雜有至少一種其他元素 的層（含有按重量計(jì)高達(dá)最大約10%的運(yùn)種其他元素），所述滲雜層具有的介電特性實(shí) 際上并未不同于由所述介電材料組成的層的介電特性。因此，例如，當(dāng)該層由氮化娃制成 時(shí)，所述層可含有按重量計(jì)最高達(dá)10%的侶（實(shí)例是通過(guò)陰極瓣射從含有按重量計(jì)最高達(dá) 10 %的侶的娃祀材沉積的層）。此外，運(yùn)些介電涂層可W由包含運(yùn)些相同材料或主要由運(yùn)些 相同材料組成的多個(gè)單獨(dú)的層制成。運(yùn)些介電層也可W通過(guò)眾所周知的技術(shù)等離子體增強(qiáng) 化學(xué)氣相沉積（PECVD)進(jìn)行沉積。
[0032] 該用于吸收太陽(yáng)光福射的層（為該功能層）是由介電涂層側(cè)接。運(yùn)并不意味著 運(yùn)些介電涂層必須有必要與該功能層直接接觸，因?yàn)楸〉闹虚g膜可W出于各種原因插于其 間，但運(yùn)些介電涂層必須緊鄰該功能層而定位。運(yùn)些介電涂層各自可W是單層，但運(yùn)些介電 涂層各自還可W包括多個(gè)不同材料的層。然而，所述介電涂層各自將總是優(yōu)選地含有至少 lOnm的選自氧化娃、氮氧化娃或氮化娃及氧化侶、氮氧化侶或氮化侶的一種介電材料。其他 介電材料可W是基于Zn、Sn、Ti、Zr及Nb的氧化物的材料，或本領(lǐng)域中眾所周知的其他介 電材料，并且特別是錫酸鋒。
[0033] 優(yōu)選地，如在該基板側(cè)上測(cè)量的、涂布有該多層堆疊的該玻璃窗基板的光反射率 比如在該堆疊側(cè)上測(cè)量的、涂布有該多層堆疊的該玻璃窗基板的光反射率高至少2. 5倍、 有利地至少3倍、并且優(yōu)選地至少3. 5倍、或甚至4倍。優(yōu)選地，在該基板側(cè)上測(cè)量的光反 射率比在該堆疊側(cè)上測(cè)量的光反射率高至少14%、至少16%、優(yōu)選地至少20%并且有利地 至少25%。
[0034] 因此，有可能在保持在從被玻璃窗單元封閉的空間內(nèi)部觀察時(shí)透過(guò)該玻璃窗單元 的良好可見(jiàn)度的同時(shí)，獲得產(chǎn)生非常顯著的美學(xué)效應(yīng)的非常高的外部光反射。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，在該基板側(cè)上測(cè)量的光反射率是至少27%、優(yōu)選 地至少30 %并且有利地至少35%。
[0036]為了獲得在基板側(cè)上的高光反射率W及在經(jīng)涂布的基板的兩側(cè)上的反射率之間 的高差異，多種實(shí)施例是可能的。在透明玻璃窗單元（本發(fā)明的主題）的上下文中一種有效 的手段是有利地影響層之間的干擾效應(yīng)。此處再次地，可設(shè)想多種實(shí)施例。然而，干擾大大 地影響在反射及透射中獲得的顏色。優(yōu)選地，第一介電涂層（該涂層被置于基板與用于吸 收太陽(yáng)光福射的層之間）的實(shí)際光學(xué)厚度L具有低于或等于25nm或甚至低于或等于20nm、 有利地低于或等于17皿、并且優(yōu)選地低于或等于15皿的值。此特征有利于獲得基板側(cè)上 的高光反射率，同時(shí)使得可能保持所要求的顏色。優(yōu)選地，該第一介電涂層的實(shí)際光學(xué)厚度 L包括在5皿與20皿之間，有利地在10皿與20皿之間，并且優(yōu)選地在12皿與16皿之間。 運(yùn)允許獲得在兩個(gè)面之間的反射率的高差異、基板側(cè)上的相對(duì)中性顏色與對(duì)熱處理的高耐 受性之間的良好折衷。
[0037]在本發(fā)明的上下文中，介電涂層的實(shí)際光學(xué)厚度L被定義為是每一種形成該介電 涂層的介電材料Wnm計(jì)的（物理）幾何厚度乘W每一種運(yùn)些材料的在550nm處的折射率η 與周?chē)鷼夥罩械臍怏w的折射率之差W后再求和。對(duì)于由多種不同的介電材料形成的涂層， 值L是通過(guò)對(duì)每一種材料的Wnm計(jì)的幾何厚度（e)與通過(guò)自對(duì)應(yīng)材料在550nm處的折射 率η減去氣氛（通常是空氣）在550nm處的折射率的值（即值1)獲得的值的乘積的結(jié)果 求和而獲得，[L=eX(η。日日。.-η空氣日日。），其中η。日日。=材料在550nm處的折射率]。
[0038]優(yōu)選地，相對(duì)于基板置于該用于吸收太陽(yáng)光福射的層之外的第二介電涂層具有包 括在35皿與85皿之間、有利地在40皿與70皿之間并且優(yōu)選地在45皿與65皿之間、并且 理想地在50nm與60nm之間的總實(shí)際厚度以并且該涂層的平均折射率η高于1. 5。此特征 使得易于同時(shí)獲得高外部反射率及低內(nèi)部反射率兩者，同時(shí)保持可接受的且美學(xué)上令人愉 悅的外部反射顏色。
