氧化石墨烯薄膜的后處理方法
【專利說明】氧化石墨烯薄膜的后處理方法
[0001]
技術領域
[0002]本發(fā)明屬于石墨技術領域，具體涉及一種氧化石墨烯薄膜的后處理方法。
[0003]
【背景技術】
[0004]氧化石墨制備過程中，石墨的共軛結構由于含氧官能團侵入而被破壞，所以氧化石墨烯薄膜為絕緣體，這在一定程度上限制了其在導電材料領域的應用。
[0005]

【發(fā)明內容】

[0006]為了克服現有技術領域存在的上述技術問題，本發(fā)明的目的在于，提供一種氧化石墨烯薄膜的后處理方法，方法簡單，具有良好的導電性。
[0007]本發(fā)明提供的氧化石墨烯薄膜的后處理方法，包括以下步驟:(I)將氧化石墨烯薄膜在濃度為0.3mol/L的乙醇溶液中還原處理lh，處理溫度為60°C，之后用無水乙醇沖洗并晾干；(2)將氧化石墨烯薄膜和經步驟(I)還原處理的薄膜進行炭化處理，升溫速率為2V /min，升溫至250°C時，停止升溫，并保持30min，之后繼續(xù)以5°C /min的升溫速率升至1250—1300 0C，得到石墨烯導電薄膜。
[0008]本發(fā)明提供的氧化石墨烯薄膜的后處理方法，其有益效果在于，采用濃度為0.3mol/L的乙醇溶液對氧化石墨烯薄膜進行還原處理，確保氧化石墨烯薄膜的完整性，還原處理后，明顯減少了氧化石墨烯薄膜中的官能團，使制備的氧化烯薄膜具有良好的導電性。
[0009]
【具體實施方式】
[0010]下面結合一個實施例，對本發(fā)明提供的氧化石墨烯薄膜的后處理方法進行詳細的說明。
[0011]
實施例
[0012]本實施例的氧化石墨烯薄膜的后處理方法，包括以下步驟:(I)將氧化石墨烯薄膜在濃度為0.3mol/L的乙醇溶液中還原處理lh，處理溫度為60°C，之后用無水乙醇沖洗并晾干；(2)將氧化石墨烯薄膜和經步驟(I)還原處理的薄膜進行炭化處理，升溫速率為2V /min，升溫至250°C時，停止升溫，并保持30min，之后繼續(xù)以5°C /min的升溫速率升至1250—1300 0C，得到石墨烯導電薄膜。
【主權項】
1.一種氧化石墨烯薄膜的后處理方法，其特征在于:包括以下步驟:(1)將氧化石墨烯薄膜在濃度為0.3mol/L的乙醇溶液中還原處理lh，處理溫度為60°C，之后用無水乙醇沖洗并晾干；(2)將氧化石墨烯薄膜和經步驟(I)還原處理的薄膜進行炭化處理，升溫速率為2V /min，升溫至250°C時，停止升溫，并保持30min，之后繼續(xù)以5°C /min的升溫速率升至1250—1300 0C，得到石墨烯導電薄膜。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種氧化石墨烯薄膜的后處理方法，將氧化石墨烯薄膜在濃度為0.3mol/L的乙醇溶液中還原處理1h，處理溫度為60℃，之后用無水乙醇沖洗并晾干；將氧化石墨烯薄膜和還原處理的薄膜進行炭化處理，升溫速率為2℃/min，升溫至250℃時，停止升溫，并保持30min,之后繼續(xù)以5℃/min的升溫速率升至1250—1300℃，得到石墨烯導電薄膜。采用濃度為0.3mol/L的乙醇溶液對氧化石墨烯薄膜進行還原處理，確保氧化石墨烯薄膜的完整性，還原處理后，明顯減少了氧化石墨烯薄膜中的官能團，使制備的氧化烯薄膜具有良好的導電性。
【IPC分類】C01B31-04
【公開號】CN104591147
【申請?zhí)枴緾N201310522483
【發(fā)明人】喬帥
【申請人】青島泰浩達碳材料有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2013年10月30日