本技術(shù)涉及氧化亞硅生產(chǎn)相關(guān)，特別是涉及一種氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、國(guó)內(nèi)生產(chǎn)氧化亞硅的主流方法是氣相沉積法，將單質(zhì)硅和二氧化硅近同摩爾比例混合后研磨成微米量級(jí)的粉末，再在真空環(huán)境下加熱到1000℃以上的溫度進(jìn)行歧化反應(yīng)，并形成氧化亞硅以蒸氣的形式溢出，在壓力擴(kuò)散的作用下被帶溫度較低的地方并被冷凝成為氧化亞硅固體。

2、氧化亞硅生產(chǎn)過(guò)程中，對(duì)于設(shè)備不同區(qū)域的溫度需求不一樣，相應(yīng)的保溫需求也存在區(qū)別；目前的氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備的保溫結(jié)構(gòu)大多無(wú)分區(qū)或只有兩個(gè)分區(qū)，導(dǎo)致設(shè)備不同區(qū)域的實(shí)際溫度無(wú)法滿足實(shí)際需求，進(jìn)而影響制備效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對(duì)目前氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備各區(qū)域溫度無(wú)法滿足實(shí)際需求，導(dǎo)致制備效率相對(duì)較低的問(wèn)題，提供一種制備效率相對(duì)較高的氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備。

2、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備，包括依次連通的高溫室、過(guò)渡室以及低溫室，所述高溫室、所述過(guò)渡室以及所述低溫室三者內(nèi)部分別設(shè)置有相互獨(dú)立的保溫組件。

3、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述高溫室內(nèi)設(shè)置高溫保溫組件，所述高溫保溫組件包括石墨氈層。

4、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述高溫保溫組件包括多層所述石墨氈層，各所述石墨氈層層疊設(shè)置。

5、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述過(guò)渡室包括過(guò)渡保溫組件以及導(dǎo)向管，所述導(dǎo)向管連通所述高溫室以及所述低溫室，所述過(guò)渡保溫組件沿周向環(huán)繞包裹所述導(dǎo)向管。

6、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述過(guò)渡保溫組件沿所述導(dǎo)向管的軸線方向完全覆蓋所述導(dǎo)向管。

7、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述低溫室內(nèi)設(shè)置有低溫保溫組件，所述低溫保溫組件包括反射屏以及低溫保溫層。

8、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述低溫保溫層包裹于所述反射屏外側(cè)。

9、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述高溫室包括高溫爐體以及可拆卸地固定于所述高溫爐體的高溫爐蓋，所述低溫室包括低溫爐體以及可拆卸地固定于所述低溫爐體的低溫爐蓋，所述高溫爐蓋以及所述低溫爐蓋靠近對(duì)應(yīng)爐體的一側(cè)均設(shè)置有爐蓋保溫層。

10、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述高溫爐蓋上的所述爐蓋保溫層與所述高溫室內(nèi)的所述保溫組件相同，所述低溫爐蓋上的所述爐蓋保溫層與所述低溫室內(nèi)的所述保溫組件相同。

11、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述高溫室內(nèi)的溫度維持在1200℃～1600℃；所述過(guò)渡室內(nèi)的溫度維持在1200℃～1600℃；所述低溫室內(nèi)的溫度維持在700℃～900℃。

12、上述氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備，通過(guò)在高溫室、過(guò)渡室以及低溫室內(nèi)設(shè)置相互獨(dú)立的保溫組件，對(duì)各個(gè)倉(cāng)室獨(dú)立進(jìn)行保溫控溫，以確保各個(gè)倉(cāng)室的溫度能夠控制在有效區(qū)域內(nèi)，以滿足實(shí)際生產(chǎn)需求，達(dá)到提高制備效率的效果；此外，為過(guò)渡室設(shè)置獨(dú)立的保溫組件進(jìn)行獨(dú)立控溫，能夠確保過(guò)渡室內(nèi)的物料維持氣相狀態(tài)，并保持氣相狀態(tài)進(jìn)入低溫室參與后續(xù)的沉積步驟，盡可能減少因過(guò)渡室內(nèi)溫度不夠從而導(dǎo)致過(guò)渡室內(nèi)的物料狀態(tài)發(fā)生改變，進(jìn)而導(dǎo)致產(chǎn)品反應(yīng)不完全的情況發(fā)生，從而提高沉積效果。

技術(shù)特征：

1.一種氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，包括依次連通的高溫室(100)、過(guò)渡室(200)以及低溫室(300)，所述高溫室(100)、所述過(guò)渡室(200)以及所述低溫室(300)三者內(nèi)部分別設(shè)置有相互獨(dú)立的保溫組件；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述高溫室(100)內(nèi)設(shè)置高溫保溫組件(112)，所述高溫保溫組件(112)包括石墨氈層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述高溫保溫組件(112)包括多層所述石墨氈層，各所述石墨氈層層疊設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述低溫室(300)內(nèi)設(shè)置有低溫保溫組件(312)，所述低溫保溫組件(312)包括反射屏以及低溫保溫層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述低溫保溫層包裹于所述反射屏外側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述高溫室(100)包括高溫爐體(110)以及可拆卸地固定于所述高溫爐體(110)的高溫爐蓋(120)，所述低溫室(300)包括低溫爐體(310)以及可拆卸地固定于所述低溫爐體(310)的低溫爐蓋(320)，所述高溫爐蓋(120)以及所述低溫爐蓋(320)靠近對(duì)應(yīng)爐體的一側(cè)均設(shè)置有爐蓋保溫層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述高溫爐蓋(120)上的所述爐蓋保溫層與所述高溫室(100)內(nèi)的所述保溫組件相同，所述低溫爐蓋(320)上的所述爐蓋保溫層與所述低溫室(300)內(nèi)的所述保溫組件相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任意一項(xiàng)所述的氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述高溫室(100)內(nèi)的溫度維持在1200℃～1600℃；所述過(guò)渡室(200)內(nèi)的溫度維持在1200℃～1600℃；所述低溫室(300)內(nèi)的溫度維持在700℃～900℃。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種氧化亞硅生產(chǎn)設(shè)備，包括依次連通的高溫室、過(guò)渡室以及低溫室，所述高溫室、所述過(guò)渡室以及所述低溫室三者內(nèi)部分別設(shè)置有相互獨(dú)立的保溫組件；通過(guò)在高溫室、過(guò)渡室以及低溫室內(nèi)設(shè)置相互獨(dú)立的保溫組件，對(duì)各個(gè)倉(cāng)室獨(dú)立進(jìn)行保溫控溫，以確保各個(gè)倉(cāng)室的溫度能夠控制在有效區(qū)域內(nèi)，以滿足實(shí)際生產(chǎn)需求，達(dá)到提高制備效率的效果；此外，為過(guò)渡室設(shè)置獨(dú)立的保溫組件進(jìn)行獨(dú)立控溫，能夠確保過(guò)渡室內(nèi)的物料維持氣相狀態(tài)，并保持氣相狀態(tài)進(jìn)入低溫室參與后續(xù)的沉積步驟，盡可能減少因過(guò)渡室內(nèi)溫度不夠從而導(dǎo)致過(guò)渡室內(nèi)的物料狀態(tài)發(fā)生改變，進(jìn)而導(dǎo)致產(chǎn)品反應(yīng)不完全的情況發(fā)生，從而提高沉積效果。

技術(shù)研發(fā)人員：王岳琴,李迎春,高光平,倪狄,何川
受保護(hù)的技術(shù)使用者：杭州嘉悅智能設(shè)備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231228
技術(shù)公布日：2025/1/9