本發(fā)明涉及晶體制造，更具體地，涉及一種用于單晶爐的防濺裝置和單晶爐。

背景技術(shù)：

1、相關(guān)技術(shù)中，單晶體制造所需的硅料內(nèi)含氫量偏高，硅料在受熱熔化過程中會(huì)出現(xiàn)氫跳現(xiàn)象，容易造成硅液濺出，使得硅液吸附在水冷屏上，降低了單晶體生產(chǎn)的成晶率，影響生產(chǎn)工序。

2、參見相關(guān)技術(shù)文件cn202111642121.2，公開了水冷屏的下端設(shè)置圓環(huán)形護(hù)套，圓環(huán)形護(hù)套與水冷屏的下端連接，通過水冷屏和圓環(huán)形護(hù)套固定在石英坩堝上方，避免水冷屏高溫熔斷或爆裂，且能夠延伸水冷屏的長(zhǎng)度，延伸水冷屏的熱折射，有效保證單晶爐內(nèi)良好的溫度梯度。

3、此單晶爐主要通過圓環(huán)形護(hù)套延伸水冷屏的長(zhǎng)度以避免水冷屏高溫熔斷或爆裂，但是這種方式仍然會(huì)發(fā)生硅料的氫跳現(xiàn)象，易造成硅液吸附在水冷屏上，降低了晶體生產(chǎn)的成晶率，影響生產(chǎn)工序。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種用于單晶爐的防濺裝置，所述用于單晶爐的防濺裝置能夠確保水冷屏的正常使用，提高單晶體的成晶率與生產(chǎn)質(zhì)量，且能夠減少操作步驟，提高加工效率。

2、本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提出一種具有上述防濺裝置的單晶爐。

3、根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于單晶爐的防濺裝置，包括：所述單晶爐包括坩堝和設(shè)于所述坩堝上方的水冷屏，所述水冷屏為環(huán)形，所述防濺裝置包括：防護(hù)件，所述防護(hù)件可拆卸地設(shè)于所述水冷屏內(nèi)，所述防護(hù)件形成為環(huán)形且至少覆蓋所述水冷屏的靠近所述坩堝的一端的內(nèi)周壁；加料筒組件，所述加料筒組件的上端與所述單晶爐的籽晶繩連接，所述加料筒組件適于沿上下方向可移動(dòng)地穿設(shè)于所述水冷屏內(nèi)以將所述防護(hù)件放置于所述水冷屏內(nèi)，所述加料筒組件和所述防護(hù)件可拆卸地連接。

4、根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于單晶爐的防濺裝置，通過防護(hù)件可拆卸地設(shè)于水冷屏內(nèi)，防護(hù)件形成為環(huán)形且至少覆蓋水冷屏的靠近坩堝的一端的內(nèi)周壁，使得防護(hù)件能夠?qū)λ淦吝M(jìn)行防護(hù)，避免硅料附著在水冷屏上而影響水冷屏的使用等問題，且在單晶體加工過程中，避免吸附在水冷屏上的硅液掉落至坩堝內(nèi)而對(duì)硅液造成污染，確保單晶體的成晶率，使得單晶體的生產(chǎn)質(zhì)量好；通過加料筒組件的上端與單晶爐的籽晶繩連接，加料筒組件沿上下方向可移動(dòng)地穿設(shè)于水冷屏內(nèi)，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)加料筒組件與防護(hù)件放入水冷屏內(nèi)或者從水冷屏內(nèi)取出，減少了操作步驟，有利于提高加工效率。

5、另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的用于單晶爐的防濺裝置還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

6、根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的用于單晶爐的防濺裝置，所述防護(hù)件的內(nèi)周壁上設(shè)有連接部，所述加料筒組件包括：加料筒本體，所述加料筒本體的上端與所述籽晶繩連接；配合段，所述配合段的一端與所述加料筒本體連接，所述配合段的另一端朝向所述加料筒本體的徑向向外的方向延伸，所述連接部為沿所述防護(hù)件的周向方向間隔設(shè)置的多個(gè)，所述配合段為沿所述加料筒本體的周向方向間隔設(shè)置的多個(gè)，多個(gè)所述配合段與多個(gè)所述連接部可拆卸地連接。

7、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，多個(gè)所述配合段與多個(gè)所述連接部一一對(duì)應(yīng)的配合；或者，多個(gè)所述連接部分為多組，每組所述連接部包括多個(gè)所述連接部，多組所述連接部中的多個(gè)所述連接部沿所述防護(hù)件的周向方向交替排布，每組所述連接部的多個(gè)所述連接部與多個(gè)所述配合段一一對(duì)應(yīng)的配合。

8、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述加料筒組件還包括：卡箍，所述卡箍套設(shè)于所述加料筒本體上，所述配合段的一端與所述卡箍連接。

9、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述水冷屏的內(nèi)周壁包括傾斜段，所述傾斜段形成為環(huán)形，在從下至上的方向上，所述傾斜段朝向遠(yuǎn)離所述水冷屏中軸線的方向傾斜延伸，所述防護(hù)件包括：抵接部，所述抵接部形成為環(huán)形，在從下至上的方向上，所述抵接部朝向所述水冷屏的徑向向外的方向傾斜延伸以與所述水冷屏的內(nèi)周壁相抵。