[0039]有利地，該第一介電涂層的實(shí)際光學(xué)厚度L包括在10皿與20皿之間，并且該第二 介電涂層的總實(shí)際厚度L包括在45皿與65皿之間、優(yōu)選地在50皿與60皿之間。因此，獲 得用于實(shí)現(xiàn)基板側(cè)上的高反射率、層側(cè)上的低反射率及基板側(cè)上的相對(duì)中性反射顏色的最 優(yōu)條件。
[0040]優(yōu)選地，置于基板與該用于吸收太陽(yáng)光福射的層之間的第一介電涂層的實(shí)際厚度L比多層堆疊的最后一個(gè)介電涂層（相對(duì)于該基板置于紅外線吸收層之上）的實(shí)際厚度L 大或小至少1.5倍。此特征使得更易于適應(yīng)干擾效應(yīng)。優(yōu)選地，置于基板與該用于吸收太 陽(yáng)光福射的層之間的第一介電涂層的實(shí)際厚度L比多層堆疊的最后一個(gè)介電涂層（相對(duì)于 該基板置于紅外線吸收層之上）的實(shí)際厚度L小至少1. 5倍、有利地2倍并且優(yōu)選地3倍。
[0041]如W上已經(jīng)指出的，用于形成所述介電涂層并且特別是置于功能層之上的第二涂 層的優(yōu)選的介電材料之一是氮化娃，氮化娃具有包括在1. 9與2. 05之間的折射率。然而， 如W上還解釋的，介電涂層可包含除了氮化娃之外的介電材料層。優(yōu)選地，置于該用于吸收 太陽(yáng)光福射的層之上的由介電材料制成的涂層包含具有高于2并且優(yōu)選地高于2. 1的高折 射率的材料。在本發(fā)明的上下文中，運(yùn)種高折射率電介質(zhì)優(yōu)選地是能夠耐受熱處理而無(wú)顯 著結(jié)構(gòu)改變的材料。此類材料的具體實(shí)例是滲雜的或混合的氧化鐵，例如，滲雜或混合有錯(cuò) 或妮，并且尤其是各自占40 %至60 %的比例的氧化鐵與氧化錯(cuò)的混合物。此類材料的另一 實(shí)例是氧化錯(cuò)。優(yōu)選地，將運(yùn)種高折射率材料置于堆疊的用于吸收太陽(yáng)光福射的層與最外 部的介電層之間。
[0042]該用于吸收太陽(yáng)光福射的層可是氮化物，如TiN、化N、WN、NbN、TaN、ZrN或Ni化N， 或運(yùn)些氮化物的混合物。運(yùn)些氮化物還可W被部分地氧化。優(yōu)選地，該用于吸收太陽(yáng)光福 射的層基本上是金屬層，如由Ni化、胖、佩、21"、化、不誘鋼或基于化和/或化的合金制成的 層。
[0043] 優(yōu)選地，該用于吸收太陽(yáng)光福射的層是基于在從380皿至750皿變化的可見(jiàn)光譜 的范圍內(nèi)具有在2與4. 5之間的消光系數(shù)k的金屬的金屬層。
[0044]優(yōu)選地，該用于吸收太陽(yáng)光福射的層是基于Ni化與W的合金、或基于化與Zr的合 金、基于W與Zr或化的合金、或基于W與化的合金的層。運(yùn)些合金已被證明對(duì)于形成容 易地耐受高溫?zé)崽幚矶涮匦詿o(wú)顯著退化的、用于吸收太陽(yáng)光福射的層是非常有利的。運(yùn) 些合金還可W包含選自Ti、Nb、Ta、Ni及Sn的附加的金屬。
[0045]根據(jù)本發(fā)明的特定優(yōu)選實(shí)施例，該用于吸收太陽(yáng)光福射的層是NiCrW合金層，該 合金層是由第一介電涂層（具有包括在lOnm與20nm之間的幾何厚度、主要由氮化娃形成） W及第二介電涂層（具有包括在50nm與65nm之間的幾何厚度、主要由氮化娃形成）側(cè)接。 根據(jù)其他優(yōu)選實(shí)施例，該用于吸收太陽(yáng)光福射的層是Ni化合金層，該合金層是由第一介電 涂層（具有包括在10皿與20皿之間的幾何厚度、主要由氮化娃形成）化及第二介電涂層 (具有包括在55皿與60皿之間的幾何厚度、主要由氮化娃形成）側(cè)接。根據(jù)還其他優(yōu)選 實(shí)施例，該用于吸收太陽(yáng)光福射的層是化Zr合金層，該合金層是由第一介電涂層（具有包 括在lOnm與20nm之間的幾何厚度、主要由氮化娃形成）W及第二介電涂層（具有包括在 60nm與66nm之間的幾何厚度、主要由氮化娃形成）側(cè)接。
[004引優(yōu)選地，該用于吸收太陽(yáng)光福射的層具有包括在3nm與40nm之間、甚至在3nm與 30nm之間、并且優(yōu)選地包括在5nm與25nm之間的幾何厚度。優(yōu)選地，該用于吸收太陽(yáng)光福 射的層具有優(yōu)選地包括在10皿與25皿之間、并且有利地包括在12皿與22皿之間的幾何 厚度。此類用于吸收太陽(yáng)光福射的層適于形成多層堆疊的功能層（即，對(duì)獲得太陽(yáng)光控制 特性是必要的層）。因此，可容易地獲得極其簡(jiǎn)單且極具耐受性的多層堆疊。
[0047]優(yōu)選地，側(cè)接該用于吸收太陽(yáng)光福射的層的兩個(gè)介電涂層是基于氮化娃或氮化 侶。運(yùn)確保用于吸收太陽(yáng)光福射的金屬層在高溫?zé)崽幚砥陂g被非常好地保護(hù)。
[0048]