。釉漿比重控制在1.6-1.65KG/L。釉漿比重低于1.6 KG/L時，則施釉時既達不到重量和厚度，又容易產(chǎn)生流釉；釉漿比重高于1.65KG/L時，則施釉時難予展開，造成施釉不平，易產(chǎn)生針孔;另外如果釉漿磨得太細，則容易縮釉;如果釉漿磨得太粗，則難以結(jié)出晶花。
[0012]步驟(3)所述的坯體成型，其坯體成型水份控制在6—7%之間；所述的用栗抽取為用雙缸隔膜栗抽取;所述的用窯素?zé)秊橛幂伒栏G素?zé)?，其素坯要比坯體成熟溫度低5—10°C。燒成溫度控制在1010-1030°C。如果燒成溫度高于1030°C，則影響釉面吸附率，造成坯釉結(jié)合不好;如果燒成溫度低于1lOtC，一則窯變時收縮大，產(chǎn)品形狀變化大，容易使坯體產(chǎn)生破損，造成合格率低;二則因上層與下層收縮不一，造成尺寸不一致，也造成合格率低。
[0013]步驟(4)采用將坯體先經(jīng)過噴水箱，再經(jīng)過淋釉箱進行施釉，而不采用外購施釉整套機器自動施釉或人工施釉，是為了保證施釉質(zhì)量，做到施釉重量和厚度能夠成一定比例，致密度不會太高，厚度也有，便于窯變反應(yīng)時能產(chǎn)生所需求的花紋;如果采用外購施釉整套機器全自動施釉，則由于施釉致密度太好，窯變反應(yīng)時無法產(chǎn)生花紋;如果采用人工施釉，則效率太低。
[0014]步驟(5)所述的窯內(nèi)燒制為梭式電窯內(nèi)燒制;所述的二次變溫升降為:常溫-升至1240 ± 5 °C-快速降至1080 ± 5 °C_再升至1100 ± 5 °C -保溫80 土 5分鐘-降至室溫;傳統(tǒng)的燒成溫度控制在1280°C左右高溫?zé)?0-12小時后分段冷卻而成制作，燒制溫度高、時間長，耗能極大。而本發(fā)明的燒成溫度控制在1250°C以內(nèi)，燒制時間控制在9小時以內(nèi)，降低了燒制溫度，縮短了燒制時間，在完全滿足工藝要求的同時，還節(jié)約了大量能耗。另外第一次降溫要求力求快速，即從1240±5°C_快速降至1080±5°C，是為了使窯變磚的強度和硬度既能達到標(biāo)準(zhǔn)要求，又不會太致密太硬化，便于切割施工。
[0015]步驟(5)所述的單層釉面窯變磚其吸水率<0.1%，所述的坯體其厚度為6-8mm，所述的單層釉面其厚度為0.5—0.9mm;嚴(yán)格控制坯體與釉面的厚度是為了便于發(fā)生窯變釉化學(xué)反應(yīng)，便于釉面晶花圖案的自然生成；所述的單層釉面窯變磚其外形可制成三角形、方形、菱形、五角形、六角形等任意形狀。
[0016]本發(fā)明的有益效果:一是解決了坯釉結(jié)合問題，提高了產(chǎn)品合格率，適應(yīng)于規(guī)?；a(chǎn);二是將底釉、面釉二合為一成為單層釉面，既簡化施釉工藝，又避免底釉、面釉兩者厚薄不一而產(chǎn)生色差，能適應(yīng)建筑裝飾大面積鋪貼;三是降低窯變釉燒成溫度和減少燒成時間，節(jié)能降耗；四是通過坯體配方優(yōu)化和燒制工藝優(yōu)化，使得單層釉面窯變磚既產(chǎn)生磁化又不致于太硬化，便于施工切割；五是由于單層釉面窯變磚的釉面花紋為自然生成且各不相同，給人一種律動與自然質(zhì)感，滿足了現(xiàn)代人們崇尚自然的審美要求。
【附圖說明】
[0017]圖1為單層釉面窯變磚生產(chǎn)工