10、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述水冷屏的內(nèi)周壁還包括直筒段，所述直筒段形成為環(huán)形，所述直筒段的上端與所述傾斜段的下端連接，所述直筒段在上下方向上內(nèi)徑相同，所述防護(hù)件還包括：直筒部，所述直筒部形成為環(huán)形，所述直筒部的上端與所述抵接部的下端連接，所述直筒部在上下方向上外徑相同，所述直筒部位于所述直筒段內(nèi)。

11、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述防濺裝置還包括提拉桿，所述提拉桿包括：接頭，所述接頭的下端與所述加料筒組件的上端連接，所述接頭的上端設(shè)有沿所述接頭的周向方向延伸的限位部；夾頭，所述夾頭的上端與所述籽晶繩連接，所述夾頭上具有沿軸向方向延伸的安裝孔，所述夾頭的周壁上具有與所述安裝孔連通的缺口，所述缺口的寬度大于所述接頭的最大直徑，所述安裝孔的內(nèi)壁上具有支撐凸起，所述支撐凸起沿所述安裝孔的周向方向延伸，所述接頭適于通過所述缺口伸入安裝孔內(nèi)，且所述限位部的下端適于與所述支撐凸起的上端相抵。

12、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述夾頭的外周壁上設(shè)有沿所述夾頭的周向方向延伸的翻邊，所述提拉桿還包括套筒，所述套筒適于套設(shè)于所述支撐凸起和所述限位部外，所述套筒的下端與所述翻邊的上端相抵。

13、根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述防護(hù)件為鉬件、石墨件、碳碳件、碳化硅件、纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料件、氮化硅或石英件。

14、根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的單晶爐包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的用于單晶爐的防濺裝置。

15、根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的單晶爐，通過防護(hù)件可拆卸地設(shè)于水冷屏內(nèi)，防護(hù)件形成為環(huán)形且至少覆蓋水冷屏的靠近坩堝的一端的內(nèi)周壁，使得防護(hù)件能夠?qū)λ淦吝M(jìn)行防護(hù)，避免硅料附著在水冷屏上而影響水冷屏的使用等問題，且在單晶體加工過程中，避免吸附在水冷屏上的硅液掉落至坩堝內(nèi)而對(duì)硅液造成污染，確保單晶體的成晶率，使得單晶體的生產(chǎn)質(zhì)量好；通過加料筒組件的上端與單晶爐的籽晶繩連接，加料筒組件沿上下方向可移動(dòng)地穿設(shè)于水冷屏內(nèi)，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)加料筒組件與防護(hù)件放入水冷屏內(nèi)或者從水冷屏內(nèi)取出，減少了操作步驟，有利于提高加工效率。

16、本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述單晶爐包括坩堝和設(shè)于所述坩堝上方的水冷屏，所述水冷屏為環(huán)形，所述防濺裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述防護(hù)件的內(nèi)周壁上設(shè)有連接部，所述加料筒組件包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述加料筒組件還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述水冷屏的內(nèi)周壁包括傾斜段，所述傾斜段形成為環(huán)形，在從下至上的方向上，所述傾斜段朝向遠(yuǎn)離所述水冷屏中軸線的方向傾斜延伸，所述防護(hù)件包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述水冷屏的內(nèi)周壁還包括直筒段，所述直筒段形成為環(huán)形，所述直筒段的上端與所述傾斜段的下端連接，所述直筒段在上下方向上內(nèi)徑相同，所述防護(hù)件還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述防濺裝置還包括提拉桿，所述提拉桿包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述夾頭的外周壁上設(shè)有沿所述夾頭的周向方向延伸的翻邊，所述提拉桿還包括套筒，所述套筒適于套設(shè)于所述支撐凸起和所述限位部外，所述套筒的下端與所述翻邊的上端相抵。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐的防濺裝置，其特征在于，所述防護(hù)件為鉬件、石墨件、碳碳件、碳化硅件、纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料件、氮化硅或石英件。

10.一種單晶爐，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的用于單晶爐的防濺裝置。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種用于單晶爐的防濺裝置和單晶爐，單晶爐包括坩堝和設(shè)于坩堝上方的水冷屏，水冷屏為環(huán)形，用于單晶爐的防濺裝置包括：防護(hù)件，防護(hù)件可拆卸地設(shè)于水冷屏內(nèi)，防護(hù)件形成為環(huán)形且至少覆蓋水冷屏的靠近坩堝的一端的內(nèi)周壁；加料筒組件，加料筒組件的上端與單晶爐的籽晶繩連接，加料筒組件適于沿上下方向可移動(dòng)地穿設(shè)于水冷屏內(nèi)以將防護(hù)件放置于水冷屏內(nèi)，加料筒組件和防護(hù)件可拆卸地連接。根據(jù)本發(fā)明的用于單晶爐的防濺裝置，能夠確保水冷屏的正常使用，提高單晶體的成晶率與生產(chǎn)質(zhì)量，且能夠減少操作步驟，提高加工效率。

技術(shù)研發(fā)人員：王新,汪晨,張華利,周聲浪,趙玉兵,宋亞飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23