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一種雙層殼結(jié)構(gòu)中空二氧化硅微球及其制備方法與流程

文檔序號(hào):40584862發(fā)布日期:2025-01-07 20:24閱讀:來源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種雙層殼結(jié)構(gòu)中空二氧化硅微球,其特征在于,所述雙層殼結(jié)構(gòu)中空二氧化硅微球?yàn)榘瑑?nèi)核層和外殼層的球形體,所述內(nèi)核層和外殼層均為球形體,所述內(nèi)核層和外殼層組成雙層殼結(jié)構(gòu),所述內(nèi)核層位于所述外殼層內(nèi)部,所述內(nèi)核層的內(nèi)部為中空結(jié)構(gòu),所述內(nèi)核層與外殼層之間為空心結(jié)構(gòu),所述內(nèi)核層的厚度為10-100nm;所述外殼層的厚度為10-50nm,所述內(nèi)核層和外殼層上均分布有復(fù)數(shù)個(gè)介孔,所述介孔的孔徑為1-10nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層殼結(jié)構(gòu)中空二氧化硅微球,其特征在于,所述內(nèi)核層的合成原料含有第一硅源,所述外殼層的合成原料含有第二硅源;

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙層殼結(jié)構(gòu)中空二氧化硅微球,其特征在于,包括如下(1)-(7)中的至少一項(xiàng):

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層殼結(jié)構(gòu)中空二氧化硅微球,其特征在于,包括如下(1)-(5)中的至少一項(xiàng):

5.權(quán)利要求1-4任一所述雙層殼結(jié)構(gòu)中空二氧化硅微球的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,包括如下(1)-(6)中的至少一項(xiàng):

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,包括如下(1)-(6)中的至少一項(xiàng):

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,包括如下(1)-(2)中的至少一項(xiàng):

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,包括如下(1)-(4)中的至少一項(xiàng):


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種雙層殼結(jié)構(gòu)中空二氧化硅微球及其制備方法,所述雙層殼結(jié)構(gòu)中空二氧化硅微球?yàn)榘瑑?nèi)核層和外殼層的球形體,內(nèi)核層和外殼層均為球形體,內(nèi)核層和外殼層組成雙層殼結(jié)構(gòu),內(nèi)核層位于所述外殼層內(nèi)部,內(nèi)核層的內(nèi)部為中空結(jié)構(gòu),內(nèi)核層與外殼層之間為空心結(jié)構(gòu),內(nèi)核層的厚度為10?100nm;外殼層的厚度為10?50nm;內(nèi)核層與外殼層的間距為5?100nm,內(nèi)核層和外殼層上均分布有介孔,介孔的孔徑為1?10nm。所述雙層殼結(jié)構(gòu)中空二氧化硅微球粒徑分布均勻,單分散性好,強(qiáng)度較高,分散性好。微球制備方法簡(jiǎn)單易行,易于工業(yè)化,通過自模板法和一種簡(jiǎn)單有效的選擇性蝕刻策略即可制備得到雙層殼結(jié)構(gòu)中空二氧化硅微球。

技術(shù)研發(fā)人員:花玉芳,趙平,趙楚,陸樹蘋,何苗,游純麗,沈炎明
受保護(hù)的技術(shù)使用者:長(zhǎng)興特殊材料(珠海)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/6
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